專利名稱：發(fā)光裝置及光學(xué)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光裝置及光學(xué)裝置。
背景技術(shù)：
圖49是表示現(xiàn)有的發(fā)光裝置的一例的立體圖(例如參照專利文獻(xiàn)I)。圖50是圖49所示的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖。這些圖所示的發(fā)光裝置900包含基板91、芯片焊接(die bond)用導(dǎo)體圖案92、接線接合用導(dǎo)體圖案93、LED (light-emitting diode,發(fā)光二極管)芯片94及接線95。在基板91的表面916偵彳，形成了芯片焊接用凹部911及LED安裝用凹部912。芯片焊接用凹部911是形成于LED安裝用凹部912的底面919。芯片焊接用凹部911及LED 安裝用凹部912均為倒立圓錐臺(tái)狀。芯片焊接用凹部911的側(cè)面918是反射LED芯片94的光的反射面。導(dǎo)體圖案92是從基板91的表面916延伸設(shè)置到芯片焊接用凹部911的底面917為止。導(dǎo)體圖案93是從基板91的表面916延伸設(shè)置到LED安裝用凹部912的底面919為止。LED芯片94是配置于芯片焊接用凹部911的底面917，與導(dǎo)體圖案92的一端導(dǎo)通。接線95與LED芯片94及導(dǎo)體圖案93連接。近年來，業(yè)界存在希望增大發(fā)光裝置900的基板91的厚度方向上的光的放射強(qiáng)度的迫切要求。為此，可以考慮加深芯片焊接用凹部911的深度。然而，芯片焊接用凹部911是形成于LED安裝用凹部912的底面919，所以芯片焊接用凹部911的深度不得不為從底面917到底面919的程度的大小。因此，無法充分增大側(cè)面918，從而發(fā)光裝置900無法充分滿足所述迫切要求。[先行技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)I]日本專利第2914097號(hào)公報(bào)
實(shí)用新型內(nèi)容[實(shí)用新型所欲解決的問題]本實(shí)用新型是基于上述情況而考慮出來的，主要課題在于提供一種能夠提高單方向上的放射強(qiáng)度的發(fā)光裝置。[解決問題的技術(shù)手段]由本實(shí)用新型的第I方面所提供的發(fā)光裝置包含基板、與所述基板接合的透鏡、及與所述基板接合并且在夾于所述基板與所述透鏡之間的空隙中露出的裸晶LED，所述透鏡具有在所述基板的厚度方向中于從所述基板朝向所述裸晶LED的方向鼓出，并且射出來自所述裸晶LED的光的光出射面。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述透鏡具有在所述基板的厚度方向中于從所述基板朝向所述裸晶LED的方向上與所述裸晶LED相間隔，并且供來自所述裸晶LED的光入射的光入射面。[0013]在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述基板包含朝向與所述基板的厚度方向中從所述基板向所述裸晶LED的方向正交的方向的一側(cè)的第I基板側(cè)面、以及朝向與所述第I基板側(cè)面相反之側(cè)的第2基板側(cè)面，所述透鏡進(jìn)而包含與所述第I基板側(cè)面處于同一平面的第I透鏡側(cè)面、以及與所述第2基板側(cè)面處于同一平面的第2透鏡側(cè)面。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，形成了位于所述透鏡與所述基板之間，并且與所述空隙及所述光出射面所面對(duì)的空間相通的通氣孔。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述透鏡上形成了規(guī)定所述通氣孔的溝槽。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)而包含形成于所述基板上的主面導(dǎo)電體層，并且在所述主面導(dǎo)電體層上，形成了規(guī)定所述通氣孔的間隙。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)而包含位于所述基板與所述透鏡之間并且將
所述基板與所述透鏡加以接合的接合層。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述接合層包含接合片材(bonding sheet)。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述接合層包含液體黏接劑。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)而包含形成于所述基板中與配置了所述裸晶LED之側(cè)相反之側(cè)的背面導(dǎo)電體層，所述背面導(dǎo)電體層包含朝向與所述第I基板側(cè)面所朝向之側(cè)相同之側(cè)并且具有與所述第I基板側(cè)面相隔離的部位的端面。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述端面包含與所述第I基板側(cè)面處于同一平面的部位。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述光入射面為平面狀。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述光入射面是朝向所述基板的厚度方向中從所述裸晶LED向所述基板的方向鼓出。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)而包含形成于所述基板上的主面導(dǎo)電體層、與所述主面導(dǎo)電體層和所述裸晶LED接合的金屬線(wire)、及覆蓋所述金屬線與所述主面導(dǎo)電體層的接合部位的保護(hù)膜。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述基板上形成了第I凹部，所述第I凹部包含配置了所述裸晶LED的第I底面及與所述第I底面相連接的第I側(cè)面。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)而包含與所述裸晶LED連接的金屬線，在所述基板上進(jìn)而形成了第2凹部，所述第2凹部包含接合了所述金屬線的第2底面及與所述第2底面相連接的第2側(cè)面，在所述第I側(cè)面上，形成了與所述第2底面和所述第2側(cè)面相連接的切口。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述透鏡上形成了透鏡凹部，所述透鏡凹部于所述基板的厚度方向中于從所述基板朝向所述裸晶LED的方向凹陷，并且收納所述裸晶LED。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述透鏡凹部包含朝開口方向展寬的錐狀的凹部側(cè)面。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)而包含金屬線及形成于所述基板上的主面導(dǎo)電體層，所述金屬線包含與所述主面導(dǎo)電體層連接的第一接合部、及與所述裸晶LED連接的第二接合部。由本實(shí)用新型的第2方面提供的光學(xué)裝置包含由本實(shí)用新型的第I方面提供的發(fā)光裝置、配線基板、及將所述發(fā)光裝置與所述配線基板加以接合的焊錫層。在本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)而包含安裝于所述配線基板上的受光裝置。本實(shí)用新型的其他特征及優(yōu)點(diǎn)將參照附圖，通過以下進(jìn)行的詳細(xì)說明進(jìn)一步明確。

