專利名稱：一種基板的多層隔片式ic芯片堆疊封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于電子信息自動化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及ー種IC芯片集成電路封裝件，具體涉及ー種基板的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件，本實用新型還涉及ー種該堆疊封裝件的生產(chǎn)方法。
技術(shù)背景 隨著更小、更輕和更有功效的各類手機市場需求擴大以及掌上電腦(PAD)的電子器件的增長，促進了電子封裝技術(shù)更小型化、更多功能的研發(fā)，堆疊封裝已是滿足產(chǎn)品更小、更輕、更多功能的ー種重要技術(shù)手段，井越來越得到各封裝公司客戶的重視，各類手機數(shù)碼相機、各種智能卡及便攜式儀器是堆疊封裝產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域。手機的多功能化技術(shù)又推動了堆疊封裝的快速發(fā)展和技術(shù)提升。目前，堆疊封裝都是通過粘膠片直接將IC芯片進行堆疊粘接，影響連接IC芯片與載體焊盤的鍵合線的高度，相鄰芯片間的絕緣性能不好，也影響到芯片的散熱。

實用新型內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實用新型的目的是提供ー種基板的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件，鍵合線高度符合要求，芯片間的絕緣性能和芯片的散熱性能。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案是，ー種基板的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件，包括BT基板，BT基板的載體上粘接有至少兩塊IC芯片，所有的IC芯片依次堆疊粘貼，各IC芯片上的焊盤通過鍵合線與BT基板上的焊盤相連接，BT基板上固封有塑封體，相鄰兩IC芯片之間粘貼有隔片。隔片通過絕緣膠或膠膜片與IC芯片粘貼。隔片采用單晶片、微晶玻璃片或陶瓷片。堆疊的IC芯片按遠離載體的順序的第一塊IC芯片與BT基板相連的鍵合線的弧高不超過Iio u m、第二塊IC芯片與BT基板相連的鍵合線的弧高不超過110 i! m ;從第三塊IC芯片起，每塊IC芯片與BT基板相連的鍵合線的弧高不超過120 u m。本實用新型的封裝件堆疊所用的多個IC芯片尺寸的大小、厚度基本相同，相鄰兩IC芯片之間設(shè)置了隔片，使該相鄰兩IC芯片之間的高度増加，為鍵合線提供了足夠的空間，不僅解決了鍵合線的高度問題，而且利于IC芯片的散熱；同時，由于隔片采用不導電的材料制成，進一步提聞了相鄰兩IC芯片間的絕緣性能。

圖I是本實用新型堆疊封裝件中三層隔片式堆疊封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型堆疊封裝件中五層隔片式堆疊封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，I.載體，2.第一粘膠片，3.第一 IC芯片，4.第二粘膠片，5.第一鍵合線，6.第一隔片，7.第一基板焊盤，8.第二 IC芯片，9.第二鍵合線，10.第三粘膠片，11.塑封體，12.第二基板焊盤，13.凸點，14.焊料，15.錫球，16. BT基板，17.第四粘膠片，18.第二隔片，19.第五粘膠片，20.第三IC芯片，21.第三鍵合線。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型進行詳細說明。