專利名稱：非晶硅太陽能電池基板降衰減處理箱的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及對非晶硅太陽能電池基板進行處理的裝置，具體的說是對太陽能電池的基板進行降衰減處 理的一種處理箱。
背景技術：
從材料結構上說非晶硅與同質晶體有相同的配位數(shù)，但鍵長和鍵角略有改變，描述非晶硅結構的連續(xù)無規(guī)網絡模型認為，非晶硅就是由這樣一些稍被扭曲的單元隨即連接而成，單元與單元之間不存在固定的位形關系，其有序范圍約在r2個原子范圍內。由于無序的原因，在非晶硅中存在著一定的懸掛鍵、應力和微空洞這樣的結構缺陷，并在能隙中產生了帶尾，帶尾與結構缺陷作為復合中心影響了載流子的輸運，使得非晶硅電池效率降低。剛制作完畢的非晶硅薄膜太陽能電池在長時間光照情況下，會產生光生亞穩(wěn)態(tài)，這種光生亞穩(wěn)態(tài)會導致硅-硅弱鍵斷裂后出現(xiàn)兩個懸掛鍵，導致非晶硅電池效率降低，從而出現(xiàn)所謂“非晶硅太陽能電池的早期衰退”。

實用新型內容本實用新型的目的在于提供一非晶硅太陽能電池基板降衰減處理箱，由該處理箱對非晶硅太陽能電池基板進行處理，可有效的防止非晶硅太陽能電池的早期衰退。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下方案非晶硅太陽能電池基板降衰減處理箱，它具有一封閉的箱體，在箱體的頂壁上開有一條以上的縫隙，箱體的側壁內側上設有接近太陽光光譜的光源，箱體的側壁上開有若干通孔。采用本實用新型提供的處理箱時，將非晶硅太陽能電池基板插入箱體上的縫隙中，然后將箱體連同基板共同放置在對太陽能電池的基板進行PECVD(等離子體增強化學氣相沉積法)氣相沉積所使用的空腔中，即可在對太陽能電池的基板進行PECVD氣相沉積的同時，由箱體側壁內側上接近太陽光光譜的光源對基板上的導電膜進行照射。在PECVD氣相沉積的過程完成后，結束照射。可見，由于在對基板進行PECVD氣相沉積過程中一直進行用接近太陽光光譜的光源照射，光源照射到膜面后，產生光生亞穩(wěn)態(tài)，出現(xiàn)硅-硅弱鍵斷裂現(xiàn)象，由于氣相沉積在進行，所以新的原子再次形成，斷裂情況被重新連接，如此，可在基板衰減完成后，再完成氣相沉積。這樣，基板在用于加工太陽能電池后，再接受日光照射時，基本不會再有衰減。本實用新型結構簡單、合理，它可對非晶硅薄膜太陽能電池基板進行處理后，可將其使用時的衰減降低，等于將整太陽能電池功率提高。

圖I為本實用新型一實施例的結構圖；圖2為圖I的A — A剖視圖。
具體實施方式
以下結合實施例及附圖進一步說明本發(fā)明。參見圖I、圖2。本實用新型提供的處理箱具有一封閉的箱體1，在箱體I的頂壁上開有一條以上的縫隙la，箱體I的側壁內側上設有接近太陽光光譜的光源2，箱體I的側壁上開有若干通孔lb。箱體I為長方體，在箱體I的四面?zhèn)缺诘膬葌壬暇O有光源2，光源2為氙燈。在光源外部罩有燈罩3。由圖I可見，使用本處理箱時，將太陽能電池的基板4插入到箱體I上的縫隙Ia中。
權利要求1.非晶硅太陽能電池基板降衰減處理箱，其特征在于它具有一封閉的箱體，在箱體的頂壁上開有一條以上的縫隙，箱體的側壁內側上設有接近太陽光光譜的光源，箱體的側壁上開有若干通孔。
2.根據(jù)權利要求I所述的非晶硅太陽能電池基板降衰減處理箱，其特征在于箱體為長方體，在箱體的四面?zhèn)缺诘膬葌壬暇O有光源，光源為氙燈。
專利摘要非晶硅太陽能電池基板降衰減處理箱，它具有一封閉的箱體，在箱體的頂壁上開有一條以上的縫隙，箱體的側壁內側上設有接近太陽光光譜的光源，箱體的側壁上開有若干通孔。將非晶硅太陽能電池基板插入箱體上的縫隙中，然后將箱體連同基板共同放置在對太陽能電池的基板進行PECVD氣相沉積的空腔中，即可在對太陽能電池的基板進行PECVD氣相沉積的同時，由箱體側壁內側上接近太陽光光譜的光源對基板上的導電膜進行照射。
文檔編號H01L31/20GK202423363SQ201120565759
公開日2012年9月5日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權日2011年12月29日
發(fā)明者寧海洋, 龐海燕, 張立剛, 龔瑞 申請人:普樂新能源(蚌埠)有限公司