專利名稱：Cmp漿流的閉環(huán)控制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例總體涉及化學(xué)機械拋光基板的方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)機械拋光(CMP)是一種用于平面化基板的常見技術(shù)。CMP利用兩種模式來平面化基板，一種模式是使用化學(xué)成分(一般是漿液或其他流體介質(zhì))的化學(xué)反應(yīng)自基板移除材料，而另一種是機械力。在習(xí)知CMP技術(shù)中，基板載具或拋光頭安裝在載具裝置上，且基板載具或拋光頭被定位為與CMP設(shè)備中的拋光墊接觸。載具裝置對基板提供可控制的壓力以將基板推抵到該拋光墊。拋光墊通過外部驅(qū)動力而相對于基板移動。因此，CMP設(shè)備 會在基板表面與拋光墊之間產(chǎn)生拋光或摩擦移動，同時分散拋光成分以完成化學(xué)與機械作用兩者。然而，隨著在CMP設(shè)備中拋光越多的基板，拋光墊的效率產(chǎn)生變化，最后需要更換拋光墊。拋光墊與拋光漿液是消耗成本的部分，且需要減少更換拋光墊所需的停工維修期量。因此，需降低拋光墊更換頻率，并更有效率地使用拋光漿液。因此，需要一種使用有更長使用壽命的拋光墊且能有效使用傳送至拋光墊的拋光漿液來拋光基板的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例總體涉及用于化學(xué)機械拋光基板的方法。這些方法一般包含以下步驟測量拋光墊的厚度，該拋光墊在拋光表面上具有溝槽或其他漿液傳送特征部。一旦確定拋光表面上的溝槽的深度，即可響應(yīng)于該確定的溝槽深度來調(diào)整拋光漿液的流量。在拋光表面上拋光預(yù)定數(shù)量的基板；接著可視情況而重復(fù)該方法。在一實施例中，一種方法包含以下步驟測量拋光墊的厚度，該拋光墊具有溝槽，這些溝槽配置在該拋光墊的拋光表面中。確定配置在該拋光表面中的這些溝槽的深度；以及響應(yīng)于配置在該拋光表面中的這些溝槽的該確定深度，調(diào)整引入該拋光表面的拋光漿液的流量。拋光預(yù)定數(shù)量的基板，并重復(fù)該方法。在另一實施例中，一種方法包含以下步驟測量拋光墊的厚度，該拋光墊具有溝槽，這些溝槽配置在該拋光墊的拋光表面中。比較該拋光墊的該測量厚度與該拋光墊的初始拋光前厚度，以確定拋光墊厚度減少量。接著計算配置在該拋光表面中的這些溝槽的深度。響應(yīng)于配置在該拋光表面中的這些溝槽的該計算深度，調(diào)整引入該拋光表面的拋光漿液的流量。拋光預(yù)定數(shù)量的基板。該拋光包含以下步驟使該預(yù)定數(shù)量的基板中的每一個基板接觸該拋光墊，且針對該預(yù)定數(shù)量的基板中的每一個基板而以該調(diào)整流量引入該拋光漿液至該拋光墊。然后重復(fù)該方法。在另一實施例中，一種方法包含以下步驟測量拋光墊的厚度，該拋光墊具有溝槽，這些溝槽配置于該拋光墊的拋光表面中。比較該拋光墊的該測量厚度與該拋光墊的初始拋光前厚度，以確定拋光墊厚度減少量；以及計算配置于該拋光表面中的這些溝槽的深度。比較這些溝槽的該計算深度與儲存在查找表中的數(shù)值。以預(yù)定流量向該拋光墊引入漿液；并且該預(yù)定流量依這些溝槽的該計算深度而定。拋光預(yù)定數(shù)量的基板；以及然后重復(fù)該方法。