如圖I所示，本實用新型堆疊封裝件中三層隔片式堆疊封裝件的結(jié)構(gòu)，包括BT基板16，BT基板16的載體I上粘貼有第一 IC芯片3，第一 IC芯片3通過第一粘膠片2與載體I粘接，第一 IC芯片3上粘貼有第一隔片6，第一隔片6通過第二粘膠片4與第一 IC芯片3粘接，第一隔片6上粘貼有第二 IC芯片8，第二 IC芯片8通過第三粘膠片10與第一隔片6粘接；BT基板16的上面設(shè)有第一基板焊盤7，第一基板焊盤7與設(shè)置于BT基板16底面的第二基板焊盤12相連接，第二基板焊盤12上設(shè)有凸點(UBM) 13，凸點13通過焊料14焊接有錫球15 ;第一 IC芯片3通過第一鍵合線5與第一基板焊盤7相連接，第二 IC芯片8通過第二鍵合線9與第一基板焊盤7相連接。BT基板16上固封有塑封體11 ;載體I的上面、BT基板16的上面、第一粘膠片2、第一 IC芯片3、第二粘膠片4、第一隔片6、第三 粘膠片10、第二 IC芯片8、第一基板焊盤7、第一鍵合線5和第二鍵合線9均封裝于塑封體11內(nèi)，并形成電路整體。塑封體11對第一 IC芯片3、第一鍵合線5、第二 IC芯片8和第二鍵合線9起到了保護和支撐作用。第一基板焊盤7、第一 IC芯片3、第一鍵合線5、第二 IC芯片8、第二鍵合線9、第二基板焊盤12、凸點(UBM) 13、焊料14和錫球15構(gòu)成了電路的電源和信號通道。如圖2所示，本實用新型堆疊封裝件中五層隔片式堆疊封裝件的結(jié)構(gòu)，包括BT基板16，BT基板16的載體I上粘接有第一 IC芯片3，第一 IC芯片3通過第一粘片膠2與載體I粘接，第一 IC芯片3上粘接有第一隔片6，第一隔片6通過第二粘膠片4與第一 IC芯片3粘接，第一隔片6上粘接有第二 IC芯片8，第二 IC芯片8通過第三粘膠片10與第一隔片6粘接；第二 IC芯片8上粘接有第二隔片18，第二隔片18通過第四粘膠片17與第二 IC芯片8粘接，第二隔片18上粘接有第三IC芯片20，第三IC芯片20通過第五粘膠片19與第二隔片18粘接；BT基板16的上面設(shè)有第一基板焊盤7，第一基板焊盤7與設(shè)置于BT基板16底面的第二基板焊盤12相連接，第二基板焊盤12上設(shè)有凸點(UBM) 13，凸點13通過焊料14焊接有錫球15 ;第一 IC芯片3通過第一鍵合線5與第一基板焊盤7相連接，第二IC芯片8通過第二鍵合線9與第一基板焊盤7相連接，第三IC芯片20通過第三鍵合線21與第一基板焊盤7相連接。載體I和BT基板16上固封有塑封體11 ;載體I的上面、BT基板14的上面、第一粘膠片2、第一 IC芯片3、第二粘膠片4、第一隔片6、第三粘膠片10、第二IC芯片8、第四粘膠片17、第二隔片18、第五粘膠片19、第三IC芯片20、第一基板焊盤7、第一鍵合線5、第二鍵合線9和第三鍵合線21均封裝于塑封體11內(nèi)，并形成電路整體。塑封體11對第一 IC芯片3、第一鍵合線5、第二 IC芯片8、第二鍵合線9、第三IC芯片20和第三鍵合線21起到了保護和支撐作用。第一基板焊盤7、第一 IC芯片3、第一鍵合線5、第ニ IC芯片8、第二鍵合線9、第三IC芯片20、第三鍵合線21、第二基板焊盤12、凸點13、焊料14和錫球15構(gòu)成了電路的電源和信號通道。第一粘膠片2采用絕緣膠或?qū)щ娔z，當IC芯片有散熱或功率要求時使用導電膠，當IC芯片無散熱或功率要求時使用絕緣膠；第二粘膠片4采用絕緣膠或膠膜片；第三粘膠片10采用絕緣膠或膠膜片；第一粘膠片17采用絕緣膠或膠膜片；第五粘膠片19采用絕緣膠或膠膜片；第一粘膠片2、第二粘膠片4、第三粘膠片10、第四粘膠片17和第五粘膠片19采用絕緣膠或膠膜片是為了防止上下相鄰兩層IC芯片之間出現(xiàn)不需要的電導通。BT基板16是ー種多層疊壓式無縫連接線路板，部件與部件通過層間與層間及同層間設(shè)置的絕緣材料隔離，所以BT基板16上有載體1，載體I是粘接IC芯片的位置，載體I四周的BT基板16上設(shè)有金手指即焊盤，IC芯片上的焊盤通過鍵合線和BT基板16上的金手指實現(xiàn)與線路和外界電、信號的連接。第一隔片6采用單晶片、微晶玻璃片或陶瓷片，第二隔片18采用單晶片、微晶玻璃片或陶瓷片。微晶玻璃片的成本最低，陶瓷片成本最高，但陶瓷片適用于散熱和功率封裝；實際使用時，第一隔片6和第二隔片18同時采用單晶片，或者同時采用微晶玻璃片，或者同時采用陶瓷片。