專利名稱：：低霧度透明導體的制作方法
技術領域：
：本公開涉及低霧度透明導體、墨水組合物以及制造低霧度透明導體和墨水組合物的方法。
背景技術：
：透明導體是光學透明且導電的膜。其廣泛地用在顯示器、觸摸板、光伏(PV)、各種電子報、靜電屏蔽、加熱或防反射涂層(例如窗戶)等領域。各種技術已基于例如金屬納米結構、透明傳導氧化物(例如，通過溶膠凝膠方法)、傳導聚合物和/或碳納米管的一種或多種傳導媒介來制造透明導體。通常，透明導體還包括其上沉積有或涂有傳導膜的透明襯底。根據(jù)最終用途，透明導體可以創(chuàng)建有預定的電學特性和光學特性，包括例如薄層電阻、光學透明度以及霧度。通常，制造透明導體需要電學性能與光學性能之間的權衡。作為針對基于納米結構的透明導體的一般規(guī)則，高透射率和低霧度通常與較少的傳導納米結構相關聯(lián)，而這轉(zhuǎn)而導致較高的薄層電阻(即，較低的傳導性)。透明導體的許多商業(yè)應用(例如觸摸板和顯示器)需要霧度水平保持在2%之下。由于在獲得如此低水平的霧度時不可能保持滿意的傳導率，所以尤其對制造低霧度透明導體存在挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容本文所描述的是低霧度透明導體，其在保持高導電性(例如小于350歐姆/平方)的同時具有小于I.5%的霧度(更典型地，小于0.5%)還描述了制造該低霧度透明導體的方法。一個實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中所述透明導體具有小于I.5%的霧度以及小于350歐姆/平方的薄層電阻。又一實施方案提供了一種透明導體，其中薄層電阻小于50歐姆/平方。又一實施方案提供了一種透明導體，其中霧度小于0.5%。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中所述透明導體具有約0.3-0.4%的霧度以及約170-350歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中所述透明導體具有約0.4-0.5%的霧度以及約120-170歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中所述透明導體具有約0.5-0.7%的霧度以及約80-120歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中所述透明導體具有約0.7-1.0%的霧度以及約50-80歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中所述透明導體具有約I.0-1.5%的霧度以及約30-50歐姆/平方的薄層電阻。另一些實施方案提供了一種具有以上膜規(guī)格的透明導體，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過55ym，或者其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過45iim，或者其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至50ym，或者其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至30ym，或者其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均長度約為10-22iim，或者其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均長度平方約為120-400iim2。另一些實施方案提供了一種具有以上膜規(guī)格的透明導體，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過55nm，或者其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過45nm，或者其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的直徑約15至50nm，或者具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的直徑約20至40nm，或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均直徑約為26-32nm且標準差在4_6nm的范圍內(nèi)，或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均直徑約為29nm且標準差在4_5nm的范圍內(nèi)。另一些實施方案提供了一種具有以上膜規(guī)格的透明導體，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過55um,并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過55nm;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至50ym，并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的直徑約為15至50nm;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至30iim，并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的直徑約為20至40nm;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均長度約為10-22iim，并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均直徑約為26-32nm且標準差在4-6nm的范圍內(nèi)；或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過45um,并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過45nm。另一些實施方案提供了一種方法，包括從包括金屬鹽和還原劑的反應溶液中生長金屬納米線，其中生長步驟包括將所述反應溶液中的所述金屬鹽的第一部分與所述還原劑反應第一時間段，以及在第二時間段中逐漸添加所述金屬鹽的第二部分，并且保持所述反應溶液中的所述金屬鹽小于0.l%w/w的基本恒定濃度。又一些實施方案提供了一種墨水組合物，其包括多個傳導納米結構、粘度調(diào)節(jié)齊U、表面活性劑以及分散流體，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過55um。