專利名稱：半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于ー種采用激光激活材料來封裝半導(dǎo)體芯片并使用無電鍍導(dǎo)線進(jìn)行電性連接的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高密度封裝的需求，逐漸發(fā)展出各種不同型式的封裝設(shè)計，其中各種不同的系統(tǒng)封裝(system in package, SIP)設(shè)計概念常用于架 構(gòu)高密度封裝產(chǎn)品。一般而言，系統(tǒng)封裝可分為多芯片模塊(multi chip module, MCM)、封裝體上堆疊封裝體(package on package, POP)及封裝體內(nèi)堆疊封裝體(package inpackage, PIP)等。所述多芯片模塊(MCM)是指在同一基板上布設(shè)數(shù)個芯片，在設(shè)置芯片后，再利用同一封裝膠體包埋所有芯片，且依芯片排列方式又可細(xì)分為堆疊芯片(stackeddie)封裝或并列芯片(side-by-side)封裝。再者，所述封裝體上堆疊封裝體(POP)的構(gòu)造是指先完成一具有基板的第一封裝體，接著再于第一封裝體的封裝膠體上表面堆疊另ー完整的第二封裝體，第二封裝體透過適當(dāng)轉(zhuǎn)接組件電性連接至第一封裝體的基板上，因而成為ー復(fù)合封裝構(gòu)造。相較之下，所述封裝體內(nèi)堆疊封裝體(PIP)的構(gòu)造則是利用另一封裝膠體將第二封裝體、轉(zhuǎn)接組件及第一封裝體的原封裝膠體等一起包埋固定在第一封裝體的基板上，因而成為ー復(fù)合封裝構(gòu)造。舉例來說，請參照圖I所示，其掲示一種現(xiàn)有具堆疊芯片的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100，其包含一第一芯片110、一第二芯片120、一基板130、一第一絕緣層140、一第二絕緣層150、數(shù)個錫球160及一封裝膠體170。所述第一芯片110的一朝上的有源表面上具有數(shù)個第一焊墊111，且其內(nèi)部具有數(shù)個穿硅導(dǎo)通孔(Through-Silicon Via, TSV) 112，所述第一芯片110另一朝下的背面則進(jìn)行硅蝕刻，以裸露出所述穿硅導(dǎo)通孔112的底端，以做為數(shù)個柱狀凸塊113 ;所述第二芯片120具有與所述柱狀凸塊113相對設(shè)置的數(shù)個第二焊墊121 ;所述基板130內(nèi)具有數(shù)條導(dǎo)線131 ;所述第一芯片110的第一焊墊111朝所述第一絕緣層140，其設(shè)有數(shù)個柱狀凸塊(pillar bumps) 114,且所述柱狀凸塊113、114皆為導(dǎo)電材料；所述錫球160分別具有ー接墊161。再者,所述第一絕緣層140及第ニ絕緣層150皆是底部填充膠(underfill),所述第一絕緣層140位于所述第一芯片110及所述基板130之間，所述第二絕緣層150位于所述第一芯片110及所述第二芯片120之間，且所述第一芯片110通過所述穿硅導(dǎo)通孔112、所述柱狀凸塊113及所述第二焊墊121來與所述第二芯片120電性連接；此外，所述錫球160設(shè)置在所述基板130的外露表面，且所述錫球160借助所述接墊161、所述導(dǎo)線131、所述柱狀凸塊114及所述第一焊墊111電性連接于所述第一芯片110。再者，所述第一絕緣層140用以包覆保護(hù)所述柱狀凸塊114及所述第一焊墊111，所述第二絕緣層150用以包覆保護(hù)所述柱狀凸塊113及所述第二焊墊121，且所述封裝膠體170用以包覆保護(hù)所述第一芯片110、所述第二芯片120及所述第二絕緣層150。此外，所述基板130通常使用一多層印刷電路板(PCB)，而所述導(dǎo)線131則為在所述基板130內(nèi)利用增層(build-up)エ藝制作的電路層。雖然，圖I的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100可以將至少兩個芯片整合在同一封裝構(gòu)造中，但其制造過程中須在所述第一芯片Iio內(nèi)制作所述穿硅導(dǎo)通孔112，并對所述第一芯片110朝下的表面進(jìn)行硅蝕刻，以裸露出一部份的穿硅導(dǎo)通孔112，以做為所述柱狀凸塊113。