第一隔片6和第二隔片18的尺寸小干與其相鄰的兩IC芯片的尺寸，不影響下層IC芯片打線，該相鄰兩層IC芯片的大小一致或接近。隔片的尺寸比IC芯片的尺寸小 0. 5mm I. 2mm。本封裝件的封裝層數(shù)是2n+l，n是隔片數(shù)，芯片數(shù)是n+1 ;當n=l，即隔片數(shù)為I吋，芯片數(shù)是2，構(gòu)成層數(shù)為3層即兩層IC芯片和ー層隔片的封裝形式；當n=2，即隔片數(shù)為2吋，芯片數(shù)是3，構(gòu)成層數(shù)為5層即三層IC芯片和兩層隔片的封裝形式；當隔片數(shù)為n (n> 2)吋，芯片數(shù)是n+1，構(gòu)成層數(shù)為2n+l即n+1層芯片和n層隔片的封裝形式。5層以上封裝件是在5層隔片封裝的基礎(chǔ)上，每次增加2層，即ー層隔片和ー層IC芯片，同時增加一層鍵合線和兩層絕緣膠，或者兩層膠膜片增加ー層鍵合線和兩層膠膜片。本實用新型封裝件堆疊所用的多個IC芯片尺寸的大小、厚度基本相同，為了解決焊線的高度問題以及芯片間絕緣或散熱的問題，相鄰兩IC芯片之間設(shè)置了ー層隔片。根據(jù)芯片的應(yīng)用功能(普通、散熱或功率)的不同，隔片可以采用三種材料，第一種是普通的單晶片，第二種是微晶玻璃片，第三種是陶瓷片，其中陶瓷片散熱性好，主要用于功率電路和有散熱要求的封裝件，但材料價格較高，采用定制；微晶玻璃片最便宜，采用外包定制；單晶片方便加工，厚度和尺寸可以控制，并且劃片前背面可以預(yù)先粘貼膠膜片。本實用新型封裝件結(jié)構(gòu)合理簡單，具有防分層、防交絲、散熱好(陶瓷隔片)、測試良率高等顯著特點，適合于高密度窄間距產(chǎn)品的封裝。上述封裝件的生產(chǎn)流程如下1)3層隔片式IC芯片堆疊封裝件晶圓減薄、晶圓劃片、隔片減薄和隔片劃片ー第一次上芯(導電膠或絕緣膠)及烘烤ー第一次等離子清洗一第一次壓焊ー粘接隔片(絕緣膠或膠膜片)一第二次上芯(絕緣膠或膠膜片)及烘烤ー第二次等離子清洗一第二次壓焊ー塑封及后固化一植球及回流焊一清洗一打印一分離產(chǎn)品一測試ー檢驗ー包裝一入庫。2) 5層隔片式IC芯片堆疊封裝件晶圓減薄、晶圓劃片、隔片減薄和隔片劃片ー第一次上芯(導電膠或絕緣膠)及烘烤ー第一次等離子清洗一第一次壓焊ー第一次粘接隔片(絕緣膠或膠膜片)一第二次上芯(絕緣膠或膠膜片)及烘烤ー第二次等離子清洗一第二次壓焊ー第二次粘接隔片(絕緣膠或膠膜片)一第三次上芯(絕緣膠或膠膜片)及烘烤ー第三次等離子清洗一第三次壓焊ー塑封及后固化一植球及回流焊一清洗一打印一分離產(chǎn)品一測試ー檢驗ー包裝一入庫。[0027]5層以上隔片式IC芯片堆疊封裝件，采用3層和5層隔片式IC芯片堆疊封裝技木，在第三IC芯片20上點上粘接材料(絕緣膠或膠膜片)，先放置隔片，然后在該隔片上再點上粘接材料(絕緣膠或膠膜片)，再放置IC芯片及烘烤，第四次等離子清洗一第四次壓焊ー塑封及后固化一植球及回流焊一清洗一打印一分離產(chǎn)品一測試ー檢驗ー包裝一入庫。本實用新型還提供了ー種上述封裝件的生產(chǎn)方法，具體如下步驟I :晶圓減薄和晶圓劃片以及隔片減薄和隔片劃片對于3層堆疊封裝件芯片原始晶圓厚度為600 um+lOu m,晶圓減薄最終厚度為100 i! m ;粗磨范圍從原始晶圓厚度到最終厚度+膠膜厚度+50Mm，粗磨速度2Mm/s 5Mffl/s ;精磨厚度范圍從最終厚度+膠膜厚度+50Mm到晶圓最終厚度+膠膜厚度，精磨速度0. 3Mm/s 0. 6Mm/s,晶圓減薄過程中采用防止芯片翅曲エ藝；減薄后的晶圓的粗糙度Ra為0. IOmm 0. 