專利名稱：陣列基板、液晶面板及顯示設備的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、液晶面板及顯示設備。
背景技術：
薄膜晶體管液晶顯不裝置(TFT-LCD,Thin Film Transistor Crystal Display)是一種主要的平板顯示裝置。根據(jù)驅動液晶的電場方向，TFT-IXD分為垂直電場型和水平電場型。其中，垂直電場型TFT-LCD需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極；然而水平電場型TFT-LCD需要在陣列基板上同時形成像素電極和公共電極。因此，制作水平電場型TFT-IXD的陣列基板時，需要額外增加一次形成公共電極的構圖工藝。水平電場型TFT-IXD包括邊緣電場切換(FFS, Fringe Field Switching)型 TFT-LCD,共平面切換(In-PlaneSwitching)型TFT-LCD。水平電場型TFT-LCD，尤其是FFS型TFT-LCD具有廣視角、開口率高等優(yōu)點，廣泛用于液晶顯示領域。如圖I所示，為現(xiàn)有技術中FFS型TFT-LCD陣列基板俯視圖。其中FFS型TFT-LCD陣列基板包括玻璃基板101，通過在玻璃基板101上覆蓋柵金屬膜，形成柵金屬層，并形成橫向的柵線102，在柵金屬層上覆蓋柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層，柵絕緣層上覆蓋有源層薄膜形成有源層(圖中未示出)，在形成有源層之后，在有源層上覆蓋透明導電薄膜，形成像素電極103，之后再覆蓋一層金屬薄膜，縱向設置數(shù)據(jù)線105、在柵線102和數(shù)據(jù)線105交疊處的薄膜晶體管TFT 104。其中像素電極103是板狀電極，TFT 104上設置有柵電極、源電極和漏電極(圖中均未示出)，柵線102與TFT 104上的柵電極連接(圖中均未示出)，用于向TFT 104提供開啟信號，數(shù)據(jù)線105與TFT 104上的源電極連接，像素電極103與TFT104上的漏電極連接。現(xiàn)有技術中，在FFS型TFT-IXD陣列基板上，數(shù)據(jù)線105與TFT 104上的源電極之間和像素電極103與TFT 104上的漏電極之間直接通過金屬膜交疊接觸在一起，數(shù)據(jù)線105和像素電極103兩者之間沒有通過絕緣層進行隔離，因此為了避免像素電極103與數(shù)據(jù)線105之間的金屬膜產生短路，因此一般會將像素電極103與數(shù)據(jù)線105之間的距離設置的比較大，但是這樣會降低陣列基板像素的開口率。

實用新型內容本實用新型提供一種陣列基板，用以提高陣列基板像素的開口率。相應地，本實用新型還提供一種液晶面板及一種顯示設備。一種陣列基板包括柵金屬層和有源層，在所述柵金屬層上包含第一區(qū)域，由所述第一區(qū)域形成第一部分數(shù)據(jù)線；以及在有源層上包含第二區(qū)域，由所述第二區(qū)域形成第二部分數(shù)據(jù)線；以及過孔，導通所述第一部分數(shù)據(jù)線和所述第二部分數(shù)據(jù)線；將所述第一部分數(shù)據(jù)線和所述第二部分數(shù)據(jù)線作為數(shù)據(jù)掃描線；其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的、正投影不完全重疊。一種液晶面板，包括使用本實用新型提供的FFS型TFT-IXD陣列基板。一種顯示設備，包括使用本實用新型提供的液晶面板。 本實用新型提供的FFS型TFT-IXD陣列基板，在柵金屬層上包含第一區(qū)域，形成第一部分數(shù)據(jù)線，在有源層上包含第二區(qū)域，形成第二部分數(shù)據(jù)線，并由通過過孔沉積的像素電極材料將二者導通，使第一部分數(shù)據(jù)線和第二部分數(shù)據(jù)線具有數(shù)據(jù)掃描線的功能，從而使板狀像素電極與數(shù)據(jù)掃描線之間存在柵絕緣層，較好的縮小了板狀像素電極和數(shù)據(jù)掃描線之間的距離，從而提高了 FFS型TFT-IXD陣列基板的像素開口率。

