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      用于斷路器的滅弧室以及帶有滅弧室的斷路器的制作方法

      文檔序號:7240872閱讀:177來源:國知局
      專利名稱:用于斷路器的滅弧室以及帶有滅弧室的斷路器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種帶有第一和第二銜鐵主體的用于斷路器的滅弧室,該第一和第二銜鐵主體相對于滅弧室的縱軸線分別在端側(cè)貼靠在滅弧室的電絕緣的絕緣段上;本發(fā)明還涉及一種帶有該滅弧室的斷路器。
      背景技術(shù)
      例如從專利文獻DE103 45 657 B4中已知一種滅弧室。在此, 描述一種用于斷路器的滅弧室,該滅弧室在兩個端面設(shè)置的銜鐵主體之間具有電絕緣的絕緣段。絕緣段在此管狀地構(gòu)造,其中絕緣體的管壁由貫通的凹槽貫穿。這種滅弧室的制造尤其在絕緣段的制造方面開銷較大。由于管形的結(jié)構(gòu),在制造過程中的手工操縱變得很難。凹槽在絕緣段上的位置的定位和固定開銷很大。此外,在將凹槽一次置入已知的絕緣段之后固定絕緣段的結(jié)構(gòu)。在已發(fā)生的置入之后,凹槽在位置、形狀等方面的變化只能在有限的范圍實施。尤其在具有彼此不同的凹槽的絕緣段的大量變型中要很大數(shù)量的、根據(jù)需要與銜鐵主體連接的絕緣段才夠用。

      發(fā)明內(nèi)容
      因此,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種滅弧室,該滅弧室使制造能夠更廉價。按本發(fā)明,這通過在之前所述類型的滅弧室以如下方式解決絕緣段具有至少兩個殼形的子段,該子段分別相對縱軸線凹形彎曲并且子段的主體邊緣這樣相互間隔,使得在絕緣體中在子段之間構(gòu)成至少一個縫隙。絕緣段劃分為多個殼形的子段,這允許在子段本身之間構(gòu)成縫隙,以便在各子段本身中不需要引入缺口來形成凹槽。殼形的子段的朝向縱軸線的表面按槽的形式成型并且基本上沿縱軸線的方向延伸。在此,該槽沿縱軸線的方向打開,以便在其面朝縱軸線的一側(cè)形成子段的凹形彎曲部。在此,凹形彎曲的區(qū)域沒有被遮蓋,因此在圍繞縱軸線的多個子段的共同作用下限定出一個滅弧室的內(nèi)部容納空間。絕緣段在此優(yōu)選具有相當于圓環(huán)弧的橫截面。該圓環(huán)弧在最大180°的角度范圍內(nèi)變化。通過采用設(shè)計成例如半殼形式的至少兩個子段,那么可以構(gòu)成一方面由子段限定,另一方面在子段的主體邊緣之間提供至少一個縫隙的絕緣段,通過該縫隙例如允許流體的流動。這種流體例如是流經(jīng)滅弧室和與之鄰接的區(qū)域的、電絕緣的液體或電絕緣的氣體??梢砸?guī)定,在相鄰子段彼此面向的主體邊緣之間總是構(gòu)成縫隙。但也可以規(guī)定,彼此相鄰布置的子段彼此對接并因此不構(gòu)成有效的縫隙,而構(gòu)成具有接頭的封閉面,而在兩個直接相鄰的子段之間的其它部位處構(gòu)成縫隙。另一個有利的設(shè)計方案可以規(guī)定,子段的凸形的外表面將旋轉(zhuǎn)對稱的包絡(luò)輪廓固定在銜鐵主體之間。凸形的外表面允許為絕緣段提供一個變圓的外部輪廓,其中,避免了一些凸起。通過凸形的外表面可行的是,確保絕緣段近似旋轉(zhuǎn)對稱的包絡(luò)輪廓,以便給出向外作用的圓柱面形式的包絡(luò)輪廓。