專利名稱：改進(jìn)基底中斜面蝕刻重復(fù)性的裝置和方法
改進(jìn)基底中斜面蝕刻重復(fù)性的裝置和方法
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體產(chǎn)品制造中，通過連續(xù)的沉積，蝕刻，以及拋光各層來加工基底(例如， 半導(dǎo)體晶片)以生成半導(dǎo)體器件。等離子體，更具體而言，增強(qiáng)等離子體蝕刻和沉積經(jīng)常用于這些加工步驟中。一般來說，工藝工程師力求盡可能多的使用基底上的可用面積來制造半導(dǎo)體器件。由于工藝限制和其他因素，通常在基底的外緣有環(huán)形區(qū)域，在此處器件的形成認(rèn)為不可靠，因此通常不試圖在此處形成器件。因?yàn)榧庸A向于集中在基底的內(nèi)部區(qū)域，所以有機(jī)和無機(jī)材料微粒的沉積往往發(fā)生在上述環(huán)形邊緣區(qū)域附近。如果沉積通過連續(xù)的加工步驟沒有被去除，一些沉積的材料可能會(huì)剝落并且污染等離子體加工室和/或基底本身的內(nèi)部區(qū)域。這種污染通常導(dǎo)致較低的基底器件產(chǎn)量并且可高達(dá)幾個(gè)百分點(diǎn)。為了減小和/或最小化在這個(gè)環(huán)形邊緣區(qū)域中的沉積材料剝落和較低器件產(chǎn)量的可能性，工藝工程師在器件成型加工步驟之間插入一個(gè)或一個(gè)以上的斜面(bevel)蝕刻步驟。在常見的斜面蝕刻步驟中，基底的器件成型區(qū)域不采用等離子體加工。相反，使用斜面蝕刻設(shè)備在基底邊緣附近形成環(huán)形等離子體以便蝕刻掉一些在基底外緣處累積的材料。 通過將一個(gè)或一個(gè)以上的斜面蝕刻步驟插入到器件制造過程中，抑制了在前述的環(huán)形邊緣區(qū)域的累積沉積物的過度堆積。因此，在基底環(huán)形邊緣區(qū)域中的一些累積沉積物會(huì)剝落的可能性大大降低，進(jìn)而導(dǎo)致器件產(chǎn)量的增加。正如大多數(shù)圍繞半導(dǎo)體產(chǎn)品制造的技術(shù)領(lǐng)域一樣，需要在斜面蝕刻領(lǐng)域不斷創(chuàng)新和改善，以適應(yīng)蝕刻特征尺寸的不斷變小和基底的不斷變大，這導(dǎo)致對(duì)蝕刻工藝窗口提出了更高的要求。本發(fā)明的一個(gè)目的是改進(jìn)在半導(dǎo)體器件制造中的斜面蝕刻工藝。


本發(fā)明在隨附附圖的圖形中是以實(shí)例的方式說明，但并不是以限制的方式說明， 在附圖中類似的參考數(shù)字表示相似的元素，并且其中圖IA和圖IB所示為樣品基底斜面邊緣輪廓圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式所示的斜面邊緣輪廓檢測裝置。圖3A和圖3B為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方式所示的表征基底斜面邊緣側(cè)面輪廓的特征技術(shù)。圖4A和圖4B為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式所示的另一斜面輪廓檢測裝置。圖5為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式所示的另一斜面邊緣輪廓檢測裝置。圖6為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式所示的改進(jìn)基底中斜面蝕刻重復(fù)性的方法。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將根據(jù)附圖中圖解的本發(fā)明的一些實(shí)施方式詳細(xì)描述本發(fā)明。在下面的描述中，陳述了許多特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)于本發(fā)明的全面理解。然而，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的，本發(fā)明可在沒有這些特定細(xì)節(jié)的部分或全部的情況下實(shí)行。在其他情況下，對(duì)眾所周知的加工步驟和/或結(jié)構(gòu)未做詳細(xì)描述，以免不必要地模糊本發(fā)明。下文描述了各種實(shí)施方式，包括方法和技術(shù)。