專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法，尤其涉及具有能修正的像素構(gòu)造的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為使用電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件的圖像顯示裝置，已知有使用有機(jī)電致發(fā)光元件(以下，記為有機(jī)EL元件)的有機(jī)EL顯示器。該有機(jī)EL顯示器具有視角特性良好且功耗少的優(yōu)點(diǎn)，因此，作為下一代的平板顯示器(FPD =Flat Panel Display)的候選而受到關(guān)注。通常，構(gòu)成像素的有機(jī)EL元件呈矩陣狀配置。例如，在有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器中，在多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)處設(shè)置薄膜晶體管(TFT:Thin FilmTransistor)，與該TFT連接有保持電容元件(電容器)和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。并且，通過(guò)所選擇的掃描線使該TFT導(dǎo)通，將來(lái)自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到驅(qū)動(dòng)晶體管和保持電容元件，通過(guò)該驅(qū)動(dòng)晶體管和保持電容元件來(lái)控制有機(jī)EL元件的發(fā)光定時(shí)。通過(guò)該像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)，能夠在有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器中使有機(jī)EL元件發(fā)光到下一掃描(選擇)，因此，即使占空比提高，也不會(huì)發(fā)生如導(dǎo)致顯示器的輝度(brightness)減少的情況。但是，如有源矩陣型的有機(jī)EL顯示器所代表的那樣，發(fā)光像素的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)越復(fù)雜，發(fā)光像素?cái)?shù)量越增加，則在需要微細(xì)加工的制造工序中越會(huì)發(fā)生電路元件和/或布線的短路和/或開(kāi)路的電氣不良。特別是在有機(jī)EL面板中，構(gòu)成像素驅(qū)動(dòng)電路的保持電容元件的元件面積相對(duì)較大。因此，該保持電容元件容易受到存在于電極間的微粒(particle)等的影響而發(fā)生短路不良，因而會(huì)成為使像素不良率提高的主要原因。通過(guò)激光照射或電流供給來(lái)將該短路不良的保持電容元件與其他的正常部位切斷，由此能夠消除該短路不良。并且，為了避免由切離不良的保持電容元件而引起的電容下降導(dǎo)致改變像素特性，提出了配置有備用的保持電容元件的像素電路的方案。圖12是專利文獻(xiàn)I所記載的液晶顯示裝置的畫面的一部分的電路圖。在圖12中示出呈矩陣配置有多個(gè)像素的顯示單元的電路結(jié)構(gòu)。該顯示單元具有按像素行配置的掃描線501及電容線502和按像素列配置的信號(hào)線503。各像素包括像素TFT504、相互并聯(lián)連接的保持電容元件505a和505b (保持電容元件505a和505b為大致相同的電容值)、像素電極520、對(duì)向電極506、液晶元件507，還與保持電容元件505a及505b并設(shè)配置有修復(fù)用的保持電容元件508。保持電容元件508被配置成與保持電容元件505a(或者505b)大致相同的電容值，通常與像素電極520分離。在上述結(jié)構(gòu)中，例如如圖12所示出的中央的像素那樣，當(dāng)保持電容元件505b因制造工序的灰塵而短路時(shí)，在該狀態(tài)下像素電極520會(huì)與電容線502直接連接，會(huì)無(wú)法向液晶元件507施加電壓而成為缺陷像素。因此，在可切斷部510通過(guò)激光照射進(jìn)行切斷，在可連接部511執(zhí)行激光接觸。在可連接部511隔著層間絕緣膜而重疊有對(duì)向的兩種布線，通過(guò)向該重疊部進(jìn)行激光照射來(lái)連接兩種布線。由此，即使在保持電容元件505b發(fā)生短路不良，也能夠?qū)⒈３蛛娙菰?05b切離，并連接修復(fù)用的保持電容元件508。通過(guò)上述可切斷部510和可連接部511的結(jié)構(gòu)以及對(duì)它們進(jìn)行的激光照射，即使構(gòu)成像素電路的保持電容元件的一部分發(fā)生短路不良，也能夠不使修復(fù)(repair)后的像素的保持電容減少而使該像素正?；Ｔ谙燃夹g(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2003-15549號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，在專利文獻(xiàn)I所公開(kāi)的可修復(fù)的顯示裝置中，需要在像素電路內(nèi)設(shè)置修復(fù)·用的保持電容元件，進(jìn)而需要確保個(gè)別地設(shè)置用于連接該保持電容元件的可連接部和用于切斷短路不良的保持電容元件的可切斷部的空間。也即是，需要獨(dú)立地確保用于連接的激光照射區(qū)域和用于切斷的激光照射區(qū)域，以使得周邊的電路元件和布線不會(huì)由于激光照射而受到損傷。因此，難以達(dá)成用于實(shí)現(xiàn)顯示單元的高精細(xì)化的像素電路的省面積化。另外，由于需要導(dǎo)通部位的切斷和絕緣部位的連接這兩種不同的修復(fù)工序，所以存在費(fèi)制造工時(shí)的問(wèn)題。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的發(fā)明，目的在于提供一種保持電容元件得以修復(fù)的同時(shí)也能抑制電容減少、簡(jiǎn)化修復(fù)工時(shí)的可應(yīng)對(duì)省面積的顯示裝置及其制造方法。用于解決問(wèn)題的手段為了解決上述課題，本發(fā)明的顯示裝置呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素的顯示裝置，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、以及介于所述第一電極層與所述第二電極層之間的絕緣層，所述電容單兀包括電容兀件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極、和與第二布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一電容電極對(duì)向的第二電容電極；備用電容兀件，其包括設(shè)置于所述第一電極層的第一備用電容電極、和與所述第一布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一備用電容電極對(duì)向的第二備用電容電極；可切斷部，其能夠切斷所述第二電容電極與所述第二布線的電連接；以及可連接部，其能夠?qū)⑺龅谝粋溆秒娙蓦姌O和所述第二布線電連接，所述可切斷部和所述可連接部被設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法，通過(guò)對(duì)產(chǎn)生了不良的一部分保持電容元件的連接部照射激光，能夠?qū)⒉涣嫉碾娙菰南袼仉娐非袛啵瑫r(shí)將備用的電容元件與像素電路連接。即，能夠通過(guò)進(jìn)行一個(gè)部位的激光加工實(shí)現(xiàn)不良電容元件的切斷和備用電容元件的連接，能夠減少加工區(qū)域和加工工時(shí)，因此能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化。