附加的實施方案提供了一種墨水組合物，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過45iim;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至50iim;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至30iim;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均長度約為10-22iim;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均長度平方約為120-400iim2。又一實施方案提供了一種墨水組合物，其包括多個傳導納米結構、粘度調(diào)節(jié)劑、表面活性劑以及分散流體，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過55nm。附加的實施方案提供了一種墨水組合物，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過45nm;其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的直徑約15至50nm;其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的直徑約20至40nm;其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均直徑約26-32nm且標準差在4_6nm的范圍內(nèi)；其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均直徑約為29nm且標準差在4-5nm的范圍內(nèi)。又一實施方案提供了一種墨水組合物，其包括多個傳導納米結構，組合物包括多個傳導納米結構；粘度調(diào)節(jié)劑；表面活性劑；以及分散流體，其中，具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過55um,并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過55nm。附加的實施方案提供了墨水組合物，其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至50ym，并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的直徑約為15至50nm;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為5至30iim，并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過95%的傳導納米結構的長度約為20至40nm;或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均長度約為10-22ym，并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構的平均直徑約為26-32nm且標準差在4-6nm的范圍內(nèi)；或其中具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的長度不超過45ym，并且具有至少為10的長寬比的所述傳導納米結構中超過99%的傳導納米結構的直徑不超過45nm。在附圖中，相同的標號表示相似的元件或動作。附圖中元件的尺寸和相對位置未必按比例畫出。例如，各種元件的形狀和角度并未按比例畫出，并且有些元件被任意地放大或放置以提高附圖的易讀性。此外，所畫的元件的具體形狀并非旨在傳達關于該具體元件的實際形狀的任何信息，而只是為了便于在附圖中的識別而選取。圖I是顯示納米線群組根據(jù)其長度的分布圖的柱狀圖；圖2是顯示納米線群組根據(jù)其直徑的分布圖的柱狀圖；圖3是用于制備符合某些粒度分布圖的銀納米線的兩階段反應方案的流程圖4示出了純化對通過兩階段反應所制備的銀納米線的直徑分布上的影響；圖5示出了為對數(shù)正態(tài)分布的三批次銀納米線的長度分布圖；圖6示出了為正態(tài)或高斯分布的三批次銀納米線的直徑分布圖；圖7示出了由銀納米線形成的傳導薄膜的霧度與電阻的反相關；圖8示出了由銀納米線形成的傳導薄膜的透射率與電阻的正相關。具體實施例方式—般來說，本文描述的透明導體是傳導納米結構的傳導薄膜。在透明導體中，通過納米結構之中的連續(xù)物理接觸建立一條或多條導電路徑。當存在足夠的納米結構以達到電滲透閾值時，形成納米結構的傳導網(wǎng)絡。因此，電滲透閾值是可獲得大范圍連接性的重要數(shù)值。傳導膜的電導率通常通過“膜電阻”、“電阻率”或者“薄層電阻”來測量，其用歐姆/平方(或“Q/□”)表示。膜電阻至少是表面裝填密度、納米結構的尺寸/形狀以及納米結構成分的固有電學性質(zhì)的函數(shù)。如本文所使用的，如果具有不高于IO8Q/□的薄層電阻，則薄膜被認為是傳導性的。優(yōu)選地，薄層電阻不高于IO4Q/口、3，000Q/口、1，000Q/口、或350Q/□或100Q/口。典型地，由金屬納米結構所形成的傳導網(wǎng)絡的薄層電阻的范圍為從IOQ/□至1000Q/□、從100Q/□至750Q/口、50Q/□至200Q/□、從100Q/口至500Q/□、或者從100Q/□至250Q/□、或者10Q/□至200Q/□、從10Q/□至50Q/□、或者從IQ/□至10Q/口。光學上，基于納米結構的透明導體在可見光區(qū)(400_700nm)中具有較高的光透射率。典型地，當在可見光區(qū)中的光透射率超過85%時，則認為該透明導體是光學透明的。更典型地，光透射率超過90%、或者超過93%或者超過95%。霧度(haze)是光學透明度的另一指標。通常認為霧度是因體積和表面粗糙效果而引起的光散射和反射/折射造成的。低霧度透明導體尤其期望用于光學透明度是關鍵性能因子之一的應用中，例如觸摸屏和顯示器。對于其中的納米結構形成傳導媒介的透明導體來說，由納米結構產(chǎn)生的光散射是不可避免的。然而，如本文所描述，可以通過控制納米結構的粒度分布圖和微粒形貌來獲得低霧度的透明導體。通常，霧度可以被人眼檢測到的水平約為2%。因此，本公開的各個實施方案均針對具有小于I.5%的霧度的透明導體。