專利名稱：半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于ー種在基板及芯片上分別制作柱狀凸塊并結(jié)合的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體封裝制造過程中，芯片朝尺寸小、高接腳數(shù)的趨勢發(fā)展，并漸漸由倒裝芯片接合(Flip Chip bonding)的技術(shù)來取代打線接合(wire bonding)的技術(shù)。其中,倒裝 芯片接合技術(shù)乃是將多個(gè)焊墊配置于芯片的有源表面(active surface)上，并在焊墊上形成凸塊(bump)，接著將芯片翻覆之后，再利用這些凸塊分別向下電性連接至一線路載板，并通過線路載板的線路而電性連接至外界的電子裝置。由于倒裝芯片接合技術(shù)可適用于高接腳數(shù)(High PinCount)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，并同時(shí)具有縮小芯片封裝面積及縮短訊號(hào)傳輸路徑等諸多優(yōu)點(diǎn)，所以倒裝芯片接合技術(shù)廣泛地應(yīng)用于芯片封裝領(lǐng)域中。舉例來說，請(qǐng)參照?qǐng)DI所示，其掲示一種現(xiàn)有倒裝芯片的封裝構(gòu)造，其包含一基板
11、ー芯片12、數(shù)個(gè)凸塊13。其中，所述基板11承載所述芯片12，所述芯片12為ー倒裝型芯片(flip chip)，所述芯片12的有源表面朝下，所述芯片12的有源表面通過所述凸塊13電性連接所述基板11。另外，所述基板11的下表面此時(shí)也可以進(jìn)行植球作業(yè)，以提供數(shù)顆錫球14，其中所述錫球14用以做為所述基板11的信號(hào)輸入/輸出組件。雖然，圖I的封裝構(gòu)造可以將芯片12以倒裝的方式封裝在一基板構(gòu)造上，但芯片12(倒裝型芯片)在其晶圓制作期間需使用凸塊(bumping)エ藝在其有源表面上形成所述數(shù)個(gè)凸塊13。由于所述凸塊13的數(shù)量極多，且必需精確控制所述凸塊13的尺寸、高度及間距均一，并需避免相鄰?fù)箟K13之間意外相熔接，否則接會(huì)造成晶圓上的芯片區(qū)成為具凸塊缺陷的不良品。由于晶圓的材料及加工成本頗高，因此若因?qū)嵤┩箟Kエ藝而造成不良品，將大幅提高整體封裝作業(yè)的廢料成本。再者，當(dāng)所述凸塊13為錫凸塊時(shí)，所述凸塊13在回流焊(reflow)期間也容易因熔化而使所述芯片12焊接到所述基板11上時(shí)產(chǎn)生焊接不良品，例如相鄰?fù)箟K13之間意外相熔接，或所述芯片12在焊接后發(fā)生了過大的傾斜角度。因此，同樣會(huì)因產(chǎn)生不良品，而大幅提高整體封裝作業(yè)的廢料成本。同吋，錫凸塊的散熱性及耐熱性也較差。另外，當(dāng)所述凸塊13為金凸塊時(shí)，雖可避免錫凸塊的焊接不良品問題，但卻也會(huì)大幅提高凸塊材料成本。此外，所述芯片12使用所述凸塊13時(shí)，也需搭配使用底部填充膠(underfill)來降低所述凸塊13的應(yīng)カ與應(yīng)變集中現(xiàn)象,這也會(huì)增加點(diǎn)膠作業(yè)及材料的成本。故，有必要提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有倒裝芯片的封裝技術(shù)因使用錫凸塊而造成不良品使得廢料成本居高不下的技術(shù)問題。本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其是同時(shí)在基板上制作柱狀凸塊(如銅柱凸塊)以及在芯片上制作柱狀凸塊，并且通過焊球使上下柱狀凸塊相接，以電性連接及固定芯片于基板上。如此，所述柱狀凸塊除了也可用來穩(wěn)固支撐芯片外，也可以提供較佳的散熱性及耐熱性。再者，由于柱狀凸塊可承受較大的應(yīng)力作用及模流沖擊カ且芯片與基板之間也具有足夠間距高度，故可使芯片能夠省略使用底部填充膠而直接進(jìn)行封膠(molding)エ藝，因此也有利于降低材料成本。本實(shí)用新型的次要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其是同時(shí)在基板上制作柱狀凸塊(如銅柱凸塊)以及在芯片上制作柱狀凸塊，且相鄰的柱狀凸塊可以具有不同的高度，如此除了使所述芯片在安裝上能 具有防呆的效果外，由于相鄰的所述焊球在高度的錯(cuò)開，因此也可另外防止焊接時(shí)的短路，從而提聞焊接良品率。為達(dá)成本實(shí)用新型的前述目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一基板，具有一上表面，所述上表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊，所述數(shù)個(gè)接墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊；以及ー芯片，具有一朝下的有源表面，所述有源表面上設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊，所述數(shù)個(gè)焊墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊；其中，所述芯片疊設(shè)于所述基板上，所述芯片與所述基板之間保持一固定間距，所述第一柱狀凸塊與所述第二柱狀凸塊相對(duì)應(yīng)，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊通過數(shù)個(gè)焊球電性連接于所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊具有不同的高度，所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊對(duì)應(yīng)具有不同的高度。