專利名稱：包括晶體氧化硅鈍化薄膜的光伏電池以及用于制造該光伏電池的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括具有指定摻雜類(lèi)型的晶體硅基底和非晶或微晶硅的層的異質(zhì)結(jié)光伏電池，以及用于制造至少一個(gè)這種光伏電池的方法。
背景技術(shù)：
異質(zhì)結(jié)光伏電池由多層疊層制成，使得可以直接將光子轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。異質(zhì)結(jié)特別地由指定摻雜類(lèi)型(n或p)的晶體硅基底和與基底的摻雜類(lèi)型相反的摻雜類(lèi) 型的非晶硅層形成。而且，被稱為“電鈍化”層的中間層通常置于形成異質(zhì)結(jié)的兩個(gè)元件之間，以改進(jìn)異質(zhì)結(jié)的界面特性并因此改進(jìn)轉(zhuǎn)化效率。如在專利申請(qǐng)US2001/0029978中顯示的，該中間層通常為本征非晶硅。作為示例，圖I示出了根據(jù)在先技術(shù)的光伏電池的特別的實(shí)施例，如在專利申請(qǐng)US2001/0029978中描述的。異質(zhì)結(jié)光伏電池包含晶體硅基底1，例如n型摻雜的以及包括前表面Ia的硅基底，該硅基底均勻地且接連地覆蓋有本征非晶硅的層2，非晶硅的層3，例如p型摻雜，以與基底I 一起形成異質(zhì)結(jié)，例如由氧化銦錫(或IT0)制成的電極4，以及梳形式的集電器5。而且，基底I的前表面Ia是有織構(gòu)的(或結(jié)構(gòu)化的)，以增加電池的光學(xué)容量。圖I中，基底I的后表面Ib是平的，且覆蓋有電極6。然而，在其他的情況中，后表面Ib可是有織構(gòu)的并覆蓋有如圖2中所描繪的多層疊層。因此，在該實(shí)施例中，基底I的后表面Ib均勻地且接連地覆蓋有本征非晶硅的層7，例如n型摻雜類(lèi)型的、非常高度摻雜的非晶硅的層8，例如由ITO制成的電極9，以及梳形式的集電器10。因此，如圖I和2中所示，異質(zhì)結(jié)光伏電池需要多個(gè)非常精細(xì)的層(大約從幾個(gè)納米至幾十個(gè)納米)在基底上的均勻沉積，基底的至少一個(gè)表面可有利地具有織構(gòu)。薄層的均勻沉積、有時(shí)也稱為薄層的保形沉積指的是為了跟隨薄層所沉積的表面的起伏，沉積具有實(shí)質(zhì)上固定的厚度的薄層。然而，幾乎總是需要的使基底的至少一個(gè)表面具有織構(gòu)的步驟，不會(huì)有助于這些層的良好均勻分布。特別是，使具有織構(gòu)的步驟引起生長(zhǎng)面的顯著增加。而且，在光伏電池領(lǐng)域，通常使基底的至少一個(gè)表面具有角錐形式的結(jié)構(gòu)。然而，獲得的角錐的邊經(jīng)常是非常粗糙的，且角錐的峰和谷是陡峭的(通常曲率半徑低于30nm)，這對(duì)接連沉積在具有織構(gòu)的表面的層的完全均勻的厚度是有害的。作為示例，專利申請(qǐng)US2001/0029978提出了執(zhí)行使用氫氟酸(HF)和硝酸溶液的各向同性的濕法蝕刻，以倒圓兩個(gè)角錐之間的區(qū)域“b”。然而，該大約2 u m或更多的蝕刻太多了，且在納米尺度級(jí)使角錐的邊變得平滑是不可能的。此外，使具有織構(gòu)的步驟，與清潔步驟，蝕刻步驟和在沉積之前的等待時(shí)間一起可產(chǎn)生基底的具有織構(gòu)的表面的(微粒的和/或金屬的)表面污染，這引起具有織構(gòu)的基底的表面的態(tài)密度的顯著增加。因此，這些污染的問(wèn)題對(duì)表面的良好鈍化是有害的，并且因此對(duì)高產(chǎn)量是有害的，盡管使用了本征非晶硅的過(guò)渡(transition)層作為鈍化層。