專利名稱：Led包封樹脂體，led裝置和led裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及包封LED芯片的LED包封樹脂體、使用了它的LED裝置和LED裝置的制造方法。
背景技術：
·近年來，LED (Light Emitting Diode)被用于照明，期望著更高亮度、更高壽命的LED的開發(fā)。就半導體芯片而言，通常為了得以保護而被樹脂包封。LED芯片也歷來由環(huán)氧樹脂進行包封。另外，隨著高亮度的LED被實用，耐熱性更高的硅樹脂被用作包封材料。但是，即使在以硅樹脂包封LED芯片的情況下，特別是在近年實用化的高亮度LED芯片上若流通大電流，則LED芯片和硅樹脂自身的溫度變高。因此，硅樹脂的氧化所造成的固化劣化進行、產(chǎn)生裂紋這樣的課題存在。另外由硅樹脂包封的LED芯片在室外使用吋，因紫外線導致硅樹脂劣化從而發(fā)生裂紋這樣的課題存在。專利文獻I和2公開了以下技術，為了使硅樹脂的耐熱性、耐紫外線性提高，作為熱穩(wěn)定劑，添加調(diào)配氧化鈰、氧化鈦，氧化鐵等的金屬氧化物。先行技術文獻專利文獻專利文獻I :特開昭52-14654號公報專利文獻2 :特開2000-21244號公報專利文獻I作為絕緣材料公開ー種硅樹脂，使其涂布或浸滲于玻璃纖維制品來加以使用。另外，專利文獻2作為連接器用絕緣構件而公開一種硅樹脂。本申請發(fā)明者遵循專利文獻I或2所公開的方法，在嘗試制作硅樹脂、以包封LED芯片時，發(fā)現(xiàn)了硅樹脂的透明度降低、可視光的透射率降低這樣的問題。另外，出于這些理由，作為LED裝置的發(fā)光效率降低這樣的課題還存在。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明其目的在于，提供一種可解決這樣的現(xiàn)有技術課題的至少ー個、且耐熱性優(yōu)異、并適合作為發(fā)光元件的包封材料的LED包封樹脂體，LED裝置和LED裝置的制造方法。本發(fā)明的LED包封樹脂體含有熒光體；在所述熒光體的表面或表面鄰域所配置的耐熱性材料；使配置有所述耐熱性材料的所述熒光體得以分散的硅樹脂。另外，本發(fā)明的LED包封樹脂混合物含有未固化的硅樹脂；熒光體；在所述熒光體的表面或表面鄰域所配置的耐熱性材料。另外，本發(fā)明的LED裝置配備支承體；由支承體所支承的LED芯片；至少覆蓋所述LED芯片的出射面且被配置在所述支承體上的上述LED包封樹脂體。根據(jù)本發(fā)明的LED包封樹脂體和LED包封樹脂混合物，承載有耐熱性材料的熒光體被分散在硅樹脂或未固化的硅樹脂中。因此，通過使用該LED包封樹脂體或LED包封樹脂混合物作為LED芯片的包封材料，借助耐熱性材料，而使硅樹脂的耐熱性和耐紫外線性提高。另外，因為耐熱性材料承載于熒光體上，所以能夠抑制從LED芯片出射的光向LED包封樹脂體的外部出射的效率降低。因此，能夠實現(xiàn)耐熱性和耐紫外線性優(yōu)異，發(fā)光效率高的LED裝置。另外，本發(fā)明的LED裝置的制造方法，包括如下エ序將在表面或表面鄰域配置有耐熱性材料的熒光體加以準備的エ序；將配置有所述耐熱性材料的熒光體和未固化的硅樹脂進行混合，得到未固化的LED包封樹脂混合物的エ序；將所述未固化的LED包封樹脂混合物按照至少覆蓋支承體所支承的LED芯片的出射面的方式配置在所述支承體上，使所述未固化的LED包封樹脂混合物固化的エ序。因此，能夠制造耐熱性和耐紫外線性優(yōu)異，發(fā)光效率高的LED裝置。根據(jù)本發(fā)明的LED包封樹脂體，承載有耐熱性材料的熒光體被分散在硅樹脂中。因此，通過使用該LED包封樹脂體作為LED芯片的包封材料，借助耐熱性材料，而使硅樹脂的耐熱性和耐紫外線性提高。另外，因為耐熱性材料承載在熒光體上，所以能夠抑制從LED芯片出射的光向LED包封樹脂體的外部出射的效率降低。因此，能夠實現(xiàn)耐熱性和耐紫外 線性優(yōu)異，發(fā)光效率高的LED裝置。