然而，對于奈米等級的制作過程而言，要使每一所述穿硅導(dǎo)通孔112均能完整的成型，且所述導(dǎo)電材料均能實心地填滿整個所述穿硅導(dǎo)通孔112并不容易，同時要進(jìn)行芯片硅蝕刻也需要復(fù)雜的加工步驟，因此使得整體的制作過程良率偏低、成本升高。另外，在封裝構(gòu)造上，由于所述第一芯片110、所述基板130及所述封裝膠體170具有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)，因此當(dāng)受熱膨脹時，所述封裝膠體170會朝所述基板130方向翹曲(warpage)，在長期熱脹冷縮循環(huán)下，這種翹曲現(xiàn)象將造成所述第一芯片11 0的硅基材或其有源表面電路的斷裂(crack)，因而影響所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100的產(chǎn)品可靠度及使用壽命。故，有必要提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的高成本、低良率及熱膨脹系數(shù)差異造成的翹曲與斷裂等問題。本實用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其采用ー激光激活材料來封裝包埋ー芯片，并通過對所述激光激活材料照射ー激光，使所述激光激活材料內(nèi)的有機(jī)材料揮發(fā)，進(jìn)而使所述激光激活材料的表面因燒蝕而形成數(shù)個穿透孔，其后即可在所述穿透孔上披覆無電鍍導(dǎo)線；接著再通過另ー激光激活材料層及導(dǎo)電端子(或第二導(dǎo)線)的制作來與另ー芯片相連接。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型確實可以有效節(jié)省成本及提高良率，進(jìn)而提高半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的品質(zhì)穩(wěn)定性。為達(dá)成本實用新型的前述目的，本實用新型提供一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一第一芯片，具有設(shè)置在一表面的數(shù)個第一凸塊，及貫穿兩表面的穿硅導(dǎo)通孔；一介電材料層，用以覆蓋所述第一芯片，具有數(shù)條第一導(dǎo)線；數(shù)個錫球，設(shè)置在所述介電材料層的ー表面；一第二芯片，具有與所述穿硅導(dǎo)通孔相對設(shè)置的數(shù)個第二凸塊；以及ー激光激活層，設(shè)置在所述第一芯片及所述第二芯片之間，具有數(shù)個導(dǎo)電端子；其中所述第一芯片通過所述第一凸塊及所述第一導(dǎo)線電性連接所述錫球；及所述第一芯片通過所述穿硅導(dǎo)通孔及所述導(dǎo)電端子電性連接所述第二芯片的第二凸塊。在本實用新型的一實施例中，所述介電材料層包含交替堆棧的數(shù)個激光激活材料層與數(shù)個導(dǎo)線層。在本實用新型的一實施例中，所述介電材料層或所述激光激活層包含有機(jī)金屬化合物。在本實用新型的一實施例中，所述有機(jī)金屬化合物選自有機(jī)銅金屬化合物、有機(jī)鎳金屬化合物或有機(jī)錫金屬化合物。在本實用新型的一實施例中，所述第一導(dǎo)線及所述導(dǎo)電端子的材料分別選自無電鍍銅、無電鍍鎳或無電鍍錫。[0020]在本實用新型的一實施例中，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含ー接墊，所述接墊設(shè)置于所述第一導(dǎo)線與所述錫球之間。在本實用新型的一實施例中，所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含一封裝膠體，用以包覆保護(hù)所述第二芯片。在本實用新型的一實施例中，所述第一凸塊選自金凸塊、銅凸塊、錫凸塊、鎳凸塊、銅柱凸塊(Cu pillar bumps)或鎳柱凸塊。在本實用新型的一實施例中，所述第二凸塊選自金凸塊、銅凸塊、錫凸塊、鎳凸塊、 銅柱凸塊或鎳柱凸塊。