專利名稱：半導體模塊的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體模塊的制造方法。
背景技術：
便攜式電話、PDA、DVC、DSC這樣的便攜式電子設備的多功能化正在加速，為了市場能接受這樣的產(chǎn)品必須小型化、輕量化，為了實現(xiàn)這一目標要求高集成化的系統(tǒng)LSI。另ー方面，對于這些電子設備要求更容易使用且方便的設備，對于設備所使用的LSI，要求多功能化、高性能化。因此,隨著LSI芯片的高集成化其I / O數(shù)量(輸入輸出部的數(shù)量)增加，另ー方面，封裝本身的小型化要求也增強，為了使其兩者都兼顧，強烈要求開發(fā)適應于半導體零件的高密度的基板安裝的半導體封裝。為了對應于這樣的要求，正在開發(fā)各種稱為CSP(Chip Size Package)的封裝技術。在這樣的CSP型的半導體模塊的制造方法中，作為用于減少其エ序數(shù)量的方法公開有以下的方法(參照專利文獻I)。即，該方法首先將在基底板上具有外部連接電極的半導體結構體相互分離配置，在半導體結構體的周側面形成絕緣層。而且，由絕緣膜覆蓋半導體結構體和絕緣層，在絕緣膜上配置具有突起電極的金屬板，突起電極進入絕緣膜并與外部連接電極連接。然后，對金屬板構圖，再次形成配線完成半導體模塊。在上述的CSP型的半導體模塊的制造方法中，形成多個半導體元件的半導體晶片以固定于切割帶等上的狀態(tài)被切割。而且，通過切割而單個化的各半導體元件逐一從切割帶上剝離，相互分離配置干支承體即基底板上，形成半導體模塊。專利文獻2公開有可用于將單個化的半導體元件從切割帶剝離的作業(yè)的晶片擴展裝置、也就是擴展裝置。該晶片擴展裝置是夾緊固定有所切割的晶片的晶片板材(切割帯)并將其安裝于提升臺上，通過提升晶片板材擴展固定于晶片板材上的晶片的裝置。通過擴展晶片，能夠在鄰接的半導體元件之間設置間隙，能夠容易地將各半導體元件從切割帶上剝離。專利文獻I :(日本)特開2004 — 349361號公報專利文獻2 :(日本)特開平3 — 46253號公報如上所述，在現(xiàn)有的CSP型的半導體模塊的制造方法中，將單個化的各半導體元件逐一從切割帶剝離，將其在成為支承體的基板上相互分離配置，從而形成半導體模塊。因此，半導體元件的配置耗費時間，成為降低半導體模塊的生產(chǎn)效率的主要原因。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于這樣的課題而發(fā)明的，其目的在于提供ー種在CSP型的半導體模塊的制造方法中提高半導體模塊的生產(chǎn)效率的技木。為了解決上述課題，本發(fā)明的某方式提供一種半導體模塊的制造方法。該半導體 模塊的制造方法的特征在于，其特征在于，包含如下的エ序將形成有多個在ー主表面具有元件電極的半導體元件的半導體基板粘接在具有伸展性的第一絕緣樹脂層上，以使ー主表面與第一絕緣樹脂層相接；切斷半導體基板使其單個化為多個半導體元件；縱橫延伸拉伸第一絕緣樹脂層，擴大鄰接的半導體元件的間隔；以拉伸第一絕緣樹脂層的狀態(tài)，在多個半導體元件的另ー主表面?zhèn)扰渲玫诙^緣樹脂層及平板，將多個半導體元件經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定在平板上，且除去第一絕緣樹脂層；將經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個半導體元件、第三絕緣樹脂層、金屬板按順序進行層疊，從而形成層疊體，該層疊體具有用于將各半導體元件的元件電極和金屬板電連接的電極；選擇性除去金屬板而形成對應于各半導體元件的配線層，從而形成由平板、第二絕緣樹脂層以及第三絕緣樹脂層連結的多個半導體模塊；以不同順序實施第二絕緣樹脂層及第三絕緣樹脂層的切斷和從第二絕緣樹脂層除去平板，從而使半導體模塊單個化。