圖I為現(xiàn)有技術中的FFS型TFT-IXD陣列基板俯視結構圖；圖2a為本實用新型實施例中FFS型TFT-IXD陣列基板俯視結構圖；圖2b為沿圖2a中本實用新型實施例中的FFS型TFT-LCD陣列基板俯視結構圖沿A-A’線提取的截面圖；圖3為本實用新型實施例制造該陣列基板的方法流程圖；圖4為本實用新型實施例提出的在玻璃基板上形成柵線和第一部分數(shù)據(jù)線后的FFS型TFT-IXD陣列基板的俯視結構圖；圖5為本實用新型實施例提出的設置柵絕緣層的陣列基板俯視結構圖；圖6為本實用新型實施例提出的覆蓋鈍化層后開通過孔的陣列基板俯視結構圖。
具體實施方式
針對現(xiàn)有技術中在FFS型TFT-IXD陣列基板上，如圖I所示，數(shù)據(jù)線105與TFT104上的源電極之間和像素電極103與TFT 104上的漏電極之間直接通過金屬膜交疊接觸在一起，兩者之間沒有通過絕緣層進行隔離，因此為了避免像素電極103與數(shù)據(jù)線105之間的金屬膜產生短路，因此一般會將像素電極103與數(shù)據(jù)線105之間的距離設置的比較大，從而降低了 FFS型TFT-LCD陣列基板的像素開口率的問題，本實用新型實施例提供一種FFS型TFT-LCD陣列基板，能夠較好的提高FFS型TFT-LCD陣列基板的像素開口率，同時能夠降低基于構圖工藝形成有源層時，由有源層冗余金屬膜帶來冗余電容產生的功耗，使基于本實用新型實施例提供的FFS型TFT-LCD陣列基板制作的LCD的顯示效果可以得到較好的提聞。本實用新型實施例提出的陣列基板組成結構如圖2a所示，圖2b為沿圖2a中本實用新型實施例中的FFS型TFT-LCD陣列基板俯視結構圖沿A-A’線提取的截面圖，其中FFS型TFT-IXD陣列基板包括玻璃基板201，通過玻璃基板201上覆蓋一層金屬膜，形成柵金屬層，基于形成的柵金屬層的玻璃基板201橫向設置有柵線202，并在所述形成柵金屬層的陣列基板上，現(xiàn)有技術中的數(shù)據(jù)線原來所在區(qū)域中的第一區(qū)域部分也設置柵線，形成第一部分數(shù)據(jù)線203 (為便于闡述，設置了不同的標號)，在柵金屬層上覆蓋柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層209，柵絕緣層209上覆蓋有源層薄膜形成有源層(圖中未示出)和TFT 204，TFT 204設置有柵電極、源電極和漏電極(圖中均為示出)，柵線202與TFT 204的柵電極連接，用于向TFT 204提供開啟信號。并在有源層形成位于除第一區(qū)域部分之外的第二區(qū)域部分的第二部分數(shù)據(jù)線205，第二部分數(shù)據(jù)線205與TFT204的源電極連接。在有源層薄膜上覆蓋一層像素電極材料，基于覆蓋像素電極材料的玻璃基板201上形成像素電極206，像素電極
206是板狀電極，像素電極206與TFT 204的漏電極連接?；谠O置有像素電極206之后的玻璃基板201上覆蓋一層金屬膜，形成鈍化層，在第一區(qū)域設置的第一部分數(shù)據(jù)線203與第二區(qū)域設置的第二部分數(shù)據(jù)線205連接的地方，分別設置過孔207，基于覆蓋鈍化層的玻璃基板201上整板再次沉積像素電極材料，像素電極材料通過過孔207沉積，將第一部分數(shù)據(jù)線203和第二部分數(shù)據(jù)線205導通，作為數(shù)據(jù)掃描線208，與TFT 204的源電極連接。具體地，在上述方案中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的正投影不完全重疊。具體地，在上述方案中，第一區(qū)域包括至少兩個相互隔開的第一條狀子區(qū)域；第二區(qū)域包括至少兩個相互隔開的第二條狀子區(qū)域，所述第一條狀子區(qū)域和所述第二條狀子區(qū) 域形狀相同。