05mm，8吋及8吋以下的減薄后的晶圓采用DISC 3350或雙刀劃片機劃片，得到帶繃膜環(huán)的分離IC芯片；8吋到12吋的減薄后的晶圓采用A-WD-3000TXB劃片機劃片；得到帶繃膜環(huán)的分離IC芯片；劃片時采用防碎片、防裂紋劃片エ藝軟件控制技術(shù)，劃片進刀速度< IOmm/s ；隔片采用單晶片時，減薄的單晶片的最終厚度根據(jù)該隔片使用的堆疊層數(shù)而定；當單晶片用于3層堆疊封裝件吋，單晶片的最終厚度為110 y m± 10 y m ;當單晶片用于5層堆疊封裝件吋，單晶片的最終厚度為當單晶片用于5層以上堆疊封裝件吋，單晶片的最終厚度為單晶片減薄過程中，粗磨范圍從單晶片原始厚度到最終單晶片厚度+膠膜厚度+50Mm，粗磨速度3Mm/s 5Mm/s ;精磨厚度范圍從最終單晶片厚度+膠膜厚度+50Mm到最終單晶圓厚度+膠膜厚度，精磨速度12Mm/s 15Mm/ s ；隔片采用微晶玻璃片或陶瓷片時，其厚度根據(jù)需要定制，不需減??；步驟2:上芯、清洗、壓焊對于3層隔片IC芯片堆疊封裝件 通過粘片膠上芯機先在BT基板16的載體I上點上第一粘膠片2，上芯機自動吸取第一 IC芯片3放置在第一粘膠片2上，使第一 IC芯片3與載體I粘接；并采用防離層烘烤エ藝進行175°C烘烤，所用的烘烤設(shè)備和エ藝同普通PCB板上芯后烘烤；烘烤后，采用現(xiàn)有方法進行等離子清洗，清洗后采用金線或銅線從第一 IC芯片3的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第一鍵合線5,然后,在第一 IC芯片3上依次粘貼第一隔片6和第二 IC芯片8 若采用絕緣膠粘貼第一隔片6和第二 IC芯片8，則在第一 IC芯片3上點上絕緣膠，將劃片后的第一隔片6放置在第一 IC芯片3上,通過絕緣膠使第一隔片6與第一 IC芯片3粘接，不烘烤；然后，在第一隔片6上點上絕緣膠，將第二 IC芯片8放置在第一隔片6上，通過絕緣膠使第二 IC芯片8與第一隔片6粘接；粘完本批全部第二 IC芯片8后運送至烘烤，烘烤エ藝同第一 IC芯片3上芯后的烘烤；兩次粘接的絕緣膠的厚度為20 y m 30 y m ;烘烤后采用現(xiàn)有方法進行等離子清洗，清洗后采用金線或銅線，從第二 IC芯片8的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第二鍵合線9 ；若采用膠膜片粘貼第一隔片6和第二 IC芯片8，則使用具有膠膜片上芯功能的上芯機，將已壓焊第一鍵合線5的半成品BT基板16送上該上芯機，根據(jù)所用膠膜片的性能使襯底的加熱溫度為120°C 150°C或更高，上芯機吸取帶膠膜片的第一隔片6放置在第一IC芯片3上，使第一隔片6通過膠膜片與第一 IC芯片3粘接，不烘烤；然后再將帶膠膜片的IC芯片即第二 IC芯片8放置在第一隔片6上，使第二 IC芯片8與第一隔片6粘接；粘完本批全部第二 IC芯片8后在150°C的溫度下進行烘烤，烘烤時間和其它エ藝條件同第一IC芯片3上芯后的烘烤；烘烤后采用現(xiàn)有方法進行等離子清洗，清洗后采用金線或銅線，從第二 IC芯片8的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第二鍵合線9 ；[0039]壓焊時，采用具備低弧度超短長度焊線的球焊機，采用高低弧或反打方式從第一IC芯片3的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第一鍵合線5 ;第一鍵合線5的弧高不超過IlOum ;采用高低弧或反打方式從第二 IC芯片8的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第二鍵合線9，第二鍵合線9的弧高不超過IlOiim;對于5層隔片式IC芯片堆疊封裝件采用3層隔片式IC芯片堆疊封裝件的上芯方法在BT基板16的載體I上粘貼第一 IC芯片3，壓焊第一鍵合線5，粘貼第一隔片6和第二 IC芯片8，壓焊第二鍵合線9，然后粘貼第二隔片18和第三IC芯片20 若采用絕緣膠粘貼第二隔片18和第三IC芯片20，則通過粘片膠上芯機；在第二IC芯片8上點上絕緣膠，將第二隔片18放置在該絕緣膠上，使第二隔片18與第二 IC芯片8粘接，不烘烤，第二隔片18與第二 IC芯片8之間的絕緣膠形成第四粘膠片17;在第二隔片18上點上絕緣膠，將第三IC芯片20放置在該絕緣膠上，使第三IC芯片20與第二隔片18粘接，第三IC芯片20與第二隔片18之間的絕緣膠形成第五粘膠片19，然后送烘烤，在175°C下烘烤，其烘烤設(shè)備和其它烘烤エ藝同3層隔片IC芯片堆疊封裝件的烘烤，烘烤后進行等離子清洗；清洗后，采用金線或銅線，從第三IC芯片20的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第三鍵合線21 ;絕緣膠形成的第四粘膠片17的厚度和絕緣膠形成的第五粘膠片19的厚度均為20 u m 30 u m。