圖I是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的發(fā)光像素的主要電路結(jié)構(gòu)圖的一例。圖3A是表示實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的俯視透視圖。圖3B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的第一例的俯視透視圖。
圖3C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的第二例的俯視透視圖。圖4A是實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的等效電路圖。圖4B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第一例的等效電路圖。圖4C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第二例的等效電路圖。圖5是表示通過(guò)激光照射而形狀變化的電極層的概略剖視圖。圖6是表示通過(guò)激光照射重構(gòu)電容電極和布線的電容連接部的立體圖。圖7是表示通過(guò)激光照射而形狀變化的電極層的變形例的概略剖視圖。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的顯示裝置的制造方法的工作流程圖。圖9A是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖9B是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖IOA是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖IOB是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖11是內(nèi)置本發(fā)明的圖像顯示裝置的薄型平板TV的外觀圖。圖12是專利文獻(xiàn)I所記載的液晶顯示裝置的畫面的一部分的電路圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明I :顯示裝置；10 :顯示面板；11、31 :發(fā)光像素；11A、31A :驅(qū)動(dòng)電路層；11B、31B 顯示元件層；12、503 :信號(hào)線；13、18、501 :掃描線；14 :掃描線驅(qū)動(dòng)電路；15 :信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路;16 :電源線；17 :參考電源線；20 :控制電路;21、35、36、37 :開(kāi)關(guān)晶體管;22、32 :驅(qū)動(dòng)晶體管;23、33、505a、505b、508 :保持電容元件;23A、23B、33A、33B :電容元件；23A1、23B1、33AU33B1 :第一電容電極；23A2、23B2、33A2、33B2 :第二電容電極;23C、511 :可連接部；23D、510 :可切斷部；23P、33P :備用電容元件；23P1、33P1 :第一備用電容電極；23P2、33P2 第二備用電容電極；24、34 :有機(jī)EL元件；110 :玻璃基板；111 GM電極層；111L、112L :布線；112 SD電極層；113 :層間絕緣膜;502 :電容線；504 :像素TFT ；506 :對(duì)向電極；507 :液晶元件；520:像素電極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置是呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素的顯示裝置，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、以及介于所述第一電極層與所述第二電極層之間的絕緣層，所述電容單元包括電容元件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極、和與第二布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一電容電極對(duì)向的第二電容電極；備用電容兀件，其包括設(shè)置于所述第一電極層的第一備用電容電極、和與所述第一布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一備用電容電極對(duì)向的第二備用電容電極；可切斷部，其能夠切斷所述第二電容電極與所述第二布線的電連接；以及可連接部，其能夠?qū)⑺龅谝粋溆秒娙蓦姌O和所述第二布線電連接，所述可切斷部和所述可連接部被設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件不良而進(jìn)行如從該電容元件向備用電容元件變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，在本發(fā)明中，由于可切斷部和可連接部設(shè)置在層疊方向上重疊的位置，因此，能夠通過(guò)對(duì)一個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件的切斷和備用電容元件的連接。因此，能夠?qū)⒓庸^(qū)域的面積抑制為最小限度，另外，能夠減少修復(fù)加工工時(shí)，所以能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，優(yōu)選所述可切斷部被設(shè)置在用于連接所述第二電容電極和所述第二布線的布線上，具有能夠通過(guò)被激光照射來(lái)熔斷所述第二電容電極與所述第二布線的連接的形狀，所述可連接部具有從所述第一備用電容電極延 伸設(shè)置到與所述可切斷部重疊的位置的連接用布線，具有能夠通過(guò)被激光照射來(lái)熔接所述連接用布線和從所述第二電容電極切斷的所述第二布線的形狀。由此，對(duì)于可切斷部和可連接部，能夠通過(guò)一次激光照射來(lái)實(shí)現(xiàn)可切斷部的切斷和可連接部的連接。另外，由于對(duì)從第一備用電容電極延伸設(shè)置的連接用布線和將電容電極彼此連接的第二布線進(jìn)行激光照射，所以不會(huì)對(duì)備用電容電極和電容電極造成因激光照射帶來(lái)的損傷，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的修復(fù)加工。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，優(yōu)選所述連接用布線在所述可切斷部的上方具有與層疊方向平行的端面。由此，在連接用布線的端部被激光照射而熔融的情況下，能確保成為與第二布線的熔接部的連接用布線的端面的面積，因此，能夠經(jīng)由該連接用布線切實(shí)地熔接第一備用電容電極和第二布線。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，所述電容單元可以包括2個(gè)所述電容元件和I個(gè)所述備用電容元件。由此，與包括I個(gè)電容元件和I個(gè)備用電容元件的電容單元相比，能夠使備用電容元件的靜電電容減半。因此，能夠使備用電容元件的面積大致減半，有助于節(jié)省面積。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，所述第二備用電容電極可以經(jīng)由設(shè)置于所述絕緣層的接觸孔與所述第一布線電連接。由此，備用電容元件與電容元件相比，能以電極層反轉(zhuǎn)的方式與周邊電路和布線連接，因此，例如在對(duì)具有電極層反轉(zhuǎn)的布線連接電容元件和備用電容元件的情況下，能夠簡(jiǎn)化布線布局。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中可以為所述電容元件是保持與按所述顯示像素提供的信號(hào)電壓相應(yīng)的電壓來(lái)作為保持電壓的保持電容元件，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與所述電容元件的一個(gè)端子連接，通過(guò)在所述柵電極施加所述保持電壓，所述驅(qū)動(dòng)晶體管將所述保持電壓轉(zhuǎn)換為作為源電極-漏電極間電流的信號(hào)電流，所述顯示元件層具備通過(guò)流動(dòng)所述信號(hào)電流而發(fā)光的發(fā)光元件。