更具體地，在上述方案中，所述第一條狀子區(qū)域和所述第二條狀子區(qū)域數(shù)量相同，且分布位置一一對應。其中，一個第一條狀子區(qū)域和位置對應的一個第二條狀子區(qū)域通過過孔導通，形成一條數(shù)據(jù)掃描線。較佳地，每條數(shù)據(jù)掃描線通過至少兩個過孔導通。具體地，在上述方案中，在第一區(qū)域設置的第一部分數(shù)據(jù)線203與第二區(qū)域設置的第二部分數(shù)據(jù)線205連接的地方，分別在第一部分數(shù)據(jù)線203和第二部分數(shù)據(jù)線205上設置過孔207，所述過孔207的形狀可以但不限于為圓形、三角形或正方形。具體地，在上述方案中，像素電極材料通過過孔207沉積，在所述過孔上方覆蓋有像素電極材料。所述覆蓋的像素電極材料的寬度等于或小于玻璃基板上形成的數(shù)據(jù)掃描線的寬度。相應地，這里還提出了一種FFS型TFT-IXD陣列基板的制造方法，如圖3所示，為本實用新型實施例制造該陣列基板的方法流程圖，具體包括步驟31，在玻璃基板201上沉積一層柵金屬薄膜，基于構圖工藝在沉積的柵金屬薄膜上形成柵線202和第一部分數(shù)據(jù)線203圖案；如圖4所示，為本實用新型實施例提出的在玻璃基板201上形成柵線202和第一部分數(shù)據(jù)線203后的FFS型TFT-LCD陣列基板的俯視結構圖；其中玻璃基板201上覆蓋的柵金屬薄膜可以但不限于為AINd、Al、Cu、Mo、Moff或Cr的單層膜，或者為AINd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構成的復合膜。步驟32，在步驟31處理后的形成柵線202和第一部分數(shù)據(jù)線203圖案的玻璃基板201上，沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層209，基于構圖工藝在沉積的絕緣薄膜上形成有源層，TFT 204和第二部分數(shù)據(jù)線205 ;如圖5所示，為本實用新型實施例提出的設置柵絕緣層209的陣列基板俯視結構圖；TFT 204設置有柵電極、源電極和漏電極(圖中均為示出)，柵線202與TFT 204的柵電極連接，用于向TFT 204提供開啟信號。并在有源層形成位于除第一區(qū)域部分之外的第二區(qū)域部分的第二部分數(shù)據(jù)線205，第二部分數(shù)據(jù)線205與TFT 204的源電極連接。其中，柵絕緣層209的金屬膜層可以但不限于為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構成的復合膜,絕緣層TFT104包括的源電極和漏電極的金屬膜層可以但不限于為Mo、Mow或Cr的單層膜,或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構成復合膜。[0032]步驟33，基于步驟32處理后的陣列基板，覆蓋一層像素電極材料，基于構圖工藝，形成像素電極206 ；[0033]其中，像素電極206的形狀為板狀電極。步驟34，基于步驟33處理后的陣列基板沉積鈍化層，并在鈍化層上開設多個過孔
207；如圖6所示，為本實用新型實施例提出的覆蓋鈍化層開通過孔后的陣列基板俯視結構圖，在鈍化層上，對應第一部分數(shù)據(jù)線203和第二部分數(shù)據(jù)線205過渡區(qū)域設置數(shù)個過孔207，過孔207的形狀可以但不限于為圓形，直徑以不超過第一部分數(shù)據(jù)線203和/或第二部分數(shù)據(jù)線205的寬度為宜。其中，形成鈍化層的金屬膜可以但不限于為PVX膜。步驟35，基于步驟34處理后的陣列基板，沉積像素電極材料，像素電極材料通過數(shù)個過孔207沉積，將位于柵金屬層的第一部分數(shù)據(jù)線203和有源層上的第二部分數(shù)據(jù)線205導通。所述像素電極材料可以但不限于為ΙΤ0、IZO的單層膜，或者為ITO、IZO所構成的