若采用膠膜片粘貼第二隔片18和第三IC芯片20，將帶膠膜片的第二隔片18放置在第二 IC芯片8上，第二隔片18和第二 IC芯片8通過該膠膜片粘接，第二隔片18與第ニ IC芯片8之間的膠膜片形成第四粘膠片17 ;然后將帶膠膜片的第三IC芯片20放置在第二隔片18上，第三IC芯片20和第二隔片18通過該膠膜片粘接，第三IC芯片20與第二隔片18之間的膠膜片形成第五粘膠片19 ;然后在150°C溫度下防離層烘烤，烘烤設(shè)備和其它烘烤エ藝同3層隔片式堆疊封裝膠膜片粘片后烘烤；烘烤后進行等離子清洗，清洗后，采用金線或銅線，從第三IC芯片20的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第三鍵合線21 ；壓焊時，使用具備低弧度超短長度焊線的球焊機，采用高低弧或反打方式從第一IC芯片3的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第一鍵合線5 ;第一鍵合線5的弧高不超過第ニ粘膠片4、第三粘膠片10及第ー隔片6的厚度和或者第一鍵合線5的弧高不超過110 y m ;采用高低弧或反打方式從第二 IC芯片8的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第二鍵合線9，第二鍵合線9的弧高不超過第四粘膠片17、第五粘膠片19及第ニ隔片18的厚度之和，或者第二鍵合線9的弧高不超過110 ii m ;采用高低弧或反打方式從第三IC芯片20的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成第三鍵合線21，第三鍵合線21的弧高不超過120 ii m ;對于5層以上隔片式IC芯片堆疊封裝件在5層隔片式IC芯片堆疊封裝上芯的基礎(chǔ)上，粘貼隔片和IC芯片若采用絕緣膠粘貼隔片和IC芯片，則在第三IC芯片20上點上絕緣膠，將隔片放置在該絕緣膠上，使該隔片與第三IC芯片20粘接，不烘烤；接著在粘接的隔片上點上絕緣膠，將IC芯片放置在該絕緣膠上，使IC芯片與該隔片粘接，然后采用與5層隔片式IC芯片堆疊封裝相同的烘烤エ藝進行烘烤，烘烤后進行等離子清洗；清洗后，采用金線或銅線，從該IC芯片的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成鍵合線；依此類推，堆疊更多層的IC芯片；若采用膠膜片粘貼隔片和IC芯片，則將帶有膠膜片的隔片放置在第三IC芯片20上，該隔片通過膠膜片與第三IC芯片20粘貼，不烘烤；再將帶有膠膜片的IC芯片放置在該隔片上，該IC芯片通過膠膜片與隔片粘接，在150°C溫度下進行烘烤，烘烤設(shè)備和其它烘烤エ藝與5層隔片式IC芯片堆疊封裝相同；烘烤后進行等離子清洗；清洗后，采用金線或銅線，從該IC芯片的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成鍵合線；依照上述方法，堆疊更多層的IC芯片； 壓焊時，采用5層隔片式IC芯片堆疊封裝件壓焊的設(shè)備和エ藝形成第一鍵合線5、第二鍵合線9和第三鍵合線21 ;5層以上的IC芯片壓焊時，使用具備低弧度超短長度焊線的球焊機，采用高低弧或反打方式從該IC芯片的焊盤向第一基板焊盤7打線，形成弧高不超過120 u m的鍵合線；依照上述方法，堆疊更多層的IC芯片；步驟3:塑封選用低吸水率(吸水率彡0. 