應(yīng)牢記，本發(fā)明也可涉及制品，該制品包括計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，用于執(zhí)行本發(fā)明技術(shù)的實(shí)施方式的計(jì)算機(jī)可讀指令存儲(chǔ)在其上。 計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括，例如半導(dǎo)體，磁的，光磁的，光的或其他形式的用于存數(shù)計(jì)算機(jī)可讀編碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。進(jìn)一步，本發(fā)明還可涉及實(shí)行本發(fā)明實(shí)施方式的設(shè)備。這種設(shè)備可包括專用的和/或可編程的電路，以執(zhí)行與本發(fā)明實(shí)施方式有關(guān)的任務(wù)。這種設(shè)備的實(shí)例包括通用目的計(jì)算機(jī)和/或當(dāng)適當(dāng)程序化時(shí)的專用計(jì)算設(shè)備，以及可包括適于執(zhí)行與本發(fā)明實(shí)施方式有關(guān)的各種任務(wù)的計(jì)算機(jī)/計(jì)算設(shè)備和專用/可編程電路的組合。本發(fā)明的實(shí)施方式涉及改進(jìn)基底中斜面蝕刻重復(fù)性而不管前斜面(pre-bevel) 蝕刻基底的變化程度如何的方法和設(shè)備。在本發(fā)明方面，發(fā)明人認(rèn)識(shí)到使改進(jìn)斜面蝕刻重復(fù)性的嘗試趨向復(fù)雜化的因素與前斜面蝕刻基底可能有關(guān)于斜面邊緣輪廓方面的差異的事實(shí)有關(guān)。例如，參照圖IA和圖1B，可以看到相較于基底150朝向邊緣的更為錐形化的斜面邊緣輪廓，基底100有較為方形的斜面邊緣輪廓。當(dāng)在基底100和基底150上實(shí)施斜面蝕刻時(shí)，如果斜面蝕刻方法保持不變，在位置 102處的斜面蝕刻率小于位置152處的斜面蝕刻率，位置102在與邊緣104相距dl處，位置152也在與邊緣IM相距dl處。這是因?yàn)閲@在基底100外緣的環(huán)形或圓環(huán)形等離子體云或其反應(yīng)副產(chǎn)物相較于基底150的情況能夠較少的穿透基底100的中心。結(jié)果，相較于從基底150的位置152去除的沉積材料量，從基底100的位置102蝕刻或去除的沉積材料較少。實(shí)施斜面蝕刻的一個(gè)挑戰(zhàn)是不得不處理斜面蝕刻距離的重復(fù)性?？蛻粢笤谛泵嫖g刻期間，沉積在基底外緣(斜面)上的薄膜去除率在一定范圍的不同工具(tool-to-tool)，以及不同晶片(wafer-to-wafer)間是一致的，或者，換句話說， 符合一定的重復(fù)性標(biāo)準(zhǔn)。例如，一些客戶可能要求對(duì)于在一定變化范圍內(nèi)的不同工具 (tool-to-tool)或不同晶片(wafer-to-wafer)所有的薄膜將被清除到距離晶片頂點(diǎn)一定距離，以及斜面蝕刻距離。斜面蝕刻距離重復(fù)性指的是在斜面蝕刻后，后斜面蝕刻基底對(duì)于給定工具有實(shí)質(zhì)相同的斜面蝕刻距離的概念。因此，如果從基底到基底(from substrate to substrate)，所有其他的斜面蝕刻配方參數(shù)不變，基底100的后斜面蝕刻結(jié)果將顯示出，相較于基底150的點(diǎn)152處的去除材料量，在基底100的點(diǎn)102處有較少的材料去除。在本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上的實(shí)施方式中，提供了表征基底斜面邊緣輪廓和/或基底厚度的光學(xué)裝置。然后，使用邏輯模塊中的軟件和/或硬件分析斜面邊緣特征，以便得到前饋信息進(jìn)而調(diào)整工藝參數(shù)。使用前饋信息調(diào)整工藝參數(shù)以便補(bǔ)償從基底到基底的前斜面蝕刻變化。通過適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)調(diào)整，能獲得改進(jìn)的斜面蝕刻重復(fù)性。在一個(gè)或一個(gè)以上的實(shí)施方式中，使用包括一個(gè)或一個(gè)以上光源和傳感器的光學(xué)裝置確定不同基底中斜面邊緣變化(包括斜面邊緣形狀和/或尺寸變化)。然后，該斜面邊緣變化可用于確定前饋修正參數(shù)以確保從基底到基底的斜面蝕刻結(jié)果中的重復(fù)性。該修正參數(shù)包括，例如，改變斜面蝕刻時(shí)間，斜面蝕刻化學(xué)因素(chemistry)，電極間隙，RF功率水平，壓力，等。