一個實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有小于I.5%的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有小于I.5%的霧度和小于50歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有小于0.5%的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有小于0.3%的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有約0.3-0.4%的霧度和約170-350歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有約0.4-0.5%的霧度和約120-170歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有約0.5-0.7%的霧度和約80-120歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有約0.7-1.0%的霧度和約50-80歐姆/平方的薄層電阻。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中該透明導體具有約I.0-1.5%的霧度和約30-50歐姆/平方的薄層電阻。納米結構粒度分布圖為了滿足以上包括透射率、薄層電阻以及霧度的薄膜規(guī)格，透明導體包括符合確定粒度分布圖的納米結構。如本文所使用的，“傳導納米結構”或者“納米結構”通常是指導電的納米尺寸的結構，該結構的至少一個維度(即寬度)小于500nm,更典型地,小于IOOnm或者50nm,更加典型地，在20至40nm的范圍內(nèi)。在縱向上，納米結構的長度超過500nm，或超過Iym或者超過10um。更典型地，納米結構的長度在5至30iim的范圍內(nèi)。納米結構可以為任何形狀或幾何結構。用于定義給定的納米結構的幾何結構的一種方法是通過其“長寬比”，“長寬比”指的是納米結構的長度和寬度(或直徑)的比率。在某些實施方案中，納米結構為各向同性形狀(即，長寬比=1)。典型的各向同性或基本各向同性的納米結構包括納米顆粒。在優(yōu)選的實施方案中，納米結構為各向異性形狀(即，長寬比幸I)。各向異性的納米結構通常沿其長度具有縱軸。示例性各向異性的納米結構包括納米線(具有至少為10(更典型地至少為50)的長寬比的實心納米結構)、納米棒(具有小于10的長寬比的實心納米結構)以及納米管(中空納米結構)。除了納米結構的裝填密度之外，其尺寸和形狀均是確定膜規(guī)格的因素。更具體地，納米結構的長度、寬度以及長寬比通常以不同的程度影響最終的薄層電阻(R)、透射率(T)以及霧度(H)。例如，納米結構的長度通?？刂萍{米結構的互連性的程度，這轉(zhuǎn)而影響透明導體的薄層電阻。納米結構的寬度通常不影響納米結構的互連性；然而，其可顯著地影響透明導體的霧度?，F(xiàn)實地，納米結構的給定群組(例如，在合成和純化之后的產(chǎn)品)包括一定尺寸(長度和寬度)范圍內(nèi)的納米結構，而不是具有均勻尺寸。因此，由這種納米結構群組形成的薄膜的規(guī)格(R、T和H)依賴于在整個粒度分布圖上的納米結構的集體貢獻。粒度分布圖包括這樣一組數(shù)值，其定義了根據(jù)納米結構各自尺寸(長度和寬度)分類的相對量或納米結構出現(xiàn)的頻率。粒度分布圖可以由柱狀形表示，其通過將納米結構的給定群組根據(jù)某一粒度范圍的不交疊的規(guī)律區(qū)間分類并通過繪制落入每個區(qū)間內(nèi)的納米結構的頻率而產(chǎn)生。粒度范圍的規(guī)律區(qū)間也被稱為“元域(binrange)”。圖I是展示納米結構群組(例如，納米線)根據(jù)其長度的柱狀分布圖，其中X軸上為元域(5區(qū)間)以及沿Y軸作為柱的頻率?？紤]到長度和對應的頻率數(shù)據(jù)，還可以基于概率密度函數(shù)來構建光滑曲線。因此圖I量化地且在圖形上示出了在所述納米結構群組中長度分布的形狀(對數(shù)正態(tài)分布)和延展(均值附近的變化)。此外，圖I示出了長度范圍的最大和最小長度?？梢杂^察到,對光散射有貢獻而對傳導性沒有貢獻的某些納米結構存在于粒度分布圖中非常低的頻率處(例如，小于10%，或者更典型地，小于5%)。這些納米結構因其呈現(xiàn)在暗場顯微照片中而被視為“明亮對象”。這些明亮對象包括例如太寬和/或太短(例如，納米顆粒、納米棒)而無法有效地參與電滲透過程的納米結構。這些明亮對象中的一些或全部具有低長寬比(小于10)。因此，一個實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度和小于350歐姆/平方的薄層電阻，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過55um。又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過45iim。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約為5至50iim。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約為5至30iim。除了長度分布之外，納米結構的平均長度(<1>)和平均長度平方(<12>)也表示膜規(guī)格。具體地，納米結構的平均長度平方(<12>)確定滲透閾值，因而直接涉及薄層電阻。共同擁有的且共同未決的第11/871，053號美國申請?zhí)峁┝藢诩{米線的透明導體中的這兩個參數(shù)與薄層電阻之間的關聯(lián)性的更詳細分析，該申請的通過引用而全部并入本文。如本文所使用的，平均長度(<1>)為所有測量長度的總和除以納米結構的計數(shù)數(shù)量，如本文所描述的。平均長度平方(<12>)可以通過以下公式表示TfYi2if)......rf1/Ii因此，又一實施方案提供了透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度約為10-22iim。在另一些實施方案中，具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度約為12-20um、14-18um或15-17um。另一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度平方約為120-600iim2。在另一些實施方案中，具有至少10的長寬比的傳導納米結構的平均長度平方約為240-400iim2或260-350um2。圖2是展示納米結構群組(例如，納米線)根據(jù)其直徑的分布圖的柱狀圖，其中X軸上為元域(5nm區(qū)間)以及頻率作為沿Y軸的柱?？紤]到直徑和對應的頻率數(shù)據(jù)，還可以基于概率密度函數(shù)來構建光滑曲線。因此圖2定量地且圖形地示出了在所述納米結構群組中直徑分布的形狀(正態(tài)或高斯分布)和延展(均值附近的變化)。