與這種旋轉(zhuǎn)對稱的結(jié)構(gòu)不同,之間形成縫隙的邊緣區(qū)域,尤其是主體邊緣區(qū)域倒圓角或削平,以便形成有利于流體穿過縫隙的流動環(huán)境。此外,可行的是,子段的橫截面由具有近似恒定的壁的圓環(huán)弧通過不同形式彎曲的內(nèi)和外表面區(qū)域限定。內(nèi)和外表面區(qū)域的彎曲也可以圍繞不同的軸線進行,以便壁可以具有不同的壁厚。因此能夠?qū)崿F(xiàn)例如具有朝主體邊緣逐漸減小或逐漸增大的壁厚的月牙形橫截面。但有利地可以規(guī)定,子段的內(nèi)和外表面彼此共軸地取向。尤其應當力求關(guān)于縱軸線的共軸取向。由此可行的是,通過多個子段來模擬具有近似恒定壁厚的管結(jié)構(gòu),其中,在子段的主體邊緣之間,管結(jié)構(gòu)由至少一個縫隙開口穿過。另一種有利的設(shè)計方案可以規(guī)定,子段圍繞縱軸線對稱分布地設(shè)置。 通過子段圍繞縱軸線對稱的分布可以實現(xiàn)多個縫隙沿絕緣體圓周方向的均勻分布。由此有助于滅弧室內(nèi)部較好的穿流或通風。例如可以有利的是,使用彼此間隔布置的半殼,其中,各縫隙在絕緣段直徑對置側(cè)設(shè)置為彼此平行地取向。此外,可以有利地規(guī)定,縫隙的數(shù)量與子段的數(shù)量相對應。通過子段數(shù)量的變化和相應的布置可以以簡單的方式改變縫隙的數(shù)量。此外,例如可以規(guī)定,由于限定縫隙的主體邊緣的相應走向,沿縫隙的走向產(chǎn)生不同的成型輪廓。有利地此處在縫隙上應當實現(xiàn)相鄰子段的主體邊緣近似平行的走向,以便限定恒定寬度的均勻延伸的縫隙。但也可以規(guī)定,相鄰子段的主體邊緣彼此不同,以便限定出的縫隙的走向可以具有不同的寬度和/或走向。此外,若縫隙的數(shù)量和子段的數(shù)量對應,則可以以簡單的方式使用多個相同部件來形成絕緣段。可以有利地使用單個的基本形狀來構(gòu)成絕緣段的各子段。由此,減少工具的耗費和存儲子段的倉儲費。多個沿絕緣段的圓周方向分布的縫隙的設(shè)計分別是相同的。另一種有利的設(shè)計可以規(guī)定,縫隙在第一和第二銜鐵主體之間延伸并且由該第一和第二銜鐵主體在端部限定邊界。一方面縫隙可以由子段的主體邊緣限定。若現(xiàn)在規(guī)定,縫隙還從一個銜鐵主體延伸至另一個銜鐵主體,則縫隙的長度通過絕緣段整個有效的長度確定。由此,滅弧室可以在較大的范圍內(nèi)沿縱軸線由縫隙貫穿并且能夠以簡單的方式實現(xiàn)滅弧室的通電和環(huán)流。此夕卜,通過縫隙從一個銜鐵主體到另一個銜鐵主體的走向避免形成不連續(xù)的部位,因為縫隙可以在整個長度上由足夠量的絕緣介質(zhì)貫穿。在電絕緣的子段對接時有利的是,相應地加工接縫,以避免在接縫處產(chǎn)生不連續(xù)部位并且便于產(chǎn)生盡可能封閉的表面。也可以規(guī)定,與這種結(jié)構(gòu)不同,縫隙僅由子段的主體邊緣限定,亦即,由于主體邊緣的結(jié)構(gòu)和成型輪廓,在絕緣段內(nèi)部形成由對接的子段限定并且由它完全包圍的凹槽。此外,有利地可以規(guī)定,該殼體分別具有至少兩個曲率半徑不同的區(qū)段。子段的各區(qū)段可以具有不同的曲率半徑。因此,一方面可以規(guī)定,沿徑向前后相繼延伸的內(nèi)表面和外表面具有不同的曲率半徑,以便子段的壁厚在該區(qū)域內(nèi)并且在不同的彎曲部中不恒定。但也可以規(guī)定,具有不同曲率半徑的區(qū)段沿縱軸線分布地布置,以便產(chǎn)生具有不同徑向長度的包絡(luò)輪廓。在此可以有利地規(guī)定,絕緣段的中心具有徑向加寬的區(qū)段。