圖I是本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的光學(xué)裝置的正視圖(局部透視化)?！0034]圖2是圖I所示的發(fā)光裝置的正視圖。圖3是圖2所示的發(fā)光裝置的平面圖(局部透視化)。圖4是圖2所示的發(fā)光裝置的左側(cè)視圖。圖5是圖2所示的發(fā)光裝置的底視圖。圖6是沿著圖3的VI-VI線的剖面圖。圖7是沿著圖3的VII-VII線的剖面圖。圖8是從圖3中省略透鏡、接合層而表示的平面圖。圖9是圖6所示的區(qū)域IX的放大圖。圖10是圖7所示的區(qū)域X的放大圖。圖11是表示通氣孔的變形例的圖。圖12是表示本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法的一步驟的主要部分立體圖。圖13是沿著圖12的α - α線的剖面圖。圖14是表示繼圖12之后的一步驟的主要部分立體圖。圖15是沿著圖14的α - α線的剖面圖。圖16是表示繼圖14之后的一步驟的主要部分立體圖。圖17是沿著圖16的α - α線的剖面圖。圖18是表示本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法的一步驟的主要部分平面圖。圖19是沿著圖18的β-β線的主要部分剖面圖。圖20是表示繼圖18之后的一步驟的主要部分平面圖。圖21是沿著圖20的β - β線的主要部分剖面圖。圖22是表示繼圖20之后的一步驟的主要部分平面圖。圖23是沿著圖22的β - β線的主要部分剖面圖。圖24是本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的第I變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖25是本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置的正視圖。圖26是圖25所示的發(fā)光裝置的平面圖(局部透視化)。圖27是圖25所示的發(fā)光裝置的左側(cè)視圖。圖28是圖25所示的發(fā)光裝置的底視圖。圖29是沿著圖26的ΧΧΙΧ-ΧΧΙΧ線的剖面圖。圖30是沿著圖26的XXX-XXX線的剖面圖。圖31是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的光學(xué)裝置的正視圖。[0064]圖32是圖31所示的發(fā)光裝置的正視圖。圖33是圖32所示的發(fā)光裝置的平面圖(局部透視化)。圖34是圖32所示的發(fā)光裝置的左側(cè)視圖。圖35是圖32所示的發(fā)光裝置的底視圖。圖36是沿著圖33的XXXVI-XXXVI線的剖面圖。圖37是沿著圖33的XXXVII-XXXVII線的剖面圖。圖38是從圖33中省略透鏡、接合層而表示的平面圖。圖39是表示通氣孔的變形例的圖。
·[0072]圖40是表示本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法的一步驟的主要部分平面圖。圖41是沿著圖40的Y-Y線的主要部分剖面圖。圖42是表示繼圖40之后的步驟的主要部分平面圖。圖43是沿著圖42的線的主要部分剖面圖。圖44是表示繼圖42之后的步驟的主要部分平面圖。圖45是沿著圖44的線的主要部分剖面圖。圖46是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的第I變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖47是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置中省略了透鏡、接合層的局部省略平面圖。圖48是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。圖49是表示現(xiàn)有的發(fā)光裝置的一例的立體圖。圖50是圖49所示的發(fā)光裝置的主要部分剖面圖。[符號(hào)的說明]801、802光學(xué)裝置101、102、103、201、202、203 發(fā)光裝置107受光裝置108配線基板109焊錫層I基板11第I凹部111第 I 底面112第 I 側(cè)面115切口12第2凹部121第 2 底面122、123、124第 2 側(cè)面131隆起部141主面142基板側(cè)面143(第I)基板側(cè)面[0101]144基板側(cè)面145(第2)基板側(cè)面146背面16主面?zhèn)雀采w部17主面?zhèn)嚷冻霾?71主面露出區(qū)域172內(nèi)面露出區(qū)域173底面露出區(qū)域18背面?zhèn)雀采w部19背面?zhèn)嚷冻霾?主面導(dǎo)電體層21第I主面電極211底面電極212內(nèi)面電極213框狀部214中間部215帶狀部217,218端面216焊墊部22第2主面電極221底面電極222內(nèi)面電極223框狀部224帶狀部226延伸部227,228端面229間隙3側(cè)面導(dǎo)電體層31第I側(cè)面電極311、312端面32第2側(cè)面電極321、322端面4背面導(dǎo)電體層41第I背面電極411、412端面42第2背面電極421、422端面5透鏡51凸部[0140]511光出射面52錐形部521錐形面53基部531第 I 面 532透鏡側(cè)面533(第I)透鏡側(cè)面534透鏡側(cè)面535(第2)透鏡側(cè)面536第2面537光入射面538接合面54透鏡凹部541光入射面542凹部側(cè)面59溝槽6裸晶 LED71,72接合層73金屬線731第一接合部732第二接合部75保護(hù)層781通氣孔789空隙81、86基材82導(dǎo)電體膜821電路部822非電路部84、89透鏡母材991激光993檢測(cè)對(duì)象物
具體實(shí)施方式
〈第I實(shí)施方式〉使用圖I 圖23，說明本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式。圖I是本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的光學(xué)裝置的正視圖(局部透視化)。該圖所示的光學(xué)裝置801是光斷續(xù)器(photointerrupter)。光學(xué)裝置801包含發(fā)光裝置101、受光裝置107、配線基板108及焊錫層109。配線基板108例如為印刷配線基板。配線基板108例如包含絕緣基板、及形成于該絕緣基板上的圖案電極。發(fā)光裝置101及受光裝置107是搭載于配線基板108上。在發(fā)光裝置101或受光裝置107與配線基板108之間，分別插入了焊錫層109。焊錫層109是將發(fā)光裝置101或受光裝置107與配線基板108加以接合。圖2是圖I所示的發(fā)光裝置的正視圖。圖3是圖2所示的發(fā)光裝置的平面圖(局部透視化)。圖4是圖2所示的發(fā)光裝置的左側(cè)視圖。圖5是圖2所示的發(fā)光裝置的底視圖。圖6是沿著圖3的VI-VI線的剖面圖。圖7是沿著圖3的VII-VII線的剖面圖。圖8是從圖3中省略透鏡、接合層而表示的平面圖。圖9是圖6所示的區(qū)域IX的放大圖。圖10是圖7所示的區(qū)域X的放大圖。這些圖所示的發(fā)光裝置101包含基板I、主面導(dǎo)電體層2、側(cè)面導(dǎo)電體層3、背面導(dǎo)電體層4、透鏡5、裸晶LED6、接合層71、接合層72、金屬線73及保護(hù)層75 (僅記載于圖6)。發(fā)光裝置101例如在方向X上的尺寸為約3. 2mm，方向Y上的尺寸為約I. 6mm，方向Z上的尺寸為約I. 85mm。 如圖2 圖8所示，基板I為長(zhǎng)方體形狀，例如包含絕緣性的電鍍附著性樹脂。電鍍附著性樹脂是具有電鍍可附著的性質(zhì)的樹脂。作為電鍍附著性樹脂，可列舉液晶聚合物?；錓包含主面141、基板側(cè)面142 145及背面146。如圖3、圖5、圖8所示,基板I包含主面?zhèn)雀采w部16、主面?zhèn)嚷冻霾?7、背面?zhèn)雀采w部18及背面?zhèn)嚷冻霾?9。再者，關(guān)于主面?zhèn)雀采w部16及主面?zhèn)嚷冻霾?7，將在說明主面導(dǎo)電體層2之后進(jìn)行說明。關(guān)于背面?zhèn)雀采w部18及背面?zhèn)嚷冻霾?9，將在說明背面導(dǎo)電體層4之后進(jìn)行說明。主面141朝向厚度方向Z中的一方(圖6中為上方向。以下也稱為方向Za)，背面146朝向厚度方向Z中的另一方(圖6中為下方向。以下也稱為方向Zb)。基板側(cè)面142朝向方向X中的一方(圖3中為右方向)，基板側(cè)面144朝向方向X中的另一方(圖3中為左方向)?；鍌?cè)面143朝向方向Y中的一方(圖3中為上方向)，基板側(cè)面145朝向方向Y中的另一方(圖3中為下方向)。基板側(cè)面142 145均與主面141及背面146相連接。而且，基板側(cè)面142與基板側(cè)面143、基板側(cè)面143與基板側(cè)面144、基板側(cè)面144與基板側(cè)面145、基板側(cè)面145與基板側(cè)面142分別相互連接。如圖3、圖6 圖8所示，在基板I上形成了第I凹部11及第2凹部12。第I凹部11及第2凹部12均是從主面141凹陷。第I凹部11為拋物面狀。第I凹部11優(yōu)選的是拋物面狀，但是例如也可以是四棱錐狀等。第I凹部11包含第I底面111及第I側(cè)面112。第I底面111例如為直徑為O. 653mm左右的圓形狀。如圖6所示，第I側(cè)面112與第I底面111及主面141相連接。在第I側(cè)面112上，形成了從主面141凹陷的切口 115 (參照?qǐng)D