作為正態(tài)分布的結果，多個納米結構的分布圖可以通過直徑的均值和標準差來定義。圖2示出了納米結構的直徑的窄分布(即，相對小的標準差)。如本文所使用的，當標準差小于均值的20%,或者更典型地小于均值的15%時，正態(tài)分布被認為是窄的。可以相信，較窄的直徑分布減少膜的納米結構的成分異質(zhì)性，從而導致降低的霧度。因此，一個實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過55nm。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過45nm。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中具超過95%的有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約為15至50nm。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約為20至40nm。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約26-32nm的平均直徑以及4_6nm的范圍內(nèi)的標準差。又一實施方案提供了一種透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約29nm的平均直徑以及4_5nm的范圍內(nèi)的標準差。又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過55iim，而且超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過55nm。又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過45iim，而且超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過45nm。又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約5至50iim，而且超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約15至50nm。又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約5至30iim，而且超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約20至40nm。又一實施方案提供了一種低霧度透明導體，包括多個傳導納米結構并具有小于I.5%的霧度，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約10-22iim的平均長度，而且其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約26-32nm的平均直徑和4_6nm范圍內(nèi)的標準差。另一些實施方案提供了，上述低霧度透明導體中的任何一種具有小于1.0%的霧度、小于0.8%的霧度、或者小于0.6%的霧度、或者小于0.5%的霧度、或者小于0.4%的霧度、或者小于0.3%的霧度。另一些實施方案提供了在上述低霧度透明導體中的任何一種中，具有至少10的長寬比的傳導納米結構是納米線，包括但不限于金屬納米線(例如，銀納米線)和金屬納米管(例如，銀或金納米管)。納米結構的制各符合本文描述的粒度分布圖的納米結構(例如，金屬納米線)可以通過化學合成來制備。傳統(tǒng)地，金屬納米線可以在存在過量還原劑(其也用作溶劑(例如，乙二醇或丙二醇))的情況下從相應的金屬鹽的溶液中成核并生長。在這種類型的液相反應中，納米線生長通常在徑向和軸向方向上同時進行。因此，隨著納米線拉長，直徑也變大。例如參見Y.Sun,B.Gates,B.Mayers和Y.Xia的“Crystallinesilvernanowiresbysoftsolutionprocessing(通過軟溶液處理的晶體銀納米線)”,Nanolett,(2002),2(2):165_168。對于本文描述的低霧度透明導體來說，納米線可以具有相對小的直徑(例如15-50nm的平均直徑)和較窄的寬度分布。在該直徑范圍內(nèi)，傳統(tǒng)的合成將制造出比提供滿意傳導性(例如小于350歐姆/平方)的長度分布(包括平均長度)更短的納米線。相反，如果允許納米線生長至需要長度，以獲得滿意的傳導性，則納米線的直徑不可避免地大至足以增加霧度的值(例如大于I.5%)。為了提供符合粒度分布圖從而形成低霧度透明傳導膜的納米線群組，描述了兩階段合成。兩階段合成獨立地促進納米線的徑向和軸向生長，以使得可以獨立地控制納米線的直徑和長度。圖3是示出銀納米線的兩階段制備的流程圖，該銀納米線從硝酸銀的丙二醇溶液中成核并生長。反應的附加成分包括聚乙烯基吡咯烷酮和四正丁基氯化銨(TBAC)。通過控制添加硝酸銀的量和順序，可以控制納米線的生長和最終尺寸。硝酸銀溶液包含預定總量的硝酸銀，其被分割成兩個部分，以在反應的兩個不同階段添加。分割可以為30-7070-30的范圍內(nèi)，優(yōu)選為50:50。在反應的第一階段中，使用全部硝酸銀的第一部分。此外，硝酸銀的第一部分中的一部分被加有TBAC，以使得反應混合物中的初始銀離子的濃度約為0.001到0.025%。此后添加硝酸銀的第一部分中的剩余部分。典型地，允許反應的第一階段進行12-16小時。在這個階段期間，納米線形成為在徑向和軸向方向上均生長。在第一階段結束時，納米線的長度比最終期望的長度短；然而，納米線的直徑基本接近于其最終直徑。在反應的第二階段中，在反應溶液中的銀離子濃度被保持基本恒定且低于0.l%w/w的時間段中，逐漸添加硝酸銀的第二部分。在第二階段期間，主要的線生長發(fā)生在軸向方向，而徑向生長被有效地放緩或者甚至停止。兩個階段的全部反應時間約為24小時?？梢栽谒蟹较蛏系纳L均停滯的點處用去離子(DI)水使該反應淬滅。在整個反應中，反應混合物優(yōu)選被保持在惰性氣氛中。惰性氣體可以是稀有氣體(例如，氦、氖、氬、氪或氙)或者例如氮的其它惰性的氣體或惰性的氣體混合物或化合物氣體。典型地，反應容器最初被惰性氣體凈化預定的時間段。在整個反應過程中保持凈化。關于凈化更詳細的描述可以在共同未決且共同擁有的第61/275，093號美國申請中找到，該申請通過引用全部并入本文。因此，一個實施方案提供了一種方法，包括從包括金屬鹽和還原劑的反應溶液中生長金屬納米線，其中生長的步驟包括在所述反應溶液中使所述金屬鹽的第一部分與所述還原劑反應第一時間段，和在將所述反應溶液中的所述金屬鹽保持小于0.l%w/w的基本恒定濃度的同時，在第二時間段中逐漸添加所述金屬鹽的第二部分。另一些實施方案提供了金屬納米線是銀納米線，金屬鹽是硝酸銀，并且還原劑是丙二醇或乙二醇。