圖I是表示本發(fā)明的LED裝置的ー實施方式的模式化的剖面圖。圖2(a)至(d)是表示未固化的LED包封樹脂混合物的制造エ序的圖。圖3(a)至(C)是表示圖I所示的LED裝置的制造エ序的圖。圖4是表示本發(fā)明的LED裝置的另ー實施方式的模式化的剖面圖。圖5是表示本發(fā)明的LED裝置的另ー實施方式的模式化的剖面圖。圖6是表示比較例I的LED裝置的模式化的剖面圖。圖7是表示比較例2至4的LED裝置的模式化的剖面圖。圖8是表示實施例I至5的LED裝置的裂紋發(fā)生時間與氧化鈰的含量的關系的曲線圖。圖9是表示實施例I至5的LED裝置的發(fā)光強度與氧化鈰的含量的關系的曲線圖。
具體實施例方式以下，說明本發(fā)明的LED包封樹脂體、LED裝置和LED裝置的制造方法的實施方式。圖I是表示本發(fā)明的LED裝置的ー實施方式的模式化的剖面圖。如圖I所示，LED裝置51具有支承體23、LED芯片14、LED包封樹脂體17。支承體23支承LED芯片14。在本實施方式中，LED裝置51具有可以進行表面貼裝的構造，因此支承體23是基板。因為本發(fā)明被適用于高亮度LED裝置，所以優(yōu)選支承體23具有高熱傳導率，以便能夠使LED芯片上發(fā)生的熱量高效率地向外部擴散。例如，由氧化鋁和氮化鋁等構成的陶瓷基板能夠適合作為支承體23使用。對LED芯片14沒有特別限制，能夠使用出射各種波長的光的LED芯片作為LED芯片14。具體來說，作為LED芯片14能夠使用藍色LED芯片、紫色LED芯片、紅色LED芯片、綠色LED芯片等。LED芯片14被在支承體23上以出射面14a朝上的方式由焊料27等固定在支承體23上。另外，LED芯片14經(jīng)由鍵合線21、與設于支承體的電極22電連接。
本實施方式的LED包封樹脂體17，含有硅樹脂12、熒光體13、耐熱性材料15。在硅樹脂12中，能夠使用作為半導體發(fā)光元件的包封樹脂所使用的各種化學式所規(guī)定的結構的硅樹脂。特別是優(yōu)選含有耐變色性高的ニ甲基硅。另外，耐熱性高的甲基苯基硅等也適合用作硅樹脂12。硅樹脂12可以是由I種化學式規(guī)定的具有硅氧烷鍵形成的主骨架的高分子，也可以是2種以上的高分子的共聚物和合金。在本申請說明書中，LED包封樹脂體17中的硅樹脂12處于固化后的狀態(tài)。因此，LED包封樹脂體17也處于固化的狀態(tài)。如以下說明的，LED包封樹脂體17，能夠使用未固化的硅樹脂制作。硅樹脂一般是通過混合主劑和固化劑而促進固化的ニ液型。但是，也能夠使用熱固化型或通過照射光等的能量而固化的能量固化型的硅樹脂作為硅樹脂12。熒光體13吸收從LED芯片14出射的光之中的、一部分的波長成分或全部的波長成分而發(fā)出突光。所吸收的光的波長和突光的波長由突光體13所含的突光材料決定。例如，作為LED芯片14，使用藍色LED芯片或紫色LED芯片，作為熒光體13能夠使用釔鋁石榴石系的YAG熒光體。這種情況下，熒光體13吸收從LED芯片14出射的藍色光或紫色光之 中的一部分、發(fā)出從紅色到緑色的熒光。因此，未被熒光體13吸收的藍色光或紫色光與從熒光體13發(fā)出的紅色到綠色的熒光被混合，從LED裝置51出射白色光。作為熒光體13，除了 YAG熒光體以外，還能夠使用的有例如使用了硅酸鍶/鋇系熒光體、ZnS系熒光體、Y2O2系熒光體、氮化物和氮氧化物的熒光體；紅色發(fā)光熒光體；藍色發(fā)光熒光體；緑色發(fā)光熒光體等。另外，熒光體的大小優(yōu)選為I微米至30微米。優(yōu)選熒光體13以相對于娃樹脂100重量份而為3重量份以上、50重量份以下的比例被包含在LED包封樹脂體17中。熒光體13的含量比3重量份少時，得不到充分的強度的熒光，因此不能實現(xiàn)發(fā)出期望波長的光的LED裝置51的情況存在。另外，熒光體13的含量比50重量份多吋，從LED芯片出射的光之中，不被熒光體吸收而透射的光的光量變少，即使透射光和熒光混合，仍發(fā)不出白色光的可能性存在。耐熱性材料15抑制硅樹脂12因從LED芯片14擴散的熱和紫外線而發(fā)生劣化。作為耐熱性材料15，優(yōu)選含有從氧化鈰、氧化鈦、氧化鐵所構成的群中選擇的至少ー種，更優(yōu)選由耐熱性和耐紫外線性效果高的氧化鈰構成。