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述固定間距介于100至120微米；所述第一柱狀凸塊的高度介于40至60微米；及所述第二柱狀凸塊的高度對(duì)應(yīng)介于60至40微米。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，各二相鄰的所述第一柱狀凸塊具有不同高度。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第一柱狀凸塊及所述第二柱狀凸塊選自銅柱凸塊或鎳柱凸塊。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述數(shù)個(gè)焊球預(yù)焊于所述第一柱狀凸塊的頂端，并與所述第一柱狀凸塊之間另有一潤濕層；或所述數(shù)個(gè)焊球預(yù)焊于所述第二柱狀凸塊的頂端，并與所述第二柱狀凸塊之間另有ー潤濕層。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述基板的接墊上依序鍍有ー粘著層及ー銅種子層，以結(jié)合所述第一柱狀凸塊；以及所述芯片的焊墊上鍍有另一粘著層及另ー銅種子層(合稱為底金屬層)，以結(jié)合所述第二柱狀凸塊。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，另包含一封裝膠體，用以包覆保護(hù)所述芯片、所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊、所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊柱狀凸塊及所述數(shù)個(gè)焊球。另外，本實(shí)用新型提供另ー種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一基板，具有一上表面，所述上表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊，所述數(shù)個(gè)接墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊；以及ー芯片，具有一朝下的有源表面，所述有源表面上設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊，所述數(shù)個(gè)焊墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊；其中，所述芯片疊設(shè)于所述基板上，所述芯片與所述基板之間保持一固定間距，所述第一柱狀凸塊與所述第二柱狀凸塊相對(duì)應(yīng)，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊通過數(shù)個(gè)焊球電性連接于所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述第一柱狀凸塊及所述第二柱狀凸塊的直徑不同。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，另包含一封裝膠體，用以包覆保護(hù)所述芯片、所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊、所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊柱狀凸塊及所述數(shù)個(gè)焊球。

圖I是ー現(xiàn)有倒裝芯片的的封裝構(gòu)造的示意圖。圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例基板與芯片結(jié)合前的示意圖。圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例基板與芯片結(jié)合后的示意圖。 圖4是本實(shí)用新型第一實(shí)施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的示意圖。圖5是本實(shí)用新型第二實(shí)施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的示意圖。
具體實(shí)施方式