6、圖7)。S卩，第I側(cè)面112包含從第I底面111起到主面141為止的部分、及從第I底面111起未到主面141的相對(duì)高度(方向Z上的尺寸)較低的部分。第2凹部12沿著方向X與第I凹部11并列。在本實(shí)施方式中，第2凹部12為四棱錐臺(tái)狀。第2凹部12的形狀并不限于四棱錐臺(tái)狀，例如還可以是圓錐臺(tái)狀等。第2凹部12包含第2底面121及第2側(cè)面122 124。第2底面121例如在方向X上的大小為O. 32mm左右，方向Y上的大小為O. 26mm左右的長(zhǎng)方形狀。第2底面121的面積小于第I底面111的面積。第2底面121位于較第I底面111更靠主面141側(cè)(圖6的上側(cè))的位置。第2底面121與切口 115相連接。如圖7、圖8所示，第2側(cè)面122、123彼此相對(duì)向。第2側(cè)面122、123均與切口 115相連接。第2側(cè)面122、123分別是從第2底面121的方向X上延伸的邊緣起，直到主面141為止。如該圖所示，第2側(cè)面122、123相對(duì)于第2底面121例如形成120度的角度。如圖3、圖6 圖8所示，第2側(cè)面124是從第2底面121的方向Y上延伸的邊緣起，直到主面141為止。如圖6所示，第2側(cè)面124相對(duì)于第2底面121例如形成100度的角度。第2側(cè)面124與第2側(cè)面122、123均相連接。如圖8所示，在基板I上形成了隆起部131。隆起部131是形成于基板I的主面141偵彳，并且為朝方向Za隆起的形狀。隆起部131例如成為在后述發(fā)光裝置101的制造過程中，用來將用于防塵的片材適當(dāng)?shù)匕惭b到裸晶LED6及金屬線73等上的基座。如圖8所示，主面導(dǎo)電體層2是形成于基板I的主面141偵彳。主面導(dǎo)電體層2是將Cu層、Ni層及Au層從Cu層起依序積層于基板I上的構(gòu)造。主面導(dǎo)電體層2包含第I主面電極21及第2主面電極22。第I主面電極21位于圖8的右側(cè)，第2主面電極22位于圖8的左側(cè)。第I主面電極21與第2主面電極22相互間隔并且絕緣。
·[0185]如圖6、圖8所示，第I主面電極21包含底面電極211、內(nèi)面電極212、框狀部213、中間部214及帶狀部215。底面電極211是形成于第I底面111上。底面電極211為圓形狀。內(nèi)面電極212是形成于第I側(cè)面112上。內(nèi)面電極212還形成于第2底面121及第2側(cè)面122、123中靠近第I凹部11的部位。內(nèi)面電極212與底面電極211相連接。框狀部213是形成于主面141中XY俯視時(shí)為第I凹部11的外側(cè)的部位。框狀部213與內(nèi)面電極212相連接。中間部214是位于框狀部213與帶狀部215之間的部位。中間部214與框狀部213和帶狀部215相連接。如圖8所示，帶狀部215形成于主面141中方向X上的一端。帶狀部215是沿著方向Y延伸的形狀。帶狀部215包含端面217、218。端面217朝向與基板側(cè)面143所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面143處于同一平面。端面218朝向與基板側(cè)面145所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面145處于同一平面。如圖6、圖8所示，第2主面電極22包含底面電極221、內(nèi)面電極222、框狀部223及帶狀部224。底面電極221是形成于第2底面121上。底面電極221覆蓋第2底面121的幾乎整個(gè)面。底面電極221與內(nèi)面電極212未連接而相間隔。內(nèi)面電極222是形成于第2側(cè)面122 124上。內(nèi)面電極222覆蓋第2側(cè)面124的整個(gè)面及第2側(cè)面122、123的各自的幾乎整個(gè)面。內(nèi)面電極222與內(nèi)面電極212未連接而相間隔。內(nèi)面電極222與底面電極221相連接?？驙畈?23是包圍第2凹部12的形狀?？驙畈?23包含沿著方向X呈帶狀延伸的兩個(gè)部位、以及與所述兩個(gè)部位相連接并且沿著方向Y延伸的帶狀部位?？驙畈?23與內(nèi)面電極222及底面電極221相連接。帶狀部224是形成于基板I的方向X上的一端。帶狀部224是沿著方向Y延伸的形狀。帶狀部224與框狀部223相連接。帶狀部224包含端面227、228。端面227朝向與基板側(cè)面143所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面143處于同一平面。端面228朝向與基板側(cè)面145所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面145處于同一平面。并且，在帶狀部224與框狀部223之間(即在主面導(dǎo)電體層2上)，形成了間隙229。如圖8所明示，主面?zhèn)雀采w部16是基板I中覆蓋于主面導(dǎo)電體層2上的部位。主面?zhèn)嚷冻霾?7是基板I的主面141側(cè)的部位中未覆蓋于主面導(dǎo)電體層2上的部位。主面?zhèn)嚷冻霾?7包含與構(gòu)成主面?zhèn)雀采w部16的材料相同的材料(電鍍附著性樹脂)。通過形成主面?zhèn)嚷冻霾?7，如上所述，第I主面電極21與第2主面電極22絕緣。主面?zhèn)嚷冻霾?7包含主面露出區(qū)域171、內(nèi)面露出區(qū)域172及底面露出區(qū)域173。主面露出區(qū)域171是主面?zhèn)嚷冻霾?7中構(gòu)成主面141的區(qū)域。主面露出區(qū)域171位于第I凹部11及第2凹部12的方向Y上的兩側(cè)(圖8的上側(cè)與下側(cè))。此外，主面露出區(qū)域171還包含從間隙229露出的部位。內(nèi)面露出區(qū)域172是主面?zhèn)嚷冻霾?7中構(gòu)成第2側(cè)面122、123的區(qū)域。內(nèi)面電極222與內(nèi)面電極212隔著內(nèi)面露出區(qū)域172而相隔。內(nèi)面露出區(qū)域172為沿著切口 115的形狀，從主面141直到第2底面121為止。底面露出區(qū)域173是主面?zhèn)嚷冻霾?7中構(gòu)成第2底面121的區(qū)域。底面露出區(qū) 域173位于第2底面121中第I凹部11側(cè)的一端。底面電極221與內(nèi)面電極212隔著底 面露出區(qū)域173而相隔。底面露出區(qū)域173為沿著方向Y延伸的帶狀。底面露出區(qū)域173與內(nèi)面露出區(qū)域172相連接。如圖2、圖4 圖6所示，側(cè)面導(dǎo)電體層3包含第I側(cè)面電極31及第2側(cè)面電極32。第I側(cè)面電極31是形成于基板側(cè)面142。第I側(cè)面電極31覆蓋整個(gè)基板側(cè)面142。第I側(cè)面電極31與帶狀部215相連接。借此，第I側(cè)面電極31與第I主面電極21導(dǎo)通。第I側(cè)面電極31包含端面311、312。端面311朝向與基板側(cè)面143所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面143處于同一平面。端面312朝向與基板側(cè)面145所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面145處于同一平面。第2側(cè)面電極32是形成于基板側(cè)面144上。第2側(cè)面電極32覆蓋整個(gè)基板側(cè)面144。第2側(cè)面電極32與帶狀部224相連接。借此，第2側(cè)面電極32與第2主面電極22導(dǎo)通。第2側(cè)面電極32包含端面321、322。端面321朝向與基板側(cè)面143所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面143處于同一平面。端面322朝向與基板側(cè)面145所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且與基板側(cè)面145處于同一平面。如圖5所示，背面導(dǎo)電體層4形成于基板I的背面146。背面導(dǎo)電體層4包含第I背面電極41及第2背面電極42。第I背面電極41與第I側(cè)面電極31相連接。借此，第I背面電極41、第I側(cè)面電極31及第I主面電極21相互導(dǎo)通。另一方面，第2背面電極42與第2側(cè)面電極32相連接。借此,第2背面電極42、第2側(cè)面電極32及第2主面電極22相互導(dǎo)通。第I背面電極41及第2背面電極42分別為朝向背面146的中央突出的形狀。具體來說，如下所述。第I背面電極41包含端面411、412。端面411朝向與基板I的基板側(cè)面143所朝向之側(cè)相同之側(cè)。端面411包含與基板側(cè)面143相間隔的部位、以及與基板側(cè)面143處于同一平面的部位。端面411中與基板側(cè)面143處于同一平面的部位是位于背面146的方向X上的一端。另一方面,端面412朝向與基板I的基板側(cè)面145所朝向之側(cè)相同之側(cè)。端面412包含與基板側(cè)面145相間隔的部位、以及與基板側(cè)面145處于同一平面的部位。端面412中與基板側(cè)面145處于同一平面的部位是位于背面146的方向X上的一端。與第I背面電極41相同，第2背面電極42包含端面421、422。端面421朝向與基板I的基板側(cè)面143所朝向之側(cè)相同之側(cè)。端面421包含與基板側(cè)面143相間隔的部位、以及與基板側(cè)面143處于同一平面的部位。端面421中與基板側(cè)面143處于同一平面的部位是位于背面146的方向X上的一端。另一方面，端面422朝向與基板I的基板側(cè)面145所朝向之側(cè)相同之側(cè)。端面422包含與基板側(cè)面145相間隔的部位、以及與基板側(cè)面145處于同一平面的部位。端面422中與基板側(cè)面145處于同一平面的部位是位于背面146的方向X上的一端。