另一實施方案提供了金屬鹽的第一部分和第二部分約為相等的量。另一實施方案提供了，在第一時間期間，金屬鹽的第一部分中的一部分被首先加有銨鹽(TBAC)，隨后添加金屬鹽的第一部分中的剩余部分。在一些實施方案中，該一部分表示約為全部金屬鹽的0.6%，以及反應混合物中約0.001到0.025%的金屬離子。應該理解，雖然描述了與以上兩階段合成有關的納米線(例如，銀納米線)，但是也可以以相似的方式制備其它傳導材料的納米線。其它金屬材料可以是單質(zhì)金屬(例如，過渡金屬)或者金屬化合物(例如，金屬氧化物)。金屬材料也可以為雙金屬材料或金屬合金，其包括兩種或更多種金屬。適當?shù)慕饘侔ǖ幌抻阢y、金、銅、鎳、鍍金的銀、鉬以及鈀。薄膜的制備在各個實施方案中，本文所描述的透明導體是從納米結構的分散體澆注的薄膜，也被稱為“墨水組合物”。按重量計算，用于沉積金屬納米線的典型墨水組合物包括從0.0025%至0.1%的表面活性劑(例如，對于ZonylFS0-100優(yōu)選的范圍是從0.0025%至0.05%,或者對于曲拉通(Triton)X-IOO為0.005%至0.025%),從0.02%至4%的粘度調(diào)節(jié)劑(例如，對于羥丙基甲基纖維素(HPMC)優(yōu)選的范圍是0.02%至0.5%)，從0.01至I.5%的金屬納米線以及從94.5%至99.0%的流體(用于分散或懸浮其它成分)。在各個實施方案中，銀納米線的墨水組合物包括0.1%至0.2%的銀納米線、0.2至0.4%的高純度HPMC以及0.005%至0.025%的TritonX-100。在共同未決且共同擁有的第61/175，745號美國申請中描述了純化HPMC的方法，該申請通過引用全部并入本文。適當?shù)谋砻婊钚詣┑拇硇允纠ǚ砻婊钚詣?例如Zony廣表面活性劑，包括ZonyPFSN、ZonyI*FSO、ZonyPFSA、Zonyl'*FSH(DuPont化學，威明頓，DE)以及N0VEC(3M,圣保羅，MN)。其它示例性表面活性劑包括基于烷基酚乙氧基酯的非離子型表面活性劑。優(yōu)選的表面活性劑包括例如辛基酚乙氧基酯，例如Triton(X100、X114、X45)以及壬基酚乙氧基酯，例如TERGIT0L(陶氏化學公司，米德蘭，MI)。另一些示例性非離子型表面活性劑包括基于乙炔的表面活性劑，例如DynoP(604、607)(空氣產(chǎn)品和化學公司，AirProductsandChemicals,Inc.,艾倫鎮(zhèn)，PA)和正十二燒基-0-D-麥芽糖苷。適當?shù)恼扯日{(diào)節(jié)劑的示例包括羥丙基甲基纖維素(HPMC)、甲基纖維素、黃原膠、聚乙烯醇、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素。適當?shù)牧黧w的實例包括水和異丙醇。因此，一個實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的傳導納米結構的長度不超過55um。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的傳導納米結構的長度不超過45um。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過95%的傳導納米結構的長度約5至50iim。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約5至30iim。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約10-22iim的平均長度。另一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約120-400iim2的平均長度平方。另一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過55nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過45nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約為15至50nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約為20至40nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約26-32nm的平均直徑和4_6nm范圍內(nèi)的標準差。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約29nm的平均直徑和4_5nm范圍內(nèi)的標準差。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過55iim，而且超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過55nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度不超過45um，而且超過99%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑不超過45nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約5至50iim，而且超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約15至50nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的長度約5至30iim，而且超過95%的具有至少10的長寬比的傳導納米結構的直徑約20至40nm。又一實施方案提供了一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約10-22iim的平均長度，而且其中具有至少10的長寬比的傳導納米結構具有約26-32nm的平均直徑和4_6nm范圍內(nèi)的標準差。另一些實施方案提供了在以上實施方案中的每個中，納米結構為金屬納米線(例如，銀納米線)。墨水組合物可以基于全部納米結構(例如，納米線)的所需濃度來制備，該濃度是形成在襯底上的最終傳導膜的裝填密度的指標。襯底可以是于其上沉積納米線的任何材料。襯底可以是剛性的或柔性的。優(yōu)選地，該襯底還是光學透明的，即，該材料在可見光區(qū)內(nèi)(400nm-700nm)的光透射率為至少80%。、剛性襯底的示例包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸樹脂等。具體地，可以使用諸如無堿玻璃(例如，硼硅酸鹽)、低堿玻璃以及零膨脹玻璃陶瓷的特種玻璃。