專(zhuān)利名稱(chēng)：多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的引線框結(jié)構(gòu)主要有兩種第一種采用金屬基板進(jìn)行化學(xué)蝕刻及電鍍后，在金屬基板的背面貼上ー層耐高溫的膠膜形成可以進(jìn)行封裝過(guò)程的引線框載體(如圖3所示)；第二種采用首先在金屬基板的背面進(jìn)行化學(xué)半蝕刻，再將前述已經(jīng)過(guò)化學(xué)半蝕刻的區(qū)域進(jìn)行塑封料的包封，之后將金屬基板的正面進(jìn)行內(nèi)引腳的化學(xué)蝕刻，完成后再進(jìn)行引線框內(nèi)引腳表面的電鍍，即完成引線框的制作(如圖5所示)。而上述兩種引線框在封裝過(guò)程中存在了以下不足點(diǎn)第一種I、此種的引線框架因背面必須要貼上ー層昂貴可抗高溫的膠膜，所以直接増加了高昂的成本；2、也因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過(guò)程中的裝片エ藝只能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)，而完全不能采用共晶エ藝以及軟焊料的エ藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的產(chǎn)品種類(lèi)就有較大的局限性；3、又因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，而在封裝過(guò)程中的金屬線鍵合エ藝中，因?yàn)榇丝煽垢邷氐哪z膜是軟性材質(zhì)，所以造成了金屬線鍵合參數(shù)的不穩(wěn)定，嚴(yán)重的影響了金屬線鍵合的質(zhì)量及產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性；4、再因?yàn)榇朔N的引線框架的背面必須要貼上ー層可抗高溫的膠膜，而在封裝過(guò)程中的塑封エ藝過(guò)程，因?yàn)樗芊鈺r(shí)的注膠壓カ很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應(yīng)屬金屬腳是導(dǎo)電的型態(tài)因?yàn)闈B入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖4所示)。第二種I、因?yàn)榉謩e進(jìn)行了二次的蝕刻作業(yè)，所以多増加了エ序作業(yè)的成本；2、引線框的組成是金屬物質(zhì)加環(huán)氧樹(shù)脂物質(zhì)(塑封料)所以在高溫下容易因?yàn)椴煌镔|(zhì)的膨脹與收縮應(yīng)カ的不相同，產(chǎn)生引線框翹曲問(wèn)題；3、也因?yàn)橐€框的翹曲直接影響到封裝エ序中的裝置芯片的精準(zhǔn)度與引線框傳送過(guò)程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；4、也因?yàn)橐€框的翹曲直接影響到封裝エ序中的金屬線鍵合的對(duì)位精度與弓I線框傳送過(guò)程的順暢從而影響生產(chǎn)良率；5、因?yàn)橐€框正面的內(nèi)引腳是采用蝕刻的技術(shù)，所以蝕刻內(nèi)引腳的腳寬必須大于lOOMffl，而內(nèi)引腳與內(nèi)引腳的間隙也必須大于lOOMffl，所以較難做到內(nèi)引腳的高密度能力。
發(fā)明內(nèi)容[0017]本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，可選擇的產(chǎn)品種類(lèi)廣，金屬線鍵合的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實(shí)現(xiàn)了內(nèi)引腳的高密度能力。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是它包括外基島、外引腳和外靜電釋放圈，所述外基島設(shè)置有多個(gè)，所述外引腳設(shè)置有ー圈，所述外靜電釋放圈設(shè)置于外基島與外引腳之間，所述外引腳正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳，所述外基島正面設(shè)置有芯片，所述芯片正面與內(nèi)引腳正面之間以及芯片正面與芯片正面之間用金屬線連接，所述內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間跨接有無(wú)源器件，所述內(nèi)引腳上部以及芯片、金屬線和無(wú)源器件外包封有塑封料，所述外引腳外圍的區(qū)域、外基島與外靜電釋放圈之間的區(qū)域、外靜電釋放圈與外引腳之間的區(qū)域以及外引腳與外引腳之間的區(qū)域均嵌置有填縫劑，且外基島、外引腳和外靜電釋放圈的背面露出填縫劑外，在露出填縫劑外的外基島、外引腳和外靜電釋放圈的背面設(shè)置有第二金屬層。 所述外基島正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島，所述芯片設(shè)置于內(nèi)基島正面。