由此，能夠應(yīng)用于可獨(dú)立地控制施加信號(hào)電壓的定時(shí)和發(fā)光定時(shí)的有源矩陣型的
顯示裝置。另外，在本發(fā)明的一種方式涉及的顯示裝置中，優(yōu)選所述第一電極層和所述第二電極層中的一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源、漏電極層和柵電極層中的一方，所述第一電極層和所述第二電極層中的另一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源、漏電極層和柵電極層中的
另一方。由此，當(dāng)構(gòu)成本發(fā)明涉及的顯示裝置所具有的平行平板型的電容單元時(shí)，不需要 另外層疊電極層，能利用作為已存在的構(gòu)成要素的驅(qū)動(dòng)晶體管所使用的電極層，因此能夠有助于像素電路的省面積化和制造工序的簡(jiǎn)化。另外，本發(fā)明不僅可以作為包括這樣的特征單元的顯示裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，也可以作為將包含在顯示裝置中的特征單元作為步驟的顯示裝置的制造方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。以下，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的實(shí)施方式和各附圖中，對(duì)相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的標(biāo)號(hào)來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下，以包括將上面發(fā)光方式的陽(yáng)極作為下面、將陰極作為上面的有機(jī)EL元件的顯示裝置為例進(jìn)行說(shuō)明，但不限于此。<實(shí)施方式1>本實(shí)施方式的顯示裝置中，呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層。驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、以及介于所述第一電極層與所述第二電極層之間的絕緣層。電容單元包括電容元件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于第一電極層的第一電容電極、和與第二布線電連接并設(shè)置于第二電極層的第二電容電極；備用電容兀件，其包括設(shè)置于第一電極層的第一備用電容電極、和與第一布線電連接并設(shè)置于第二電極層的第二備用電容電極；可切斷部，其能夠切斷第二電容電極與第二布線的電連接；以及可連接部，其能夠?qū)⒌谝粋溆秒娙蓦姌O和第二布線電連接。另夕卜，可切斷部和可連接部被設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。由此，能夠同時(shí)通過(guò)激光照射進(jìn)行電容元件的切斷和備用電容元件的連接，能夠?qū)⑿迯?fù)加工區(qū)域的面積抑制為最小限度。以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式I。圖I是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。圖I中的顯示裝置I包括顯示面板10和控制電路20。顯示面板10包括多個(gè)發(fā)光像素11、按發(fā)光像素列配置的多條信號(hào)線12、按發(fā)光像素行配置的多條掃描線13、掃描線驅(qū)動(dòng)電路14以及信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15。發(fā)光像素11是在顯示面板10上呈矩陣狀配置的顯示像素。掃描線驅(qū)動(dòng)電路14通過(guò)向各掃描線13輸出掃描信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光像素具有的電路元件。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15通過(guò)向信號(hào)線12輸出信號(hào)電壓和基準(zhǔn)電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)與輝度信號(hào)對(duì)應(yīng)的發(fā)光像素的發(fā)光。控制電路20控制從掃描線驅(qū)動(dòng)電路14輸出的掃描信號(hào)的輸出定時(shí)。另外，控制電路20控制從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路15輸出的信號(hào)電壓的定時(shí)。圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的發(fā)光像素的主要電路結(jié)構(gòu)圖的一例。圖2中示出的發(fā)光像素11包括驅(qū)動(dòng)電路層IlA和顯示元件層11B。驅(qū)動(dòng)電路層IlA例如包括開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、保持電容元件23。并且，開(kāi)關(guān)晶體管21的源電極連接于信號(hào)線12，開(kāi)關(guān)晶體管21的柵電極連接于掃描線13，進(jìn)一步，開(kāi)關(guān)晶體管21的漏電極連接于保持電容元件23和驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源電極經(jīng)由連接點(diǎn)B而連接于電源線16，漏電極經(jīng)由連接點(diǎn)A而連接于有機(jī)EL元件24的陽(yáng)極。連接點(diǎn)A和連接點(diǎn)B例如是為了在不同的電極層之間進(jìn)行電連接而設(shè)置于層間絕緣膜的接觸孔。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)向掃描線13輸入掃描信號(hào)、使開(kāi)關(guān)晶體管21為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，經(jīng)由信號(hào)線12提供的信號(hào)電壓被寫入到保持電容元件23。并且，寫入到保持電容元件23的保持電壓在I幀期間中被保持，驅(qū)動(dòng)晶體管22的電導(dǎo)根據(jù)該保持電壓而模擬性(連續(xù)性)變化，向有機(jī)EL元件24的陽(yáng)極提供與發(fā)光灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流。進(jìn)而，提供到有機(jī)EL元件24的陽(yáng)極的驅(qū)動(dòng)電流流向有機(jī)EL元件24的陰極。由此，顯示元件層IlB的有機(jī)EL元件24發(fā)光而顯示為圖像。驅(qū)動(dòng)電路層IlA不限于上述的電路結(jié)構(gòu)。也即是，開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22以及保持電容元件23是為了使顯示元件層IlB中流動(dòng)與信號(hào)電壓的電壓值相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電·流所需要的電路構(gòu)成要素，但不限于上述的方式。另外，對(duì)上述的電路構(gòu)成要素添加其他的電路構(gòu)成要素的情況也包含在本發(fā)明涉及的驅(qū)動(dòng)電路層IlA中。驅(qū)動(dòng)電路層IlA和顯示元件層IlB例如層疊在玻璃基板上，呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素。在顯示裝置I為頂部發(fā)射型構(gòu)造的情況下，也即是，當(dāng)向顯示元件層IlB施加電壓時(shí)，由有機(jī)EL元件24產(chǎn)生光，光通過(guò)透明陰極和封止膜而向上方出射。另外，由有機(jī)EL元件24產(chǎn)生的光中朝向下方的光被陽(yáng)極反射，光通過(guò)透明陰極和封止膜而向上方出射。