氧化鋪等的耐熱性材料使娃樹脂的耐熱性和耐紫外線性提聞的通由，考察為如下(i)由于熱和紫外線的照射，與硅樹脂12的氧化反應存在關聯(lián)可能性的自由基(基團radical)在硅樹脂12中發(fā)生，(ii)氧化鈰中的鈰離子(耐熱性材料中的金屬離子)與這樣的基團反應，自身發(fā)生還原，由此使基團無害化，從而抑制因硅樹脂的氧化造成的固化劣化。0028在LED包封樹脂體17中，耐熱性材料15被承載于熒光體13的粒子上，承載有耐熱性材料15的熒光體13被分散在硅樹脂12中。耐熱性材料15位于熒光體13粒子的表面或表面鄰域。如以下的實施例中詳細說明的，如果耐熱性材料15包含在LED包封樹脂體17中，則能夠得到耐熱性和耐紫外線性效果。但是，本申請發(fā)明者的詳細的研究結果發(fā)現(xiàn)，耐熱性材料15獨立于熒光體而分散在硅樹脂12中時，從LED裝置51出射的光的亮度降低。另外可知，該亮度的降低能夠通過使熒光體13承載耐熱性材料15、且將承載有耐熱性材料15的熒光體13分散在硅樹脂12中來加以抑制。這被認為是由于，如果耐熱性材料15獨立于熒光體13而分散在硅樹脂12中，則從熒光體13出射的熒光、和從LED芯片14出射而沒有入射熒光體13的光，入射到耐熱性材料15，且被容易吸收。就耐熱性材料15而言，優(yōu)選在被熒光體13承載的狀態(tài)下，以相對于硅樹脂100重量份而為O. 005重量份以上、O. I重量份以下的比例被包含在LED包封樹脂體17中。耐熱性材料15的含量比O. 005重量份少時，有不能充分獲得耐熱性、耐紫外線性的效果的情況。另外，耐熱性材料15的含量越多，硅樹脂的耐氧化性、耐熱性、耐紫外線性越提高。但是，如果耐熱性材料15的含量比O. I重量份多，則從LED裝置51出射的光的強度，即LED裝置51的發(fā)光強度降低。LED包封樹脂體17也可以含有其他的添加材料。例如，作為添加劑能夠調(diào)配與硅樹脂的折射率差小、且發(fā)光強度的降低少、并且基于BET法的比表面積為130m2/g左右以上的ニ氧化硅微粉等。這樣的ニ氧化硅微粉所起到的效果是，抑制LED包封樹脂體中的熒光體的沉積。
根據(jù)本實施方式的LED包封樹脂體，承載有耐熱性材料的熒光體被分散在硅樹脂中。因此，通過使用該LED包封樹脂體作為LED芯片的包封材料，借助耐熱性材料，而使硅樹脂的耐熱性和耐紫外線性提高。另外，因為耐熱性材料承載于熒光體上，所以能夠抑制從LED芯片出射的光向LED包封樹脂體的外部出射的效率發(fā)生降低。因此，能夠實現(xiàn)耐熱性、耐紫外線性優(yōu)異，發(fā)光效率高的LED裝置。接著說明LED裝置的制造方法。首先，制作未固化的LED包封樹脂混合物。未固化的LED包封樹脂混合物經(jīng)由如下エ序獲得將承載有耐熱性材料的突光體加以準備的エ序；將承載有耐熱性材料的突光體和未固化的硅樹脂混合的エ序。承載有耐熱性材料的熒光體可以通過各種方法形成，例如，可以采用離子鍍等物理蒸鍍方法，也可以采用運用了氣體擴散的承載方法而使耐熱性材料承載于熒光體上。另外，也可以使構成耐熱性材料的金屬的絡合物溶解在溶劑中之后，混合熒光體，除去溶劑后，以金屬絡合物被承載于熒光體的狀態(tài)進行燒成，由此使金屬氧化，從而形成承載有耐熱性材料的熒光體。因為該方法能夠使耐熱性材料均均地承載在熒光體的表面，所以優(yōu)選。以下，作為耐熱性材料使用氧化鈰，更具體地說明制作未固化的LED包封樹脂體的方法。如圖2(a)所示，在容器4中注入溶劑3，添加鈰絡合物18和熒光體13，通過攪拌進行混合，得到混合體19。鈰絡合物18在溶劑3中溶解的方法，因為能夠使鈰絡合物18更均勻地承載于熒光體13的表面，所以優(yōu)選。為此，優(yōu)選鈰絡合物18為有機金屬絡合物。另夕卜，優(yōu)選溶劑3為非水系溶剤。例如，こ酰丙酮化鈰絡合物(丙酮こ?；嫿j合物鈰7セ卜ァセチル錯體)、こニ胺四こ酸鈰鈰絡合物等。另外，作為溶劑3，能夠使用こ醇等的醇、甲基-こ基甲酮等的酮系溶劑等。其次，從混合體19中除去溶劑3。例如，如圖2 (b)所示，將混合體19轉換到托盤5中，在大氣中放置，使之自然干燥，或對托盤5進行加熱而除去溶劑3。