為使本發(fā)明的上述特征可被詳細理解，可參照實施例來理解上文簡述的本發(fā)明的特定詳細說明，其中部分實施例是圖示于附圖中。然而，應(yīng)注意附圖僅圖示本發(fā)明的典型實施例，因此不應(yīng)被視為限制本發(fā)明的范疇，因為本發(fā)明亦可允許其他等效實施例。圖I為圖不化學(xué)機械拋光系統(tǒng)的一實施例的俯視不意圖。圖2為具有墊片調(diào)節(jié)裝置的拋光臺的部分立體圖。圖3為圖示化學(xué)機械拋光的一實施例的流程圖。 圖4為圖示拋光墊溝槽深度的截面示意圖。圖5A至圖5C為圖示拋光墊溝槽深度的截面示意圖。圖6為一圖表，該圖表圖示了在具有不同溝槽深度的拋光墊中的漿液流量與氧化物移除的關(guān)系。為了幫助理解，已盡可能在圖中使用相同的元件符號來表示圖中共用的相同元件。應(yīng)知在一實施例中所揭示的元件可被有利地使用于其他實施例中而無需特別敘述。
具體實施例方式本發(fā)明的實施例總體涉及用于化學(xué)機械拋光基板的方法。這些方法一般包含以下步驟測量拋光墊的厚度，該拋光墊在拋光表面上具有溝槽或其他的漿液傳送特征部。一旦確定拋光表面上的溝槽的深度，即響應(yīng)于該確定的溝槽深度而調(diào)整拋光漿液的流量。在拋光表面上拋光預(yù)定數(shù)量的基板?？梢暻闆r而重復(fù)該方法?？蓪嵤┍疚乃龅膶嵤├奶囟ㄔO(shè)備雖無限制，但特別有利于在REFLEXION G 系統(tǒng)、REFLEXION LK CMP系統(tǒng)，以及MIRRA MESA 系統(tǒng)中實施這些實施例，這些系統(tǒng)由美國加州圣克拉拉的應(yīng)用材料公司所販售。此外，其他制造商所提供的CMP系統(tǒng)亦可自本文所述的實施例受益。圖I為圖不化學(xué)機械拋光系統(tǒng)100的一實施例的俯視不意圖。CMP系統(tǒng)100包含工廠介面102、潔凈器104與拋光模塊106。設(shè)有濕式機器人108以于工廠介面102和拋光模塊106之間傳送基板170。濕式機器人108亦可配置以于拋光模塊106和潔凈器104之間傳送基板。工廠介面102包括干式機器人110，該干式機器人110被配置以于一或多個盒114與一或多個傳送平臺116之間傳送基板170。干式機器人110具有充足的動作范圍以促進四個盒114與一或多個傳送平臺116之間的傳送。視情況地，干式機器人110固定在軌道或軌部112上，以使機器人110橫向定位于工廠介面102內(nèi)，藉以增加干式機器人110的動作范圍，而不需要大型或復(fù)雜的機器人聯(lián)接。干式機器人110被另配置以接收來自潔凈器104的基板，并將潔凈的拋光基板返回至基板儲存盒114。雖然在圖I所示的實施例中僅有一個基板傳送平臺116，但亦可設(shè)有兩個或兩個以上的基板傳送平臺，從而可排列至少兩個基板以供被濕式機器人108可同時傳送至拋光模塊106。
拋光模塊106包括多個拋光臺124，基板于拋光臺124上固定于一或多個載具頭126a、126b中的同時進行拋光。拋光臺124的大小是可與兩個或兩個以上的載具頭126a、126b同時相接,從而能使用單一拋光臺124同時拋光兩個或兩個以上基板。載具頭126a、126b是耦接至滑動架(未圖示)，該滑動架固定至如圖I中虛線所示的高架軌部128。高架軌部128可使滑動架選擇地定位于拋光模塊106周圍，此舉可幫助載具頭126a、126b選擇地定位于拋光臺124與載杯122上方。高架軌部128具有圓形配置，該圓形配置使得保持有載具頭126a、126b的滑動架可選擇地且獨立地旋轉(zhuǎn)于載杯122與拋光臺124上方和/或離開載杯122與拋光臺124。高架軌部128可具有其他配置，包括橢圓、卵形、線形或其他適合的取向，且可利用其他的適當(dāng)裝置來促進載具頭126a、126b的移動。如圖所不，兩個拋光臺124位于拋光模塊106的相對角落。至少一個載杯122位于最靠近濕式機器人108的拋光臺124之間的拋光模塊106角落中。載杯122幫助濕式機器人108與載具頭126a、126b間的傳送。