復合膜。具體地，上述所述的構圖工藝包括但不限于為光刻膠涂覆、掩膜、曝光、刻蝕等工藝。相應地，本實用新型實施例還提出了一種使用本實用新型實施例中提出的FFS型TFT-LCD陣列基板制造的液晶面板，即基于本實用新型上述提出的新的陣列基板制造的液晶面板也在本實用新型的保護范圍之內。本實用新型還提供一種顯示設備，使用了上述的液晶面板。所述顯示設備可以為液晶電視、筆記本電腦、手機、平板電腦等。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種陣列基板，包括柵金屬層和有源層，其特征在于，在所述柵金屬層上包含第一區(qū)域，由所述第一區(qū)域形成第一部分數(shù)據(jù)線；以及 在有源層上包含第二區(qū)域，由所述第二區(qū)域形成第二部分數(shù)據(jù)線；以及 過孔，導通所述第一部分數(shù)據(jù)線和所述第二部分數(shù)據(jù)線； 將所述第一部分數(shù)據(jù)線和所述第二部分數(shù)據(jù)線作為數(shù)據(jù)掃描線； 其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的正投影不完全重疊。
2.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域包括至少兩個相互隔開的第一條狀子區(qū)域；所述第二區(qū)域包括至少兩個相互隔開的第二條狀子區(qū)域，所述第一條狀子區(qū)域和所述第二條狀子區(qū)域形狀相同。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一條狀子區(qū)域和所述第二條狀子區(qū)域數(shù)量相同，且分布位置一一對應。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，一個第一條狀子區(qū)域和位置對應的一個第二條狀子區(qū)域通過所述過孔導通，形成一條數(shù)據(jù)掃描線。
5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，每條數(shù)據(jù)掃描線通過至少兩個過孔導通。
6.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔為圓形、三角形或正方形。
7.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，像素電極材料通過所述過孔沉積。
8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，在所述過孔上覆蓋的像素電極材料的寬度等于或小于對應數(shù)據(jù)掃描線的寬度。
9.一種液晶面板，其特征在于，包括權利要求I 8任一項權利要求所述的陣列基板。
10.一種顯示設備，其特征在于，包括權利要求9所述的液晶面板。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板包括柵金屬層和有源層，在所述柵金屬層上包含第一區(qū)域，由所述第一區(qū)域形成第一部分數(shù)據(jù)線；以及在有源層上包含第二區(qū)域，由所述第二區(qū)域形成第二部分數(shù)據(jù)線；以及過孔，導通所述第一部分數(shù)據(jù)線和所述第二部分數(shù)據(jù)線；將所述第一部分數(shù)據(jù)線和所述第二部分數(shù)據(jù)線作為數(shù)據(jù)掃描線；其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的正投影不完全重疊。本實用新型提供的陣列基板，較好的縮小了像素電極和數(shù)據(jù)掃描線之間的距離，從而提高了陣列基板的像素開口率。
文檔編號H01L27/32GK202372736SQ20112046682
公開日2012年8月8日 申請日期2011年11月22日 優(yōu)先權日2011年11月22日
發(fā)明者姜文博, 徐宇博, 薛海林, 陳小川 申請人:北京京東方光電科技有限公司