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根據(jù)該方式，在CSP型的半導體模塊的制造方法中，能夠提高半導體模塊的生產(chǎn)效率。在上述方式的形成層疊體的エ序中，也可以是，在設有作為電極的突起電極的金屬板上層疊第三絕緣樹脂層，使突起電極的頂部面從第三絕緣樹脂層露出，且將經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個半導體元件和金屬板貼合，將突起電極和元件電極電連接，由此形成所述層疊體。在上述方式的形成層疊體的エ序中，也可以是，在形成層疊體的エ序中，經(jīng)由第三絕緣樹脂層將經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個半導體元件和金屬板壓接，選擇性除去金屬板和第三絕緣樹脂層而形成多個通孔，以與元件電極電連接的方式在通孔內形成作為電極的貫通電扱，由此形成層疊體。在上述方式的形成層疊體的エ序中，也可以是，經(jīng)由第三絕緣樹脂層將設有作為電極的突起電極的金屬板和經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個半導體元件壓接，且使突起電極貫通第三絕緣樹脂層，從而將突起電極和元件電極電連接，由此形成層疊體。在上述方式中，也可以經(jīng)由具有剝離功能第四絕緣樹脂層將平板和第二絕緣樹脂層粘接。另外，在上述方式中，也可以是，第四絕緣樹脂層包含光固化型樹脂，平板具有透光性，并包含為了將平板從第二絕緣樹脂層上除去，而經(jīng)由平板向第四絕緣樹脂層照射光使第四絕緣樹脂層固化的エ序。在上述方式中，平板也可以為玻璃板。根據(jù)本發(fā)明，在CSP型的半導體模塊的制造方法中，能夠提高半導體模塊的生產(chǎn)效率。


圖I是表示實施方式I的半導體模塊的構成的概略剖面圖；圖2(A) 圖2 (C)是表示半導體元件的單個化方法的エ序剖面圖；圖3(A) 圖3 (C)是表示半導體元件的單個化方法的エ序剖面圖；圖4(A) 圖4 (F)是表示電極的形成方法的エ序剖面圖；圖5(A) 圖5 (C)是表示配線層的形成方法、及電極和元件電極的連接方法的エ序剖面圖；圖6(A) 圖6 (C)是表示配線層的形成方法、及電極和元件電極的連接方法的エ序剖面圖7 (A) 圖7 (C)是表示實施方式2的半導體模塊的制造方法中的配線層及電極的形成方法、及電極和元件電極的連接方法的エ序剖面圖；圖8 (A) 圖8 (C)是表示實施方式2的半導體模塊的制造方法中的配線層及電極的形成方法、及電極和元件電極的連接方法的エ序剖面圖；圖9 (A) 圖9 (E)是表示實施方式3的半導體模塊的制造方法中的配線層的形成方法、及電極和元件電極的連接方法的エ序剖面圖；圖10是表示實施方式4的便攜式電話的構成的圖。
圖11是便攜式電話的局部剖面圖。符號說明I半導體晶片、10半導體元件、12元件電極、20第一絕緣樹脂層、30配線層、32電極、37通孔，40第三絕緣樹脂層、80第二絕緣樹脂層、90平板、100半導體模塊。
具體實施例方式下面，基于優(yōu)選的實施方式ー邊參照附圖ー邊說明本發(fā)明。對于各附圖所示的相同或同等的構成要素、部件、處理標注相同的符號，省略適宜重復的說明。另外，實施方式不限于本發(fā)明而僅為例示，實施方式所記述的所有特征及其組合并不限定于發(fā)明的本質內容。(實施方式I)圖I是表示實施方式I的半導體模塊的構成的概略剖面圖。半導體模塊100作為主要構成具備半導體元件10、第三絕緣樹脂層40、配線層30、第二絕緣樹脂層80、保護層50、及外部連接電極60。半導體元件10在一主表面Sll上具有元件電極12。另外,半導體元件10具有層疊于主表面Sll上的元件保護層14。