視情況地，第三拋光臺124(以虛線圖示)位于與 載杯122相對的拋光臺124的角落中。或者，第二對載杯122(同樣以虛線圖示)位于與載杯122相對的拋光模塊106的角落中，這些載杯122位于濕式機器人近側(cè)。其他的拋光臺124可整合進具有較大覆蓋區(qū)域的系統(tǒng)中的拋光模塊106中。各拋光臺124包含拋光墊,該拋光墊具有能夠同時拋光至少兩個基板的拋光表面130。拋光墊可由聚氨基甲酸酯形成。每一個拋光臺124亦包含墊片調(diào)節(jié)裝置140。在一實施例中，墊片調(diào)節(jié)裝置140包含調(diào)節(jié)頭132與拋光流體傳送臂部134，調(diào)節(jié)頭132是通過去除拋光殘材及打開墊片的孔洞而修整拋光墊的拋光表面130。在一實施例中,各拋光臺124包含多個墊片調(diào)節(jié)裝置140。拋光墊被支撐在平臺裝置上，該平臺裝置于處理期間會旋轉(zhuǎn)拋光表面130。拋光表面130適合于化學(xué)機械拋光和/或電化學(xué)機械拋光工藝至少之一。系統(tǒng)100耦接于電源180。為促進對拋光系統(tǒng)100與該拋光系統(tǒng)100上所進行的處理的控制，控制器190連接至拋光系統(tǒng)100，該控制器190包含中央處理單元(CPU) 192、存儲器194，與支援電路1960 CPU 192是可用于工業(yè)設(shè)定以控制各種驅(qū)動器和壓力的任何形式計算機處理器中的一種計算機處理器。存儲器194連接至CPU 192。存儲器194，或計算機可讀取媒體是目前可用的存儲器中的一或多種存儲器，例如隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、軟盤、硬盤，或任何其他形式的數(shù)字儲存器，該存儲器194或計算機可讀取媒體可以是區(qū)域的或遠程的。支援電路196是連接至CPU 192，用于以習(xí)知方式支援處理器。這些電路包含高速緩沖存儲器、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路、次系統(tǒng)等。CMP拋光系統(tǒng)(例如圖I所不的拋光系統(tǒng)100) —般使用拋光墊以輔助從基板移除材料，該拋光墊在拋光表面130上具有一或多個溝槽(未圖示)。一般墊片的溝槽深度約為15密爾(mils)或約30密爾，且該墊片可具有約80密爾的厚度。當(dāng)拋光墊被用于拋光時，拋光表面會磨損且溝槽深度會減少。為了增加拋光墊的使用壽命，可增加拋光墊的厚度，例如達120密爾。相應(yīng)地，溝槽深度也增加，例如達約40密爾、50密爾，或60密爾。然而，若拋光墊的溝槽深度增加而所有其他的工藝參數(shù)都維持恒定，則溝槽深度為40密爾的墊片會比溝槽深度為30密爾的墊片具有較低的拋光率。因此，對溝槽深度為40密爾的拋光墊所施用的拋光漿液的量應(yīng)大于對溝槽深度為30密爾的拋光墊所施用的拋光漿液的量，以產(chǎn)生相等的拋光率。相反地，當(dāng)拋光墊上的溝槽深度減少時，若所有其他工藝參數(shù)都保持固定，則拋光移除率便會增加。除溝槽以外或作為溝槽的替代，拋光墊亦可利用其他的衆(zhòng)液傳送特征部，例如穿孔(perforations)。雖然本文的實施例一般皆以溝槽為主,但應(yīng)了解本文實施例亦可利用具有其他漿液傳送特征部(例如穿孔)的墊片。隨著具有溝槽深度為40密爾的拋光墊來拋光基板，溝槽深度會減少，且拋光率會增加。由于拋光率已經(jīng)因墊片磨損而增加，再繼續(xù)供應(yīng)恒定量的拋光漿液就會變得浪費。因此，本發(fā)明的實施例提供了響應(yīng)于拋光墊的測量溝槽深度而閉環(huán)控制拋光漿液流量的方法。