在一個(gè)實(shí)施方式中，該光學(xué)裝置包括攝像頭，該攝像頭與基底位于同一平面上并且相切地指向基底的斜面邊緣以便捕捉基底斜面邊緣側(cè)面輪廓的圖像。例如，可作為前斜面蝕刻準(zhǔn)備的一部分實(shí)施該圖像捕捉。如果需要，可用合適的光源照射基底斜面邊緣，如 LED模塊或一些其它光源。然后，分析該斜面?zhèn)让孑喞源_定前饋修正參數(shù)，確保從基底到基底的斜面蝕刻重復(fù)性。在一個(gè)或一個(gè)以上的實(shí)施方式中，該光學(xué)裝置包括放置的鏡子，以便讓攝像頭位于基底上方，與基底共面，或除了與基底共面的其它位置，以捕捉基底斜面邊緣側(cè)面輪廓的圖像。在某些系統(tǒng)中，可能存在攝像頭以協(xié)助相對(duì)于室加工中心的基底定位和/或校正機(jī)械臂。外加一個(gè)或一個(gè)以上的鏡子，可使用同一攝像頭以捕捉斜面邊緣的側(cè)面輪廓圖像，從而確定前饋修正參數(shù)以確保從基底到基底的斜面蝕刻重復(fù)性。在一個(gè)或一個(gè)以上的實(shí)施方式中，該光學(xué)裝置包括從遠(yuǎn)程光源照射基底斜面邊緣的光纖和/或從遠(yuǎn)程攝像頭捕捉斜面邊緣側(cè)面輪廓圖像的光纖。以這種方式使用一個(gè)或一個(gè)以上的光纖消除了定位傳感器(例如，攝像頭)和/或照射光源的視線要求。在一個(gè)或一個(gè)以上的實(shí)施方式中，該光學(xué)裝置包括激光光源和傳感器陣列，當(dāng)激光光束被斜面邊緣反彈回來時(shí)，放置的傳感器接收反射光束。根據(jù)在光束入射點(diǎn)處的錐形化的程度，該反射光束照在傳感器陣列中的特定傳感器上。通過確定被激活的傳感器并推斷出光束的反射角，可獲得關(guān)于在光束入射點(diǎn)處的斜面邊緣錐形角的信息。然后，使用這種關(guān)于斜面邊緣錐形化的信息以確定前饋修正參數(shù)，確保從基底到基底的斜面蝕刻重復(fù)性。可使用確定基底中斜面邊緣變化的其他光學(xué)裝置，并且由權(quán)利要求決定的所主張的本發(fā)明不局限于本文所討論的任何特定示例。例如，可使用兩個(gè)或兩個(gè)以上不同顏色和/ 或不同偏振角的激光器，以確定在一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方式中的斜面邊緣錐形化(taper)?？蓞⒄障率鰣D形和討論更好地理解本發(fā)明的實(shí)施方式的特征和優(yōu)勢。圖2為根據(jù)一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方式所示的斜面邊緣檢測裝置200的俯視圖，該裝置包括可選的光源 202和攝像頭204，如圖所示。放置光源202以照射基底208的斜面邊緣206，允許共面的攝像頭204捕捉該斜面邊緣的側(cè)面輪廓，該輪廓如圖IA和IB所示。共面攝像頭204相切地 (tangentially)指向基底外緣，使得攝像頭204能夠捕捉該斜面邊緣的側(cè)面輪廓。然后，通過邏輯模塊(未顯示)的軟件和/或硬件分析該側(cè)面輪廓，以確定前饋補(bǔ)償因數(shù)。圖3A和圖3B所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方式的簡單表征方法，該方法用于確定所需的前饋修正參數(shù)以便改進(jìn)從基底到基底的斜面蝕刻重復(fù)性。在圖3A和圖3B中顯示了兩個(gè)不同基底300和350的兩個(gè)斜面邊緣302和352的側(cè)面輪廓圖像。使用模式識(shí)別軟件把基底面積從非基底面積中區(qū)別出來。通過確定由基底外緣末端已知寬度 W和在離基底外緣末端的距離W處確定的基底的厚度T形成的矩形框進(jìn)一步處理該圖像。 關(guān)于圖3A，顯示了具有寬度W和厚度T (a)的矩形框310。在圖3B中，顯示了具有寬度W和厚度T(b)的矩形框360。然后，確定斜面邊緣302的填充因數(shù)(fill factor)。填充因數(shù)(FF)的計(jì)算為矩形框310中的基底面積(Aisubstratd)除以矩形框310的總面積(Ateamd)的比率。同樣，通過矩形框360中劃分的基底面積(Aisubstrate))除以矩形框360的總面積(Ateame))來確定斜面邊緣352的填充因數(shù)。由于基底300的斜面邊緣302的錐形化程度小于基底350的斜面邊緣352的錐形化程度，所以與基底300的斜面邊緣302有關(guān)的填充因數(shù)大于與基底350的斜面邊緣352有關(guān)的填充因數(shù)。