在元件保護層14上以元件電極12露出的方式設有開ロ。作為半導體元件10的具體例，可列舉集成電路(1C)、大規(guī)模集成電路(LSI)等半導體芯片。作為元件保護層14的具體例，可列舉聚酰亞胺層。另外，元件電極12使用例如鋁(Al)。半導體元件10的除元件保護層14以外的部分(硅部分)的厚度例如約為250μπι，元件保護層14的厚度例如約為3 μ m。在半導體元件10的一主表面Sll側設有第三絕緣樹脂層40。第三絕緣樹脂層40由絕緣性的樹脂構成，例如由在加壓時引起塑性流動的材料形成。作為在加壓時引起塑性流動的材料，可列舉環(huán)氧系熱固化型樹脂。第三絕緣樹脂層40所使用的環(huán)氧系熱固化型樹脂也可以為在例如溫度約160°C、壓カ約8MPa的條件下，具有粘度為約IkPa. s的特性的材料。另外，該環(huán)氧系熱固化型樹脂在例如溫度約160°C的條件下、以約5 15MPa加壓的情況下，與未加壓的情況相比，樹脂的粘度降至約I / 8。第三絕緣樹脂層40的厚度例如約為30 μ m0在第三絕緣樹脂層40的與半導體元件10相反側的主表面上配置有配線層30。配線層30由導電材料，優(yōu)選軋制金屬，更優(yōu)選軋制銅形成。或者配線層30也可以由電解銅等形成。在配線層30的第三絕緣樹脂層40側的面上設有分別對應于元件電極12的電極32。本實施方式的電極32為突起電極，與配線層30電連接。優(yōu)選配線層30和電極32 —體成型。據(jù)此，能夠防止產(chǎn)生由熱應カ引起的配線層30與電極32的界面上的龜裂(裂紋)等，另夕卜，與配線層30和電極32為分體時相比兩者的連接是可靠的。另外，能夠同時進行元件電極12和配線層30的電連接、電極32和元件電極12的連接，因此，起到エ序數(shù)量不增加的效果。在 配線層30的與電極32相反側的面上的端部區(qū)域形成配置有后述的外部連接電極60的接合區(qū)域。配線層30的厚度例如約為20 μ m。另外，電極32的基底部的直徑、頂部的直徑、高度分別例如為約Φ40μηι、約Φ30μπ^·<]20μπι。在配線層30的與第三絕緣樹脂層40相反側的主表面上設有用于防止配線層30氧化等的保護層50。作為保護層50，可列舉阻焊層等。在對應于配線層30的接合區(qū)域的保護層50的規(guī)定區(qū)域形成有開ロ部50a，通過開ロ部50a，配線層30的接合區(qū)域露出。在開ロ部50a內設有焊錫球等外部連接電極60，外部連接電極60和配線層30電連接。形成外部連接電極60的位置、即開ロ部50a的形成區(qū)域例如為通過配線再纏繞的端部區(qū)域。保護層50的厚度例如約為30 μ m。在半導體元件10的另ー主表面S12側設有第二絕緣樹脂層80。第二絕緣樹脂層80由例如環(huán)氧系熱固化型樹脂等絕緣性的樹脂構成。第二絕緣樹脂層80的厚度例如約為250 μ m0在第二絕緣樹脂層80、半導體元件10、第三絕緣樹脂層40、及配線層30按順序層疊一體化的狀態(tài)下，第二絕緣樹脂層80和第三絕緣樹脂層40在半導體元件10的ー側相接。即，第二絕緣樹脂層80和第三絕緣樹脂層40的界面與半導體元件10的側面相接。因此，半導體元件10的側面通過第二絕緣樹脂層80和第三絕緣樹脂層40覆蓋。由此，能夠同時實現(xiàn)抑制第二絕緣樹脂層80和半導體元件10之間的剝離和抑制第三絕緣樹脂層40和半導體元件10之間的剝離這兩者。(半導體模塊的制造方法)圖2 (A) 圖2 (C)、及圖3 (A) 圖3 (C)是表示半導體元件的單個化方法的エ序剖面圖。在各圖中(i)為平面圖，(ii)為沿(i)中的A-A線的局部剖面圖。另外，在各圖的(i)中，省略(ii)所示的元件電極12的圖示。首先，如圖2 (A)所示，準備形成有多個在ー主表面上設有元件電極12的半導體元件10且配置成矩陣狀的作為半導體基板的半導體晶片I。