25%)、低應(yīng)カ(膨脹系數(shù)a 彡I)、流動長度為70cm 120cm的的環(huán)保塑封料，使用全自動包封系統(tǒng)和超薄型封裝防翹曲エ藝，進行防沖絲、防翹曲和防離層塑封，得到半成品框架；步驟4:后固化使用愛斯佩克IPH-201系列等烘箱，在150°C的溫度下對步驟3的半成品框架后固化5h ；步驟5:植球及回流焊采用現(xiàn)有普通球柵陣列封裝(BGA)植球及回流焊設(shè)備和エ藝進行植球及回流焊；步驟6 :清洗采用現(xiàn)有普通球柵陣列封裝(BGA)的清洗設(shè)備和エ藝進行清洗；步驟7 :打印采用現(xiàn)有普通球柵陣列封裝(BGA)的打印エ藝進行打印；步驟8:分離產(chǎn)品使用現(xiàn)有普通球柵陣列封裝(BGA)切割分離產(chǎn)品的設(shè)備和エ藝切割分離產(chǎn)品；步驟9 :測試根據(jù)產(chǎn)品型號和測試程序，選用合適的測試機及分選機進行測試；步驟10 :檢驗對已測試完的產(chǎn)品進行外觀尺寸和狀態(tài)檢驗，剔除不合格產(chǎn)品；步驟11:包裝入庫本封裝件的包裝、入庫，同普通BGA產(chǎn)品的包裝、入庫。堆疊式封裝是解決當前電子封裝產(chǎn)品小型化，多1/0，實現(xiàn)高密度、多功能封裝的重要技術(shù)手段，堆疊式芯片封裝技術(shù)中應(yīng)用了低環(huán)形絲焊技術(shù)、圓片減薄技術(shù)、薄基板及低粘度模型技術(shù)。本實用新型堆疊封裝件結(jié)構(gòu)合理簡單，具有防分層、防交絲、散熱好(陶瓷隔片)等顯著特點，測試良率高等優(yōu)點，適合于高密度窄間距產(chǎn)品的封裝。[0069]雖然結(jié)合優(yōu)選實施例已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以人 理解，在不違背所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下可以進行修改和變換。
權(quán)利要求1.ー種基板的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件，包括BT基板(16)，BT基板(16)的載體(I)上粘接有至少兩塊IC芯片，所有的IC芯片依次堆疊粘貼，各IC芯片上的焊盤通過鍵合線與BT基板(16 )上的焊盤相連接，BT基板(16 )上固封有塑封體(11)，其特征在于，相鄰兩IC芯片之間粘貼有隔片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件，其特征在于，所述的隔片通過絕緣膠或膠膜片與IC芯片粘貼。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件，其特征在于，所述的隔片采用單晶片、微晶玻璃片或陶瓷片。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件，其特征在于，所述堆疊的IC芯片按遠離載體(I)的順序的第一塊IC芯片與BT基板(16)相連的鍵合線的弧高不超過.110 μ m、第二塊IC芯片與BT基板(16)相連的鍵合線的弧高不超過110 μ m ;從第三塊IC芯片起，每塊IC芯片與BT基板(16)相連的鍵合線的弧高不超過120 μ m。
專利摘要本實用新型公開了一種基板的多層隔片式IC芯片堆疊封裝件包括BT基板，BT基板的載體上粘接有至少兩塊IC芯片，所有的IC芯片依次堆疊粘貼，各IC芯片上的焊盤通過鍵合線與BT基板上的焊盤相連接，BT基板上固封有塑封體，相鄰兩IC芯片之間粘貼有隔片。本封裝件不影響鍵合線的高度，提高了芯片的散熱和絕緣性能。
文檔編號H01L25/00GK202394964SQ20112056821
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者慕蔚, 朱文輝, 王永忠, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司