側(cè)面導(dǎo)電體層3與背面導(dǎo)電體層4均與主面導(dǎo)電體層2相同，是將Cu層、Ni層及Au層從Cu層起依序積層于基板I上的構(gòu)造。如圖5所示，背面?zhèn)雀采w部18是基板I中覆蓋于背面導(dǎo)電體層4上的部位。背面?zhèn)嚷冻霾?9是基板I的背面146側(cè)的部位中未覆蓋于背面導(dǎo)電體層4上的部位。背面?zhèn)嚷冻霾?9包含與構(gòu)成背面?zhèn)雀采w部18的材料相同的材料(電鍍附著性樹脂)?！と鐖D6所示，裸晶LED6與基板I接合。更具體來說，裸晶LED6是經(jīng)由主面導(dǎo)電體層2(本實(shí)施方式中為底面電極211)配置于第I凹部11上的第I底面111。裸晶LED6例如包含η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層、夾于所述半導(dǎo)體層之間并且發(fā)出光的活性層、部分電極及整面電極。裸晶LED6在XY俯視時(shí)為矩形狀。裸晶LED6從圖6所示的側(cè)面及上表面發(fā)出大量光。在本實(shí)施方式中，裸晶LED6發(fā)出紅外線。裸晶LED6的一邊例如為O. 3mm左右。所述整面電極位于裸晶LED6中的底面電極211側(cè)。另一方面，所述部分電極位于裸晶LED6中的與底面電極211側(cè)相反之側(cè)。本實(shí)施方式的裸晶LED6是只連接一根金屬線73的單金屬線型，裸晶LED還可以是連接兩根金屬線的雙金屬線型、或未連接金屬線的倒裝芯片型(flip chip type)。接合層72是介于裸晶LED6與主面導(dǎo)電體層2(本實(shí)施方式中為底面電極211)之間。接合層72將裸晶LED6與基板I加以接合。借此，裸晶LED6相對(duì)于基板I而固定。接合層72包含導(dǎo)電性的材料，例如銀漿。接合層72包含具有導(dǎo)電性的材料，因此裸晶LED6與底面電極211經(jīng)由接合層72而導(dǎo)通。金屬線73與裸晶LED6及底面電極221相連接。借此，裸晶LED6與底面電極221導(dǎo)通。保護(hù)層75覆蓋金屬線73與主面導(dǎo)電體層2(本實(shí)施方式中為底面電極221)的接合部位。保護(hù)層75是用來保護(hù)金屬線73與主面導(dǎo)電體層2的接合部位不受損傷。保護(hù)層75例如包含硅樹脂或環(huán)氧樹脂。如圖6所明示，透鏡5是配置于基板I的主面141側(cè)。透鏡5例如包含熱固性的環(huán)氧樹脂。透鏡5例如包含隔斷可見光的透射的黑色樹脂。在本實(shí)施方式中，透鏡5可以使來自裸晶LED6的光(本實(shí)施方式中為紅外線)透射。透鏡5的折射率例如為I. 3 I. 7。透鏡5包含凸部51及基部53。凸部51包含光出射面511。光出射面511是在厚度方向Z中于從基板I朝向裸晶LED6的方向Za(圖6的上方向)鼓出。使用發(fā)光裝置101時(shí)，從光出射面511是射出來自裸晶LED6的光。如圖3所示，光出射面511在方向Z觀察時(shí)為與第I凹部11重疊。在本實(shí)施方式中，光出射面511在方向Z觀察時(shí)為圓形狀。透鏡5是將沿方向Z延伸的線設(shè)為光軸。因此，光出射面511為以沿方向Z延伸的線為軸時(shí)為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的形狀。并且，光出射面511為鏡面(未形成凹凸形狀而為平坦的面)。由于光出射面511為鏡面，所以可以抑制在光出射面511上光發(fā)生漫反射或散射。凸部51的曲率是根據(jù)第I凹部11的形狀而確定為所期望的值。如圖2 圖4、圖6、圖7所示，基部53呈板狀，覆蓋第I凹部11?；?3是位于第I凹部11與光出射面511之間?；?3包含第I面531、透鏡側(cè)面532 535及第2面
536。第I面531朝向厚度方向Z中從基板I向裸晶LED6的方向Za(圖6的上方向)。透鏡側(cè)面532朝向與基板I的基板側(cè)面142所朝向的方向相同的方向。透鏡側(cè)面534朝向與基板I的基板側(cè)面144所朝向的方向相同的方向。透鏡側(cè)面533朝向與基板I的基板側(cè)面143所朝向的方向相同的方向。而且，透鏡側(cè)面533與基板側(cè)面143處于同一平面。透鏡側(cè)面535朝向與基板I的基板側(cè)面145所朝向的方向相同的方向。透鏡側(cè)面535與基板側(cè)面145處于同一平面。透鏡側(cè)面532 535均與第I面531及第2面536相連接。透鏡側(cè)面532與透鏡側(cè)面533、透鏡側(cè)面533與透鏡側(cè)面534、透鏡側(cè)面534與透鏡側(cè)面535、透
鏡側(cè)面535與透鏡側(cè)面532為相互連接。第I面531及透鏡側(cè)面532、534均為形成了微細(xì)凹凸形狀的粗糙面(經(jīng)緞光加工等的面)。但是，透鏡側(cè)面532、534不需要為粗糙面，例如還可以為鏡面。第I面531及透鏡側(cè)面532、534為粗糙面的目的在于，使成為透鏡5的透鏡母材86 (后述)容易從用來形成透鏡母材86的模具中抽出。各面上的微細(xì)凹凸的高低差(十點(diǎn)平均粗糙度Rz)例如為I 2 μ m。第2面536朝向與第I面531所朝向之側(cè)相反之側(cè)。在本實(shí)施方式中,第2面536為朝XY平面(與透鏡5的光軸垂直的平面)展寬的平面狀。此外，第2面536為鏡面。第2面536包含光入射面537及接合面538。光入射面537是第2面536中，面對(duì)第I凹部11與第2凹部12的面。對(duì)光入射面537入射來自裸晶LED6的光。光入射面537是位于光出射面511與裸晶LED6之間。在本實(shí)施方式中，光入射面537相對(duì)于裸晶LED6，在厚度方向Z中于從基板I朝向裸晶LED6的方向(方向Za)上相間隔。在光入射面537與第I凹部11或第2凹部12之間，形成了夾于透鏡5與基板I之間的空隙789。光入射面537、裸晶LED6、金屬線73、底面電極211、內(nèi)面電極212、底面電極221、內(nèi)面電極222均在空隙789中露出。接合面538是第2面536中與后述接合層71相連接的面。在本實(shí)施方式中，在透鏡5上，形成了從接合面538向方向Za凹陷的溝槽59。接合層71是位于透鏡5與基板I之間。接合層71是用來使透鏡5相對(duì)于基板I而固定。更具體來說，接合層71是將透鏡5的接合面538與表面導(dǎo)電體層2或隆起部131加以接合。接合層71例如包含接合片材或液體黏接劑。接合片材中，例如有環(huán)氧系的片材。接合片材可以是熱固型的片材，也可以是熱塑型的片材。液體黏接劑中有例如UV(Ultraviolet，紫外線)系黏接劑或丙烯酸系黏接劑。如圖9所示，在發(fā)光裝置101中，形成了通氣孔781。通氣孔781是與空隙789及光出射面511所面對(duì)的空間(即，發(fā)光裝置101的外部的空間)相通。因此，氣體可以通過通氣孔781，在空隙789與發(fā)光裝置101的外部空間之間流通。此外，通氣孔781是位于透鏡5與基板I之間。在本實(shí)施方式中，通氣孔781是由溝槽59規(guī)定。與本實(shí)施方式不同，通氣孔781還可以不由溝槽59規(guī)定。例如，還可以在透鏡5中不形成溝槽，而利用形成于主面導(dǎo)電體層2上的間隙來規(guī)定通氣孔781 (參照?qǐng)D11)。其次，使用圖12 圖23，說明發(fā)光裝置101的制造方法。[0215]如圖18、圖19所示，在形成了多個(gè)第I凹部11的基材81上，形成主面導(dǎo)電體層2，、側(cè)面導(dǎo)電體層3'及背面導(dǎo)電體層4'。在本實(shí)施方式中，主面導(dǎo)電體層2'、側(cè)面導(dǎo)電體層3'及背面導(dǎo)電體層4'在基材81上的形成是使用激光圖案化法。首先，使用圖12 圖17，說明利用激光圖案化法在基材81上形成主面導(dǎo)電體層2'等，制造圖18、圖19所示的構(gòu)造的步驟。再者，圖12 圖17是用于說明激光圖案化法的圖，圖12 圖17所示的基材81的形狀與圖23所示的基材81的形狀在細(xì)微部分存在差異。如圖12、圖13所示，準(zhǔn)備在方向Y上延伸的基材81。其次，在基材81上沿著方向Y，形成多個(gè)第I凹部11及多個(gè)第2凹部12。其次,進(jìn)行金屬化(metallizing)步驟。在該金屬化步驟中，在基材81的主面141'、側(cè)面142' ,144;、背面146'、第I凹部11及第2凹部12等基材81中所露出的所有面上形成導(dǎo)電體膜82。導(dǎo)電體膜82例如包含Cu。其次，如圖14、圖15所示，進(jìn)行圖案化步驟。在該圖案化步驟中，對(duì)基材81的主面141'及背面146'照射激光991。通過照射激光991，以沿著圖6 圖8所示的主面導(dǎo)電體 層2、背面導(dǎo)電體層4的輪廓的方式，去除導(dǎo)電體膜82的一部分。通過去除導(dǎo)電體膜82的一部分，將導(dǎo)電體膜82分成電路部821與非電路部822。電路部821成為圖3 圖5所示的主面導(dǎo)電體層2、側(cè)面導(dǎo)電體層3及背面導(dǎo)電體層4。其次，進(jìn)行電解Cu電鍍，使Cu只在電路部821析出。