圖2為具有根據(jù)本文所述實施例的墊片調(diào)節(jié)裝置240的拋光臺224的部分立體圖。在一實施例中，墊片調(diào)節(jié)裝置240包含調(diào)節(jié)頭232，該調(diào)節(jié)頭232由支撐裝置246予以支撐，而支撐臂244位于支撐裝置246和調(diào)節(jié)頭232之間。墊片調(diào)節(jié)裝置240還包含位移傳感器260,該位移傳感器260稱接于支撐臂244。在另一實施例中，位移傳感器260可率禹接于調(diào)節(jié)頭232。載具頭226a、226b置于拋光表面230上方。拋光流體傳送臂部234位于拋光表面230上方，且用以在處理期間對拋光墊236提供拋光流體或漿液。通過拋光流體傳送臂234提供的拋光漿液的流量由控制器(未圖示)加以控制。此外，調(diào)節(jié)盤248與拋 光墊表面230相鄰定位，且適用以調(diào)節(jié)拋光墊236。支撐裝置246適用于以定位調(diào)節(jié)頭232使該調(diào)節(jié)頭232與拋光表面230接觸，并進而術(shù)用于提供該調(diào)節(jié)頭232與該拋光表面230間的相對運動。支撐臂244具有耦接至調(diào)節(jié)頭232的遠側(cè)端部與耦接至基部247的近側(cè)端部?；?47經(jīng)旋轉(zhuǎn)以使調(diào)節(jié)頭232掃掠拋光表面230，以調(diào)節(jié)拋光表面230。拋光墊236的拋光表面230具有置于該拋光表面230中的溝槽201。由于調(diào)節(jié)頭232對于拋光墊236的拋光表面230的相對運動，位移傳感器260會進行拋光表面230與拋光墊236的厚度測量。耦接至調(diào)節(jié)臂的傳感器可于正常運作周期中一部分的期間內(nèi)在各個點處測量拋光墊236的厚度，同時附隨的邏輯捕獲并顯示測量數(shù)據(jù)。在某些實施例中，位移傳感器260可利用感應(yīng)式傳感器。在以激光式傳感器作為位移傳感器260的實施例中，可直接測量拋光墊236的厚度。支撐臂244位于相對于平臺裝置241的固定位置中，而激光位于相對于支撐臂的固定位置中。因此，激光相對于平臺裝置241位于固定位置中。通過測量與處理墊間的距離并計算與拋光墊236間的距離和與平臺裝置241間的距離的差異，可確定拋光墊236的剩余厚度。在某些實施例中，利用激光式位移傳感器260的厚度測量分辨率是在25微米內(nèi)。在以感應(yīng)式傳感器作為位移傳感器260的實施例中，間接測量拋光墊236的厚度。支撐臂244繞著樞軸點而被致動，直到調(diào)節(jié)頭232與處理墊236接觸為止。發(fā)出電磁場的感應(yīng)式傳感器安裝至樞轉(zhuǎn)式調(diào)節(jié)支撐臂244的端部。根據(jù)法拉第感應(yīng)定律，在閉合回路中的電壓與單位時間變化量內(nèi)的磁場變化量成正比。施加的磁場越強，所感生的渦電流越大，且相反場亦越大。傳感器的信號直接與傳感器尖端至金屬平臺裝置241之間的距離有關(guān)。當(dāng)平臺裝置241旋轉(zhuǎn)時，調(diào)節(jié)頭232便移至墊片表面，而感應(yīng)式傳感器隨著根據(jù)拋光墊236輪廓的調(diào)節(jié)支撐臂244而升降。當(dāng)感應(yīng)式傳感器更靠近金屬平臺裝置241時，信號的電壓便增加，此舉表示處理墊的磨損。傳感器的信號被處理，且該信號捕獲拋光墊236的厚度變化。在某些實施例中，利用感應(yīng)式傳感器260的厚度測量分辨率是在I微米內(nèi)。圖3為圖示化學(xué)機械拋光的一實施例的流程圖。在步驟380中，利用上述至少其中一種傳感器來測量拋光墊的厚度，此測量被繼送(relayed)至控制器。