在這種情況下，理論上認(rèn)為基底350的斜面邊緣352的較大程度的錐形化和圓錐形傾向于允許圓環(huán)形等離子體云周圍較多的等離子體蝕刻劑朝向基底350的中心到達(dá)較深處。相反，基底300的斜面邊緣302的相對(duì)不足的錐形化和更像箱子的形狀傾向于允許圓環(huán)形等離子體云周圍較少的等離子體蝕刻劑到達(dá)基底300的中心。因此，在所有其他參數(shù)相同的情況下，圖3B中基底350上的位置354處的蝕刻速率將傾向于大于圖3A中基底 300上的位置304處的蝕刻速率。通過對(duì)填充因數(shù)的認(rèn)知，可調(diào)整一個(gè)或一個(gè)以上的補(bǔ)償因數(shù)以提高基底300上的位置304處的蝕刻速率和/或降低基底350上的位置354處的蝕刻速率，以便改進(jìn)基底300和基底350之間斜面蝕刻重復(fù)性。同樣，除了通過調(diào)整工藝參數(shù)來調(diào)整在位置304和354處的蝕刻速率，也可以通過調(diào)整加工時(shí)間，使得晶片300和350的蝕刻距離更具有可比性，該蝕刻距離定義為晶片頂點(diǎn)和在所有沉積的薄膜清楚處的晶片半徑之間的長度。應(yīng)注意，圖像分析的附帶好處是每個(gè)基底的斜面邊緣厚度(例如，T(a)和T(b))的確定。也可使用這個(gè)厚度參數(shù)來確定第二補(bǔ)償因數(shù)(例如，對(duì)于電極間隙距離，RF功率，蝕刻時(shí)間，蝕刻化學(xué)因素，壓力，等)，以便進(jìn)一步改進(jìn)基底中的斜面蝕刻重復(fù)性。圖4A和圖4B所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方式的裝置400，該裝置獲取基底斜面邊緣的側(cè)面輪廓圖像，以達(dá)到得到補(bǔ)償因數(shù)的目的，進(jìn)而改進(jìn)基底中的斜面蝕刻重復(fù)性。圖4A為裝置400的俯視圖，而圖4B為同一裝置400的基底斜面邊緣的直視圖。參照圖4A，顯示了裝置400包括光源402和基底404。為了容易理解，鏡子，攝像頭，和附加的光源從圖4A中忽略，但在圖4B中清楚顯示。圖4A中的箭頭406說明了導(dǎo)致圖 4B表現(xiàn)的視圖方向，如果觀察者的眼睛跟隨箭頭406的方向朝基底404的斜面邊緣看去。參照圖4B，現(xiàn)在該視圖朝向基底404的斜面邊緣，基底404的定位平面在眼睛水平線上并且不在紙面。再次顯示光源402。光源402照射基底404的斜面邊緣，如圖4A和4B 所示。光源402，鏡子410，鏡子414，攝像頭416和測量面積422在同一虛平面中(圖4A中虛線420所示)。放置在頭頂上的攝像頭416從光源402接收光照射。來自被照射的斜面邊緣的光從鏡子410，412和鏡子414反射通過攝像頭416接收。在這種方式下，可獲取基底404斜面邊緣的側(cè)面輪廓圖像。對(duì)于這種測量，光源430是關(guān)閉的。在一個(gè)或一個(gè)以上的實(shí)施方式中，鏡子414可用半透明鏡來實(shí)施。在這種情況下， 也可用攝像頭416查看斜面邊緣的上表面和/或獲取該斜面的厚度。例如，可使用光源430 給斜面邊緣的上表面(通過從半透明鏡414的反射)提供光。然后，可使用攝像頭416來獲取該斜面的厚度。對(duì)于這種測量，光源402是關(guān)閉的。因此，根據(jù)是光源402或430的打開，可使用攝像頭406來獲取斜面邊緣的側(cè)面輪廓圖像或獲取在斜面蝕刻完成后關(guān)于蝕刻距離的信息。一旦獲得圖像，可開始分析來得到上述補(bǔ)償因數(shù)。圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上的實(shí)施方式的裝置502，該裝置獲取基底斜面邊緣的側(cè)面輪廓圖像，以達(dá)到得到補(bǔ)償因數(shù)，進(jìn)而改進(jìn)基底中的斜面蝕刻重復(fù)性的目的。放置激光光源504來反彈激光光束506離開基底510的斜面邊緣508。該反射光束 512照在傳感器陣列520中的一個(gè)或一個(gè)以上的傳感器上。有關(guān)哪個(gè)傳感器接收了反射光束的信息以及有關(guān)激光光源504和傳感器陣列520相對(duì)位置的信息將提供有關(guān)基底510的