為讓本實(shí)用新型上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實(shí)用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實(shí)用新型，而非用以限制本實(shí)用新型。請(qǐng)參照?qǐng)D2、3及4所示，其掲示本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法的概要示意圖，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法主要是用以預(yù)先在基板上制作柱狀凸塊(例如銅柱凸塊Cu pillar bumps)，并且預(yù)先在芯片上制作柱狀凸塊，接著再利用柱狀凸塊相互結(jié)合來固定芯片。本實(shí)用新型將于下文利用圖2至4逐一詳細(xì)說明第一實(shí)施例的上述各步驟的制造過程及其加工原理。請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法首先是在一基板20上形成數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊31，其中所述基板20是用于承載芯片及制作封裝體的小型多層印刷電路板，所述基板20具有一上表面，所述上表面裸露有數(shù)個(gè)接墊21。在提供所述基板20后，接著可使用一光刻膠層(未繪示)覆蓋所述基板20的上表面，并以掩膜進(jìn)行曝光及顯影作業(yè)，以使光刻膠層形成數(shù)個(gè)對(duì)應(yīng)接墊21位置的窗ロ(未繪示)。隨后，優(yōu)選可先在所述光刻膠層露出的接墊21上依序蒸鍍上ー鈦粘著層(adhesive layer)及ー銅種子層(seedlayer)，但并不限于此，在圖2中是概括性的以ー底金屬層22來概要示意鈦粘著層及銅種子層，所述底金屬層22的厚度在納米(nm)等級(jí)，所述底金屬層22用以增加結(jié)合所述第一柱狀凸塊31的結(jié)合強(qiáng)度。接著，即可在所述光刻膠層露出的底金屬層22上利用電鍍エ藝形成所述第一柱狀凸塊31，其中所述第一柱狀凸塊31選自柱狀凸塊，例如銅柱凸塊(Cu pillar bumps)或鎳柱凸塊。再者，每一所述第一柱狀凸塊31的ー頂端上預(yù)先形成ー焊球33，優(yōu)選的所述焊球33與所述第一柱狀凸塊31之間可選擇形成一潤濕層(未繪示)，其中所述潤濕層是蒸鍍形成在所述第一柱狀凸塊31的頂端上，且厚度在納米等級(jí)，所述潤濕層例如為鎳(Ni)、釩(V)或鈦(Ti)的潤濕層。所述焊球33是以電鍍方式或印刷的方式在形成所述光刻膠層露出的第一柱狀凸塊31的潤濕層上方，接著再進(jìn)行加熱使其成為半圓形或圓弧形，其中所述焊球33優(yōu)選為無鉛的錫基(Sn-based)焊料層。在形成所述底金屬層22、第一柱狀凸塊31、潤濕層及焊球33之后，接著即可移除所述光刻膠層，如此即可完成所述基板20的制作。另外，提供ー芯片40，其中所述芯片40具有一有源表面(即下表面)及一背面(即上表面)，所述有源表面朝下并設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊41，及所述第一背面朝上，并且所述數(shù)個(gè)焊墊41上設(shè)有數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊32。所述焊墊41上優(yōu)選具有一底金屬層42 (鈦粘著層及銅種子層)，以便使所述焊墊41能順利的與所述第一柱狀凸塊31上的焊球33形成良好的焊接結(jié)構(gòu)。雖然，上述的所述數(shù)個(gè)焊球33是預(yù)焊于所述第一柱狀凸塊31的頂端，并與所述第一柱狀凸塊之間設(shè)有一潤濕層，但本發(fā)明并不限于此。所述數(shù)個(gè)焊球33也可選擇預(yù)焊于所述第二柱狀凸塊32的頂端，并與所述第二柱狀凸塊32之間設(shè)有ー潤濕層。請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法接著是在組裝時(shí)，利用回流焊(reflow)作業(yè)使所述基板20上的第一柱狀凸塊31的焊球33熔化，并對(duì)應(yīng)焊接結(jié)合及電性連接在所述芯片40的焊墊41的第二柱狀凸塊32。在焊接結(jié)合后，所述焊球33變形成為介于所述第一柱狀凸塊31及所述第二柱狀凸塊32頂端之間的一環(huán)狀焊料，且可穩(wěn)固結(jié)合及電性連接所述第一柱狀凸塊31及所述第二柱狀凸塊32。優(yōu)選的，在結(jié)合后所述芯片40的有源表面與所述基板20的上表面之間大概保持有100至120微米(Pm)的高度間距。所述固定間距D介于100至120 (ym)微米。其中，每ー對(duì)相結(jié)合的所述第一柱狀凸塊31與所述第二柱狀凸塊32的高度是對(duì)應(yīng)的。舉例來說，在維持所述固定間距D的條件下，若是所述第一柱狀凸塊31的長度較長，則對(duì)應(yīng)的所述第二柱狀凸塊32的長度則較短；相反的，若是所述第一柱狀凸塊31的長度較短，則對(duì)應(yīng)的所述第二柱狀凸塊32的長度則需要較長。優(yōu)選的，所述第一柱狀凸塊31及所述第二柱狀凸塊32的高度分別介于40至60 (ii m)微米。請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法最后是利用一封裝膠體50包覆保護(hù)所述芯片40、所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊31、所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊32及所述數(shù)個(gè)焊球33。所述封裝膠體50主要的絕緣基材為環(huán)氧樹脂(印oxy)，其用以保護(hù)封裝構(gòu)造內(nèi)部的組件免于受到外界溫度、濕度或大氣的影響。再者，所述基板20的下表面此時(shí)也可以進(jìn)行植球作業(yè)，以提供數(shù)顆錫球23，其中所述錫球23用以做為所述基板20的信號(hào)輸入/輸出組件。