接著，說(shuō)明作為本發(fā)明的主要構(gòu)成要素的保持電容元件23的構(gòu)造以及功能。保持電容元件23是平行平板型的電容單元，其具有配置成在層疊方向上對(duì)向的第一電極層和第二電極層、以及介于第一電極層與第二電極層之間的絕緣層。圖3A是表示實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的俯視透視圖。圖3A中示出了按發(fā)光像素11配置的保持電容元件23的結(jié)構(gòu)的一例。保持電容元件23包括電容元件23A、23B和備用電容元件23P。也即是，保持電容元件23包括2個(gè)電容元件和I個(gè)備用電容元件。與保持電容元件包括I個(gè)電容元件和I個(gè)備用電容元件的情況相比，通過(guò)該結(jié)構(gòu)能夠使備用電容元件的靜電電容減半。因此，能夠使備用電容元件的面積大致減半，能夠有助于節(jié)省面積。構(gòu)成保持電容兀件23的電容兀件23A包括設(shè)置于作為第一電極層的SD電極層112的第一電容電極23A1和設(shè)置于作為第二電極層的GM電極層111的第二電容電極23A2。第一電容電極23A1和第二電容電極23A2在層疊方向上對(duì)向。另外，電容元件23B包括設(shè)置于作為第一電極層的SD電極層112的第一電容電極23B1和設(shè)置于作為第二電極層的GM電極層111的第二電容電極23B2。第一電容電極23B1和第二電容電極23B2在層疊方向上對(duì)向。另外，備用電容兀件23P包括設(shè)置于作為第一電極層的SD電極層112的第一備用電容電極23P1和設(shè)置于作為第二電極層的GM電極層111的第二備用電容電極23P2。第一備用電容電極23P1和第二備用電容電極23P2在層疊方向上對(duì)向。在此，SD電極層112是圖2中示出的驅(qū)動(dòng)晶體管22的源、漏電極層，GM電極層111是圖2中示出的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極層。由此，當(dāng)構(gòu)成本實(shí)施方式涉及的保持電容元件23時(shí)，不需要另外層疊電極層，能利用作為已存在的構(gòu)成要素的驅(qū)動(dòng)晶體管所使用的電極層，因此能有助于節(jié)省像素電路的面積和簡(jiǎn)化制造工序。另外，第一電容電極23A1及23B1與作為第一布線的電源線16電連接，第二電容電極23A2及23B2與作為第二布線的布線IllL電連接。另外，第二備用電容電極23P2經(jīng)由接觸孔與作為第一布線的電源線16電連接。另外，區(qū)域Da包含能切斷第二電容電極23A2與布線IllL的電連接的可切斷部和能電連接第一備用電容電極23P1和布線IllL的可連接部。也即是， 上述可切斷部和上述可連接部設(shè)置于區(qū)域Da中在層疊方向上重疊的位置。另外，區(qū)域Db包含能切斷第二電容電極23B2與布線IllL的電連接的可切斷部和能電連接第一備用電容電極23P1和布線IllL的可連接部。也即是，上述可切斷部和上述可連接部設(shè)置于區(qū)域Db中在層疊方向上重疊的位置。作為SD電極層112和GM電極層111的材料，例如是鑰(Mo)與鎢(W)的合金、或Mo與W的合金/鋁(Al) /Mo與W的合金的層疊構(gòu)造，膜厚例如為150nm。另外，在SD電極層112與GM電極層111之間形成有層間絕緣膜，該層間絕緣膜例如可列舉出硅氧化膜(SiOx)、或硅氮化膜(SiN)等。另外，絕緣層的膜厚例如是150nm。為了確保所希望的靜電電容，絕緣層也可以是電介質(zhì)材料。圖4A是實(shí)施方式I涉及的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的等效電路圖。在電容元件23A及23B未短路的情況下，保持電容元件23的靜電電容為將電容元件23A和23B的靜電電容相加而得到的值(CA+CB)。在此，對(duì)于備用電容元件23P，第二備用電容電極23P2連接于電源線16，而第一備用電容電極23P1與任何布線及電極都不連接。因此，在不需修復(fù)的發(fā)光像素中，備用電容元件23P不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。在此，本實(shí)施方式中，在電容元件23A及23B短路的情況下，能夠使包含短路部位的電容元件無(wú)功能化。具體而言，從與膜面大致垂直的方向?qū)汕袛嗖亢涂蛇B接部照射激光。圖3B是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的第一例的俯視透視圖。在圖3B中，假設(shè)電容元件23A發(fā)生了短路的情況，保持電容元件23的基本結(jié)構(gòu)與圖3A中所示的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的結(jié)構(gòu)相同。在該情況下，通過(guò)向區(qū)域Da中的可切斷部和可連接部(圖3B的X)照射激光，切斷第二電容電極23A2與布線IllL的連接，并且使第一備用電容電極23P1和布線IllL連接。圖4B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第一例的等效電路圖。在電容元件23A短路的情況下，通過(guò)對(duì)區(qū)域Da進(jìn)行激光照射，保持電容元件23的靜電電容成為將電容元件23B和23P的靜電電容相加而得到的值(CB+CP)。在此，備用電容元件23P的第一備用電容電極23P1連接于布線111L。另一方面，電容元件23A的第二電容電極23A2被從布線IllL切斷。因此，在修復(fù)后的發(fā)光像素中，電容元件23A不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。根據(jù)以上，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容(CA+CB)變?yōu)殪o電電容(cB+cP)。在此，通過(guò)預(yù)先將備用電容元件的靜電電容和電容元件的靜電電容設(shè)定為相同，修復(fù)后的發(fā)光像素11能夠保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使顯不兀件層IlB發(fā)光。圖3C是表示實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的電極結(jié)構(gòu)的第二例的俯視透視圖。在圖3C中，假設(shè)電容元件23B發(fā)生了短路的情況，保持電容元件23的基本結(jié)構(gòu)與圖3A中所示的不需修復(fù)的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的結(jié)構(gòu)相同。在該情況下，通過(guò)向區(qū)域Db中的可切斷部和可連接部(圖3C的Y)照射激光，切斷第二電容電極23B2與布線IllL的連接，并且使第一備用電容電極23P1和布線IllL連接。圖4C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的修復(fù)后的發(fā)光像素所具有的保持電容元件的第二例的等效電路圖。在電容元件23B短路的情況下，通過(guò)對(duì)區(qū)域Db進(jìn)行激光照射，保持電容元件23的靜電電容成為將電容元件23A和23P的靜電電容相加而得到的值(CA+CP)。在此，備用電容元件23P的第一備用電容電極23P1連接于布線111L。另一方面，電容元件23B的第二電容電極23B2被從布線IllL切斷。因此，在修復(fù)后的發(fā)光像素中，電容元件23B不會(huì)作為電容元件發(fā)揮功能。根據(jù)以上，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容(CA+CB)變?yōu)殪o電電容(cA+cP)。在此，通過(guò)預(yù)先將備用電容元件的靜電電容和電容元件的靜電電容設(shè)定為相同，修復(fù)后的發(fā)光像素11能夠保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使顯不兀件層IlB發(fā)光。接著，說(shuō)明由激光照射實(shí)現(xiàn)的上述可切斷部和上述可連接部的形狀變化。