7斜面邊緣508的錐形化程度的信息。然后，可使用這個(gè)信息來得到補(bǔ)償因數(shù)，進(jìn)而改進(jìn)從基底到基底的斜面蝕刻重復(fù)性。如果需要，對(duì)于傳感器陣列520可使用具有不同波長和/或偏振的多個(gè)激光器。進(jìn)一步，激光光源504和傳感器陣列520的方向和位置僅是作例證的， 其他的方向和位置也是可能的。圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施方式的方法，該方法用于獲得與基底斜面邊緣有關(guān)的側(cè)面輪廓信息以及用于改進(jìn)從基底到基底的斜面蝕刻重復(fù)性。在步驟 602中，提供了光學(xué)裝置。在步驟604中從該光學(xué)裝置獲得與基底斜面邊緣有關(guān)的該側(cè)面輪廓信息。在步驟606中，分析該側(cè)面輪廓信息以生成前饋補(bǔ)償數(shù)據(jù)。在步驟608中，使用該前饋補(bǔ)償數(shù)據(jù)來調(diào)整工藝參數(shù)以便提供晶片中的斜面蝕刻重復(fù)性。從上述可以看出，本發(fā)明的實(shí)施方式提供了確定基底斜面邊緣的斜面形狀和/或厚度，從而使前饋補(bǔ)償因數(shù)的計(jì)算能夠進(jìn)行的方法和裝置。然后使用這些補(bǔ)償因數(shù)來調(diào)整一個(gè)或一個(gè)以上的斜面蝕刻工藝參數(shù)(例如斜面蝕刻時(shí)間，斜面蝕刻化學(xué)因素，電極間隙， RF功率水平，壓力，等)，進(jìn)而改進(jìn)從基底到基底的斜面蝕刻重復(fù)性。雖然本發(fā)明依照幾個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式來描述，但是有落在本發(fā)明的范圍內(nèi)的變更，交換，以及等同。雖然此處提供了各種實(shí)例，但是這些實(shí)例是說明性的并不限制本發(fā)明。 例如，盡管討論了作為一個(gè)斜面邊緣特征而確定的填充因數(shù)以達(dá)到計(jì)算補(bǔ)償因數(shù)的目的， 但是也可使用其他特征例如斜面斜度，形狀等。對(duì)于另一實(shí)例，盡管討論了作為確定斜面邊緣特征可能技術(shù)的光學(xué)攝像頭和激光傳感器以達(dá)到計(jì)算補(bǔ)償因數(shù)的目的，但是也可使用其他技術(shù)如條紋計(jì)數(shù)。同樣的，此處提供的題目是為了方便，而不能用于構(gòu)成此處權(quán)利要求的范圍。如果此處使用了術(shù)語“組”，這個(gè)術(shù)語具有其通常理解的數(shù)學(xué)涵義，包括零，一，或多于一。應(yīng)注意，有許多實(shí)施本發(fā)明的方法和裝置的替換方式。
權(quán)利要求
1.與基底斜面蝕刻結(jié)合實(shí)施的用于改進(jìn)基底中斜面蝕刻重復(fù)性的方法，所述方法包括提供光學(xué)裝置；確定所述基底斜面邊緣的至少一斜面邊緣特征；從所述至少一斜面邊緣特征得到至少一補(bǔ)償因數(shù)，所述至少一補(bǔ)償因數(shù)與斜面蝕刻工藝參數(shù)的調(diào)整有關(guān)；以及使用所述至少一補(bǔ)償因數(shù)實(shí)施所述斜面蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光學(xué)裝置包括與所述基底共面地設(shè)置的攝像頭并且相切地指向所述斜面邊緣以獲得所述基底的側(cè)面輪廓圖像。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述至少一斜面邊緣特征是填充因數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述斜面蝕刻工藝參數(shù)是斜面蝕刻時(shí)間、斜面蝕刻化學(xué)因素、電極間的間隙、RF功率、RF頻率和室壓中的一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光學(xué)裝置包括激光光源和傳感器陣列，所述傳感器陣列配置成檢測來自所述激光光源的從所述斜面邊緣反射的反射光束。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光學(xué)裝置包括攝像頭、光源和至少一鏡子，其中設(shè)置所述攝像頭與所述基底的基底平面相對(duì)成一角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括使用所述光學(xué)裝置獲得斜面邊緣的厚度。