非電路部822是導(dǎo)電體膜82中，照射激光991去除一部分之后的電路部821以外的部位。其次，如圖16、圖17所示，進(jìn)行軟蝕刻(soft etching)步驟。在該軟蝕刻步驟中，從基材81去除非電路部822。其次，在電路部821上進(jìn)行Ni電鍍及Au電鍍。借此，在電路部821上積層Ni層及Au層。如此一來，制造圖18、圖19所示的在基材81上形成了主面導(dǎo)電體層W等的構(gòu)造。其次，如圖20、圖21所示，將多個(gè)裸晶LED6逐個(gè)地配置于各第I凹部11中。裸晶LED6經(jīng)由接合層72而與基材81接合。在基材81中，多個(gè)裸晶LED6是沿著方向Y排列。其次，將金屬線73與裸晶LED6連接。其次，如圖22、圖23所示，預(yù)先形成包含多個(gè)凸部51的透鏡母材84，并經(jīng)由接合層71將透鏡母材84與基材81接合。透鏡母材84對(duì)基材81的接合是在XY俯視時(shí)各凸部51與多個(gè)第I凹部11中的任一個(gè)重疊，并且各裸晶LED6與透鏡母材84之間存在間隙的狀態(tài)下進(jìn)行。其次，沿著與方向Y交叉的切斷面Del，一次性切斷基材81、電路部821及透鏡母材84。借此，完成發(fā)光裝置101的制造。通過切斷基材81、電路部821及透鏡母材84，分別形成基板I上的側(cè)面143、145，主面導(dǎo)電體層2上的端面217、218、227、228，側(cè)面導(dǎo)電體層3上的端面311、312、321、322，背面導(dǎo)電體層4上的端面411、412、421、422。其次，說明配置了發(fā)光裝置101的光學(xué)裝置801 (參照?qǐng)DI)的使用方法。當(dāng)光學(xué)裝置801運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，例如從圖6所示的裸晶LED6發(fā)出光(本實(shí)施方式中為紅外線)。所述光通過空隙789入射到光入射面537。接著，入射到光入射面537的光通過透鏡5的內(nèi)部，經(jīng)光出射面511折射而射出。當(dāng)從光出射面511射出的紅外線經(jīng)檢測(cè)對(duì)象物993朝向受光裝置107反射時(shí)，被反射的該光被受光裝置107中的受光元件(省略圖示)所接收。所述受光元件根據(jù)受光量，產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)(electromotive force)輸出信號(hào)。根據(jù)所述輸出值，對(duì)檢測(cè)對(duì)象物993進(jìn)行檢測(cè)。另一方面，當(dāng)從光出射面511射出的光未經(jīng)檢測(cè)對(duì)象物993反射時(shí)，受光裝置107中的受光元件(省略圖示)不接收來自裸晶LED6的光，從而不對(duì)檢測(cè)對(duì)象物993進(jìn)行檢測(cè)。光學(xué)裝置801以這種方式使用，可以獲得檢測(cè)對(duì)象物993是否與光學(xué)裝置801相對(duì)向的信息。并且，發(fā)光裝置101與受光裝置107的間隔距離相較于光學(xué)裝置801與檢測(cè)對(duì)象物993的間隔距離極小(發(fā)光裝置101與受光裝置107的間隔距離例如為2 50mm的范圍內(nèi)的值，另一方面，檢測(cè)對(duì)象物993與光學(xué)裝置801的間隔距離例如為5 200mm的范圍內(nèi)的值)。因此，與圖I所示不同，實(shí)際上，從發(fā)光裝置101經(jīng)檢測(cè)對(duì)象物993反射而朝向受光裝置107的光均是幾乎沿著方向Z行進(jìn)。其次，說明本實(shí)施方式的作用效果。發(fā)光裝置101包含透鏡5。透鏡5具有在基板I的厚度方向Z中于從基板I朝向裸晶LED6的方向Za鼓出，并且射出來自裸晶LED6的光的光出射面511。根據(jù)這種構(gòu)成，通過經(jīng)光出射面511使裸晶LED6所發(fā)出的光折射，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。并且，可以縮小從發(fā)光裝置101發(fā)出的光的指向角。如果方向Za上的放射強(qiáng)度提高，或者如果從發(fā)光裝置101發(fā)出的光的指向角變 窄，那么經(jīng)檢測(cè)對(duì)象物993反射后被受光裝置107的受光元件所接收的光的量會(huì)增加。因此，當(dāng)檢測(cè)對(duì)象物993與光學(xué)裝置801相對(duì)向時(shí)，可以確實(shí)地對(duì)檢測(cè)對(duì)象物993進(jìn)行檢測(cè)。借此，可以更確切地知道檢測(cè)對(duì)象物993是否與光學(xué)裝置801相對(duì)向。如圖6所示，在發(fā)光裝置101中，裸晶LED6在基板I與透鏡5所夾的空隙789中露出。這種構(gòu)成適于縮小裸晶LED6與透鏡5接觸的區(qū)域。如果可以縮小裸晶LED6與透鏡5接觸的區(qū)域，那么可以減少裸晶LED6可能從透鏡5受到的應(yīng)力。因此，根據(jù)發(fā)光裝置101，可以抑制裸晶LED6因從透鏡5受到應(yīng)力而受損。在發(fā)光裝置101中，光入射面537是相對(duì)于裸晶LED6，在厚度方向Z中于從基板I朝向裸晶LED6的方向Za(圖6的上方向)上相間隔。在這種構(gòu)成中，裸晶LED6幾乎不會(huì)從透鏡5受到應(yīng)力。因此，根據(jù)發(fā)光裝置101，可以進(jìn)一步抑制裸晶LED6因從透鏡5受到應(yīng)力而受損。在發(fā)光裝置101中，透鏡5包含位于光出射面511與裸晶LED6之間并且入射來自裸晶LED6的光的光入射面537。并且，光入射面537為朝XY平面(與透鏡5的光軸垂直的平面)展寬的平面狀。根據(jù)這種構(gòu)成，從裸晶LED6發(fā)出后以入射角Θ I (省略圖示。在本實(shí)施方式中為與方向Z所成的角)入射到光入射面537的光經(jīng)光入射面537折射，以小于入射角Θ I的折射角Θ2(省略圖示。在本實(shí)施方式中為與方向Z所成的角)在透鏡5內(nèi)朝方向Za側(cè)行進(jìn)。這樣，通過從裸晶LED6發(fā)出的光經(jīng)光入射面537折射，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。而且，可以縮小從發(fā)光裝置101發(fā)出的光的指向角。在發(fā)光裝置101中，形成了與空隙789及光出射面511所面對(duì)的空間(發(fā)光裝置101的外部空間)相通的通氣孔781。根據(jù)這種構(gòu)成，在回流焊(reflow)步驟等高溫環(huán)境下進(jìn)行的步驟中，即使空隙789的內(nèi)部氣體已發(fā)生熱膨脹，經(jīng)熱膨脹的氣體也會(huì)通過通氣孔781流入到發(fā)光裝置101的外部空間。由此，根據(jù)發(fā)光裝置101，空隙789的壓力難以極端上升。因此，發(fā)光裝置101適于抑制透鏡5因空隙789的壓力上升而從基板I分離的故障。如果內(nèi)面電極212被接合層71所覆蓋，那么有可能導(dǎo)致方向Za上的放射強(qiáng)度下降。當(dāng)接合層71包含接合片材時(shí)，由于接合片材具有一定形狀，因此不易產(chǎn)生因液狀黏接劑滴落于內(nèi)面電極212而使接合層71覆蓋內(nèi)面電極212的一部分的情況。因此，當(dāng)接合層71包含接合片材時(shí)，可以抑制發(fā)光裝置101的方向Za上的放射強(qiáng)度的下降，并且在基板I上配置透鏡5。發(fā)光裝置101為了安裝到配線基板108而被交付到回流焊步驟?；亓骱覆襟E是在約260度的高溫環(huán)境下進(jìn)行。當(dāng)接合層71為熱固型的接合片材時(shí)，在高溫環(huán)境下進(jìn)行的該回流焊步驟中，接合層71的接合力難以減弱。因此，當(dāng)接合層71為熱固型的接合片材時(shí)，可以抑制回流焊步驟中透鏡5從基板I分離的故障。當(dāng)接合層71包含液體黏接劑時(shí),可以利用固著效果(anchor effect),使表面導(dǎo)電體層2或隆起部131與透鏡5進(jìn)一步貼緊并且接合。在發(fā)光裝置101中，圖5所示的基板側(cè)面143是切斷基材81時(shí)(參照?qǐng)D22、圖23)的切斷面。并且，端面411包含與基板側(cè)面143相間隔的部位。切斷基材81時(shí)，用來切斷基材81的切割刀片(dicing blade)不會(huì)接觸到與端面411中與基板側(cè)面143間隔的部位。因此，在端面411中與基板側(cè)面143間隔的部位上，不會(huì)產(chǎn)生毛邊。因此，發(fā)光裝置101適·于抑制端面411上的毛邊的產(chǎn)生。由于同樣的理由，發(fā)光裝置101適于抑制端面412、421、422上的毛邊的產(chǎn)生。在發(fā)光裝置101中，端面411位于背面146的方向X上的一端，并且包含與基板側(cè)面143處于同一平面的部位。