圖5是表示通過(guò)激光照射而形狀變化的電極層的概略剖視圖。圖5的(a) (C)中示出了驅(qū)動(dòng)電路層IlA中的區(qū)域Da及其周邊的概略剖面構(gòu)造。如圖5所示，電容元件例如通過(guò)在玻璃基板110上依次層疊GM電極層111、層間絕緣膜113、SD電極層112而形成。在此，SD電極層112的端部構(gòu)成可連接部23C，與可連接部23C在層疊方向上重疊的GM電極層111的重疊部構(gòu)成可切斷部23D。如圖5的(b)所示，與膜面大致垂直地對(duì)區(qū)域Da進(jìn)行激光照射。于是，如圖5的(c)所示，SD電極層112的端部熔融而與GM電極層111熔接，另一方面，由GM電極層111形成的布線被熔斷。這樣，通過(guò)向可切斷部23D和可連接部23C進(jìn)行的激光照射，能夠通過(guò)就進(jìn)行一次激光照射來(lái)執(zhí)行可連接部23C的連接和可切斷部23D的切斷。接著，明確與電容元件23A、23B以及備用電容元件23P的連接關(guān)系，更詳細(xì)地說(shuō)明由上述激光照射實(shí)現(xiàn)的可切斷部23D和可連接部23C的形狀變化。圖6是表示通過(guò)激光照射重構(gòu)電容電極和布線的電容連接部的立體圖。在圖6中，描繪了圖3B中所示的連接需要修復(fù)的發(fā)光像素中的電容元件和備用電容元件的部分。如圖6的(b)所示，向從第一備用電容電極23P1延伸設(shè)置的作為連接用布線的端部的可連接部23C和與可連接部23C在層疊方向上重疊的布線IllL上的可切斷部23D大致垂直地進(jìn)行激光照射。在此，可切斷部23D設(shè)置于連接第二電容電極23A2和布線IllL的布線上，具有通過(guò)被激光照射而能將第二電容電極23A2與布線IllL的連接熔斷的形狀。另外，可連接部23C具有從第一備用電容電極23P1延伸到與可切斷部23D重疊的位置的連接用布線，具有通過(guò)被激光照射而能將與第二電容電極23A2斷開(kāi)的布線IllL和上述連接用布線熔接的形狀。由此，如圖6的(C)所示，在可連接部23C，連接用布線的一部分熔融而與布線11IL熔接，另一方面，布線11IL的可切斷部23D被熔斷，第二電容電極23A2和布線11IL被切斷。另外，針對(duì)可切斷部23D和可連接部23C，能夠用一次激光照射實(shí)現(xiàn)可切斷部23D的切斷和可連接部23C的連接。另外，由于僅向從第一備用電容電極23P1延伸設(shè)置的連接用布線和將電容電極彼此連接的布線IllL進(jìn)行激光照射，所以不會(huì)對(duì)備用電容電極和電容電極造成由激光照射帶來(lái)的損傷，能實(shí)現(xiàn)高精度的修復(fù)加工。上述連接用布線的端面優(yōu)選在可切斷部23D的上方與層疊方向平行。由此，在連接用布線的端部被激光照射而熔融的情況下，能確保成為與布線IllL的熔接部的連接用布線的端面的面積，因此，能夠經(jīng)由該連接用布線切實(shí)地熔接第一備用電容電極23P1和布線 111L。以上，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件23A不良而進(jìn)行如從電容元件23A向備用電容元件23P變 更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，在本發(fā)明的顯示裝置I中，由于可切斷部23D和可連接部23C設(shè)置在層疊方向上重疊的位置，因此，能夠用一個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件23A的切斷和備用電容元件23P的連接。因此，能夠?qū)⒓庸^(qū)域的面積抑制為最小限度，另外，能夠減少修復(fù)加工工時(shí)，所以能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化?？蛇B接部23C的連接用布線和可切斷部23D的布線11IL例如線寬是4 μ m,具有能夠通過(guò)激光照射而熔接和熔斷的形狀。在此，上述能熔接和熔斷的形狀與所使用的激光的規(guī)格具有密切的關(guān)系，例如，使用以YAG(Yttrium Aluminium Garnet :乾石槽石)激光器作為光源的激光振蕩器，例如使用以波長(zhǎng)532nm、脈沖寬度10ns、功率O. 5mff作為輸出參數(shù)的激光。在該情況下，當(dāng)上述連接用布線和布線IllL的形狀是上述的形狀時(shí)，則不會(huì)使其他正常的電容元件和布線受到損傷，上述連接用布線和布線IllL能熔接和熔斷。圖7是表示通過(guò)激光照射而形狀變化的電極層的變形例的概略剖視圖。圖7的(a) (C)中示出了驅(qū)動(dòng)電路層IlA中的區(qū)域04及其周邊的概略剖面構(gòu)造。如圖7所示，電容元件例如通過(guò)在玻璃基板110上依次層疊GM電極層111、層間絕緣膜113、SD電極層112而形成。另外，圖7中所示的電極層的層疊結(jié)構(gòu)與圖5中所示的電極層的層疊結(jié)構(gòu)相t匕，形成層間絕緣膜113和SD電極層112以覆蓋被圖案化的GM電極層111。在此，GM電極層111的端部和其正上方的SD電極層112構(gòu)成可連接部23C，與可連接部23C在層疊方向上重疊的SD電極層112的重疊部構(gòu)成可切斷部23D。也即是，可切斷部23D被設(shè)置在用于將設(shè)置于SD電極層112的第二電容電極和第二布線連接的布線上，具有通過(guò)激光照射而能將第二電容電極與第二布線的連接熔斷的形狀。另外，可連接部23C具有從設(shè)置于GM電極層111的第一備用電容電極延伸設(shè)置到與可切斷部23D重疊的位置的連接用布線，具有通過(guò)激光照射而能將該連接用布線和與第二電容電極斷開(kāi)的上述第二布線熔接的形狀。如圖7的(b)所示，與膜面大致垂直地向區(qū)域Da進(jìn)行激光照射。于是，如圖7的(c)所示，SD電極層112的可連接部23C熔融而與GM電極層111熔接，另一方面，由SD電極層112的可切斷部23D形成的布線被熔斷。這樣，本變形例中，通過(guò)對(duì)可切斷部23D和可連接部23C的激光照射，也能夠通過(guò)一次激光照射來(lái)執(zhí)行可連接部23的連接和可切斷部23D的切斷。<實(shí)施方式2>在本實(shí)施方式中，說(shuō)明本發(fā)明的顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法包括驅(qū)動(dòng)電路層的形成工序、顯示元件層的形成工序、像素電路的檢查工序以及保持電容元件的修復(fù)工序。在此，以與以往的顯示裝置的制造方法不同的工序也即是驅(qū)動(dòng)電路層具有的保持電容元件23的形成工序、像素電路的檢查工序以及修復(fù)工序?yàn)橹行倪M(jìn)行說(shuō)明。圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的顯示裝置的制造方法的工作流程圖。首先，形成適當(dāng)?shù)嘏渲糜斜３蛛娙菰?3和作為其周邊元件的開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22以及電路布線等的驅(qū)動(dòng)電路層IlA(SOl)。具體而言，作為圖2中所示的驅(qū)動(dòng)電路層IlA的一層，使用金屬掩模制膜、剝離(lift-off)以及蝕刻等方法，將例如由Mo與W的合金形成的GM電極層111形成為圖3A中所示的形狀。接著，在GM電極層111上形成例如由SiOx或SiN等形成的層間絕緣膜113以覆蓋GM電極層111。此時(shí)，根據(jù)需要，優(yōu)選使層間絕緣膜113的表面平坦化。接著，在層間絕緣膜113上，使用金屬掩模制膜、剝離以及蝕刻等方法，將例如由Mo與W的合金/Al/Mo與W的合金的層疊構(gòu)造形成的SD電極層112形成為圖3A中所示的形狀。上述步驟SOl相·當(dāng)于驅(qū)動(dòng)電路形成步驟。接著，在驅(qū)動(dòng)電路層IIA上，經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)電路層IlA的平坦化工序之后，形成具有有機(jī)EL元件24的顯示元件層I IB (S02)。具體而言，顯示元件層IlB具有例如陽(yáng)極、空穴注入層、空穴輸送層、有機(jī)發(fā)光層、堤層、電子注入層以及透明陰極。