在步驟382中，t匕較拋光墊的測量厚度與拋光墊的初始拋光前厚度(例如在開始處理時的墊片厚度)。一般而言，初始拋光前厚度亦儲存在控制器中。舉例而言，若拋光墊是一個新的墊片，且初始厚度為已知，則可將此數(shù)值輸入至控制器?；蛘?，若處理墊片的厚度為未知，則可利用傳感器來測量拋光墊的初始拋光前厚度，并將該初始拋光前厚度繼送至控制器以供儲存。通過比較所測量的拋光墊厚度與初始拋光前墊片厚度，控制器即可確定墊片厚度變化量。由于拋光墊在拋光表面處磨損，墊片厚度的差異亦會直接與拋光表面中配置的溝槽的深度變化量有關(guān)。舉例而言，拋光墊厚度與溝槽深度是以相同速率減少。因此，通過測量拋光墊厚度的變化量，便亦可確定溝槽深度的變化量。此外，由于溝槽的數(shù)量與位置(或間距)于墊片制造期間固定，且由于一般的拋光墊的溝槽是具有近似垂直的側(cè)壁，因此所確定的溝槽深度亦可用以計算溝槽容積。在步驟384中，閉環(huán)控制器是響應(yīng)于步驟382中所確定的拋光墊溝槽深度而調(diào)整提供給拋光墊的拋光漿液的流量。一般而言，在開始拋光工藝之前，在控制器中儲存有使用者輸入的查找表。該查找表使拋光漿液的預(yù)定流量與確定或測量的溝槽深度相關(guān)聯(lián)。流量 可隨工藝不同而變化，且流量亦與墊片組成、漿液組成或基板材料有關(guān)。一般而言，流量是憑經(jīng)驗決定。在步驟386中，針對之后處理的每一個基板而以相應(yīng)流量對拋光墊提供拋光漿液，并連續(xù)拋光預(yù)定數(shù)量的基板。舉例而言，可利用對應(yīng)于最后確定的拋光墊溝槽深度的拋光漿液流量來連續(xù)拋光200個、300個、500個或1000個晶片。在可選的步驟388中，重復(fù)步驟380、382、384與386。雖然步驟380、382、384與386可比每隔數(shù)百個基板更經(jīng)常地重復(fù)，例如在拋光每一個基板之后，但一般如此做并無益處。一般而言，在僅拋光單一基板后，溝槽深度的變化量并不足以使拋光漿液流量產(chǎn)生顯著改變。因此，在已經(jīng)拋光至少約500個基板之后再確定拋光墊溝槽深度及調(diào)整拋光漿液流量即已足夠。然而，當(dāng)拋光墊厚度減少且拋光墊接近該拋光墊處理壽命終點時，便需要更頻繁地測量拋光墊厚度并確定溝槽深度。如此是因為在接近墊片的使用壽命終點時，拋光墊會面臨拋光移除率的“尖峰”。通過更經(jīng)常地測量墊片厚度，即可更輕易地辨識出何時需要更換墊片。此外，更頻繁的墊片測量可幫助避免因“尖峰”期間的過度拋光而產(chǎn)生的基板損傷，且亦有助于避免浪費過多耗材，例如拋光漿液。圖4是圖示拋光墊溝槽深度的截面示意圖。在圖4所示的實施例中，拋光墊436具有不同深度的溝槽401。溝槽最初具有拋光前深度，約為40密爾。然而在拋光之后，溝槽401會具有減少的深度，例如約30密爾或15密爾。另外或替代，在拋光之前，墊片可具有不同深度的多種溝槽。當(dāng)溝槽401接近或大于約5密爾的深度時，一般便應(yīng)更換墊片。圖5A至圖5C為圖示拋光墊溝槽深度的截面示意圖。在圖5A中，拋光墊536a的溝槽501a的深度為40密爾。拋光墊536a的厚度介于約80密爾至120密爾之間。圖5B圖示具溝槽501b的拋光墊536b。溝槽501b具有約30密爾的深度。拋光墊536b具有約100密爾的厚度。當(dāng)溝槽深度達約5密爾時，該墊片即視為已磨穿，且一般之后即需快速更換。圖5C圖示具有深度約15密爾的溝槽501c的拋光墊536c。為了增加拋光墊的可使用壽命,可增加拋光墊厚度與拋光墊溝槽深度。舉例而言，就習(xí)知墊片而言，溝槽深度可從約30密爾增加到約40密爾，如圖5A所示。在另一實施例中，溝槽深度增加至約50密爾或約60密爾。