絕緣段中間的突起擴大滅弧室內(nèi)部的容納空間。由此滅弧室的內(nèi)部區(qū)域配有增大的體積,以便可以使位于滅弧室以內(nèi)的絕緣介質(zhì)保持有足夠的量。絕緣介質(zhì)可以從縫隙中流入或流出,以便滅弧室可以不斷地由新鮮的未受污染的絕緣介質(zhì)流過。另一種有利的設(shè)計可以規(guī)定,各子段的至少一個端面由銜鐵的一個共同的環(huán)形電極環(huán)繞接合。銜鐵的具有環(huán)形電極的設(shè)計允許在環(huán)形電極的屏幕區(qū)域內(nèi)設(shè)置三相點,在該三相點處子段的電絕緣材料、銜鐵主體的導電材料以及電絕緣的流體介質(zhì)彼此匯合。由于電極 的屏蔽作用,屏幕區(qū)域沒有電場,因而盡可能地避免了在三相點中產(chǎn)生局部放電。在此,一種有利的設(shè)計可以規(guī)定,在兩個銜鐵主體上設(shè)置相同類型的環(huán)形電極,其中,環(huán)形電極超過電絕緣的絕緣段的最大徑向長度。電絕緣的絕緣段的中心區(qū)段中的突起沿徑向僅延伸到使得環(huán)形電極完全遮蓋絕緣段的程度。在沿縱軸線方向的投影中,環(huán)形電極完全遮蔽絕緣段。因此確保環(huán)形電極除了介電作用外還保證對子段的絕緣材料的機械保護。在滅弧室的裝配狀態(tài)下,亦即,兩個銜鐵主體在端側(cè)安裝在電絕緣區(qū)段上時,滅弧室裝在各銜鐵主體的環(huán)形電極的外表面上的平面上。因此,也可以以簡單的方式實現(xiàn)滅弧室的包裝和運輸。另一種有利的設(shè)計可以規(guī)定,子段是鑄件,尤其是絕緣樹脂鑄件。因為凹槽始終設(shè)置在兩個相鄰的子段之間,所以子段可以通過簡單的鑄造工藝制造??梢允褂煤唵蔚?、沒有咬邊或類似物的鑄模,以便鑄件可以很容易地松脫或變形。尤其在選擇子段橫截面的扇形區(qū)大小〈180°時,存在很容易成型的主體,因為主體邊緣在橫截面中在整圓上都不具有咬邊。絕緣樹脂在此以特殊的方式是有利的,因為該樹脂相對由熱造成的影響不敏感并且具有較好的絕緣強度。此外,絕緣樹脂能機械加載并且具有有利的老化性能。為附加地提高機械強度,絕緣樹脂可以配備例如玻璃纖維形式的配筋(Armierungen)。另一種有利的設(shè)計可以規(guī)定,縫隙基本上與縱軸線平行地延伸。例如可以這樣與縱軸線平行地延伸,使得縫隙在與縱軸線平行取向的直線上延伸。在設(shè)有多個縫隙時,這些縫隙應當全部相互平行并且與縱軸線平行地取向。此外,也可以規(guī)定,多個縫隙雖然彼此平行地取向,但與縱軸線偏斜地設(shè)置。此外,可以規(guī)定,在子段的包絡(luò)輪廓內(nèi)部任意地設(shè)置縫隙走向。縫隙例如也可以螺旋形地、彎曲等地成型在子段之間。本發(fā)明所要解決的另一個技術(shù)問題是提供一種斷路器,該斷路器使用前述的滅弧室。該技術(shù)問題按本發(fā)明由此解決,斷路器具有按權(quán)利要求I至10之一所述特征的滅弧室以及帶有彼此可相對運動的開關(guān)接觸元件的斷路間隔,其中,由開關(guān)接觸元件限定的斷路間隔由滅弧室的絕緣段包圍。斷路器的開關(guān)接觸元件用于形成電流通路或切斷電流通路。為此,開關(guān)接觸元件一般彼此可相對運動。尤其在中斷電流通路時有利的是,在開關(guān)接觸元件之間的斷路間隔中通過流體絕緣介質(zhì)盡可能快速地建立穩(wěn)定的狀態(tài),亦即,較高的絕緣強度。但在開關(guān)過程中出現(xiàn)可能導致流體絕緣介質(zhì)受污染的放電現(xiàn)象。