由此，能夠得到鈰絡合物18承載于熒光體13的復合物20。接著，如圖2(c)所示，加熱復合物20，除去鈰絡合物18的配位體，同時使鈰氧化。例如，在坩堝6中放加復合物20，以高溫加熱。由此，鈰絡合物18的配位體蒸發(fā)或分解，另外鈰氧化，由此，能夠得到承載有由氧化鈰所構成的耐熱性材料的熒光體13。優(yōu)選以充分的高溫加熱復合物20，以使配位體的除去和鈰的氧化充分進行。使用こ酰丙酮化鈰絡合物吋，例如，優(yōu)選在500°C以上、700°C以下的范圍的溫度加熱。由此能夠得到在熒光體13的表面承載有耐熱性材料15的復合突光體16。其后,如圖2(d)所不,在未固化的娃樹脂12’中使承載有耐熱性材料15的突光體13(復合熒光體16)分散，從而得到未固化的LED包封樹脂混合物17’。這時，所使用的硅樹脂是通過混合ニ液而固化的類型吋，未固化的硅樹脂12’含有A液和B液。接著如圖3(a)所示，在具有期望的形狀的模具9中，填充未固化的LED包封樹脂混合物17’。在未固化的LED包封樹脂混合物17’中有氣泡等產(chǎn)生時，根據(jù)需要以真空脫泡裝置等進行脫泡。另外，另行使LED芯片支承在支承體上。如圖3(b)所示，使出射面14a朝上而在支承體23上以焊料27等固定LED芯片14，經(jīng)由鍵合線21將電極22和LED芯片14連接。其后將LED芯片14埋入模具9內(nèi)的未固化的LED包封樹脂混合物17’中，如此相對于模具9配置支承體23，使LED包封樹脂混合物17’固化。例如，如圖3 (c)所示，在附有模具9的狀態(tài)下加熱LED包封樹脂混合物17’，使之預固化后，取下模具9，再使LED包封樹脂混合物17’固化。由此如圖I所示，LED芯片14的至少出射面14a由LED包封樹脂體 17覆蓋的LED裝置51完成。還有，上述實施方式中說明的LED裝置51的構造是ー個示例。本發(fā)明的LED裝置也可以具有圖I所示的構造以外的構造。例如，如圖4所示，LED裝置除了圖I所示的構造以外，為了從LED芯片41以規(guī)定聚光狀態(tài)使光出射，也可以具有在LED芯片14的周圍所設置的反射鏡41。另外，也可以在LED包封樹脂體17的表面設置具有透鏡功能的透明樹脂24，其用于調(diào)整出射光的聚光狀態(tài)。另外，在上述實施方式的LED裝置中，LED芯片14被支承在基板狀的支承體上。但是，本發(fā)明的LED裝置也可以是由引線框支承LED芯片的LED裝置。具體來說，圖5所示的LED裝置具備設有凹部42c的作為支承體的引線框42a和引線框42b。在引線框42a的凹部42c的底部固定有LED芯片14。凹部42c的側面作為反射鏡發(fā)揮功能。LED包封樹脂體17以掩埋凹部42c的方式設置。另外，LED芯片14經(jīng)由鍵合線21與引線框42a、42b電連接。此外，引線框42a的包含凹部42c的上部整體，由具有炮彈形狀的透明的樹脂24包封。這樣的LED裝置，也如上述，借助耐熱性材料，硅樹脂的耐熱性和耐紫外線性得到提高，另外，因為耐熱性材料被承載于熒光體上，所以能夠抑制從LED芯片出射的光向LED包封樹脂體的外部出射的效率發(fā)生降低。因此，能夠實現(xiàn)耐熱性、耐紫外線性優(yōu)異，發(fā)光效率高的LED裝置。實施例以下，具體地說明LED包封樹脂體的制造方法及使用了該LED包封樹脂體的LED裝置的制造方法。另外，對于LED包封樹脂體，評價耐紫外線特性，對于LED裝置，評價發(fā)光強度。先就共通的試料的評價方法進行說明。(I)為了評價耐紫外線性，制作LED包封樹脂體(縱橫IOmmX 15mm,厚度Imm)的試料。利用紫外線照射裝置(照度50mW/cm2，固化物溫度140°C )，就LED包封樹脂體向試料照射紫外線，測量直至裂紋發(fā)生的時間。(2)為了測量發(fā)光強度，制作LED裝置。LED裝置配備著藍色LED芯片和具有熒光體的LED包封樹脂體。在LED芯片上通電，使LED裝置發(fā)光，測量380nm 780nm的波長區(qū)域的光的發(fā)光強度。[實施例I]如圖2 (a)所示,對于作為熒光體13的娃酸銀/鋇系熒光體5g,將作為金屬絡合物18的こ酰丙酮化鈰(丙酮こ酰基ァセトァセチル)絡合物(鈰含量O. 15重量％ )1.7g放入容器(燒杯)4，作為溶劑3添加こ醇，將整體的容量調(diào)整至40ml。