在J. Sritharathiikhun等的“用于高效率p型氫化微晶氧化娃/n型晶體娃異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的非晶氧化娃緩沖層的優(yōu)化(Optimization of Amorphous SiliconOxide Buffer Layer for High-Efficiency p-Type Hydrogenated MicrocrystallineSilicon Oxide/n-type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cell)，，(JapaneseNewspaper of Applied Physics，47 卷，N0 11,2008，pp8452_8455)的文章中，提出了在n-型摻雜晶體硅基底(n-a-Si:H)和p-型摻雜微晶氧化硅(p_ U c_Si0:H)的層之間使用本征非晶氧化硅(i-a-Si0:H)的表面鈍化層。這種鈍化層通過(guò)甚高頻率等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣 相沉積(VHF-PECVD)的技術(shù)沉積。而且，這種層的最佳厚度為6nm。然而，這種鈍化層的制造引起在n-型摻雜晶體硅基底和所述鈍化層之間的界面處形成許多缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是提出具有良好表面鈍化的異質(zhì)結(jié)光伏電池，且該異質(zhì)結(jié)光伏電池易于實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明，該目標(biāo)通過(guò)以下事實(shí)實(shí)現(xiàn)異質(zhì)結(jié)光伏電池包括具有指定摻雜類(lèi)型的晶體硅基底和非晶或微晶硅的層，其特征在于其包含至少一個(gè)晶體氧化硅薄膜，該薄膜直接沉積在基底的表面上，在所述基底和所述非晶或微晶娃的層之間。根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)，晶體氧化硅薄膜由通過(guò)基團(tuán)氧化獲得的基底的表面部分組成。根據(jù)另一改進(jìn)，晶體氧化硅薄膜具有低于或等于2納米的厚度。根據(jù)本發(fā)明，該目標(biāo)也通過(guò)以下事實(shí)實(shí)現(xiàn)在非晶或微晶硅的層形成之前，晶體氧化硅薄膜通過(guò)基底的表面的基團(tuán)表面氧化實(shí)現(xiàn)。


由作為非限制性的示例給出的并在附加圖中描述的本發(fā)明的具體實(shí)施例的以下描述，更清楚地得到其他的優(yōu)點(diǎn)和特性。其中圖I以示意和截面的視圖描述了根據(jù)在先技術(shù)的光伏電池的特別的實(shí)施例；圖2以示意和截面的視圖描述了根據(jù)圖I的光伏電池的替代的實(shí)施例；圖3至9示出了根據(jù)本發(fā)明的光伏電池的各種實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式根據(jù)圖3的光伏電池具有實(shí)質(zhì)上與圖I中描述的光伏電池的多層疊層類(lèi)似的多層疊層。然而，在圖3中，晶體氧化硅薄膜11被沉積于晶體硅基底I和本征非晶硅的薄層2之間。
由薄膜11、本征非晶硅的薄層2、p型摻雜的非晶硅的層3、電極4和集電器5形成的單元然后構(gòu)成布置在基底I的前表面Ia上，并在圖3中被標(biāo)記為Al的多層疊層。更特別地，薄膜11直接布置在n型摻雜的晶體硅的基底I的前表面Ia上，在所述基底I和本征非晶硅的層2之間。從而，該薄膜11與基底I的前表面Ia直接接觸。而且有利地，該薄膜11具有低于或等于2納米的厚度，且依然有利的是具有0. Inm和2nm之間、以及典型地大約0. 5nm的厚度。更特別地，薄膜11是通過(guò)在疊層Al的接連的薄層2、3、4和5形成之前氧化基底I的表面部分的硅而獲得的薄膜?；譏的表面部分指的是由基底I的自由表面延伸至內(nèi)部的基底I的區(qū)域，其具有非常低的厚度(有利的是低于2nm)。而且，薄膜11由晶體氧化硅(即晶體形式的氧化物)制成。特別地，假定在某些的情況中氧化硅的晶體形式可為用于具有晶面(100)的娃基底的鱗石英形式。而且，所述氧化為基團(tuán)表面氧化，即借由基團(tuán)(或自由基)進(jìn)行的氧化。特別地，這樣的基團(tuán)為氧化基團(tuán)，例如由氧、臭氧和/或水得到的。 因此獲得的基團(tuán)然后氧化基底I的表面部分上的硅。