因此,必需在滅弧室的內(nèi)部提供足夠體積的絕緣介質(zhì),該絕緣介質(zhì)至少在開關(guān)過程中還可以足夠大量地以足夠的速度更換或攪動。通過滅弧室內(nèi)部的縫隙可以讓受污染的絕緣介質(zhì)從滅弧室的內(nèi)部排出并且新鮮的絕緣介質(zhì)再流入。絕緣液體,如油,以及絕緣氣體,如六氟化硫適于作為絕緣介質(zhì)。由此,必要時待中斷的、電弧形式的電流借助電流通路的中斷而難以復燃。滅弧室的銜鐵主體一般可以設(shè)計為導電的元件,該導電的元件也在斷路器斷開狀態(tài)下,亦即,斷路間隔電絕緣地作用,施加有不同的電位。該電位差借助滅弧室電絕緣的區(qū)段相互分離。在此,電絕緣的區(qū)段一方面具有電位分離的任務,另一方面用于電絕緣的絕緣段,也用于銜鐵主體彼此相對的機械定位。兩個銜鐵主體和電絕緣的區(qū)段構(gòu)成角度剛性的連接。此外,有利地可以規(guī)定,縫隙關(guān)于垂線布置在斷路間隔的下方。通過縫隙在斷路間隔下方的布置,可以斷路間隔中產(chǎn)生的接觸材料、顆粒等的磨 損以簡單的方式從滅弧室中引出。在滅弧室的外部可以設(shè)置所謂的顆粒收集器,在該顆粒收集器中,磨損物等收集在無電場的空間內(nèi)部。干擾的顆粒從滅弧室中的分離是有利的,從而不會不利地影響電絕緣的絕緣段的絕緣強度。磨損物、燒損材料或類似物在電絕緣的絕緣段的表面上的沉積會使銜鐵主體之間更容易形成爬電路徑。由于子段的彎曲并且扇形經(jīng)過的角度沒有180°,電絕緣的區(qū)段的內(nèi)部空間沒有促進磨損或燒損產(chǎn)物或其它顆粒在滅弧室內(nèi)部沉積的咬邊。燒損物、磨損物或其它不期望的顆粒在重力作用下可以從滅弧室中脫落。必要時在開關(guān)過程中產(chǎn)生的機械碰撞和振動會附加地有助于此脫落。除了磨損物,燒損物或其它不期望的顆粒從滅弧室內(nèi)部流出,通過縫隙在斷路間隔下方的布置使絕緣流體能夠再流入。尤其在另一個直徑對置的縫隙對應地布置在斷路間隔上方時必要時受污染的絕緣介質(zhì)從滅弧室中排走。尤其當電弧在斷路間隔中燃燒時,存在驅(qū)動加熱的絕緣介質(zhì)向上經(jīng)過位于斷路間隔上方的縫隙的熱作用。因此,附加地有助于未受污染的在滅弧室外部的絕緣介質(zhì)再流入滅弧室內(nèi)部。因此,另一方面可以通過位于下方的縫隙將顆粒從滅弧室中排出,另一方面可以通過下方的縫隙使未受污染的通常冷的絕緣介質(zhì)流入滅弧室的內(nèi)部。在此,該再流入的絕緣介質(zhì)被加熱并且受污染,例如通過電弧的作用并因此也通過必要時位于斷路間隔上方的縫隙流出。當然,其它的縫隙也可以用于絕緣流體的流入和流出。


      以下根據(jù)實施例簡略示出并且進一步描述本發(fā)明。附圖中圖I是滅弧室的分解透視圖;圖2是圖I所示滅弧室在裝配狀態(tài)中的縱剖面,而圖3是對圖2所示縱剖面的補充,關(guān)于開關(guān)接觸元件和斷路器的其它部件。
      具體實施例方式圖I示出滅弧室,其具有第一銜鐵主體I以及第二銜鐵主體2。兩個銜鐵主體1,2相同地構(gòu)造并且設(shè)計成這種旋轉(zhuǎn)對稱。銜鐵主體1,2的旋轉(zhuǎn)軸線彼此共軸地布置并且限定出滅弧室的縱軸線3。下文將根據(jù)第一銜鐵主體I描述例如銜鐵主體1,2的結(jié)構(gòu)。第一銜鐵主體I具有管接頭4。管接頭4設(shè)計為空心圓筒形并且具有基本上恒定的壁厚。管接頭4在其遠離第二銜鐵主體2的一端連接有片式法蘭5。在該片式法蘭5中設(shè)有多個貫通的凹槽。借助片式法蘭5,第一銜鐵主體I可與斷路器的其它部件連接,以便可以通過片式法蘭5定位滅弧室。