再者，本實用新型提供另ー種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含一第一芯片，具有設(shè)置在一表面的數(shù)個第一凸塊，及貫穿兩表面的數(shù)個穿硅導(dǎo)通孔；一介電材料層，用以覆蓋所述第一芯片，具有數(shù)條第一導(dǎo)線；數(shù)個錫球，設(shè)置在所述介電材料層的ー表面；一第二芯片，具有數(shù)個第二凸塊；以及ー激光激活層，設(shè)置在所述第一芯片及所述第二芯片之間，具有數(shù)條第二導(dǎo)線；其中所述第一芯片通過所述第一凸塊及所述第一導(dǎo)線電性連接所述錫球；及所述第二導(dǎo)線的一端在所述激光激活層的一表面上延伸分布并與所述穿硅導(dǎo)通孔電性接觸，使得所述第一芯片通過所述穿硅導(dǎo)通孔及所述第二導(dǎo)線電性連接所述第二芯片的第二凸塊。[0031 ] 在本實用新型的一實施例中，所述第二導(dǎo)線的材料選自無電鍍銅、無電鍍鎳或無電鍍錫。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，不但可降低成本、提高良率，還可以解決環(huán)境測試不良的問題。

圖I是ー現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的示意圖。圖2是本實用新型第一實施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的示意圖。圖3A、3B、3C、3D及3E是本實用新型第一實施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的制造方法各步驟的示意圖。圖4是本實用新型第二實施例半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的示意圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖2所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200主要包含一第一芯片10、一第二芯片20、一介電材料層30、ー激光激活層40、數(shù)個錫球50及一封裝膠體60。所述第一芯片10的一表面(即有源表面)上具有數(shù)個第一凸塊10a，且兩表面之間上具有數(shù)個穿硅導(dǎo)通孔(TSV) 10b，所述穿硅導(dǎo)通孔(TSV)IOb的底端裸露在所述第一芯片10的另一表面(即背面)上；所述第二芯片20具有與所述穿硅導(dǎo)通孔IOb相對設(shè)置的數(shù)個第二凸塊20a ;所述介電材料層30具有數(shù)條第一導(dǎo)線31 ;所述激光激活層40具有數(shù)個導(dǎo)電端子41a ;所述錫球50分別具有ー接墊50a。如圖2所示，所述激光激活層40設(shè)置在所述第一芯片10及所述第二芯片20之間，所述錫球50設(shè)置在所述介電材料層的ー表面，以作為所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的輸入/輸出部。此外，所述介電材料層30用以包覆保護(hù)所述第一芯片10及所述第一凸塊10a，且所述第一芯片10通過所述第一凸塊IOa及所述第一導(dǎo)線31與所述錫球50電性連接。再者，所述封裝膠體60用以包覆保護(hù)所述第二芯片20，所述導(dǎo)電端子41a電性的連接所述穿硅導(dǎo) 通孔IOb及所述第二凸塊20a，以使所述第二芯片20通過所述第二凸塊20a、所述導(dǎo)電端子41a及所述穿硅導(dǎo)通孔30b與所述第一芯片10電性連接。本實用新型將于下文利用圖2、3A、3B、3C、3D及3E逐一詳細(xì)說明第一實施例之上述各元件的細(xì)部構(gòu)造、制造方法及其運作原理。請參照圖3A所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的制造方法首先是備置所述第一芯片10及一第一載板70a,其中先在所述第一芯片10的兩相對表面上分別加工形成所述第一凸塊IOa及所述穿硅導(dǎo)通孔10b，并在具有所述穿硅導(dǎo)通孔IOb的一表面(背面)上貼上一保護(hù)膠帶10c，接著將所述第一芯片10安置在所述第一載板70a上，但所述第一芯片10基于所述保護(hù)膠帶IOc的媒介而不與所述第一載板70a直接接觸。