而且，因此在基團(tuán)氧化過(guò)程中獲得的氧化硅至少部分為晶體形式。更特別地，硅基底的基團(tuán)表面氧化被有利地控制，以致在硅基底的表面上形成所述薄的晶體膜。然而，在某些的情況中，基底的基團(tuán)表面氧化可涉及在晶體氧化硅上附加地形成非晶形式的氧化硅。然而，形成薄膜11的晶體氧化硅保持插入基底11和非晶氧化硅之間。而且，在基團(tuán)表面氧化期間有利地形成的非晶氧化硅可在中間步驟期間通過(guò)剝離被移除，該中間步驟接著基團(tuán)表面氧化，并且更特別地是在疊層Al的其他層形成之前。有利地，氧化由等離子體輔助或由對(duì)將被氧化的基底的表面施加紫外輻射輔助。特別地，等離子體或紫外輻射的處理促進(jìn)用于氧化基底I的硅的自由基的形成。更特別地，根據(jù)處理的類(lèi)型，自由基為0‘、02‘和/或OH‘類(lèi)型的基團(tuán)，并特別地由氧和/或臭氧和/或水獲得。根據(jù)特別的實(shí)施例，基底I的表面部分的氧化可由氧以及具有范圍在160nm和400nm之間的波長(zhǎng)的紫外輻射實(shí)現(xiàn)。使用的紫外輻射的波長(zhǎng)，例如為大約185nm和大約254nm。在該特別的實(shí)施例中，在紫外輻射的作用下，氧分離為自由基0‘和臭氧。自由基可氧化娃表面。而且，在氧化操作期間的溫度可被包含在環(huán)境溫度和大約900°C之間，同時(shí)壓強(qiáng)可被包含在大約10_4和大約IO5Pa之間。然而，有利的是，溫度和壓強(qiáng)分別為環(huán)境溫度和環(huán)境壓強(qiáng)。一旦薄膜11形成，用于制造至少一個(gè)光伏電池的方法繼續(xù)到薄層的接連沉積。特別地，在圖3中描述的實(shí)施例中，薄膜11的形成之后直接接著以下的接連沉積本征非晶硅的薄層2的沉積，p型摻雜的非晶硅的薄層3至所述薄膜11上的沉積，電極4至薄層3上的沉積， 集電器5至電極4上的沉積，以及電極6至基底I的后表面Ib上的沉積。如上所述，可在所述薄層的接連沉積之前執(zhí)行移除可能在基團(tuán)氧化的操作期間形成在薄膜11上的非晶氧化硅的中間步驟。因此，注意到，在基底I的表面中的一個(gè)上的晶體氧化硅薄膜的出現(xiàn)，以及特別是通過(guò)基團(tuán)氧化來(lái)獲得該薄膜時(shí)，使得可以獲得重要的鈍化特性，晶體氧化硅具有非常好的本征性質(zhì)。因此，這樣的晶體氧化硅薄膜使得可以防止電荷載流子在復(fù)合時(shí)被俘獲。因此，晶體氧化硅薄膜通過(guò)確保基底I的表面鈍化而扮演隧道氧化層的角色。因此，可以增加光伏電池的開(kāi)路電壓，以及潛在地放大短路電流，以及改變電池的形狀因子而不降低輸出。而且，這使得可以有助于制造一個(gè)或更多的光伏電池的方法。毫無(wú)疑問(wèn)地，因此覆蓋有氧化物薄膜的基底I的表面在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)是穩(wěn)定的，使得可以在執(zhí)行制造方法的后續(xù)步驟(其他薄層的沉積)之前，增加可能的等待時(shí)間。而且，在某些的情況中以及根據(jù)清潔條件，不需要在形成晶體氧化硅薄膜之前移除基底I的表面上的原生氧化物。在某些的條件下，在基團(tuán)氧化的步驟期間，可將原生氧化物轉(zhuǎn)化為晶體形式。最終，制造至少一個(gè)晶體氧化硅薄膜作為鈍化層的事實(shí)使得可以在工藝中在沉積本征非晶硅之前沒(méi)有利用氫氟酸清潔基底的步驟，這使得可以改進(jìn)工藝安全性。圖3中，基底I的后表面Ib是平的，并且如根據(jù)圖I的實(shí)施例中所示，其覆蓋有電 極6。另一方面，如圖4中所示，后表面Ib可具有織構(gòu)，并覆蓋有如圖2中描述的多層疊層，即均勻地以及連續(xù)地覆蓋有本征非晶硅的層7，例如n型摻雜的，非常重?fù)诫s的非晶硅的層8，例如由ITO制成的電極9，以及梳形式的集電器10。另外，在某些實(shí)施例中，附加的薄膜12可沉積至基底I的后表面Ib上。因此，根據(jù)替代的實(shí)施例和圖5中所描述的，電池可包含覆蓋有與圖3和4中描述的多層疊層相同的多層疊層Al的前表面la。另一方面,如同前表面Ia,基底I的后表面Ib具有織構(gòu)，并且此外覆蓋有附加的晶體氧化硅薄膜12。