在其面朝第二銜鐵主體2的一端,管接頭4配有環(huán)形的隔片6。該環(huán)形的隔片6限定管接頭4的邊界。在隔片6的外圓周上安裝環(huán)形電極7。該環(huán)形電極7在其外圓周上具有環(huán)形倒圓角的結(jié)構(gòu)。在此,環(huán)形電極7既沿徑向又關(guān)于第一銜鐵主體I的旋轉(zhuǎn)軸線在兩側(cè)沿軸向遮蓋隔片6。在隔片6中設(shè)置多個凹槽,通過這些凹槽可將其它結(jié)構(gòu)件固定在該隔片6上。隔片6連同布置在隔片6中的凹槽位于環(huán)形電極7的屏蔽區(qū)域中。因此可行的是,在環(huán)形電極7的屏蔽區(qū)域內(nèi)部,例如螺栓引入隔片6的凹槽中,其中,螺栓頭以及螺桿由環(huán)形電極7屏蔽。第一銜鐵主體I優(yōu)選由導電的材料,例如鋁或銅制造,其中,第一銜鐵主體I優(yōu)選是鑄件,該第一銜鐵主體I必要時事后要切削加工,以便例如引入凹槽或去掉鑄件飛翅。 第一銜鐵主體i以及第二銜鐵主體2構(gòu)造相同并且在縱軸線3上相互面對地彼此錯位布置,以便第一銜鐵主體I和第二銜鐵主體2的兩個環(huán)形電極7彼此面向并且第一銜鐵主體I和第二銜鐵主體2的端部分別借助片式法蘭5相互延續(xù)(fortweisen)。除了兩個銜鐵主體1,2外,滅弧室具有電絕緣的絕緣段8。在此,絕緣段8具有第一殼形的子段9a以及第二殼形的子段%。這兩個殼形的子段9a,9b是相同的部件,其借助澆注方法澆鑄而成。兩個子段9a,9b優(yōu)選是模鑄樹脂體。兩個子段9a,9b分別設(shè)計成殼形,其中子段9a,9b基本上與縱軸線3共軸地取向并且具有幾乎恒定的壁厚,以便兩個子段9a, 9b限定絕緣段8旋轉(zhuǎn)對稱的包絡(luò)輪廓。包絡(luò)輪廓與縱軸線3共軸地取向。子段9a,9b的端面具有一個圓環(huán)扇形的橫截面,其中,扇形角小于180°,因此在子段9a,9b彼此對置的主體邊緣之間形成第一縫隙IOa以及第二縫隙10。就縱軸線3而言,兩個縫隙10a,IOb位于包絡(luò)輪廓中的直徑對置的兩側(cè)。該縫隙10a,IOb具有與縱軸線3的方向平行取向的直線走向??p隙10a,IOb穿過整個絕緣段8,其中,縫隙寬度近似恒定。在殼形子段9a,9b的端面中,其也可以可選地稱作溝槽形的,引入內(nèi)螺紋11。內(nèi)螺紋11的位置與引入銜鐵主體1,2的隔片6中的凹槽相應,以便螺栓可通過隔片6的凹槽插入,其中通過在內(nèi)螺紋11中緊抓的螺栓的螺距,可以進行子段9a,9b與銜鐵主體1,2之間角剛性的連接。銜鐵主體1,2與絕緣段8的子段9a,9b螺紋連接給出滅弧室的角剛性的連接。為了提高穩(wěn)定性,螺紋11可以引入端面裝入子段9a,9b的木楔中。帶有螺栓頭和螺桿的螺栓和木楔的尺寸均設(shè)計為,使得它們位于各環(huán)形電極7的屏蔽區(qū)域內(nèi)(參見圖2)。殼形的子段9a,9b設(shè)計成,在當中形成一具有比位于端面的子段9a,9b的區(qū)段更大曲率半徑的區(qū)段。由此,在滅弧室上形成一中央徑向加寬的、可以用于容納斷路器的開關(guān)接觸元件的空間。在圖2中,示出一個剖分由圖I已知的滅弧室在裝配狀態(tài)下的縱剖面。在此剖分面相當于圖I中所示的剖分面1-1。在圖2中示出例如螺栓12,該螺栓12擰到子段9a,9b中的木楔13中并因此在銜鐵主體1,2與絕緣段8之間構(gòu)成角剛性的連接。