具體而言，所述第一凸塊IOa及所述穿硅導(dǎo)通孔IOb可以各自選自金凸塊、銅凸塊、錫凸塊、鎳凸塊、銅柱凸塊(Cu pillar bumps)或鎳柱凸塊；必要時，所述第一芯片10也可選自一雙面芯片(即背面亦具有集成電路)，但并不限于此。請參照圖3A及3B所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的制造方法接著是先利用所述介電材料層30完全包覆保護(hù)圖3A的所述第一芯片10及所述第一凸塊IOa ;再借助激光來激活所述第一凸塊IOa上方的所述介電材料層30，使所述介電材料層30內(nèi)的激光激活材料(laser activated material)通過激光的激活而被揮發(fā),進(jìn)而使所述介電材料層30的表面因燒蝕而形成數(shù)個第一穿透孔32 ;其后，在各所述第一穿透孔32上被覆一第一段導(dǎo)線31a。具體而言，所述介電材料層30包含交替堆棧的數(shù)個激光激活材料層與數(shù)個導(dǎo)線層，所述激光激活材料層中包含至少ー種有機(jī)材料，所述有機(jī)材料會經(jīng)由激光的激活而揮發(fā)，且被激光照射的所述介電材料層30的激光激活材料層表面逐漸被燒蝕并對應(yīng)形成所述第一穿透孔32。特別地，可通過調(diào)整激光的電壓強(qiáng)度及照射時間來控制所述第一穿透孔32被燒蝕的深度及孔徑大小。此外，所述激光激活材料主要包含有機(jī)金屬化合物(organometallic compound),特別是或有機(jī)IE金屬化合物、有機(jī)銅金屬化合物、有機(jī)鎳金屬化合物或有機(jī)錫金屬化合物。所述有機(jī)金屬化合物在被激光燒蝕后，其有機(jī)部份將揮發(fā)，并留下還原的金屬粒子于燒蝕后的孔壁上，以利進(jìn)行無電鍍エ藝；所述第一段導(dǎo)線31a則可選自無電鍍材料，特別是無電鍍銅、無電鍍鎳或無電鍍錫，但并不限于此。請參照圖3B及3C所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的制造方法接著是先重復(fù)在圖3B的所述介電材料層30及所述第一段導(dǎo)線31a上，依序覆蓋所述介電材料層30、照射激光以燒蝕出所述第一穿透孔32，以及在各所述第一穿透孔32上披覆對應(yīng)的導(dǎo)線31b，直到達(dá)到所預(yù)設(shè)的所述介電材料層30厚度或所述第一導(dǎo)線31的長度為止。其后，在各導(dǎo)線31b的一第二段導(dǎo)線31c上形成所述接墊50a。其中，所述接墊50a可選自金材料、銅材料、鎳材料、錫材料、鈀材料，或為上述材料的合金，但并不限于此。請參照圖3C及3D所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的制造方法接著是先依序移除所述第一載板70a、在存在所述接墊50a的所述介電材料層30的表面上設(shè)置ー第二載板70b，以及移除所述保護(hù)膠帶IOc ;其后，在所述介電材料層30的另ー表面及裸露所述穿硅導(dǎo)通孔IOb —端的所述第一芯片10的表面上被覆上所述激光激活層40。其中，所述激光激活層40可以選自有機(jī)金屬化合物，例如是有機(jī)金屬化合物，特別是有機(jī)鈀金屬化合物、有機(jī)銅金屬化合物、有機(jī)鎳金屬化合物或有機(jī)錫金屬化合物，所述有機(jī)金屬化合物在被激光燒蝕后，其有機(jī)部份將揮發(fā)，并留下還原的金屬粒子于燒蝕后的孔壁上， 以利進(jìn)行無電鍍エ藝。特別地，所述激光激活層40與所述介電材料層30可采用相同的激光激活材料；此外，再對相應(yīng)于所述穿硅導(dǎo)通孔IOb上的所述激光激活層40上，進(jìn)行激光照射，并同時控制激光的電壓大小及照射時間，以燒蝕出所需的數(shù)個第二穿透孔42。此時，所述第二穿透孔42穿透所述激光激活層40，以裸露出所述穿硅導(dǎo)通孔IOb ;最后，在各所述第ニ穿透孔42上以無電鍍エ藝填滿無電鍍材料，即可以形成所述導(dǎo)電端子41a。具體而言，所述導(dǎo)電端子41a可選自無電鍍材料，特別是無電鍍銅、無電鍍鎳或無電鍍錫，但并不限于此。