該特種玻璃尤其適于薄板顯示系統(tǒng)，包括液晶顯示器(IXD)?！と嵝砸r底的示例包括，但不限于聚酯類(例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸酯和聚碳酸酯)、聚烯烴類(例如線型的、分支的和環(huán)狀的聚烯烴)、乙烯類聚合物(例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯等)、纖維素酯堿類(例如三醋酸纖維素、醋酸纖維素)、諸如聚醚砜的聚砜、聚酰亞胺、硅酮以及其它傳統(tǒng)的聚合物膜。墨水組合物可根據(jù)例如在共同未決的第11/504，822號美國專利申請中描述的方法沉積在襯底上。旋轉(zhuǎn)涂布是用于在襯底上沉積均勻膜的典型技術。通過控制裝填量、旋轉(zhuǎn)速度以及時間，可以形成各種厚度的薄膜。應該理解，懸浮流體的粘性、剪切行為以及納米線之間的相互作用會影響所沉積的納米線的分布和互連性。例如，可以將本文所描述的墨水組合物以1000rpm/s的加速度、400_2000rpm的速度旋涂在玻璃襯底上60秒。薄膜還可以經(jīng)受某些后期處理，包括在50°C烘焙90秒和在140°C烘焙90秒?？梢赃M一步應用通過或不通過加熱的加壓處理來調(diào)節(jié)最終的膜規(guī)格。如本領域技術人員所理解的，還可以應用其他的沉積技術，例如，由窄通道計量的沉淀流、模具流動、在斜面上的流動、縫隙涂布、凹面涂布、微凹面涂布、珠狀涂布、浸潰涂布、狹縫模具涂布等。印刷技術也可以用于通過或不通過構圖直接將墨水組合物印刷在襯底上。例如，可以應用噴墨、柔版印刷以及絲網(wǎng)印刷。納米線尺寸測量納米結構(例如納米線)的長度和寬度以及其數(shù)量可以通過將顯微術和軟件輔助的圖像分析(例如從加拿大魁北克的Clemex科技公司可獲得)相結合來測量和計數(shù)。不管用于測量和計數(shù)的技術如何，利用國家標準與技術研究院(NationalInstituteStandardsandTechnology,NIST)的可追溯標準定期對包括光學器件、照相機以及圖像分析軟件的顯微鏡系統(tǒng)進行校驗和/或校準。設置有高分辨率數(shù)字照相機、Clemex鏡臺以及Clemex分析軟件的光學顯微鏡(例如，OlympusBX51)可以用于測量納米線的放大圖像。應調(diào)節(jié)對顯微鏡的照明，以使得每個納米結構被清楚地照亮，以強調(diào)納米結構相對于背景的對比度，以使得圖像分析軟件可以精確地識別和測量納米結構。例如，顯微鏡可以設置為暗視野并且將圖像以500倍放大率聚焦在監(jiān)視器上。監(jiān)視器上的每個幀可以設置為代表膜上的258iimX193iim的區(qū)域。線密度應該使得大多數(shù)的線彼此隔離且不交疊。當每幀存在不超過25條(或者更典型地不超過40條)線時，可以控制或最小化交疊。為了降低交疊線的發(fā)生率，納米線的最初稀釋分散體可以被進一步稀釋。如果線過于稀疏(每幀少于5條)，那么應該增加起始納米線分散體中的納米線濃度。將觸及圖像邊緣的納米線或者被圖像邊緣截短的納米線自動地從利用圖像分析軟件的測量中消除。此外，從測量和計數(shù)中排除例如具有小于10的長寬比的納米結構的明亮對象。例如，為了測量納米線群組的長度，可以將異丙醇中的金屬納米線的初始稀釋分散體(約0.001wt%的金屬)以IOOOrpm的速度旋涂在2"X2"的干凈玻璃片上30秒。然后將膜烘干。可以通過啟動利用Clemex軟件的專用程式或程序來測量納米線的長度Prolog001EditAnalysisProperties002LoadStagePattern(應該僅在PrologcI1使用)File:length,stgI.)ath:C:IaFiles.....Pa11ernEndofProlos.1001Grab002TopHatonWhitex8Level:WhiteSize:8Reconstructioncycles:4Confidentitt!TESTMETHODPage3of3003RelativeGrayThresholdBPLI,Cl(10.384-207,384),€2(0.000-0.000)Background:BlackMeanMethod:Mean十Cl+C2*STD004Fill=>BPLlFillborderobjects:No005TrapBPLI->None6\6006SquareGridIxI->BP1.8OverallGridDimensions1392X1040pixels258x193jim007Transfer(BPL1SELBPL8)->None008ObjectTransferBPLl->BPL2AspectRatiogreaterthan3009ObjectMeasures(BPL1,2)->OBJMl□StringLength□AspectRatio□StringLengthSquared010Clear=>AllEpilog001GenerateReport(應該僅在Epilog中使用)ReportTemplate:DefaultFolder|using:#9\test2.xltSaveReport:To”C:\Clemex\LengthAnalyses\SampIe.xls^,OverwriteProtection:YesPrintReport:NoCloseReport:No002SaveAnalysisResultstoLengthDataxxr'Destination;C:\Clemex\LengthAnalyses\clemexdataf]les\LengthData.cxrOverwriteProtection:YesCloseafterSaving:NoEndofEpilog程序在經(jīng)過144幀時，自動地測量長度。在測量完成后，Clemex軟件將產(chǎn)生包含所有關鍵數(shù)據(jù)(包括平均長度、標準差、平均長度平方以及分組的長度分布)的統(tǒng)計報告。為了接受結果，全部線計數(shù)應該在800-6000條線之間。如果線計數(shù)在該范圍之外，必須通過對初始納米線分散體進行稀釋調(diào)節(jié)來重復測試。如本文所討論的，例如具有小于10的長寬比的納米結構的明亮對象被排除在計數(shù)之外。通過掃描電子顯微鏡(SEM)來測量納米線的寬度。為了制備樣品，將甲醇r0.05wt%的金屬)中的數(shù)滴稀釋納米線分散體加到干凈的鋁SEM樣品臺上。將甲醇干燥，并用額外量的甲醇對樣品進行多次漂洗，以從納米線除去任何有機殘留物。在將樣品插入SEM儀器(例如，HitachiS-4700SEM，利用NIST可追溯標準定期校驗和/或校準)之前將樣品烘干。SEM束加速電壓被設置為約10.OkV。典型地，在60K至80K處獲得8張或更多張SEM照片。應該為測量至少150根線獲得足夠的照片(典型地為6-10張照片)。