環(huán)形電極7的內(nèi)徑的尺寸在此設(shè)計為,在子段9a,9b與銜鐵主體1,2角剛性連接的狀態(tài)下在由環(huán)形電極7環(huán)繞接合的、子段9a,9b的外表面與環(huán)形電極7的內(nèi)表面之間之間存在一個環(huán)形縫隙,該環(huán)形縫隙可填充流體的絕緣介質(zhì)。由此,子段9a,9b的端面的絕緣材料與銜鐵主體1,2的金屬材料以及絕緣介質(zhì)之間的三相點設(shè)置在環(huán)形電極7的介電屏蔽的屏蔽區(qū)域內(nèi)。環(huán)形電極7沿徑向這樣擴寬,使得環(huán)形電極7的外表面限定出滅弧室與縱軸線3徑向間隔最遠的點。由此,絕緣段8中心的徑向擴寬的區(qū)段受環(huán)形電極7的保護??p隙IOa與縫隙IOb —樣直線地延伸經(jīng)過整個絕緣段8,以便縫隙10a,IOb沿圓周方向被子段9a,9b的主體邊緣限定邊界,而縫隙10a,IOb沿軸向的邊界由銜鐵主體1,2限定??p隙10a,IOb沿縱軸線3的方向具有直線的走向并且配有恒定的寬度??p隙10a,IOb的形狀和位置由絕緣段8的分別相鄰的子段9a,9b彼此面向的主體邊緣確定。限定縫隙10a, IOb邊界的主體邊緣倒圓角,以避免在高壓作用下可以導致產(chǎn)生局部放電的凸起和拐角。絕緣段8的徑向擴寬的中心區(qū)段設(shè)計用于將斷路器的開關(guān)接觸元件裝入其內(nèi)部。 圖3示出由圖2已知的滅弧室的縱剖面,其中,滅弧室補充有斷路器的開關(guān)接觸元件。銜鐵主體1,2是可通過斷路器中斷或建立的電流路徑的一部分。第一銜鐵主體I可與第一電線會連接。第二銜鐵主體2與第二電線含連接。在滅弧室的內(nèi)部設(shè)有第一開關(guān)接觸元件14以及第二開關(guān)接觸元件15。開關(guān)接觸元件14,15分別具有一個電弧接觸元件以及額定電流接觸元件。兩個電弧接觸元件在接通過程中超過額定電流接觸元件,而在斷路過程中兩個額定電流接觸元件首先打開,然后兩個電弧接觸元件再彼此分離。兩個開關(guān)接觸元件14,15可沿縱軸線3彼此相對地運動。在此可以規(guī)定,開關(guān)接觸元件14,15中的僅一個或開關(guān)接觸元件14,15中的兩個可移動。第一開關(guān)接觸元件14的電弧接觸元件設(shè)計成管形的并且在其面朝第二開關(guān)接觸元件15的端部上設(shè)計成帶有可彈性變形的接觸爪的套筒形接觸元件。在相對一側(cè),第二開關(guān)接觸元件15的電弧接觸元件設(shè)計成螺栓形,其可對應地插入第一開關(guān)接觸元件14的電弧接觸元件的套筒中。額定電流接觸元件總攜帶與分別在自身開關(guān)接觸元件14,15上的電弧接觸元件相同的電位。在此,額定電流接觸元件分別徑向地包圍電弧接觸元件,其中,第一開關(guān)接觸元件14的額定電流接觸元件具有圓柱形的外表面,第二開關(guān)接觸元件15的額定電流接觸元件的彈性可變形的接觸爪可撞上該圓柱形的外表面。電弧接觸元件向分別另一個開關(guān)接觸元件14,15的方向伸出分別攜帶相同電位的額定電流接觸元件,以便以簡單的方式使得電弧接觸元件相對額定電流接觸元件在接通過程中超前并且電弧接觸元件相對額定電流接觸元件在斷路過程中滯后。在兩個開關(guān)接觸元件14,15之間形成斷路間隔16。斷路間隔16由絕緣段8的子段9a,9b沿徑向覆蓋。縫隙IOb布置在斷路間隔16的下方,亦即,在裝配狀態(tài)下,圖3所示剖面位于水平面內(nèi),因此垂線垂直突伸出圖3的圖面。因此,第二縫隙IOa關(guān)于垂線布置在斷路間隔16的上方。斷路間隔16由絕緣材料噴嘴17包圍,該絕緣材料噴嘴17圍繞電弧接觸元件并且本身被額定電流接觸元件至少在接通的狀態(tài)下包圍。