8.改進(jìn)基底中斜面蝕刻重復(fù)性的設(shè)備，所述設(shè)備包括光學(xué)裝置，其設(shè)置為確定基底斜面邊緣的至少一斜面邊緣特征； 邏輯模塊，其從所述至少一斜面邊緣特征得到至少一補(bǔ)償因數(shù)，所述至少一補(bǔ)償因數(shù)與斜面蝕刻工藝參數(shù)的調(diào)整有關(guān)；以及等離子體加工室，其使用所述至少一補(bǔ)償因數(shù)實(shí)施所述斜面蝕刻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述光學(xué)裝置包括與所述基底共面地設(shè)置的攝像頭并且相切地指向所述斜面邊緣以獲得所述基底的側(cè)面輪廓圖像
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述至少一斜面邊緣特征是填充因數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述斜面蝕刻工藝參數(shù)是斜面蝕刻時(shí)間、斜面蝕刻化學(xué)因素、電極間的間隙、RF功率、RF頻率和室壓中的一個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述光學(xué)裝置包括激光光源和傳感器陣列，所述傳感器陣列配置成檢測來自所述激光光源的從所述斜面邊緣反射的反射光束
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述光學(xué)裝置包括攝像頭、光源和至少一鏡子， 其中設(shè)置所述攝像頭與所述基底的基底平面相對(duì)成一角度。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括使用所述光學(xué)裝置獲得斜面邊緣的厚度
15.與基底斜面蝕刻結(jié)合實(shí)施的用于改進(jìn)基底中斜面蝕刻重復(fù)性的方法，所述方法包括提供光學(xué)裝置；確定所述基底斜面邊緣的至少一斜面邊緣特征，所述至少一斜面邊緣特征包括斜面邊緣厚度，該厚度在離所述基底邊緣預(yù)定距離處測量。從所述至少一斜面邊緣特征得到至少一補(bǔ)償因數(shù)，所述至少一補(bǔ)償因數(shù)與斜面蝕刻工藝參數(shù)的調(diào)整有關(guān)；以及使用所述至少一補(bǔ)償因數(shù)實(shí)施所述斜面蝕刻。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述光學(xué)裝置包括與所述基底共面地放置的攝像頭并且相切地指向所述斜面邊緣以獲得所述基底的側(cè)面輪廓圖像。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述至少一斜面邊緣特征是填充因數(shù)
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述斜面蝕刻工藝參數(shù)是斜面蝕刻時(shí)間、斜面蝕刻化學(xué)因素、電極間的電極間隙、RF功率、RF頻率和室壓中的一個(gè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述光學(xué)裝置包括激光光源和傳感器陣列，所述傳感器陣列配置成檢測來自所述激光光源的從所述斜面邊緣反射的反射光束。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述光學(xué)裝置包括攝像頭、光源和至少一鏡子， 其中設(shè)置所述攝像頭與所述基底的基底平面相對(duì)成一角度。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種與基底斜面蝕刻相關(guān)地實(shí)施的用于改進(jìn)基底中的斜面蝕刻重復(fù)性的方法。該方法包括提供光學(xué)裝置并確定所述基底斜面邊緣的至少一斜面邊緣特征。該方法也包括從所述至少一斜面邊緣特征得到至少一補(bǔ)償因數(shù)，所述至少一補(bǔ)償因數(shù)與斜面蝕刻工藝參數(shù)的調(diào)整有關(guān)。該方法進(jìn)一步包括使用所述至少一補(bǔ)償因數(shù)實(shí)施所述斜面蝕刻。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK102428546SQ201180002071
公開日2012年4月25日 申請日期2010年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月22日
發(fā)明者安德里亞斯·費(fèi)舍爾, 弗朗西斯科·卡馬戈, 紐戈·希恩 申請人:朗姆研究公司