為了精確地測量和分析，在薄層中應將納米線彼此分離并且清除任何有機殘留物。此外，圖像應該良好地聚焦。在獲得SEM圖像之后，將圖片上傳到Clemex圖像分析軟件中，通過專用分析程式編程001EditAnalysisPropertiesEndofProlog001LoadImage^TIF1File:liMIFPath:C:\Clemex\SEMwidthphotosUseDefaultCalibration:No002RelativeGrayThresholdBPLKCl(0.000-0.488)..C2(0.000-0.000)Background:WhiteMeanMethod:Cl*Mean+C2PauseOnRun003InvertBPLl->BPL2004PauseEditLineBPL3measurewires!!005(BPL2ANDBPL3)->BPL6006ObjectTransftrBPL6->NoneStringLengthlessthan0.005{im007ObjectMeasures(BPL6)->OBJMlStringLengthAspect.RatioStringLengthSquared008Clear=>All001EditAnalysisPropertiesEndofField001GenerateReport(應該僅在Epilog中使用)ReportTemplate:C:\Clemex\templates\width.XLTSaveReport:To"CACIenieX^WidthAnaIyses\SampIe.x!s"OverwriteProtection:YesPrintReport:NoCloseReport:No002SaveAnalysisResultsto'WidthData,cxr'Destination:C:\Clemex\WidtliAnalyses\CkniexfilesXWidthData,cxrOverwriteProtection:YesCloseafterSa￥ing:NoEndofEpiiog為了測量寬度，圖像中全部納米線的輪廓首先被自動加亮。用戶可以手動地調(diào)節(jié)每個圖像上的相對灰度閾值，以確保在分析前將納米線精確地加亮。用戶還可以選擇和標記待測量的每條單獨的線。然后，Clemex軟件(或者其它適當?shù)能浖ぞ?將收集全部分析數(shù)據(jù)并生成包含全部關鍵數(shù)據(jù)(包括平均直徑和標準差、平均直徑平方以及分組的直徑分布)的統(tǒng)計報告。通過以下非限制性實施例進一步闡述本文所描述的各個實施方案。實施例實施例I銀納米線的多階段合成在兩階段過程中合成了符合確定的粒度分布圖的銀納米線。首先通過在37克丙二醇(14%w/w)中混合6克AgNO3來制備硝酸銀(AgNO3)溶液。將445克丙二醇和7.2克聚乙烯吡咯烷酮加到反應容器中，然后將其加熱至90°C。在反應容器中的混合物在90°C穩(wěn)定之后，在加入硝酸銀之前用氮氣將反應容器的頂部空間中的氣氛凈化至少5分鐘。在反應的第一階段中，使用了全部硝酸銀的一半。因此，向被加熱的反應器相繼加入丙二醇(10%溶液)中的0.6%的硝酸銀溶液和I.18克的四正丁基氯化銨水合物，隨后加A49.4%的硝酸銀溶液。使反應進行12-16小時。在反應的第二階段中，在徑向生長被有效地停止的同時軸向生長占據(jù)主導。在將銀離子的濃度保持基本恒定(在8小時時間段中)的同時逐漸加入硝酸銀溶液的剩余50%。使反應進行總共24小時，在此期間保持氮凈化。在反應完成時，用100克去離子(DI)水對反應混合物進行淬滅。該反應可以在環(huán)境光線(標準的)下或者在黑暗中進行，以使生成的銀納米線的光誘導退化最小化。實施例2銀納米線的純化實施例I的粗制產(chǎn)品包括粗制液體(例如,反應溶劑、DI水、反應副產(chǎn)品)，以及所形成的納米線。還存在少量納米顆粒和納米棒。將粗制產(chǎn)品收集到封閉沉淀容器中并沉淀4至20天。在沉淀之后，粗制產(chǎn)品被分離成上清液和沉淀物。沉淀物主要包含銀納米線，而粗制液體、納米棒以及納米顆粒留在上清液中。將上清液去除，并將沉淀物再次懸浮在DI水中并在搖桿架(rockertable)上搖動，以便于混合。為了獲得最終的再懸浮，使用重復的吸液(pipeting)。圖4示出了純化對直徑分布的影響。粗制納米線與純化后的納米線均遵循基本正態(tài)分布。純化過程幾乎除去了直徑為15nm或更小直徑的全部納米線。純化后的納米線在直徑的平均值附近還具有更小的延展或變化。實施例3確定長度分布根據(jù)實施例I和2制備和純化了三批次的銀納米線。從每個批次中隨機地收集納米線的樣品。如本文所描述的那樣，利用光學顯微鏡和Clemex軟件測量每個樣品中納米線的長度。表I示出了在三批次中制備的納米線的粒度分布。表I權利要求1.一種透明導體，包括多個傳導納米結構，其中所述透明導體的霧度小于1.5%，所述透明導體的光透射率超過90%，所述透明導體的薄層電阻小于350歐姆/平方。2.如權利要求I所述的透明導體，其中所述薄層電阻小于50歐姆/平方。3.如權利要求I所述的透明導體，其中所述霧度小于0.5%。4.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過55um。5.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過45um。6.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至50iim。7.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至30iim。8.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均長度約為10-22iim。9.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均長度平方約為120-400iim2。10.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過55nm。11.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體,其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過45nm。12.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑約為15至50nm。13.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑約為20至40nm。14.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均直徑約為26-32nm，并且標準差在4_6nm的范圍內(nèi)。