在第一開關(guān)接觸元件14的額定電流接觸元件的內(nèi)部具有滅弧氣體緩存體積18。通過滅弧氣體通道19得到滅弧氣體緩存體積18到絕緣材料噴嘴17的狹窄部分的連接。在圖3中不出的滅弧室一般布置在斷路器的封閉外殼內(nèi)部。封閉外殼包圍滅弧室并且形成一個密封的封閉空間。密封的封閉空間填充有流態(tài)的絕緣介質(zhì),例如絕緣油或絕緣氣體。尤其在使用絕緣氣體時,期望密封的封閉空間的內(nèi)部壓力增大,以便附加地提高氣態(tài)絕緣流體的絕緣強度。下面在原理上描述斷路器的斷路過程。在接通的狀態(tài)下,第一和第二的開關(guān)接觸元件14,15的電弧接觸元件和額定電流接觸元件彼此電流連接。通過滑動接觸裝置20,21給出一種從兩個開關(guān)接觸元件14,15到兩個銜鐵主體1,2并因此到與銜鐵主體1,2鄰接的導線含,合的導電連接。開關(guān)接觸元件14,15現(xiàn)在彼此移開以便產(chǎn)生電絕緣的隔離位置。在此,第一開關(guān)接觸元件14和第二開關(guān)接觸元件15均沿縱軸線3的方向反向地移動。首先,額定電流接觸元件與第一開關(guān)接觸元件14和第二開關(guān)接觸元件15分離,而這兩個電弧接觸元件仍然彼此接合。經(jīng)由電流路徑驅(qū)動的電流轉(zhuǎn)換到電弧接觸元件上。然后,兩個電弧接觸元件也與第一開關(guān)接觸元件14和第二開關(guān)接觸元件15分離。第二開關(guān)接觸元件15的電弧接觸元件插入絕緣材料噴嘴17。通常,由于開關(guān)接觸元件之間存在的電位差而在斷路過程中致使形成電弧。電弧加熱位于滅弧室內(nèi)部的絕緣流體并且產(chǎn)生滅弧氣體。由于絕緣材料噴嘴17的插入,該滅弧氣體可以沿管狀設(shè)計的第一開 關(guān)接觸元件14的方向被抽吸出。此外,滅弧氣體可以通過滅弧氣體通道19抽吸出而進入滅弧氣體緩存體積18。由于熱能和滅弧氣體緩存體積18和滅弧氣體通道19的尺寸設(shè)計,滅弧氣體進入到滅弧氣體緩存體積18中。滅弧氣體連續(xù)的再流入致使滅弧氣體緩存體積18中壓力增大。由于電弧和被插入的絕緣材料噴嘴17防止來自滅弧氣體緩存體積18的滅弧氣體經(jīng)由滅弧氣體通道19回流。當在第一和第二的開關(guān)接觸元件14,15之間的相對運動繼續(xù)推進之后,絕緣材料噴嘴17才被第二開關(guān)接觸元件15的電弧接觸元件釋放?,F(xiàn)在,在滅弧氣體緩存體積18中緩存的滅弧氣體由于壓力的增大可以通過滅弧氣體通道19流入絕緣材料噴嘴17。此處必要時還燃燒的電弧吹滅并因此冷卻。此外,由于這種吹滅而釋放斷路間隔16中受污染的滅弧氣體。此外,出現(xiàn)在斷路間隔內(nèi)部的磨損產(chǎn)物或燒損產(chǎn)物在運動過程中由于流動關(guān)系而可以排空。通過縫隙10a, IOb使新鮮絕緣介質(zhì)或熱的受污染絕緣介質(zhì)/滅弧氣體能夠流入或流出。此外,通過下部的縫隙IOb實現(xiàn)磨損物或燒損產(chǎn)物從滅弧室的脫落。由于所設(shè)定的熱關(guān)系可以通過縫隙10a,10b,由溫差驅(qū)動地進行冷的絕緣氣體從下流入并且熱的滅弧氣體經(jīng)由上部縫隙IOa流出。在第一和第二的開關(guān)接觸元件14,15到達斷路終端位置之后,在這兩個開關(guān)接觸元件14,15之間得到電位隔離,亦即,在斷路器的滅弧室中中斷電流路徑以及中斷必要時流經(jīng)電流路徑的流體。
      權(quán)利要求