請參照圖3D及3E所示，本實用新型第一實施例的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200的制造方法接著是先將所述第二芯片20覆蓋在所述第一芯片10上，使所述第二凸塊20a與所述導(dǎo)電端子41a及所述穿硅導(dǎo)通孔IOb對齊，以令所述第二芯片20可通過所述第二凸塊20a、所述導(dǎo)電端子41a及所述穿硅導(dǎo)通孔IOb與所述第一芯片10電性連接，其中所述第二凸塊20a可以選自金凸塊、銅凸塊、錫凸塊、鎳凸塊、銅柱凸塊或鎳柱凸塊；其后，在所述第一芯片10與所述第二芯片20之間涂布ー膠體70c。其中所述膠體70c可選自一具有絕緣能力的材料；之后，利用所述封裝膠體60完全包覆所述第二芯片20。其中所述封裝膠體60例如為ー環(huán)氧樹脂層，特別是環(huán)氧樹脂化合物及絕緣固態(tài)顆粒的混合物，但并不限于此。最后，請參照圖2及3E所示，在所述接墊50a上分別設(shè)置所述錫球50，以提供所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200。其中所述錫球50可選自金材料、銅材料、鎳材料、錫材料，或為上述材料的合金，但并不限于此。請參照圖4所示，本實用新型第二實施例的一半導(dǎo)體封裝構(gòu)造300相似于本實用新型第一實施例的所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200，并大致沿用相同于圖2的組件名稱及圖號，但第二實施例不同于第一實施例的差異特征在干所述第二實施例的所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造300的所述激光激活層40包含數(shù)條第二導(dǎo)線41b。所述第二導(dǎo)線41b貫穿所述激光激活層40的兩面，使所述第二芯片20通過所述第二凸塊20a、所述第二導(dǎo)線41b及所述穿硅導(dǎo)通孔IOb與所述第一芯片10電性導(dǎo)通。此外，經(jīng)由控制激光的電壓及激活時間，使所述第ニ穿透孔42在所述激光激活層40與所述第二芯片20相互接觸的接口上因激光的燒蝕而產(chǎn)生平面分布的特殊重布線圖案(未繪示)，進(jìn)而使所述無電鍍材料填滿所述第二穿透孔42 (如圖3D)之后，在所述第二穿透孔42內(nèi)形成所述第二導(dǎo)線41b，所述第二導(dǎo)線41b為平面延伸分布的電路，也就是具有重新分布(re-distribution)焊墊位置的作用，并可用以與所述第二凸塊20a相連接。如上所述，相較于現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝構(gòu)造雖能以穿硅導(dǎo)通孔、蝕刻及布線的方式對芯片進(jìn)行封裝，但現(xiàn)有技術(shù)具有成本過高、制作過程良率低、熱膨脹系數(shù)差異造成的翹曲與斷裂等問題，而易導(dǎo)致封裝后的所述芯片仍無法有更長的使用壽命等缺點，反觀圖2及圖4的本實用新型的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造200、300改采用ー激光激活材料來封裝包埋ー芯片，并通過對所述激光激活材料照射ー激光,使所述激光激活材料內(nèi)的有機(jī)材料揮發(fā),進(jìn)而使所述激光激活材料的表面因燒蝕而形成數(shù)個穿透孔，其后即可在所述穿透孔上披覆無電鍍導(dǎo)線；接著再通過另ー激光激活材料層及導(dǎo)電端子(或第二導(dǎo)線)的制作來與另ー芯片相連接。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型確實可以有效節(jié)省成本及提高良率，進(jìn)而提高半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的品質(zhì)穩(wěn)定性。本實用新型已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型 的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 一第一芯片，具有設(shè)置在一表面的數(shù)個第一凸塊，及貫穿兩表面的數(shù)個穿硅導(dǎo)通孔； 一介電材料層，用以覆蓋所述第一芯片，具有數(shù)條第一導(dǎo)線； 數(shù)個錫球，設(shè)置在所述介電材料層的一表面； 一第二芯片，具有與所述穿硅導(dǎo)通孔相對設(shè)置的數(shù)個第二凸塊；以及 一激光激活層，設(shè)置在所述第一芯片及所述第二芯片之間，具有數(shù)個導(dǎo)電端子； 其中所述第一芯片通過所述第一凸塊及所述第一導(dǎo)線電性連接所述錫球； 及所述第一芯片通過所述穿硅導(dǎo)通孔及所述導(dǎo)電端子電性連接所述第二芯片的第二凸塊。