具體而言，例如，在P型硅基板等半導體晶片I的表面通過眾所周知的技術形成有規(guī)定的集成電路等半導體元件10，在其周邊部或者上部形成有元件電極12。另外，在除該元件電極12以外的半導體元件10的表面上的區(qū)域形成有用于保護半導體元件10的元件保護層14。各半導體元件10通過未圖示的多條劃線劃分。將準備的半導體晶片I粘接在具有伸展性的第一絕緣樹脂層20上。此時，半導體晶片I粘接于第一絕緣樹脂層20上，以使設有元件電極12的一主表面與第一絕緣樹脂層20相接。在第一絕緣樹脂層20的載置半導體晶片I的一側的主表面上涂布粘接劑，通過該粘接劑的粘接力將半導體晶片I粘接于第一絕緣樹脂層20。在本實施方式中，作為第一絕緣樹脂層20，使用具有伸縮性的材料、例如氯こ烯樹脂或聚烯烴系樹脂等。第一絕緣樹脂層20的膜厚例如約為100 μ m。然后，如圖2 (B)所示，切割半導體晶片1，單個化成多個半導體元件10。在切割半導體晶片I時，使用目前公知的切割裝置，沿劃分多個半導體元件10的未圖示的劃線切斷半導體晶片I。半導體元件10例如約為5mm見方的俯視大致四邊形形狀。然后，如圖2 (C)所示，縱橫延伸拉伸第一絕緣樹脂層20，擴展鄰接的半導體元件10的間隔。具體而言，用縱橫延伸裝置的多個卡盤200隔開規(guī)定的間隔把持第一絕緣樹脂層20的四邊。而且，驅動縱橫延伸裝置使第一絕緣樹脂層20沿X軸方向及Y軸方向延伸。拉伸第一絕緣樹脂層20的量為例如鄰接的半導體元件10的間隔成為在單個化后述的半導體模塊100時所切斷的切割線2的寬度與各半導體模塊100的形成區(qū)域4中的半導體元件10的ー側區(qū)域B的兩倍之和的量。具體而言，例如約為I 5mm。另外,優(yōu)選延伸第一絕緣樹脂層20的方向(X軸方向及Y軸方向)和切割半導體晶片I的方向(半導體元件10排列的方向)是一致的。在該情況下，能夠更準確地使鄰接的半導體元件10的距離均勻。通過縱橫延伸第一絕緣樹脂層20，能夠大體一致且均勻地拉伸第一絕緣樹脂層20。因此，能夠在保持各半導體元件10的X軸方向及Y軸方向的排列性的狀態(tài)下，擴展半導體晶片I。因此，能夠使鄰接的半導體元件10的間隔大致均等，因此，不受第一絕緣樹脂層20上的半導體元件10的位置限制，能可靠地連接元件電極12和電極32。因此，能夠提 高制造半導體模塊100的成品率。然后，如圖3 (A)所示，在半導體元件10的另ー主表面、即與第一絕緣樹脂層20相接的ー側的相反側的主表面上層疊第二絕緣樹脂層80。第二絕緣樹脂層80以覆蓋半導體元件10的另ー主表面和與該另ー主表面相接的側面的一部分的方式設置。第二絕緣樹脂層80可以通過涂布將樹脂溶于溶劑中的物質或聚合前的單體而形成，也可以通過加熱、加壓膜狀樹脂而形成。然后，如圖3 (B)所示，以拉伸第一絕緣樹脂層20的狀態(tài)，將層疊有第四絕緣樹脂層70的平板90配置于半導體元件10的另ー主表面?zhèn)?，在第二將平?0經(jīng)由第四絕緣樹脂層70粘接在絕緣樹脂層80上。由此，經(jīng)由第二絕緣樹脂層80將多個半導體元件10固定于平板90。第四絕緣樹脂層70由具有粘接性且具有通過在直至平板90的剝離エ序的制造エ序中作用于第四絕緣樹脂層70的熱量而未固化的熱固化溫度的樹脂構成。由此，在至平板90的剝離エ序之間，能夠防止第四絕緣樹脂層70的至少一部分熱固化，其粘接力降低，從而使平板90剝離。另外，第四絕緣樹脂層70在平板剝離エ序中因其自身固化，從而粘接力降低，也具有用于使平板90從第二絕緣樹脂層80剝離的剝離功能。作為這樣的樹月旨，可列舉丙烯系或硅系的粘接材料等。另外，第四絕緣樹脂層70也可以為在兩面具備具有粘接性的紫外線固化樹脂的膜。即使在該情況下，通過將UV光照射在第四絕緣樹脂層70上，與上述熱固化樹脂同樣也具有用于使平板90從第二絕緣樹脂層80剝離的剝離功能，因此，能夠容易剝離平板90。