在完成本步驟之后，即可制作完成本實(shí)用新型第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其包含一基板20及ー芯片40，其中所述基板20具有一上表面，所述上表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊21，所述數(shù)個(gè)接墊21上設(shè)有數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊31 ;所述芯片40具有一朝下的有源表面，所述有源表面上設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊41，所述數(shù)個(gè)焊墊41上設(shè)有數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊33。并且，所述芯片40疊設(shè)于所述基板20上，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊31與所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊32相對(duì)應(yīng)，并通過數(shù)個(gè)焊球33電性連接于所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊32。其中，所述芯片40與所述基板20之間保持一固定間距D，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊31可具有不同的高度，所述數(shù)個(gè)第ニ柱狀凸塊32對(duì)應(yīng)所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊31的高度而具有不同的高度。再者，使用者可依實(shí)際需要來設(shè)計(jì)所述固定間距D、所述第一柱狀凸塊31及所述第二柱狀凸塊32的高度，以及所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊31的高度排列方式。并且優(yōu)選的，相鄰的所述第一柱狀凸塊31可具有不同的高度，這樣除了使所述芯片40的安裝能具有防呆的效果外，相鄰的所述焊球33 (位在所述第一柱狀凸塊31及所述第二柱狀凸塊32之間)在聞度上也可以錯(cuò)開，因此可防止焊接時(shí)的短路，從而提聞焊接品良率。此外，本實(shí)用新型因?yàn)槭褂盟鲋鶢钔箟K31，32來固定所述芯片40，因此還可省略使用底部填充膠(underfill)來固定所述芯片40，而直接以所述封裝膠體50來填入所述芯片40與所述基板20之間，這也可檢減少點(diǎn)膠作業(yè)及材料的成本。請(qǐng)參照?qǐng)D5所示，本實(shí)用新型第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造相似于本實(shí)用新型第ー實(shí)施例，并大致沿用相同組件名稱及圖號(hào)，但第二實(shí)施例的差異特征在于所述第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造進(jìn)ー步變化所述第一柱狀凸塊31及所述第二柱狀凸塊32的設(shè)計(jì)例如所述第一柱狀凸塊31及所述第二柱狀凸塊32的直徑可選擇不同，例如所述第一柱狀凸塊31的直徑較所述第二柱狀凸塊32的直徑為大；另外，每一所述第一柱狀凸塊31的高度也可以是相同的，因此每一所述第二柱狀凸塊32的高度也可以是相同的，但所述第一柱狀凸塊31的高度與所述第二柱狀凸塊32的高度可以是相同或不相同的。如上所述，相較于現(xiàn)有倒裝芯片的封裝技術(shù)因使用一般錫凸塊而造成不良品使得廢料成本居高不下的技術(shù)問題，圖2至5的本實(shí)用新型是提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其是直接在基板20上制作柱狀凸塊31以及在芯片40上制作柱狀凸塊32，并且通過焊球33使上下柱狀凸塊31，32相接，以電性連接及固定所述芯片40于所述基板20上。如此，所述柱狀凸塊31，32除了也可用來穩(wěn)固支撐芯片40タト，也可以提供較佳的散熱性及耐熱性。再者，相鄰的柱狀凸塊31，32可以具有不同的高度，除了使所述芯片40在安裝上能具有防呆的效果外，由于相鄰的所述焊球33在高度的錯(cuò)開，因此可防止焊接時(shí)的短路，從而提高焊接品良率。本實(shí)用新型已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本實(shí)用新型的范例。必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本實(shí)用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 一基板，具有一上表面，所述上表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊，所述數(shù)個(gè)接墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊；以及 ー芯片，具有一朝下的有源表面，所述有源表面上設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊，所述數(shù)個(gè)焊墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊； 其中，所述芯片疊設(shè)于所述基板上，所述芯片與所述基板之間保持一固定間距，所述第一柱狀凸塊與所述第二柱狀凸塊相對(duì)應(yīng)，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊通過數(shù)個(gè)焊球電性連接于所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊具有不同的高度，所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊對(duì)應(yīng)具有不同的高度。