為了形成包含這種端面411的第I背面電極41 (背面導(dǎo)電體層4)，只要僅對(duì)基材81的背面146'照射激光991即可，不需要對(duì)基材81的側(cè)面142'照射激光。因此，發(fā)光裝置101適于簡(jiǎn)化制造步驟。同樣地，在發(fā)光裝置101中，端面412位于背面146的方向X上的一端，并且包含與基板側(cè)面145處于同一平面的部位。同樣地，在發(fā)光裝置101中，端面421位于背面146的方向X上的一端,并且包含與基板側(cè)面143處于同一平面的部位。同樣地，在發(fā)光裝置101中，端面422位于背面146的方向X上的一端，并且包含與基板側(cè)面145處于同一平面的部位。通過這些構(gòu)成，也使得發(fā)光裝置101適于簡(jiǎn)化制造步驟。在發(fā)光裝置101中，第2面536為平面狀。假設(shè)第2面536為凸面時(shí)，第2面536有可能與金屬線73相接觸。如果第2面536與金屬線73接觸，那么可能產(chǎn)生裸晶LED6的姿態(tài)發(fā)生偏移的故障。但是，在本實(shí)施方式中，第2面536為平面狀，因此第2面536難以接觸到金屬線73。因此，在本實(shí)施方式中，不易產(chǎn)生裸晶LED6的姿態(tài)發(fā)生偏移的故障。在發(fā)光裝置101中，在基板I上形成了第I凹部11。第I凹部11包含配置了裸晶LED6的第I底面111、以及與第I底面111相連接的第I側(cè)面112。根據(jù)這種構(gòu)成，從裸晶LED6發(fā)出的光經(jīng)形成于第I底面111上的底面電極211、或形成于第I側(cè)面112上的內(nèi)面電極212反射，入射到光入射面537。接著，入射到光入射面537的該光從光出射面511射出，射向方向Za側(cè)。根據(jù)這種構(gòu)成，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。并且，可以縮小從發(fā)光裝置101發(fā)出的光的指向角。<第I實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第I變形例>其次，利用圖24，說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第I變形例。圖24是本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的第I變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。該圖所示的發(fā)光裝置102與上述發(fā)光裝置101的不同之處在于，光入射面537成為朝向與方向Za相反之側(cè)(本實(shí)施方式中為第I凹部11之側(cè))鼓出的凸面。光入射面537為將沿著方向Z延伸的線設(shè)為軸時(shí)為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的形狀。根據(jù)發(fā)光裝置102，通過使從裸晶LED6發(fā)出的光經(jīng)作為凸面的光入射面537折射，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。而且，可以縮小從發(fā)光裝置102發(fā)出的光的指向角。<第I實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第2變形例>其次，利用圖25 圖30，說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第2變形例。圖25是本實(shí)用新型的第I實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置的正視圖。圖26是圖25所示的發(fā)光裝置的平面圖(局部透視化)。圖27是圖25所示的發(fā)光裝置的左側(cè)視圖。圖28是圖25所示的發(fā)光裝置的底視圖。圖29是沿著圖26的XXIX-XXIX線的剖面圖。圖30是沿著圖26的XXX-XXX線的剖面圖。這些圖所示的發(fā)光裝置103與上述發(fā)光裝置101的不同之處在于，透鏡5包含 錐形部52。錐形部52是透鏡5中，與凸部51及基部53相連接的部位。錐形部52是為了使成為透鏡5的透鏡母材84成型時(shí)容易從模具抽出透鏡母材84而形成。錐形部52包含錐形面521。錐形面521與光出射面511相連接。如圖26所示，錐形面521為方向Z觀察時(shí)為包圍光出射面511的形狀。即，在本實(shí)施方式中，錐形面521為越走向圖29的下方直徑越擴(kuò)大的形狀。錐形面521例如為鏡面。當(dāng)錐形面521為鏡面時(shí)，容易設(shè)計(jì)使透鏡母材84成型的模具。錐形面521例如與第I面531或透鏡側(cè)面532、534相同，為形成了微細(xì)凹凸形狀的粗糙面。當(dāng)錐形面521為粗糙面時(shí)，使透鏡母材84 (本變形例中省略圖示，例如參照?qǐng)D22、圖23)成型時(shí)，透鏡母材84不易從模具中抽出。〈第2實(shí)施方式>其次，利用圖31 圖45，說明本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式。圖31是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的光學(xué)裝置的正視圖。這些圖所示的光學(xué)裝置802包含發(fā)光裝置201、受光裝置107、配線基板108及焊錫層109。受光裝置107、配線基板108、焊錫層109的各構(gòu)成與第I實(shí)施方式相同，所以省略它們的說明。圖32是圖31所示的發(fā)光裝置的正視圖。圖33是圖32所示的發(fā)光裝置的平面圖(局部透視化)。圖34是圖32所示的發(fā)光裝置的左側(cè)視圖。圖35是圖32所示的發(fā)光裝置的底視圖。圖36是沿著圖33的XXXVI-XXXVI線的剖面圖。圖37是沿著圖33的XXXVII-XXXVII線的剖面圖。圖38是從圖33中省略透鏡、接合層而表示的平面圖。這些圖所示的發(fā)光裝置201包含基板I、主面導(dǎo)電體層2、側(cè)面導(dǎo)電體層3、背面導(dǎo)電體層4、透鏡5、裸晶LED6、接合層71、72及保護(hù)層75 (只記載于圖36中)?；錓、主面導(dǎo)電體層2及透鏡5的各構(gòu)成與第I實(shí)施方式不同。側(cè)面導(dǎo)電體層3、背面導(dǎo)電體層4、裸晶LED6、接合層71、72及保護(hù)層75的各構(gòu)成與第I實(shí)施方式相同，所以省略說明。發(fā)光裝置201例如在方向X上的尺寸為約3. 2mm，方向Y上的尺寸為約I. 6mm，方向Z上的尺寸為約 I. 85mm。如圖32 圖38所示，基板I為平板狀。在本實(shí)施方式中，與上述實(shí)施方式不同，在基板I上未形成第I凹部11、第2凹部?；錓的厚度例如為O. 2 I. 5mm?；錓例如包含玻璃環(huán)氧樹脂?；錓包含主面141、基板側(cè)面142 145及背面146。主面141、基板側(cè)面142 145及背面146與第I實(shí)施方式相同，所以省略說明。[0254]如圖38所明示，主面導(dǎo)電體層2是形成于基板I的主面141側(cè)。主面導(dǎo)電體層2是將Cu層、Ni層及Au層從Cu層起依序積層于基板I上的構(gòu)造。主面導(dǎo)電體層2包含第I主面電極21及第2主面電極22。第I主面電極21位于圖38的右側(cè)，第2主面電極22位于圖38的左側(cè)。第I主面電極21與第2主面電極22相互間隔并且絕緣。第I主面電極21包含焊墊部216及帶狀部215。焊墊部216在俯視時(shí)為大致矩形狀。在焊墊部216上，經(jīng)由接合層72接合了裸晶LED6。帶狀部215是形成于主面141中方向X上的一端。帶狀部215為沿著方向Y延伸的形狀。帶狀部215是與焊墊部216及第I側(cè)面電極31相連接。第2主面電極22包含帶狀部224及延伸部226。帶狀部224形成于基板I的方向X上的一端。帶狀部224為沿著方向Y延伸的形狀。帶狀部224與第2側(cè)面電極32相連接。在帶狀部224上，接合了金屬線73。各延伸部226為從帶狀部224朝方向X延伸出的形狀。各延伸部226是配置于與焊墊部216在方向Y上相間隔的位置。在本實(shí)施方式中，與第I實(shí)施方式相同，主面導(dǎo)電體層2、側(cè)面導(dǎo)電體層3及背面導(dǎo)電體層4都是將Cu層、Ni層及Au層從Cu層起依序積層于基板I上的構(gòu)造。在本實(shí)施方式中，主面導(dǎo)電體層2、側(cè)面導(dǎo)電體層3、背面導(dǎo)電體層4與使用激光圖案化法而形成的第I實(shí)施方式不同，是通過印刷在基板I上而形成。透鏡5包含凸部51及基部53。凸部51與第I實(shí)施方式相同，所以省略說明?；?3包含第I面531、透鏡側(cè)面532 535及第2面536。第I面531、透鏡側(cè)面532 535與第I實(shí)施方式相同，所以省略說明。在基部53上，從第2面536起，形成了在基板I的厚度方向Z中于從基板I朝向裸晶LED6的方向Za凹陷的透鏡凹部54。第2面536朝向與第I面531所朝向之側(cè)相反之側(cè)。第2面536為平面狀，并且俯視時(shí)為框狀的形狀。第2面536是與后述接合層71相連接的接合面。在本實(shí)施方式中，在透鏡5上，形成了從第2面536朝方向Za凹陷的溝槽59。透鏡凹部54包含光入射面541及凹部側(cè)面542。光入射面541為面對(duì)裸晶LED6的面。光入射面541為朝XY平面(與透鏡5的光軸垂直的平面)展寬的平面狀。對(duì)光入射面541，入射來自裸晶LED6的光。光入射面541是位于光出射面511與裸晶LED6之間，并且光入射面541相對(duì)于裸晶LED6，在厚度方向Z中從基板I向裸晶LED6的方向Za上相間隔。凹部側(cè)面542為包圍裸晶LED6的形狀。凹部側(cè)面542相對(duì)于方向Z傾斜(圖36的局部放大圖中夸張表示)，并且朝向透鏡凹部54所開口的方向展寬的形狀。在光入射面541及凹部側(cè)面542與基板I之間，形成了夾于透鏡5與基板I之間的空隙789。光入射面