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述介電材料層包含交替堆棧的數(shù)個激光激活材料層與數(shù)個導(dǎo)線層。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述介電材料層或所述激光激活層包含有機(jī)金屬化合物。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述有機(jī)金屬化合物選自有機(jī)銅金屬化合物、有機(jī)鎳金屬化合物或有機(jī)錫金屬化合物。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一導(dǎo)線及所述導(dǎo)電端子的材料分別選自無電鍍銅、無電鍍鎳或無電鍍錫。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含一接墊，所述接墊設(shè)置于所述第一導(dǎo)線與所述錫球之間。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造另包含一封裝膠體，用以包覆保護(hù)所述第二芯片。
8.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第一凸塊選自金凸塊、銅凸塊、錫凸塊、鎳凸塊、銅柱凸塊或鎳柱凸塊。
9.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述第二凸塊選自金凸塊、銅凸塊、錫凸塊、鎳凸塊、銅柱凸塊或鎳柱凸塊。
10.一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其特征在于所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造包含 一第一芯片，具有設(shè)置在一表面的數(shù)個第一凸塊，及貫穿兩表面的數(shù)個穿硅導(dǎo)通孔； 一介電材料層，用以覆蓋所述第一芯片，具有數(shù)條第一導(dǎo)線； 數(shù)個錫球，設(shè)置在所述介電材料層的一表面； 一第二芯片，具有數(shù)個第二凸塊；以及 一激光激活層，設(shè)置在所述第一芯片及所述第二芯片之間，具有數(shù)條第二導(dǎo)線； 其中所述第一芯片通過所述第一凸塊及所述第一導(dǎo)線電性連接所述錫球； 及所述第二導(dǎo)線的一端在所述激光激活層的一表面上延伸分布并與所述穿硅導(dǎo)通孔電性接觸，使得所述第一芯片通過所述穿硅導(dǎo)通孔及所述第二導(dǎo)線電性連接所述第二芯片的第二凸塊。
專利摘要本實用新型公開一種半導(dǎo)體封裝構(gòu)造，其包含一第一芯片、一第二芯片、一介電材料層、一激光激活層、一封裝膠體及數(shù)個錫球。所述介電材料層用以包覆所述第一芯片，并具有數(shù)條第一導(dǎo)線；所述錫球設(shè)置在所述介電材料層的一表面；所述激光激活層設(shè)置在所述第一及第二芯片之間，并具有數(shù)個導(dǎo)電端子；所述封裝膠體用以包覆所述第二芯片。所述第一芯片通過所述第一導(dǎo)線電性連接所述錫球，且所述第一芯片通過所述導(dǎo)電端子與所述第二芯片電性連接。所述半導(dǎo)體封裝構(gòu)造可有效節(jié)省成本及提高良率，進(jìn)而提高半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的品質(zhì)穩(wěn)定性。
文檔編號H01L25/00GK202394967SQ20112057014
公開日2012年8月22日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者杭特·約翰, 翁肇甫, 黃敏龍 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司