平板90例如由玻璃板構成，其厚度例如約為O. 5mm。平板90為玻璃板，因此，其組成與由硅構成的半導體元件10相似。因此，平板90與半導體元件10的熱膨脹系數(shù)之差比第二絕緣樹脂層80與半導體元件10的熱膨脹系數(shù)之差小。這樣，通過由熱膨脹系數(shù)之差小的半導體元件10和平板90夾持第二絕緣樹脂層80，能夠防止在以后繼續(xù)的エ序中加熱半導體元件10及第ニ絕緣樹脂層80等時可產(chǎn)生的、由熱膨脹系數(shù)之差引起的半導體元件10和第二絕緣樹脂層80的剝離。然后，如圖3 (C)所示，除去第一絕緣樹脂層20。圖4 (A) 圖4 (F)是表示電極的形成方法的エ序剖面圖。在本實施方式中，以電極32是突起電極的情況為例進行說明。首先，如圖4 (A)所示，至少準備具有比電極32的高度和配線層30的厚度之和大的厚度的作為金屬板的銅板33。然后，如圖4 (B)所示，通過光刻法，按照電極32的圖案選擇性形成抗蝕劑71。具體而言，使用層壓接置在銅板33上貼合規(guī)定膜厚的抗蝕膜，使用具有電極32的圖案的光掩模曝光后，進行顯影，由此在銅板33上選擇性形成抗蝕劑71。另外，為了提高與抗蝕劑的密合性，優(yōu)選在層壓抗蝕膜之前，根據(jù)需要對銅板33的表面實施研磨、清洗等預處理。然后，如圖4 (C)所示，以抗蝕劑71為掩模，在銅板33上形成規(guī)定圖案的電極32。具體而言，以抗蝕劑71為掩摸，使用氯化鐵溶液等藥液實施濕式蝕刻處理等，從而形成具有規(guī)定圖案的電極32。形成電極32后，使用剝離劑剝離抗蝕劑71。電極32的位置對應于 拉伸第一絕緣樹脂層20并擴展鄰接的半導體元件10的間隔的狀態(tài)下的各元件電極12的位置。然后，如圖4 (D)所示，在形成有電極32側的銅板33的主表面以覆蓋電極32的
方式層疊第三絕緣樹脂層40。然后，如圖4 (E)所示，在第三絕緣樹脂層40的主表面實施例如O2等離子體等的灰化處理，除去規(guī)定量的第三絕緣樹脂層40使電極32的頂部面露出，由此，使電極32貫通第三絕緣樹脂層40。然后，如圖4 (F)所示，通過使用氯化鐵溶液等藥液的濕式蝕刻處理等，回蝕與設有電極32 —側相反側的銅板33的表面，使銅板33薄膜化。此時，以覆蓋電極32的表面的方式在第三絕緣樹脂層40上形成抗蝕劑保護膜(未圖示)保護電極32，在蝕刻處理后除去抗蝕劑保護膜。由此，銅板33的厚度加工成配線層30的厚度。通過以上說明的エ序，一體地形成電極32，而且，在形成電極32的ー側的主表面上形成層疊有第三絕緣樹脂層40的銅板33。圖5 (A) 圖5 (C)、及圖6 (A) 圖6 (C)是表不配線層的形成方法、及電極和元件電極的連接方法的エ序剖面圖。首先，如圖5 (A)所示，配置層疊有第三絕緣樹脂層40的銅板33以使電極32朝向半導體元件10側，使用沖壓接置，貼合銅板33和固定于平板90的多個半導體元件10。貼合時的壓カ及溫度例如分別為約5MPa及約200°C。其結果是電極32和元件電極12電連接。另外，由于貼合時的加熱，第二絕緣樹脂層80熱固化，半導體元件10被固定于第二絕緣樹脂層80。另外，通過貼合時的加熱及加壓，第三絕緣樹脂層40弓丨起塑性流動，將第二絕緣樹脂層80和第三絕緣樹脂層40壓接。由此，如圖5 (B)所示，將經(jīng)由第二絕緣樹脂層80固定于平板90的多個半導體元件10、第三絕緣樹脂層40、銅板33按順序層疊，形成具有用于將元件電極12和銅板33電連接的電極32的層疊體。然后，通過光刻法，在與設有第三絕緣樹脂層40的ー側相反側的銅板33的主表面上，按照配線層30的圖案選擇性形成抗蝕劑(未圖示)。而且，通過實施將該抗蝕劑作為掩模的濕式蝕刻處理等，選擇性地除去銅板33，如圖5 (C)所示，形成對應于各半導體元件10的規(guī)定圖案的配線層30。