上述步驟S02相當(dāng)于顯示元件形成步驟。接著，針對(duì)所有的發(fā)光像素11，檢查保持電容元件23的電氣特性，確定具有處于短路狀態(tài)的保持電容元件23的發(fā)光像素11 (S03)。具體而言，例如在信號(hào)線12連接陣列測(cè)試器(Agilent公司生產(chǎn)的HS100)，經(jīng)由信號(hào)線12向各發(fā)光像素11依次輸出測(cè)試電壓而將該電壓寫入到保持電容元件23。然后，陣列測(cè)試器以預(yù)定的定時(shí)經(jīng)由信號(hào)線12讀入已寫入到保持電容元件23的電壓。由此，確定所讀入的電壓不滿足預(yù)定電壓的發(fā)光像素11。由此，完成具有異常的保持電容元件23的發(fā)光像素的像素限定工序。接著，觀察所確定的發(fā)光像素11的保持電容元件23，確定異常部位的區(qū)域(S04)。具體而言，例如用顯微鏡觀察形成有保持電容元件23的區(qū)域的表面凹凸形狀。導(dǎo)電性微粒不勻的區(qū)域多會(huì)成為凸?fàn)?。由此，完成異常的保持電容元?3的區(qū)域限定工序，確定異常的電容元件。該區(qū)域限定工序既可以由檢測(cè)人員執(zhí)行，也可以通過(guò)具有圖像識(shí)別功能的自動(dòng)測(cè)量來(lái)執(zhí)行。上述步驟S03和S04相當(dāng)于檢查步驟。接著，向包含所確定的異常的電容元件的保持電容元件23的預(yù)定的可切斷部23D和可連接部23C照射激光，使該電容元件從像素電路元件電絕緣，并且將備用電容元件連接到像素電路元件(S05)。上述步驟S05相當(dāng)于修復(fù)步驟。最后，進(jìn)行實(shí)施了上述的激光照射的發(fā)光像素11的工作確認(rèn)(S06)。根據(jù)以上的制造方法，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件不良而進(jìn)行如從該電容元件向備用電容元件變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，由于可切斷部23D和可連接部23C設(shè)置在層疊方向上重疊的位置，因此能夠用一個(gè)部位的加工來(lái)進(jìn)行電容元件的切斷和備用電容元件的連接。因而，能夠削減制造工時(shí)、并將修復(fù)加工區(qū)域的面積抑制為最小限度。檢查步驟S03及S04、以及修復(fù)步驟S05也可以在顯示元件形成步驟S02之前實(shí)施。也即是，既可以在形成有SD電極層112的階段、或者進(jìn)行了驅(qū)動(dòng)電路層IlA的平坦化處理的階段實(shí)施，也可以在進(jìn)行了顯示元件層IlB和之后的封止工序的階段實(shí)施。另外，也可以包括加強(qiáng)步驟，該加強(qiáng)步驟中在修復(fù)步驟S05后對(duì)可連接部23C填補(bǔ)低電阻的金屬材料來(lái)加強(qiáng)由可連接部23C實(shí)現(xiàn)的連接。作為填補(bǔ)低電阻的金屬材料的方法，例如可列舉出通過(guò)噴墨方式向可連接部23C噴涂金粒子，在該噴涂后對(duì)可連接部23C進(jìn)行激光退火。由此，通過(guò)對(duì)可連接部23C進(jìn)行激光照射而實(shí)現(xiàn)的第一備用電容電極與第二布線的連接，能提高導(dǎo)電率，因此修復(fù)的可靠性提高，材料利用率提高?！磳?shí)施方式3>在本實(shí)施方式中說(shuō)明實(shí)施方式I涉及的發(fā)光像素11的布局結(jié)構(gòu)及其效果。
·
圖9A是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖9A中示出的發(fā)光像素11的電路結(jié)構(gòu)與圖2中示出的發(fā)光像素11的電路結(jié)構(gòu)相同，因此省略電路結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。圖9B是實(shí)施方式3涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖9B中示出的布局是一個(gè)發(fā)光像素的布局，描繪出信號(hào)線12、掃描線13、電源線16、開(kāi)關(guān)晶體管21、驅(qū)動(dòng)晶體管22、電容兀件23A、備用電容兀件23P。另外，開(kāi)關(guān)晶體管21和驅(qū)動(dòng)晶體管22是底柵型晶體管，形成有柵電極的層是GM電極層111，形成有源電極和漏電極的層為SD電極層112。保持電容元件23包括I個(gè)電容元件23A和I個(gè)備用電容元件23P。構(gòu)成保持電容兀件23的電容兀件23A包括設(shè)置于作為第一電極層的GM電極層111的第一電容電極23A1和設(shè)置于作為第二電極層的SD電極層112的第二電容電極23A2。第一電容電極23A1和第二電容電極23A2在層疊方向上對(duì)向。另外，備用電容元件23P包括設(shè)置于作為第一電極層的GM電極層111的第一備用電容電極23P1和設(shè)置于作為第二電極層的SD電極層112的第二備用電容電極23P2。第一備用電容電極23P1和第二備用電容電極23P2在層疊方向上對(duì)向。另外，第一電容電極23A1與作為第一布線的驅(qū)動(dòng)晶體管22的GM電極層111電連接，第二電容電極23A2與作為第二布線的電源線16電連接。另外，第二備用電容電極23P2經(jīng)由接觸孔C與作為第一布線的驅(qū)動(dòng)晶體管22的GM電極層111電連接。另外，區(qū)域Da包含能切斷第二電容電極23A2與電源線16的電連接的可切斷部和能將第一備用電容電極23P1和電源線16電連接的可連接部。也即是，上述可切斷部和上述可連接部被設(shè)置在層疊方向重疊上的位置。在此，在驅(qū)動(dòng)電路層IIA的制造工序中，當(dāng)電容元件23A成為短路不良時(shí)，通過(guò)向區(qū)域Da中的可切斷部和可連接部(圖9B的Z)照射激光，切斷第二電容電極23A2與電源線16的連接，并且使第一備用電容電極23P1和電源線16連接。根據(jù)上述布局，修復(fù)后的保持電容元件23的靜電電容從本來(lái)應(yīng)有的靜電電容Ca變?yōu)殪o電電容Cp。在此，備用電容元件的靜電電容和電容元件的靜電電容被設(shè)定為相同，因此，修復(fù)后的發(fā)光像素11能保持與來(lái)自信號(hào)線12的信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的電壓，以正常的發(fā)光定時(shí)使顯示元件層IlB發(fā)光。另外，在本實(shí)施方式涉及的像素電路中，經(jīng)由接觸孔C連接著用于設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極的GM電極層111和用于設(shè)置開(kāi)關(guān)晶體管21的源電極的SD電極層112。也即是，在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵電極與開(kāi)關(guān)晶體管21的源電極之間，電極層反轉(zhuǎn)。另一方面，為了構(gòu)成使作為本發(fā)明的主要部分的可切斷部和可連接部重疊的結(jié)構(gòu)，在修復(fù)前連接電容元件23A的第二電容電極23A2和電源線16，在修復(fù)后連接備用電容元件23P的第一備用電容電極23P1和電源線16。也即是，電容元件23A和備用電容元件23P的電極層反轉(zhuǎn)。由此，在修復(fù)前能夠連接電容元件23A的第一電容電極23A1和GM電極層111，在修復(fù)后能夠連接備用電容元件23P的第二備用電容電極23P2和SD電極層112。因此，本發(fā)明的電容元件23A和備用電容元件23P的連接結(jié)構(gòu)能夠?qū)?yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22與開(kāi)關(guān)晶體管21的連接的電極層反轉(zhuǎn)。