用攪拌器對于該混合體19攪拌30分鐘后，如圖2(b)所示將其移至托盤5，以80°C使之干燥30分鐘。其后，如圖2(c)所示，將經(jīng)過干燥而得到的復合體20放入坩堝6，在大氣中，以600°C進行30分鐘燒成，得到承載有作為耐熱性材料15的氧化鈰的熒光體13 (復合熒光體16)。這時的鈰量是復合熒光體16的O. 05重量％。、接著，對于含有ニ甲基硅樹脂(信越化學制KER-2600)的主劑與催化劑的A劑(以下稱為A劑)5g和含有主劑與固化劑的B劑(以下稱為B劑)5g添加I. 0005g的復合熒光體16，使之通過三輥捏練機(EXAKT制M50) 3次，如圖2 (d)所示，得到未固化的LED包封樹 脂混合物17’。這時的鈰量相對于硅樹脂100重量份為O. 005重量份。其后，在特氟綸(注冊商標)培養(yǎng)皿中放入該未固化的LED包封樹脂混合物17’，以150°C進行4小時固化，得到LED包封樹脂體(厚Imm)。進行所得到的LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。另外如圖3 (a)所示，將LED包封樹脂混合物17’涂布在SUS制模具9上，以真空脫泡裝置(日電ァネルバ制)進行5分鐘脫泡后，如圖3(b)所示，在支承體23上安裝藍色LED 芯片(Philips Lumileds Lighting Company 制 LXK2-PB14-N00),進行配線。如圖 3 (c)所示，使LED芯片14埋沒在LED包封樹脂混合物17’中，如此對于模具9配置支承體23，以150°C進行LED包封樹脂混合物17’的預固化10分鐘。其后，取下模具9，以配置在支承體23上的藍色LED芯片14被LED包封樹脂混合物17’覆蓋的狀態(tài)，再在150°C下使LED包封樹脂混合物17’進行4小時固化，完成圖I所示的LED裝置。測量LED裝置的發(fā)光強度。其結果示出在表I中。[實施例2]對于硅酸鍶/鋇系熒光體5 g，使用こ酰丙酮化鈰絡合物(鈰含量0. 15重量％ ) 3. 4g，通過與實施例I同樣的方法，得到承載有耐熱性材料15的熒光體13 (復合熒光體16)。這時的鋪量是復合突光體16的O. I重量％。另外，對于ニ甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑5g、B劑5g添加I. OOlg復合熒光體16，通過同樣的方法，制作LED包封樹脂體(厚Imm)，進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。這時的鈰量相對于ニ甲基硅樹脂100重量份為O. 01重量份。此外，使用該LED包封樹脂體，通過與實施例I同樣的方法，完成圖I所示的LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。[實施例3]對于硅酸鍶/鋇系熒光體5g，使用こ酰丙酮化鈰絡合物(鈰含量O. 15重量％ ) 17g，通過與實施例I同樣的方法，得到承載有耐熱性材料15的熒光體13 (復合熒光體16)。這時的鋪量是復合突光體16的O. 5重量％。另外，對于ニ甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑5g、B劑5g添加I. 0005g復合熒光體16，通過同樣的方法，制作LED包封樹脂體(厚Imm)，進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。這時的鈰量相對于二甲基硅樹脂100重量份為O. 05重量份。此外，使用該LED包封樹脂體，通過與實施例I同樣的方法，完成圖I所示的LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。[實施例4]對于硅酸鍶/鋇系熒光體20g，使用乙酰丙酮化鈰絡合物(鈰含量O. 15重量％ ) I. 36g，通過與實施例I同樣的方法，得到承載有耐熱性材料15的熒光體13 (復合熒光體16)。