所述外靜電釋放圈正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圏。所述第一金屬層可以采用鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層或鎳、銅、銀三層金屬層，或者其他類(lèi)似結(jié)構(gòu)。以鎳、銅、鎳、鈀、金五層金屬層為例，其中第一層鎳層主要起到抗蝕刻阻擋層的作用，而中間的銅層、鎳層和鈀層主要起結(jié)合增高的作用，最外層的金層主要起到與金屬線鍵合的作用。所述第二金屬層的成分根據(jù)不同的芯片的功能可以采用金鎳金、金鎳銅鎳金、鎳鈕金、金鎳鈕金、鎳金、銀或錫等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是I、此種引線框的背面不需貼上一層昂貴的可抗高溫的膠膜，所以直接降低了高昂的成本；2、也因?yàn)榇朔N引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過(guò)程中的エ藝除了能使用導(dǎo)電或是不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)外，還能采用共晶エ藝以及軟焊料的エ藝進(jìn)行裝片，所以可選擇的種類(lèi)較廣；3、又因?yàn)榇朔N的引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，確保了金屬線鍵合參數(shù)的穩(wěn)定性，保證了金屬線鍵合的質(zhì)量和產(chǎn)品的可靠度的穩(wěn)定性；4、再因?yàn)榇朔N的引線框的背面不需要貼上ー層可抗高溫的膠膜，因而在封裝的エ藝過(guò)程中完全不會(huì)造成引線框與膠膜之間滲入塑封料；5、由于正面采用了細(xì)線電鍍的方法，所以正面的引腳寬度最小可以達(dá)到25Mffl，以及內(nèi)引腳與內(nèi)引腳之間的距離最小達(dá)到25Mm，充分地體現(xiàn)出引線框內(nèi)引腳的高密度能力；6、由于應(yīng)用了正面內(nèi)引腳的電鍍方式與背面蝕刻技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳盡可能的延伸到基島的旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如此金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線);7、也因?yàn)榻饘倬€的縮短使得芯片的信號(hào)輸出速度也大幅的增速(尤其存儲(chǔ)類(lèi)的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算更為突出)，由于金屬線的長(zhǎng)度變短了，所以在金屬線所存在的寄生電阻、寄生電容與寄生電感對(duì)信號(hào)的干擾也大幅度的降低；[0031]8、因運(yùn)用了內(nèi)引腳的電鍍延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小；9、因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降，由于材料用量的減少，也大幅度地減少了廢棄物等環(huán)保問(wèn)題困擾。

圖I為本實(shí)用新型ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I的俯視圖。 圖3為以往四面無(wú)引腳引線框背面貼上耐高溫膠膜的示意圖。圖4為以往背面貼上耐高溫膠膜的四面無(wú)引腳引線框封裝時(shí)溢料的示意圖。圖5為以往預(yù)包封雙面蝕刻引線框的結(jié)構(gòu)示意圖。其中外基島I外引腳2外靜電釋放圈3內(nèi)基島4內(nèi)引腳5內(nèi)靜電釋放圈6芯片I金屬線8塑封料9導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10第二金屬層11填縫劑12無(wú)源器件13。
具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖I、圖2，本實(shí)用新型ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，它包括外基島I、外引腳2和外靜電釋放圈3，所述外基島I設(shè)置有多個(gè)，所述外引腳2設(shè)置有ー圈，所述外靜電釋放圈3設(shè)置于外基島I與外引腳2之間，所述外基島I正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島4，所述外引腳2正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳5，所述外靜電釋放圈3正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈6，所述內(nèi)基島4、內(nèi)引腳5和內(nèi)靜電釋放圈6統(tǒng)稱(chēng)第一金屬層，所述內(nèi)基島4正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10設(shè)置有芯片7，所述芯片7正面與內(nèi)引腳5正面之間以及芯片7正面與芯片7正面之間用金屬線8連接，所述內(nèi)引腳5與內(nèi)引腳5之間通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10跨接有無(wú)源器件13，所述內(nèi)基島4、內(nèi)引腳5和內(nèi)靜電釋放圈6上部以及芯片7、金屬線8和無(wú)源器件13外包封有塑封料9，所述外引腳2外圍的區(qū)域、外基島I與外靜電釋放圈3之間的區(qū)域、外靜電釋放圈3與外引腳2之間的區(qū)域以及外引腳2與外引腳2之間的區(qū)域均嵌置有填縫劑12，且外基島I、外引腳2和外靜電釋放圈3的背面露出填縫劑12タト，在露出填縫劑12外的外基島I、外引腳2和外靜電釋放圈3的背面設(shè)置有第二金屬層11。