然后，剝離抗蝕劑。接著，如圖6 (A)所示，通過光刻法，在第三絕緣樹脂層40上層疊在對應于外部連接電極60的形成位置的區(qū)域具有開ロ部50a的保護層50以覆蓋配線層30。而且，在開ロ部50a內形成外部連接電極60。由此，形成由平板90、第二絕緣樹脂層80、第三絕緣樹脂層40及保護層50連結的多個半導體模塊100。接著，如圖6 (B)所示，沿切割線2進行切割，切斷第三絕緣樹脂層40、第二絕緣樹脂層80、及保護層50。接著，如圖6 (C)所示，從各半導體模塊100的第二絕緣樹脂層80剝離平板90，使多個半導體模塊100單個化。平板90的剝離能夠按照如下的方式進行。S卩，例如在平板90形成多個貫通孔，使溶劑流入該貫通孔，除去第四絕緣樹脂層70，由此，剝離平板90。通過以上說明的制造エ序，形成半導體模塊100。(延伸性能試驗)為了比較縱橫延伸裝置的膜延伸性能和目前公知的擴展裝置的·膜延伸性能，分別用縱橫延伸裝置及擴展裝置拉伸相當于第一絕緣樹脂層20的膜，比較其結果。具體而言，在厚度80 μ m的聚氯こ烯制的切割膜上粘接厚度625 μ m的6英寸Si晶片，將該Si晶片切害I]為5mm見方。而且,對縱橫延伸裝置預熱15分鐘后，以環(huán)境溫度60°C、延伸速度Imm /分鐘下，將170mm見方的區(qū)域延伸至250mm見方。另ー方面，使用晶片擴展裝置MODEL HS — 1810 — 8 (ヒユーグヱレクトロ ニクス股份有限公司制)，對擴展裝置預熱15秒后，以工作臺溫度55°C、工作臺移動速度10刻度，工作臺行程延伸至90mm。然后，將晶片的中心作為坐標(0，0)，測定坐標(0，14)、(0，7)、(0,0),(0, -7),(0, 一 14)的各坐標點的X軸方向及Y軸方向的半導體元件間距離。各坐標點設定為沿X軸方向延伸的切割線(X方向切割線)和沿Y軸方向延伸的切割線(Y方向切割線)的交點位置。各坐標的數(shù)字的絕對值表示將穿過晶片中心的X方向切割線作為X軸基準切割線，將穿過晶片中心的Y方向切割線作為Y軸基準切割線，穿過各坐標點的切割線是各基準切割線以后的第幾條切割線。例如，X軸基準切割線穿過的坐標點的X坐標為“O”。另外，X軸基準切割線的相鄰的X方向切割線為X軸基準切割線以后的第一條X方向切割線，該X方向切割線穿過的坐標點的X坐標的絕對值為“I”。坐標(0，7)是指X軸基準切割線和Y軸基準切割線以后第七條Y方向切割線的交點。另外，各坐標點的X軸方向及Y軸方向的半導體元件間距離是平均包圍各坐標點的四個半導體元件10的彼此的X軸方向及Y軸方向的間距而計算出的。另外，半導體元件間距離的計算方法沒有特別限制，也可以采用平均任意的半導體元件10和與其相鄰的四個半導體元件10的X軸方向及Y軸方向的間距而計算出等的其它方法。表I表示使用縱橫延伸裝置拉伸第一絕緣樹脂層20的情況的半導體元件間距離(表I的(A))和使用目前公知的擴展裝置拉伸第一絕緣樹脂層20的情況的半導體元件間距離(表I的(B))。(表I)(A)縱橫延伸裝置
權利要求
1.一種半導體模塊的制造方法，其特征在于，包含如下的工序 將形成有多個在一主表面具有元件電極的半導體元件的半導體基板粘接在具有伸展性的第一絕緣樹脂層上，以使所述一主表面與第一絕緣樹脂層相接； 切斷所述半導體基板使其單個化為多個所述半導體元件； 縱橫延伸拉伸所述第一絕緣樹脂層，擴大鄰接的所述半導體元件的間隔； 以拉伸所述第一絕緣樹脂層的狀態(tài)，在多個所述半導體元件的另一主表面?zhèn)扰渲玫诙^緣樹脂層及平板，將多個所述半導體元件經(jīng)由所述第二絕緣樹脂層固定在平板上，且除去所述第一絕緣樹脂層； 將經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個所述半導體元件、第三絕緣樹脂層、金屬板按順序進行層疊，從而形成層疊體，該層疊體具有用于將各半導體元件的所述元件電極和所述金屬板電連接的電極； 選擇性除去所述金屬板而形成對應于各半導體元件的配線層，從而形成由所述平板、所述第二絕緣樹脂層以及所述第三絕緣樹脂層連結的多個半導體模塊； 以不同順序實施所述第二絕緣樹脂層及所述第三絕緣樹脂層的切斷和從所述第二絕緣樹脂層除去所述平板，從而使所述半導體模塊單個化。