這時的鈰量是復合熒光體16的O. 01重量％。另外，對于二甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑50g、B劑50g添加10. OOOlg復合熒光體16，通過同樣的方法，制作LED包封樹脂體(厚Imm)，進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。這時的鈰量相對于二甲基硅樹脂100重量份為O. 001重量份。 此外，使用該LED包封樹脂體，通過與實施例I同樣的方法，完成圖I所示的LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。[實施例5]對于硅酸鍶/鋇系熒光體5g，使用乙酰丙酮化鈰絡合物(鈰含量0. 15重量％ )170g，用乙醇將整體的容積調(diào)整到200ml，除此以外，通過與實施例I同樣的方法，得到承載有耐熱性材料15的熒光體13 (復合熒光體16)。這時的鈰量是復合熒光體16的5
重量％。另外，相對于二甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑5g、B劑5g添加I. 05g復合熒光體16，通過同樣的方法，制作LED包封樹脂體(厚Imm)，進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。這時的鈰量相對于二甲基硅樹脂100重量份為O. 5重量份。此外，使用該LED包封樹脂體，通過與實施例I同樣的方法，完成圖I所示的LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。[比較例I]相對于二甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑5g、B劑5g，使硅酸鍶/鋇系熒光體為lg，讓其通過三輥捏練機(EXAKT制M50) 3次，得到硅樹脂混合物。其后，在特氟綸(注冊商標)培養(yǎng)皿加入該硅樹脂混合物，以150°C使硅樹脂混合物進行4小時固化，得到LED包封樹脂體(厚Imm)。進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。另外，使用該硅樹脂混合物，通過與實施例I同樣的方法，完成LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。因為熒光體上沒有承載耐熱性材料，所以如圖6所示，所制作的LED裝置具備的LED包封樹脂體31中，分散著沒有承載耐熱性材料的熒光體13。[比較例2]對于二甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑5g、B劑5g，添加硅酸鍶/鋇系熒光體Ig和氧化鈰粉O. 0005g,使其通過三輥捏練機(EXAKT制M50) 3次，得到硅樹脂混合物。這時的鈰量相對于硅樹脂100重量份為O. 005重量份。其后，在特氟綸(注冊商標)培養(yǎng)皿中放入該硅樹脂混合物，以150°C使硅樹脂混合物進行4小時固化，得到LED包封樹脂體(厚Imm)。進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。另外，使用該硅樹脂混合物，通過與實施例I同樣的方法，完成LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。如圖7所示，在制作的LED裝置的LED包封樹脂體32中，包含耐熱材料15和熒光體13。但是，因為沒有預先使耐熱材料15承載在熒光體13上，所以耐熱材料15和熒光體13在LED包封樹脂體32中獨立分散。[比較例3]對于二甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑5g、B劑5g，添加硅酸鍶/鋇系熒光體Ig和氧化鈰粉O. OOlg,使之通過三輥捏練機(EXAKT制M50) 3次，得到硅樹脂混合物。這時的鈰量相對于硅樹脂100重量份為O. 01重量份。其后，在特氟綸(注冊商標)培養(yǎng)皿放入該硅樹脂混合物，以150°C使硅樹脂混合物進行4小時固化，得到LED包封樹脂體(厚1mm)。進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。