如上所述，為產(chǎn)生相同拋光率，溝槽深度約40密爾的拋光墊通常需要的拋光漿液流量比溝槽深度為30密爾的拋光墊所需的更大。因此，當(dāng)溝槽深度減少時，拋光漿液的流量亦需降低，使拋光率維持基本恒定。圖6為一圖表，該圖表圖示了在具有不同溝槽深度的拋光墊中的漿液流量與氧化物移除的關(guān)系。如圖6所示，溝槽深度為40密爾的拋光墊需要較高的拋光漿液流量(例如，漿液流量偏移至右側(cè))，以得到與溝槽深度為30密爾的拋光墊相同的拋光移除率。就溝槽深度為30密爾的拋光墊而言，每分鐘100毫升的漿液流量能夠在每分鐘移除約1200埃。當(dāng)漿液流量增加至每分鐘200毫升時，溝槽深度為30密爾的拋光墊每分鐘能夠移除約1750埃。當(dāng)漿液流量增加至每分鐘300毫升時，溝槽深度為30密爾的拋光墊每分鐘能夠移除約1800 埃。相較之下，當(dāng)拋光漿液流量為每分鐘200毫升時，溝槽深度為40密爾的拋光墊每分鐘僅可移除約1400埃的材料。當(dāng)漿液流量增加至每分鐘300毫升時，溝槽深度為40密爾的拋光墊每分鐘能夠移除約1600埃。溝槽深度為40密爾的拋光墊需要每分鐘為400毫升的漿液流量，以產(chǎn)生每分鐘約1750埃的移除率，該移除率近似于溝槽深度為30密爾的拋光墊在漿液流量為每分鐘200毫升時的移除率。此外，本文所述的方法是可用于初始溝槽深度低于40密爾(例如約30密爾)的墊片。然而，當(dāng)溝槽深度低于30密爾時，溝槽深度僅為影響拋光率的次要因素。當(dāng)溝槽深度大于30密爾時，才會發(fā)現(xiàn)溝槽深度與移除率之間更強的關(guān)系；因此，在使用溝槽深度大于30密爾的墊片時，更加關(guān)注利用漿液流的閉環(huán)控制。閉環(huán)控制系統(tǒng)可在傳送至拋光墊的漿液量因墊片磨損而降低時仍維持恒定的拋光率。漿液流的閉環(huán)控制允許使用具有較長使用壽命的墊片，此舉降低了需更換墊片的頻率。此外，響應(yīng)于墊片厚度而進行的漿液流閉環(huán)控制允許針對墊片厚度與溝槽深度而調(diào)整漿液流量，如此有助于確保不會浪費地對墊片供應(yīng)過多漿液。拋光漿液的閉環(huán)控制可通過不浪費消耗材而于拋光墊壽命中明顯節(jié)省成本。本文所揭示的實施例允許有效使用有更長使用壽命的較厚拋光墊，同時仍維持高的基板處理量。 盡管前述說明是與本發(fā)明的實施例有關(guān)，可推知本發(fā)明的其他與進一步實施例，這些其他與進一步實施例并不背離本發(fā)明的基本范疇；本發(fā)明的基本范疇由所附權(quán)利要求書所確定。
權(quán)利要求
1.一種方法，該方法包含以下步驟 (a)測量拋光墊的厚度，所述拋光墊具有溝槽，這些溝槽配置在所述拋光墊的拋光表面中； (b)確定配置在所述拋光表面中的這些溝槽的深度； (C)響應(yīng)于配置在所述拋光表面中的這些溝槽的所述確定深度，調(diào)整引入所述拋光表面的拋光漿液的流量； (d)拋光預(yù)定數(shù)量的基板；以及 (e)重復(fù)步驟(a)至(d)。
2.如權(quán)利要求I的方法，其中所述預(yù)定數(shù)量的基板約為500個基板。
3.如權(quán)利要求I的方法，其中所述預(yù)定數(shù)量的基板約為1000個基板。
4.如權(quán)利要求I的方法，其中配置于所述拋光墊表面中的溝槽具有約40密爾的初始深度。
5.如權(quán)利要求I的方法，其中所述調(diào)整所述流量的步驟包含以下步驟當(dāng)這些溝槽的深度減少時，降低所述拋光漿液的所述流量。
6.如權(quán)利要求5的方法，其中所述測量拋光墊厚度的步驟包含以下步驟使用感應(yīng)式傳感器來測量所述厚度。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中所述調(diào)整所述流量的步驟包含以下步驟使這些溝槽的所述確定深度與查找表中的預(yù)定漿液流量相關(guān)聯(lián)，所述查找表儲存于計算機可讀取媒體上。