2.如權利要求I所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，在形成所述層疊體的工序中，在設有作為所述電極的突起電極的金屬板上層疊第三絕緣樹脂層，使所述突起電極的頂部面從所述第三絕緣樹脂層露出，且將經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個所述半導體元件和所述金屬板貼合，將所述突起電極和所述元件電極電連接，由此形成所述層疊體。
3.如權利要求I所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，在形成所述層疊體的工序中，經(jīng)由第三絕緣樹脂層將經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個所述半導體元件和金屬板壓接，選擇性除去所述金屬板和所述第三絕緣樹脂層而形成多個通孔，以與所述元件電極電連接的方式在所述通孔內形成作為所述電極的貫通電極，由此形成所述層疊體。
4.如權利要求I所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，在形成所述層疊體的工序中，經(jīng)由第三絕緣樹脂層將設有作為所述電極的突起電極的金屬板和經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上的多個所述半導體元件壓接，且使所述突起電極貫通所述第三絕緣樹脂層，從而將所述突起電極和所述元件電極電連接，由此形成所述層疊體。
5.如權利要求I 4中任一項所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，所述平板和所述第二絕緣樹脂層經(jīng)由具有剝離功能的第四絕緣樹脂層而粘接。
6.如權利要求5所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于， 所述第四絕緣樹脂層包含光固化型樹脂， 所述平板具有透光性， 并包含為了從所述第二絕緣樹脂層除去所述平板，而經(jīng)由所述平板向所述第四絕緣樹脂層照射光使所述第四絕緣樹脂層固化的工序。
7.如權利要求I 6中任一項所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，所述平板為玻璃板。
全文摘要
一種CSP型的半導體模塊的制造方法，提高了半導體模塊的生產(chǎn)效率。半導體模塊的制造方法包含將形成有多個具有元件電極(12)的半導體元件(10)的半導體晶片(1)粘接在第一絕緣樹脂層(20)上的工序；切斷半導體晶片(1)使其單個化成多個半導體元件(10)的工序；縱橫延伸拉伸第一絕緣樹脂層(20)，擴展鄰接的半導體元件(10)的間隔的工序；將多個半導體元件(10)經(jīng)由第二絕緣樹脂層固定于平板上，除去第一絕緣樹脂層(20)的工序；將多個半導體元件(10)、第三絕緣樹脂層、銅板按順序進行層疊，形成具有用于將元件電極(12)和銅板電連接的電極的層疊體的工序；選擇性除去銅板形成配線層，從而形成多個半導體模塊的工序；使半導體模塊單個化的工序。
文檔編號H01L23/12GK102714188SQ20118000615
公開日2012年10月3日 申請日期2011年1月21日 優(yōu)先權日2010年1月22日
發(fā)明者中里真弓, 齊藤浩一 申請人:三洋電機株式會社