[0053]所述外基島I正面可不通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島4，所述外靜電釋放圈3正面也可不通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈6，若外基島I正面不形成內(nèi)基島4，則此時(shí)芯片7直接通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)10設(shè)置于外基島I的正面。
權(quán)利要求1.ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括外基島(1)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)，所述外基島(I)設(shè)置有多個(gè)，所述外引腳(2)設(shè)置有ー圈，所述外靜電釋放圈(3)設(shè)置于外基島(I)與外引腳(2)之間，所述外引腳(2)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(5)，所述外基島(I)正面設(shè)置有芯片(7)，所述芯片(7)正面與內(nèi)引腳(5)正面之間以及芯片(7)正面與芯片(7)正面之間用金屬線(8)連接，所述內(nèi)引腳(5)與內(nèi)引腳(5)之間跨接有無(wú)源器件(13)，所述內(nèi)引腳(5)上部以及芯片(7)、金屬線(8)和無(wú)源器件(13)外包封有塑封料(9)，所述外引腳(2)外圍的區(qū)域、外基島(I)與外靜電釋放圈(3)之間的區(qū)域、外靜電釋放圈(3)與外引腳(2)之間的區(qū)域以及外引腳(2)與外引腳(2)之間的區(qū)域均嵌置有填縫劑(12)，且外基島(I)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)的背面露出填縫劑(12)外，在露出填縫劑(12)外的外基島(I)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)的背面設(shè)置有第二金屬層(U)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述外基島(I)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)基島(4)，所述芯片(7)設(shè)置于內(nèi)基島(4)正面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的ー種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述外靜電釋放圈(3)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)靜電釋放圈(6)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種多基島露出單圈腳靜電釋放圈無(wú)源器件封裝結(jié)構(gòu)，它包括外基島(1)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)，所述外基島(1)設(shè)置有多個(gè)，所述外引腳(2)設(shè)置有一圈，所述外引腳(2)正面通過(guò)多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(5)，所述內(nèi)基島(4)正面設(shè)置有芯片(7)，所述內(nèi)引腳(5)與內(nèi)引腳(5)之間跨接有無(wú)源器件(13)，所述外基島(1)、外引腳(2)和外靜電釋放圈(3)的背面設(shè)置有第二金屬層(11)。本實(shí)用新型的有益效果是它省去了背面的耐高溫膠膜，降低了封裝成本，金屬線鍵合的質(zhì)量與產(chǎn)品可靠度的穩(wěn)定性好，塑封體與金屬腳的束縛能力大，實(shí)現(xiàn)了內(nèi)引腳的高密度能力。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202394894SQ20112046607
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者吳昊, 梁志忠, 王新潮, 謝潔人 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司