8.一種方法，包含以下步驟 (a)測量拋光墊的厚度，所述拋光墊具有溝槽，這些溝槽配置在所述拋光墊的拋光表面中； (b)比較所述拋光墊的所測量的厚度與所述拋光墊的初始拋光前厚度，以計算拋光墊厚度減少量； (C)計算配置在所述拋光表面中的這些溝槽的深度； (d)響應(yīng)于配置在所述拋光表面中的這些溝槽的所述確定深度，調(diào)整引入所述拋光表面的拋光漿液的流量； (e)拋光預(yù)定數(shù)量的基板，所述拋光的步驟包含以下步驟使所述預(yù)定數(shù)量的基板中的每一個基板接觸所述拋光墊，且針對所述預(yù)定數(shù)量的基板中的每一個基板而以所調(diào)整的流量引入所述拋光漿液至所述拋光墊；以及 (f)重復(fù)步驟(a)-(e)。
9.如權(quán)利要求8的方法，其中所述調(diào)整拋光漿液的流量的步驟包含以下步驟當(dāng)配置在所述拋光表面中的這些溝槽的所述深度減少時，降低所述拋光漿液的所述流量，從而維持基本恒定的拋光移除率。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中調(diào)整流量的步驟包含以下步驟使這些溝槽的所述確定深度與查找表中的漿液流量相關(guān)聯(lián)，所述查找表儲存于計算機可讀取媒體中。
11.如權(quán)利要求10的方法，其中所述測量拋光墊的厚度的步驟包含以下步驟使用感應(yīng)式傳感器來測量所述厚度。
12.—種方法，包含以下步驟(a)測量拋光墊的厚度，所述拋光墊具有溝槽，這些溝槽配置于所述拋光墊的拋光表面中； (b)比較所述拋光墊的所測量的厚度與所述拋光墊的初始拋光前厚度，以確定拋光墊厚度減少量； (C)計算配置于所述拋光表面中的這些溝槽的深度； (d)比較這些溝槽的所述計算深度與儲存在查找表中的數(shù)值； (d)以預(yù)定流量對所述拋光墊引入漿液；所述預(yù)定流量依這些溝槽的所述計算深度而定; (e)拋光預(yù)定數(shù)量的基板；以及 (f)重復(fù)步驟(a)至(e)。
13.如權(quán)利要求12的方法，進一步包含以下步驟當(dāng)這些溝槽具有約5密爾或小于5密爾的深度時，更換所述拋光墊。
14.如權(quán)利要求13的方法，其中所述對所述拋光墊引入漿液的步驟包含以下步驟當(dāng)配置在所述拋光表面中的這些溝槽的所述深度減少時，降低所述拋光漿液的所述流量，從而維持基本恒定的拋光移除率。
15.如權(quán)利要求14的方法，其中所述測量所述拋光墊厚度的步驟包含以下步驟使用感應(yīng)式傳感器來測量所述厚度，并且其中所述計算配置在所述拋光表面中的這些溝槽的深度的步驟進一步包含以下步驟確定配置在所述拋光表面中的這些溝槽的容積。
全文摘要
本發(fā)明的實施例總體涉及用于化學(xué)機械拋光基板的方法。這些方法一般包含以下步驟測量拋光墊的厚度，該拋光墊在拋光表面上具有溝槽或其他的漿液傳送特征部。一旦確定該拋光表面上的這些溝槽的深度，即可響應(yīng)于所確定的溝槽深度而調(diào)整拋光漿液的流量。在該拋光表面上拋光預(yù)定數(shù)量的基板?？梢暻闆r而重復(fù)該方法。
文檔編號H01L21/304GK102782815SQ201180007344
公開日2012年11月14日 申請日期2011年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月6日
發(fā)明者G·E·蒙柯, S·D·蔡, S·J·肖, S·瀚達帕尼 申請人:應(yīng)用材料公司