以上，根據(jù)本實(shí)施方式涉及的像素電路的布局，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電容元件23A不良而進(jìn)行如從電容元件23A向備用電容元件23P變更電連接這樣的修復(fù)時(shí)，在本發(fā)明的顯示裝置中，由于可切斷部和可連接部被設(shè)置在層疊方向上重疊的位置 ，因此，能夠通過(guò)對(duì)一個(gè)部位的加工進(jìn)行電容元件23A的切斷和備用電容元件23P的連接。因而，能夠?qū)⒓庸^(qū)域的面積抑制為最小限度，另外能夠減少修復(fù)加工工時(shí)，因此，能夠在確保保持電容的同時(shí)實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)化和省面積化?！磳?shí)施方式4>在本實(shí)施方式中，說(shuō)明與實(shí)施方式I不同的發(fā)光像素31的布局結(jié)構(gòu)及其效果。圖IOA是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的電路結(jié)構(gòu)圖。圖IOA中所示的發(fā)光像素31的電路結(jié)構(gòu)由驅(qū)動(dòng)電路層31A和顯示元件層31B構(gòu)成。驅(qū)動(dòng)電路層IlA例如包括開(kāi)關(guān)晶體管35、36及37、驅(qū)動(dòng)晶體管32、保持電容元件33。并且，開(kāi)關(guān)晶體管37的漏電極連接于信號(hào)線12，開(kāi)關(guān)晶體管37的柵電極連接于掃描線13，進(jìn)一步，開(kāi)關(guān)晶體管37的源電極連接于保持電容元件33和開(kāi)關(guān)晶體管36的漏電極。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管32的源電極經(jīng)由連接點(diǎn)A連接于有機(jī)EL元件34的陽(yáng)極。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管32的柵電極連接于保持電容元件33和開(kāi)關(guān)晶體管35的源電極。根據(jù)上述電路結(jié)構(gòu)，能夠使保持電容元件33的兩端電極記錄與信號(hào)電壓對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確的電位。圖IOB是實(shí)施方式4涉及的顯示裝置所具有的發(fā)光像素的布局圖。圖IOB中所示的布局是一個(gè)發(fā)光像素的布局，描繪出信號(hào)線12、掃描線13及18、電源線16、參考電源線17、開(kāi)關(guān)晶體管35、36及37、驅(qū)動(dòng)晶體管32、電容元件33A及33B、備用電容元件33P。另外，開(kāi)關(guān)晶體管35、36及37和驅(qū)動(dòng)晶體管32是底柵型晶體管，形成有柵電極的層是GM電極層111，形成有源電極和漏電極的層為SD電極層112。保持電容元件33包括2個(gè)電容元件33A及33B和I個(gè)備用電容元件33P。構(gòu)成保持電容兀件33的電容兀件33A包括設(shè)置于作為第一電極層的GM電極層111的第一電容電極33A1和設(shè)置于作為第二電極層的SD電極層112的第二電容電極33A2。第一電容電極33A1和第二電容電極33A2在層疊方向上對(duì)向。另外，電容元件33B包括設(shè)置于作為第一電極層的GM電極層111的第一電容電極33B1和設(shè)置于作為第二電極層的SD電極層112的第二電容電極33B2。第一電容電極33B1和第二電容電極33B2在層疊方向上對(duì)向。另外，備用電容元件33P包括設(shè)置于作為第一電極層的GM電極層111的第一備用電容電極33P1和設(shè)置于作為第二電極層的SD電極層112的第二備用電容電極33P2。第一備用電容電極33P1和第二備用電容電極33P2在層疊方向上對(duì)向。
另外，第一電容電極33A1及33B1與作為第一布線的驅(qū)動(dòng)晶體管32的GM電極層111電連接，第二電容電極33A2及33B2與作為第二布線的布線112L電連接。另外，第二備用電容電極33P2經(jīng)由接觸孔與作為第一布線的驅(qū)動(dòng)晶體管22的GM電極層111電連接。另外，區(qū)域Db包含能切斷第二電容電極33B2與布線112L的電連接的可切斷部(圖IOB的Y)和能將第一備用電容電極33P1和布線112L電連接的可連接部(圖IOB的Y)。也即是，上述可切斷部和上述可連接部被設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。另一方面，區(qū)域Da是能切斷第一電容電極33A1與第一電容電極33B1的電連接的可切斷部(圖IOB的X)，但不會(huì)作為可連接部發(fā)揮功能。另外，設(shè)電容元件33A、33B以及備用電容元件33P的面積比為I : 2 : I。在此，在驅(qū)動(dòng)電路層IlA的制造工序中，在電容元件33A成為短路不良的情況下，通過(guò)向區(qū)域Da中的可切斷部(圖IOB的X)照射激光，切斷第一電容電極33A1與第一電容電極33B1的連接。由此，電容元件33A被切斷，另外，備用電容元件33P沒(méi)有被連接，因此， 作為保持電容元件33的靜電電容成為修復(fù)前的保持電容元件的2/3。另一方面，在驅(qū)動(dòng)電路層IlA的制造工序中，在電容元件33B成為短路不良的情況下，通過(guò)向區(qū)域Db中的可切斷部以及可連接部(圖IOB的Y)照射激光，切斷第二電容電極33B2與布線112L的連接，并且將第一備用電容電極33P1和布線112L電連接。由此，電容元件33A被切斷，備用電容元件33P被連接，因此，作為保持電容元件33的靜電電容維持修復(fù)前的保持電容元件的靜電電容。在此，與以往的布局進(jìn)行比較，所述以往的布局為不配置備用電容元件33P，電容元件33A的區(qū)域包含備用電容元件33P的區(qū)域，電容元件33A和33B以相同的面積來(lái)配置。在該情況下，當(dāng)電容元件33A或33B發(fā)生短路不良時(shí)，通過(guò)切斷任意一個(gè)電容元件，修復(fù)后的靜電電容成為1/2。相對(duì)于此，通過(guò)使用本實(shí)施方式涉及的布局，能夠以與以往的布局下的發(fā)光像素的面積相同的面積，且通過(guò)進(jìn)行一次激光照射，將靜電電容確保在修復(fù)前的靜電電容的2/3以上。由此，修復(fù)后的發(fā)光像素31能夠不使像素面積增大而抑制修復(fù)后的靜電電容的減少。以上，根據(jù)實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法，但本發(fā)明涉及的顯示裝置及其制造方法不限于上述實(shí)施方式。組合實(shí)施方式I 4中的任意的構(gòu)成要素而實(shí)現(xiàn)的其他實(shí)施方式、在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)對(duì)實(shí)施方式I 4實(shí)施本領(lǐng)域技術(shù)人員能想到的各種變形而得到的變形例、內(nèi)置有本發(fā)明涉及的顯示裝置的各種設(shè)備均包含在本發(fā)明中。另外，在實(shí)施方式I 4中，說(shuō)明了將底柵型晶體管作為像素電路的構(gòu)成要素的情況下的保持電容元件的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明也能應(yīng)用于將頂柵型晶體管作為像素電路的構(gòu)成要素的情況。另外，激光的照射方向也可以不是從顯示面板10的上面而是經(jīng)下部基板從下面來(lái)照射。從下面進(jìn)行照射的激光照射方式與從上面進(jìn)行照射的激光照射方式相比，對(duì)在驅(qū)動(dòng)電路層IIA上形成顯示元件層IIB之后進(jìn)行的保持電容元件的修復(fù)是有利的。其原因是，從下面進(jìn)行照射的激光照射方式中，激光不通過(guò)顯示元件層11B，這一點(diǎn)能夠排除由于通過(guò)激光而使顯示元件層IlB受損的 可能性。另外，在實(shí)施方式I和實(shí)施方式4中，示出了設(shè)置有兩個(gè)構(gòu)成保持電容元件的電容元件的例子，但電容元件的配置數(shù)量也可以根據(jù)發(fā)光像素11的不良率、所要求的像素面積以及靜電電容而為3個(gè)以上。