另外，使用該硅樹脂混合物，通過與實施例I同樣的方法，完成LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。如圖7所示，在制作的LED裝置的LED包封樹脂體32中，包含耐熱材料15和熒光體13。但是，因為沒有預先使耐熱材料15承載于熒光體13，所以耐熱材料15和熒光體13在LED包封樹脂體32中獨立分散。[比較例4]對于二甲基硅樹脂(信越化學制KER_2600)A劑5g、B劑5g，添加硅酸鍶/鋇系熒光體Ig和氧化鈰粉O. 005g,使其通過三輥捏練機(EXAKT制M50) 3次，得到硅樹脂混合物。這時的鈰量相對于硅樹脂100重量份為O. 05重量份。其后，在特氟綸(注冊商標)培養(yǎng)皿中放入該硅樹脂混合物，以150°C使硅樹脂混合物進行4小時固化，得到LED包封樹脂體(厚Imm)。進行LED包封樹脂體的耐紫外線性評價。另外，使用該硅樹脂混合物，通過與實施例I同樣的方法，完成LED裝置，測量發(fā)光強度。這些結果示出在表I中。如圖7所示，在制作的LED裝置的LED包封樹脂體32中，包含耐熱材料15和熒光體13。但是，因為沒有使耐熱材料15預先承載于熒光體13上，所以耐熱材料15和熒光體13在LED包封樹脂體32中獨立分散。表I
權利要求
1.ー種LED包封樹脂體，其中，含有 熒光體； 在所述熒光體的表面或表面鄰域所配置的耐熱性材料； 使配置有所述耐熱性材料的所述熒光體得以分散的硅樹脂。
2.根據(jù)權利要求I所述的LED包封樹脂體，其中， 所述耐熱性材料是氧化鈰。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的LED包封樹脂體，其中， 所述耐熱性材料以相對于100重量份的所述娃樹脂而為O. 005重量份以上、O. I重量份 以下的比例被含有。
4.ー種LED裝置，其中，具備 支承體； 由所述支承體所支承的LED芯片； 至少覆蓋所述LED芯片的出射面且被配置在所述支承體上的權利要求I至3中任ー項所規(guī)定的LED包封樹脂體。
5.—種LED包封樹脂混合物，其中，含有 未固化的硅樹脂； 熒光體； 在所述熒光體的表面或表面鄰域所配置的耐熱性材料。
6.根據(jù)權利要求5所述的LED包封樹脂混合物，其中， 所述耐熱性材料是氧化鈰。
7.根據(jù)權利要求6所述的LED包封樹脂混合物，其中， 所述耐熱性材料以相對于100重量份的所述娃樹脂而為O. 005重量份以上、O. I重量份以下的比例被含有。
8.ー種LED裝置的制造方法，其中，包括 將在表面或表面鄰域配置有耐熱性材料的熒光體加以準備的エ序； 將配置有所述耐熱性材料的熒光體和未固化的硅樹脂進行混合，得到未固化的LED包封樹脂混合物的エ序； 使所述未固化的LED包封樹脂混合物按照至少覆蓋由支承體所支承的LED芯片的出射面的方式配置在所述支承體上，使所述未固化的LED包封樹脂混合物固化的エ序。
9.根據(jù)權利要求8所述的LED裝置的制造方法，其中， 所述耐熱性材料為氧化鈰。
10.根據(jù)權利要求9所述的LED裝置的制造方法，其中， 將承載有所述耐熱性材料的熒光體加以準備的エ序包括 使鈰的有機金屬絡合物和所述熒光體在溶劑中加以混合，得到混合體的エ序； 從所述混合體除去所述溶剤，進行燒成，由此得到承載有由所述氧化鈰構成的所述耐熱性材料的熒光體的エ序。
全文摘要
本發(fā)明的LED包封樹脂體含有熒光體(13)；在熒光體(13)的表面或表面鄰域所配置的耐熱性材料(15)；使配置有耐熱性材料(15)的熒光體(13)得以分散的硅樹脂(12)。
文檔編號H01L33/56GK102725872SQ20118000753
公開日2012年10月10日 申請日期2011年2月2日 優(yōu)先權日2010年3月10日
發(fā)明者大林孝志, 白石誠吾 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社