15.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均直徑約為29nm，并且標準差在4_5nm的范圍內(nèi)。16.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過55ym，并且超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過55nm。17.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至50iim，并且超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑約為15至50nm。18.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至30iim，并且超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑約為20至40nm。19.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均長度約為10-22iim，并且長寬比至少為10的傳導納米結構的平均直徑約為26-32nm且標準差在4_6nm的范圍內(nèi)。20.如權利要求1-3中的任一項所述的透明導體，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過45um,并且超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過45nm。21.一種方法，包括從包括金屬鹽和還原劑的反應溶液中生長金屬納米線，其中生長的步驟包括將所述反應溶液中的所述金屬鹽的第一部分與所述還原劑反應第一時間段，以及在第二時間段中逐漸添加所述金屬鹽的第二部分，并且保持所述反應溶液中的所述金屬鹽小于0.l%w/w的基本恒定濃度。22.如權利要求21所述的方法，其中所述金屬納米線是銀納米線，所述金屬鹽是硝酸銀，所述還原劑是丙二醇或乙二醇。23.如權利要求21所述的方法，其中將所述反應溶液中的所述金屬鹽的第一半與所述還原劑反應第一時間段的步驟包括添加具有銨鹽的、所述金屬鹽的所述第一部分中的一部分；以及添加所述金屬鹽的所述第一部分中的剩余部分。24.—種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過55um；粘度調(diào)節(jié)劑；表面活性劑；以及分散流體。25.如權利要求24所述的墨水組合物，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過45iim。26.如權利要求24所述的墨水組合物，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至50iim。27.如權利要求26所述的墨水組合物，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至30iim。28.如權利要求24所述的墨水組合物，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均長度約為10-22um。29.如權利要求24所述的墨水組合物，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均長度平方約為120-400iim2。30.一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過55nm；粘度調(diào)節(jié)劑；表面活性劑；以及分散流體。31.如權利要求30所述的墨水組合物，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過45nm。32.如權利要求30所述的墨水組合物，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑約為15至50nm。33.如權利要求30所述的墨水組合物，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑約為20至40nm。34.如權利要求30所述的墨水組合物，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均直徑約26-32nm，并且標準差在4_6nm的范圍內(nèi)。35.如權利要求30所述的墨水組合物，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均直徑約為29nm,并且標準差在4_5nm的范圍內(nèi)。36.一種墨水組合物，包括多個傳導納米結構；粘度調(diào)節(jié)劑；表面活性劑；以及分散流體，其中，超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過55um,并且超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過55nm。37.如權利要求36所述的墨水組合物，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至50ym，并且超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑約為15至50nm。38.如權利要求36所述的墨水組合物，其中超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為5至30ym，并且超過95%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度約為20至40nm。39.如權利要求36所述的墨水組合物，其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均長度約為10-22um,并且其中長寬比至少為10的傳導納米結構的平均直徑約為26-32nm且標準差在4-6nm的范圍內(nèi)。40.如權利要求36所述的墨水組合物，其中超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的長度不超過45um,并且超過99%的長寬比至少為10的傳導納米結構的直徑不超過45nm。全文摘要本公開涉及低霧度透明導體、墨水組合物以及制造低霧度透明導體和墨水組合物的方法。文檔編號H01B1/02GK102763171SQ201180006215公開日2012年10月31日申請日期2011年1月14日優(yōu)先權日2010年1月15日發(fā)明者加萊那·塞帕,弗蘭克·華萊士申請人:凱博瑞奧斯技術公司