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述固定間距介于100至120微米；所述第一柱狀凸塊的高度介于40至60微米；及所述第二柱狀凸塊的高度對(duì)應(yīng)介于60至40微米。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于各二相鄰的所述第一柱狀凸塊具有不同高度。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一柱狀凸塊及所述第二柱狀凸塊選自銅柱凸塊或鎳柱凸塊。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述數(shù)個(gè)焊球預(yù)焊于所述第一柱狀凸塊的頂端，并與所述第一柱狀凸塊之間另有一潤濕層；或所述數(shù)個(gè)焊球預(yù)焊于所述第二柱狀凸塊的頂端，并與所述第二柱狀凸塊之間另有ー潤濕層。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述基板的接墊上依序鍍有ー粘著層及ー銅種子層，以結(jié)合所述第一柱狀凸塊；以及所述芯片的焊墊上鍍有另一粘著層及另ー銅種子層，以結(jié)合所述第二柱狀凸塊。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于另包含一封裝膠體，用以包覆保護(hù)所述芯片、所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊、所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊柱狀凸塊及所述數(shù)個(gè)焊球。
8.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 一基板，具有一上表面，所述上表面設(shè)有數(shù)個(gè)接墊，所述數(shù)個(gè)接墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊；以及 ー芯片，具有一朝下的有源表面，所述有源表面上設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊，所述數(shù)個(gè)焊墊上設(shè)有數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊； 其中，所述芯片疊設(shè)于所述基板上，所述芯片與所述基板之間保持一固定間距，所述第一柱狀凸塊與所述第二柱狀凸塊相對(duì)應(yīng)，所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊通過數(shù)個(gè)焊球電性連接于所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一柱狀凸塊及所述第二柱狀凸塊的直徑不同。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于另包含一封裝膠體，用以包覆保護(hù)所述芯片、所述數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊、所述數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊柱狀凸塊及所述數(shù)個(gè)焊球。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其包含一基板及一芯片，所述芯片設(shè)于所述基板上，并保持一固定間距。其中，所述基板的上表面設(shè)有數(shù)個(gè)第一柱狀凸塊，所述芯片的下表面的有源表面設(shè)有數(shù)個(gè)第二柱狀凸塊，所述第一柱狀凸塊與所述第二柱狀凸塊相對(duì)應(yīng)，并通過數(shù)個(gè)焊球使上下柱狀凸塊相接，以電性連接及固定所述芯片于所述基板上。如此，所述柱狀凸塊除了也可用來穩(wěn)固支撐芯片外，也可以提供較佳的散熱性及耐熱性。再者，相鄰的柱狀凸塊更可以具有不同的高度，除了使所述芯片在安裝上能具有防呆的效果外，由于相鄰的所述焊球在高度上的錯(cuò)開，因此可防止焊接時(shí)的短路，從而提高焊接品良率。
文檔編號(hào)H01L23/485GK202394889SQ201120494508
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2011年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者方仁廣 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體(上海)股份有限公司