專利名稱：帶有防打火裝置的機(jī)臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種用于娃片生產(chǎn)機(jī)臺Novellus Cl,尤其涉及該機(jī)臺的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1C，即集成電路是采用半導(dǎo)體制作エ藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。由于Novellus Cl機(jī)臺會用來生長帶弗的薄膜,腔體在反應(yīng)過程中可能會使加熱塊導(dǎo)線短路的風(fēng)險(xiǎn)。針對以上特點(diǎn)，有必要設(shè)計(jì)ー種帶有防打火裝置的機(jī)臺。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型需要解決的技術(shù)問題是提供了一種帶有防打火裝置的機(jī)臺，g在解決上述的問題。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型包括加熱塊下方的導(dǎo)線位置；還包括一防打火裝置；所述的防打火裝置安置在加熱塊下方的導(dǎo)線位置；所述的防打火裝置包括一底板；在所述的底板安置一由ニ塊拼裝的瓶裝體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是在加熱塊下方的導(dǎo)線位置加裝合適大小的防打火裝置，大大降低了機(jī)臺由于加熱導(dǎo)線的短路而導(dǎo)致的機(jī)臺停機(jī)，提高了機(jī)臺的產(chǎn)能利用率。

圖I是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖I的底板結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)ー步詳細(xì)描述由圖I、圖2可見本實(shí)用新型包括加熱塊下方的導(dǎo)線位置(圖中未示)；還包括一防打火裝置；所述的防打火裝置安置在加熱塊下方的導(dǎo)線位置；所述的防打火裝置包括一底板I ;在所述的底板I安置一由ニ塊拼裝的瓶裝體2。所述的底板I是整塊或者是兩塊可拼裝的底板。(如圖2所示)。本實(shí)用新型根據(jù)腔體加熱塊下方導(dǎo)線位置及空間大小設(shè)計(jì)合適大小的三塊或者四塊拼裝防打火裝置，以減少機(jī)臺由于加熱導(dǎo)線的斷路，大大提高機(jī)臺利用率和產(chǎn)能利用率。
權(quán)利要求1.一種帶有防打火裝置的機(jī)臺，包括加熱塊下方的導(dǎo)線位置；其特征在于還包括一防打火裝置；所述的防打火裝置安置在加熱塊下方的導(dǎo)線位置；所述的防打火裝置包括一底板；在所述的底板安置一由ニ塊拼裝的瓶裝體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶有防打火裝置的機(jī)臺，其特征在于所述的底板是整塊或者是兩塊可拼裝的底板。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種帶有防打火裝置的機(jī)臺，包括加熱塊下方的導(dǎo)線位置；還包括一防打火裝置；所述的防打火裝置安置在加熱塊下方的導(dǎo)線位置；所述的防打火裝置包括一底板；在所述的底板安置一由二塊拼裝的瓶裝體；本實(shí)用新型的有益效果是在加熱塊下方的導(dǎo)線位置加裝合適大小的防打火裝置，大大降低了機(jī)臺由于加熱導(dǎo)線的短路而導(dǎo)致的機(jī)臺停機(jī)，提高了機(jī)臺的產(chǎn)能利用率。
文檔編號H01L21/67GK202394846SQ20112044685
公開日2012年8月22日 申請日期2011年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月11日
發(fā)明者周峰, 張春 申請人:上海矽維電子科技有限公司