另外，在實(shí)施方式I 4中，作為保持電容元件的不良原因，列舉出由電極間存在的微粒等導(dǎo)致的電極間短路，但上述實(shí)施方式的短路不限于完全短路。例如，如微粒彼此的點(diǎn)接觸那樣具有微小的電阻值和電容值的情況也包含在短路中。另外，例如，本發(fā)明涉及的顯示裝置能內(nèi)置于如圖11所示的薄型平板TV中。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)不以正常發(fā)光定時(shí)發(fā)光的發(fā)光像素得到修正、顯示面板的品質(zhì)提高的高精細(xì)的薄型平板TV。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的顯示裝置及其制造方法在要求大畫面及高析像度的薄型電視機(jī)、個(gè)人電腦的顯示器等技術(shù)領(lǐng)域中是有用的。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層， 所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、以及介于所述第一電極層與所述第二電極層之間的絕緣層， 所述電容單元包括 電容元件，其包括與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極、和與第二布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一電容電極對(duì)向的第二電容電極； 備用電容兀件，其包括設(shè)置于所述第一電極層的第一備用電容電極、和與所述第一布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一備用電容電極對(duì)向的第二備用電容電極； 可切斷部，其能夠切斷所述第二電容電極與所述第二布線的電連接；以及 可連接部，其能夠?qū)⑺龅谝粋溆秒娙蓦姌O和所述第二布線電連接， 所述可切斷部和所述可連接部被設(shè)置在層疊方向上重疊的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述可切斷部被設(shè)置在用于連接所述第二電容電極和所述第二布線的布線上，具有能夠通過(guò)被激光照射來(lái)熔斷所述第二電容電極與所述第二布線的連接的形狀， 所述可連接部具有從所述第一備用電容電極延伸設(shè)置到與所述可切斷部重疊的位置的連接用布線，具有能夠通過(guò)被激光照射來(lái)熔接所述連接用布線和從所述第二電容電極切斷的所述第二布線的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置， 所述連接用布線在所述可切斷部的上方具有與層疊方向平行的端面。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述電容單元包括2個(gè)所述電容元件和I個(gè)所述備用電容元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述第二備用電容電極經(jīng)由設(shè)置于所述絕緣層的接觸孔與所述第一布線電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 所述電容元件是保持與按所述顯示像素提供的信號(hào)電壓相應(yīng)的電壓來(lái)作為保持電壓的保持電容元件， 所述驅(qū)動(dòng)電路層具備驅(qū)動(dòng)晶體管，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極與所述電容元件的一個(gè)端子連接，通過(guò)在所述柵電極施加所述保持電壓，所述驅(qū)動(dòng)晶體管將所述保持電壓轉(zhuǎn)換為作為源電極-漏電極間電流的信號(hào)電流， 所述顯示元件層具備通過(guò)流動(dòng)所述信號(hào)電流而發(fā)光的發(fā)光元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置， 所述第一電極層和所述第二電極層中的一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源、漏電極層和柵電極層中的一方，所述第一電極層和所述第二電極層中的另一方設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源、漏電極層和柵電極層中的另一方。
8.—種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置中呈二維狀排列有多個(gè)顯示像素，所述多個(gè)顯示像素層疊有顯示元件層和驅(qū)動(dòng)所述顯示元件層的驅(qū)動(dòng)電路層， 所述顯示裝置的制造方法包括 驅(qū)動(dòng)電路形成步驟，形 成驅(qū)動(dòng)電路層，所述驅(qū)動(dòng)電路層具備平行平板型的電容單元，所述電容單元具有在層疊方向上對(duì)向配置的第一電極層和第二電極層、以及介于所述第一電極層與所述第二電極層之間的絕緣層，所述電容單元包括電容元件、備用電容元件、可切斷部以及可連接部，所述電容元件具有與第一布線電連接并設(shè)置于所述第一電極層的第一電容電極、和與第二布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一電容電極對(duì)向的第二電容電極，所述備用電容兀件具有設(shè)置于所述第一電極層的第一備用電容電極、和與所述第一布線電連接并設(shè)置于所述第二電極層以使得在層疊方向上與所述第一備用電容電極對(duì)向的第二備用電容電極，所述可切斷部能夠切斷所述第二電容電極與所述第二布線的電連接，所述可連接部能夠?qū)⑺龅谝粋溆秒娙蓦姌O和所述第二布線電連接，所述可切斷部和所述可連接部被設(shè)置在層疊方向上重疊的位置； 顯示元件形成步驟，形成所述顯示元件層； 檢查步驟，對(duì)通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)電路形成步驟形成的所述電容元件進(jìn)行檢查；以及 修復(fù)步驟，對(duì)于在所述檢查步驟中判斷為所述電容元件不良的所述電容單元，以所述可切斷部進(jìn)行切斷，以所述可連接部進(jìn)行連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法， 在所述修復(fù)步驟中，向所述可切斷部和所述可連接部同時(shí)進(jìn)行激光照射。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法， 還包括加強(qiáng)步驟，所述加強(qiáng)步驟中，在所述修復(fù)步驟之后對(duì)所述可連接部填補(bǔ)低電阻的金屬材料來(lái)加強(qiáng)由所述可連接部實(shí)現(xiàn)的連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置及其制造方法。顯示裝置所具有的保持電容元件(23)包括電容元件(23A)，其具有與電源線(16)連接并設(shè)置于GM電極層(111)的第一電容電極(23A1)和與布線(111L)連接并設(shè)置于SD電極層(112)的第二電容電極(23A2)；備用電容元件(23P)，其具有設(shè)置于GM電極層(111)的第一備用電容電極(23P1)和與電源線(16)連接并設(shè)置于SD電極層(112)的第二備用電容電極(23P2)；可切斷部(23D)，其能夠切斷第二電容電極(23A2)與布線(111L)的連接；以及可連接部(23C)，其能夠?qū)⒌谝粋溆秒娙蓦姌O(23P1)和布線(111L)連接，可切斷部(23D)和可連接部(23C)在層疊方向上重疊。由此，能夠提供保持電容元件得以修復(fù)的同時(shí)也能抑制電容減少且可應(yīng)對(duì)省面積的顯示裝置。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102959605SQ20118000438
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者白水博, 田鹿健一 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社