      1.一種用于斷路器的滅弧室,該滅弧室具有第一和第二銜鐵主體(1,2),該第一和第二銜鐵主體(1,2)關(guān)于所述滅弧室的縱軸線(3)分別在端側(cè)貼靠在所述滅弧室的電絕緣的絕緣段(8)上,其特征在于,所述絕緣段(8)具有至少兩個殼形的子段(9a,9b),所述子段(9a, 9b)分別相對所述縱軸線(3)凹形彎曲并且所述子段(9a,9b)的主體邊緣如下地相互間隔,使得在所述絕緣段(8)中在所述子段(9a,9b)之間構(gòu)造至少一個縫隙(10a,10b)。
      2.按權(quán)利要求I所述的滅弧室,其特征在于,所述子段(9a,9b)凸形的外表面將旋轉(zhuǎn)對稱的包絡(luò)輪廓固定在所述銜鐵主體(1,2)之間。
      3.按權(quán)利要求I或2所述的滅弧室,其特征在于,所述子段(9a,9b)圍繞所述縱軸線(3)對稱分布地設(shè)置。
      4.按權(quán)利要求I至3之一所述的滅弧室,其特征在于,所述縫隙(10a,10b)的數(shù)量與所述子段(9a,9b)的數(shù)量相對應。
      5.按權(quán)利要求I至4之一所述的滅弧室,其特征在于,縫隙(10a,10b)在所述第一和第二銜鐵主體(1,2)之間延伸并且在端側(cè)由所述第一和第二銜鐵主體(1,2)限定邊界。
      6.按權(quán)利要求I至5之一所述的滅弧室,其特征在于,所述子段(9a,9b)分別具有至少兩個曲率半徑不同的區(qū)段。
      7.按權(quán)利要求6所述的滅弧室,其特征在于,所述絕緣段(8)的中心具有徑向加寬的區(qū)段。
      8.按權(quán)利要求I至7之一所述的滅弧室,其特征在于,所述子段(9a,9b)的至少各一個端面由銜鐵主體(1,2)的一個共同的環(huán)形電極(7)環(huán)繞接合。
      9.按權(quán)利要求I至8之一所述的滅弧室,其特征在于,所述子段(9a,9b)是鑄件,尤其是絕緣樹脂鑄件。
      10.按權(quán)利要求I至9之一所述的滅弧室,其特征在于,所述縫隙(10a,10b)基本上與所述縱軸線(3)平行地走向。
      11.一種斷路器,具有按前述權(quán)利要求之一所述的滅弧室以及帶有可彼此相對運動的開關(guān)接觸元件(14,15)的斷路間隔(16),其中,由所述開關(guān)接觸元件(14,15)限定的斷路間隔(16)由所述滅弧室的所述絕緣段⑶包圍。
      12.按權(quán)利要求11所述的斷路器,其特征在于,縫隙(10a,10b)關(guān)于垂直線設(shè)置在所述斷路間隔(16)的下方。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種用于斷路器的滅弧室,該滅弧室具有第一和第二銜鐵主體(1,2)。銜鐵主體(1,2)分別在端側(cè)設(shè)置在滅弧室的電絕緣的絕緣段(8)上。絕緣段(8)具有至少兩個殼形的子段(9a,9b)。子段(9a,9b)凹形彎曲,其中,在子段(9a,9b)的主體邊緣之間構(gòu)造縫隙(10a,10b)。
      文檔編號H01H33/24GK102714108SQ201180006161
      公開日2012年10月3日 申請日期2011年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月15日
      發(fā)明者G.考爾福斯, K.瑪舍, P.米勒夫斯基, V.萊曼 申請人:西門子公司
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