537、裸晶LED6及金屬線73均露出于空隙789中。再者，透鏡凹部54的深度(方向Z上的第I面536與光入射面541之間的間隔尺寸)例如為O. 5 I. 5mm。如圖36所示，在發(fā)光裝置201中，形成了通氣孔781。通氣孔781與空隙789及光出射面511所面對(duì)的空間(即，發(fā)光裝置201的外部空間)相通。因此，氣體可以通過通氣孔781，在空隙789與發(fā)光裝置201的外部空間之間流通。此外，通氣孔781位于透鏡5與基板I之間。在本實(shí)施方式中，通氣孔781是由溝槽59規(guī)定。與本實(shí)施方式不同，通氣孔781可以不由溝槽59規(guī)定。例如，還可以在透鏡5上不形成溝槽，而通過形成于主面導(dǎo)電體層2上的間隙，規(guī)定通氣孔781 (參照?qǐng)D39)。其次，利用圖40 圖45，說明發(fā)光裝置201的制造方法。[0263]如圖40、圖41所示，準(zhǔn)備在方向Y上延伸的基材86。其次，通過印刷，在基材86上形成主面導(dǎo)電體層2'、側(cè)面導(dǎo)電體層3'、背面導(dǎo)電體層4'。其次，如圖42、圖43所示，經(jīng)由主面導(dǎo)電體層2'將多個(gè)裸晶LED6與基材86接合。在基材86上，沿著方向Y排列著多個(gè)裸晶LED6。其次，將金屬線73與裸晶LED6連接。其次，如圖44、圖45所示，預(yù)先形成包含多個(gè)凸部51的透鏡母材89，將透鏡母材89與基材86接合。在本實(shí)施方式中，將透鏡母材89與基材86接合之前，預(yù)先在透鏡母材89上還形成多個(gè)透鏡凹部54。透鏡母材89對(duì)基材86的接合是在XY俯視時(shí)各凸部51與多個(gè)裸晶LED6的各個(gè)重疊，并且在各裸晶LED6與透鏡母材89之間存在間隙的狀態(tài)(即，將各裸晶LED6收納于多個(gè)透鏡凹部54中的任一個(gè)的狀態(tài))下進(jìn)行。其次，沿著與方向Y交叉的切斷面Dc2，一次性切斷基材86、主面導(dǎo)電體層2'、側(cè)面導(dǎo)電體層3'、背面導(dǎo)電體層4'及透鏡母材89。借此，完成發(fā)光裝置201的制造。通過切斷基材86、主面導(dǎo)電體層2'、側(cè)面導(dǎo)電體層3'、背面導(dǎo)電體層4'及透鏡母材89，分別 形成基板I上的側(cè)面143、145，主面導(dǎo)電體層2上的端面217、218、227、228，側(cè)面導(dǎo)電體層3上的端面311、312、321、322，背面導(dǎo)電體層4上的端面411、412、421、422。配置了發(fā)光裝置201的光學(xué)裝置802 (參照?qǐng)D31)的使用方法與第I實(shí)施方式的光學(xué)裝置801的使用方法相同，所以省略說明。其次，說明本實(shí)施方式的作用效果。發(fā)光裝置201包含透鏡5。透鏡5具有在基板I的厚度方向Z中于從基板I朝向裸晶LED6的方向Za鼓出，并且射出來自裸晶LED6的光的光出射面511。根據(jù)這種構(gòu)成，通過使從裸晶LED6發(fā)出的光經(jīng)光出射面511折射，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。并且，可以縮小從發(fā)光裝置201發(fā)出的光的指向角。如果方向Za上的放射強(qiáng)度提高，或者如果從發(fā)光裝置201發(fā)出的光的指向角變小，那么經(jīng)檢測(cè)對(duì)象物993反射后被受光裝置107中的受光元件所接收的光的量會(huì)增加。因此，當(dāng)檢測(cè)對(duì)象物993與光學(xué)裝置802相對(duì)向時(shí)，檢測(cè)對(duì)象物993可以更確實(shí)地檢測(cè)出來。借此，可以更確切地知道檢測(cè)對(duì)象物993是否與光學(xué)裝置802相對(duì)向。如圖36所示，在發(fā)光裝置201中，裸晶LED6在基板I與透鏡5之間所夾的空隙789中露出。這種構(gòu)成適于縮小裸晶LED6與透鏡5接觸的區(qū)域。如果可以縮小裸晶LED6與透鏡5接觸的區(qū)域，那么可以降低裸晶LED6可能從透鏡5受到的應(yīng)力。因此，根據(jù)發(fā)光裝置201，可以抑制裸晶LED6因從透鏡5受到應(yīng)力而受損。在發(fā)光裝置201中，光入射面541相對(duì)于裸晶LED6,在厚度方向Z中于從基板I朝向裸晶LED6的方向Za(圖36的上方向)上相間隔。這種構(gòu)成使裸晶LED6幾乎不會(huì)從透鏡5受到應(yīng)力。因此，根據(jù)發(fā)光裝置201，可以進(jìn)一步抑制裸晶LED6因從透鏡5受到應(yīng)力而受損。在發(fā)光裝置201中，透鏡5包含位于光出射面511與裸晶LED6之間并且入射來自裸晶LED6的光的光入射面541。而且，光入射面541為朝向XY平面(與透鏡5的光軸垂直的平面)展寬的平面狀。根據(jù)這種構(gòu)成，從裸晶LED6發(fā)出后以入射角Θ3(省略圖示。在本實(shí)施方式中為與方向Z所成的角)入射到光入射面541的光經(jīng)光入射面541折射，并以小于入射角Θ 3的折射角Θ4(省略圖示。在本實(shí)施方式中為與方向Z所成的角)在透鏡5內(nèi)朝方向Za側(cè)行進(jìn)。這樣，通過從裸晶LED6發(fā)出的光經(jīng)光入射面541折射，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。并且，可以縮小從發(fā)光裝置201發(fā)出的光的指向角。在發(fā)光裝置201中，形成了與空隙789及光出射面511所面對(duì)的空間(發(fā)光裝置201的外部空間)相通的通氣孔781。根據(jù)這種構(gòu)成，由于與第I實(shí)施方式中所述的理由相同的理由，所以適于抑制因空隙789的壓力上升而使透鏡5從基板I分離的故障。當(dāng)接合層71包含接合片材時(shí)，由于與第I實(shí)施方式中所述的理由相同的理由，所以可以抑制發(fā)光裝置201的方向Za上的放射強(qiáng)度的下降，并且在基板I上配置透鏡5。當(dāng)接合片材為熱固型片材時(shí)，由于與第I實(shí)施方式中所述的理由相同的理由，所以可以抑制在回流焊步驟中透鏡5從基板I分離的故障。當(dāng)接合層71包含液體黏接劑時(shí)，可以利用固著效果，使表面導(dǎo)電體層2與透鏡5更貼緊并且接合。發(fā)光裝置201由于與第I實(shí)施方式中所述的理由相同的理由，所以適于抑制在端·面411、412、421、422上的毛邊的產(chǎn)生。在發(fā)光裝置201中，光入射面541為平面狀。根據(jù)這種構(gòu)成，由于與第I實(shí)施方式中所述的理由相同的理由，所以難以產(chǎn)生裸晶LED6的姿態(tài)發(fā)生偏移的故障?！吹?實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第I變形例>其次，利用圖46，說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第I變形例。圖46是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的第I變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。該圖所示的發(fā)光裝置202與上述發(fā)光裝置201的不同之處在于，光入射面541成為朝向與方向Za相反之側(cè)(本實(shí)施方式中為第I凹部11的側(cè))鼓出的凸面。光入射面541為將沿著方向Z延伸的線設(shè)為軸時(shí)為旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的形狀。根據(jù)發(fā)光裝置202，通過使從裸晶LED6發(fā)出的光經(jīng)作為凸面的光入射面541折射，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。并且，可以縮小從發(fā)光裝置202發(fā)出的光的指向角?！吹?實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第2變形例>其次，利用圖47，說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第2變形例。圖47是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的第2變形例的發(fā)光裝置中省略了透鏡、接合層的部分省略平面圖。本變形例中與上述發(fā)光裝置201的不同之處在于，焊墊部216不是矩形狀，而包含半圓形狀的部位。根據(jù)這種構(gòu)成，可以利用焊墊部216更多地反射從裸晶LED6發(fā)出的光。借此，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。并且，可以縮小從發(fā)光裝置203發(fā)出的光的指向角?！吹?實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第3變形例>其次，利用圖48，說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的第3變形例。圖48是本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式的第3變形例的發(fā)光裝置的剖面圖。該圖所示的發(fā)光裝置203與上述發(fā)光裝置201的不同之處在于，金屬線73包含與主面導(dǎo)電體層2相連接的第一接合部731、及與裸晶LED6相連接的第二接合部732。當(dāng)制造這種發(fā)光裝置201時(shí)，首先將金屬線73的一端與主面導(dǎo)電體層2相連接。其次，將金屬線73的另一端與裸晶LED6相連接。再者，在上述發(fā)光裝置101、201等之中，首先將金屬線73的一端與裸晶LED6相連接，然后，將金屬線73的另一端與主面導(dǎo)電體層2相連接。當(dāng)如本變形例將金屬線73與裸晶LED6相連接時(shí)，在第二接合部732附近的金屬線73與XY平面所成的角度Θ6容易變得較小。因此，可以進(jìn)一步降低圖48所示的高度HI。借此，可以進(jìn)一步縮小裸晶LED6與光入射面541之間的間隔距離。如果該間隔距離較小，那么可以使來自裸晶LED6的光更多地入射到光入射面541。因此，可以提高方向Za上的放射強(qiáng)度。再者，光學(xué)裝置201中的透鏡5還可以包含上述光學(xué)裝置103的透鏡5中的錐形 部52。本實(shí)用新型并不限定于上述實(shí)施方式。本實(shí)用新型的具體構(gòu)成可以自由地進(jìn)行各種設(shè)計(jì)變更。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光裝置，其特征是包含 基板； 透鏡，其與所述基板接合；及 裸晶LED，其與所述基板接合，并且在所述基板與所述透鏡之間所夾的空隙中露出；且 所述透鏡具有在所述基板的厚度方向Z中于從所述基板朝向所述裸晶LED的方向Za鼓出，并且射出來自所述裸晶LED的光的光出射面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征是所述透鏡具有在所述基板的厚度方向中于從所述基板朝向所述裸晶LED的方向上與所述裸晶LED相間隔，并且供來自所述裸晶LED的光入射的光入射面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的發(fā)光裝置，其特征是 所述基板包含朝向與所述基板的厚度方向中從所述基板向所述裸晶LED的方向正交的方向的一方的第I基板側(cè)面、以及朝向與所述第I基板側(cè)面相反之側(cè)的第2基板側(cè)面；且 所述透鏡進(jìn)而包含與所述第I基板側(cè)面處于同一平面的第I透鏡側(cè)面、以及與所述第2基板側(cè)面處于同一平面的第2透鏡側(cè)面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征是形成了位于所述透鏡與所述基板之間，并且與所述空隙及所述光出射面所面對(duì)的空間相通的通氣孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征是在所述透鏡上，形成了規(guī)定所述通氣孔的溝槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征是進(jìn)而包含形成于所述基板上的主面導(dǎo)電體層；且 在所述主面導(dǎo)電體層上，形成了規(guī)定所述通氣孔的間隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征是進(jìn)而包含位于所述基板與所述透鏡之間，并且將所述基板與所述透鏡加以接合的接合層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征是所述接合層包含接合片材。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征是所述接合層包含液體黏接劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征是 進(jìn)而包含形成于所述基板中與配置了所述裸晶LED之側(cè)相反之側(cè)的背面導(dǎo)電體層；且 所述背面導(dǎo)電體層包含朝向與所述第I基板側(cè)面所朝向之側(cè)相同之側(cè)，并且具有與所述第I基板側(cè)面相間隔的部位的端面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征是所述端面包含與所述第I基板側(cè)面處于同一平面的部位。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征是所述光入射面為平面狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征是所述光入射面是朝向所述基板的厚度方向中從所述裸晶LED向所述基板的方向鼓出。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征是進(jìn)而包含 主面導(dǎo)電體層，其形成于所述基板上； 金屬線，其與所述主面導(dǎo)電體層及所述裸晶LED相接合；及 保護(hù)膜，其覆蓋所述金屬線與所述主面導(dǎo)電體層的接合部位。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征是在所述基板上形成了第I凹部，所述第I凹部包含配置了所述裸晶LED的第I底面及與所述第I底面相連接的第I側(cè)面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置，其特征是 進(jìn)而包含與所述裸晶LED相連接的金屬線； 在所述基板上進(jìn)而形成了第2凹部，所述第2凹部包含接合了所述金屬線的第2底面及與所述第2底面相連的第2側(cè)面；且 在所述第I側(cè)面上，形成了與所述第2底面及所述第2側(cè)面相連接的切口。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光裝置，其特征是在所述透鏡上形成了透鏡凹部，所述透鏡凹部在所述基板的厚度方向中于從所述基板朝向所述裸晶LED的方向凹陷，并且收納所述裸晶LED。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光裝置，其特征是所述透鏡凹部包含朝開口方向展寬的錐狀的凹部側(cè)面。
19.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征是進(jìn)而包含 金屬線；及 主面導(dǎo)電體層，其形成于所述基板上；且 所述金屬線包含與所述主面導(dǎo)電體層相連接的第一接合部、及與所述裸晶LED相連接的第二接合部。
20.一種光學(xué)裝置，其特征是 根據(jù)權(quán)利要求I至19中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置； 配線基板；及 焊錫層，其將所述發(fā)光裝置與所述配線基板加以接合。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光學(xué)裝置，其特征是進(jìn)而包含安裝于所述配線基板上的受光裝置。
專利摘要本實(shí)用新型涉及發(fā)光裝置及光學(xué)裝置，提供一種能夠提高單方向上的放射強(qiáng)度的發(fā)光裝置。所述發(fā)光裝置包括基板(1)、與基板(1)接合的透鏡(5)、及與基板(1)接合并且在夾于基板(1)與透鏡(5)之間的空隙(789)中露出的裸晶LED(6)，透鏡(5)具有在基板(1)的厚度方向Z中于從基板(1)朝向所述裸晶LED的方向Za鼓出，并且射出來自裸晶LED(6)的光的光出射面(511)。
文檔編號(hào)H01L33/00GK202695541SQ201120467350
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者田沼裕輝 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司