所述附加的薄膜12覆蓋有多層疊層，該多層疊層由薄的本征非晶層7、n型摻雜非晶硅的薄層8、電極9和集電器10形成，該單元?jiǎng)t形成覆蓋基底I的后表面Ib并在圖5中標(biāo)為BI的多層疊層。在某些情況中，晶體氧化硅的非常良好的本征性質(zhì)足夠用于獲得良好的表面鈍化，并能消除對(duì)所述膜和摻雜的非晶硅的薄層之間的本征非晶硅的薄的鈍化層2的需要。然后，薄膜11可直接沉積在基底I和p型摻雜的非晶硅的層3之間。因此，在這些實(shí)施例中，可設(shè)想用多層疊層A2替換多層疊層Al，該多層疊層A2與多層疊層Al的不同之處在于薄膜11和P型摻雜的非晶硅的薄層3之間的本征硅的薄層2被取締。這樣的疊層A2則可與各實(shí)施例關(guān)聯(lián)，該多個(gè)實(shí)施例是針對(duì)基底I的后表面Ib的，如圖6至9中所示。因此，圖6中，覆蓋基底I的前表面Ia的所述疊層A2與覆蓋基底I的平的后表面Ib的電極6關(guān)聯(lián)。圖7中，后表面Ib具有織構(gòu)，如同基底I的前表面la，并且后表面Ib覆蓋有如同圖2中描述的多層疊層的多層疊層，即一種不包括附加的晶體氧化硅薄膜12的多層疊層。圖8中，基底I的后表面Ib也具有織構(gòu)，如同基底的前表面la，并且后表面Ib覆蓋有多層疊層BI，即一種包括插入基底I和n型摻雜的非晶硅的薄層8之間的附加的薄膜12的置層。
最后，在圖9中，基底I的后表面Ib也具有織構(gòu)，如同基底的如表面Ia,并且后表面Ib覆蓋有多層疊層B2。多層疊層B2與多層疊層BI的不同之處在于多層疊層B2不包括布置在附加的薄膜12和非晶硅的層8之間的本征非晶硅的層7。當(dāng)光伏電池包含布置在基底I的前表面Ia上的薄膜11以及布置在基底I的后表面Ib上的附加的薄膜12時(shí)，兩個(gè)薄膜11和12可以同時(shí)的方式或接連的方式實(shí)現(xiàn)。在兩個(gè)薄膜11和12以接連的方式實(shí)現(xiàn)的情況中，光伏電池可有利地如下制成薄膜11、可能的本征非晶硅的薄層2和p型摻雜的非晶硅的層3接連地形成在基底I的前表面Ia上，以用于形成異質(zhì)結(jié)， 此后，附加的薄膜12、可能的本征非晶硅的薄層7和n型摻雜的非晶硅的層8接連地形成在基底I的后表面Ib上，以及最后，電極4和9，以及分別與所述電極4和9關(guān)聯(lián)的集電器5和10形成在它們各自的疊層上。有利地，兩個(gè)薄膜11和12中的每一個(gè)通過(guò)基團(tuán)氧化制成，借由諸如氧化基的自由基以及可能由等離子體處理或紫外輻射輔助。根據(jù)另一個(gè)替代實(shí)施例，光伏電池也可包含僅一層晶體氧化硅薄膜，該晶體氧化硅薄膜不置于基底I的前表面Ia上(圖3、4、6和7的情況)，而是在基底I的后表面Ib上。晶體氧化硅薄膜總是有利地通過(guò)基團(tuán)氧化制成，借由氧化的自由基以及可能由等離子體處理或紫外輻射輔助。在該情況中，前表面Ia有利地被覆蓋有布置在基底I和p型摻雜的非晶硅的薄層3之間的本征非晶硅的薄層2。后表面Ib可(或可不)包含在晶體氧化硅薄膜和摻雜的非晶硅的層8之間的本征非晶硅的薄層7。本發(fā)明不限于上面描述的實(shí)施例，特別是就基底I的摻雜類(lèi)型(n或p)以及摻雜的非晶硅的層3和8而言。因此，本發(fā)明不限于包括n型摻雜的晶體硅基底以及分別p型摻雜和n型摻雜的非晶硅的層3和8的實(shí)施例。為了形成異質(zhì)結(jié)，非晶硅的層3必須具有與基底I的摻雜類(lèi)型(n或p)相反的摻雜類(lèi)型(p或n);并且布置在基底I的后表面Ib —側(cè)上的非晶硅的層8必須具有與基底I的摻雜類(lèi)型(n或p)相同的摻雜類(lèi)型(n或p)。另外，薄層3和8除了由非晶硅制成，也可由微晶硅制成。最后，取代使用本征非晶硅用于層2和7，可以使用具有與打算布置在所述層2或7上的非晶硅的層3或8的摻雜類(lèi)型相同的摻雜類(lèi)型的輕摻雜的、也被稱為微摻雜的非晶硅。輕摻雜或微摻雜的非晶硅指的是實(shí)質(zhì)上低于通常使用的摻雜水平的摻雜。因此，作為示例，每一個(gè)非晶硅的層2和7的摻雜劑的濃度可在IxlO16和lxl018at/cm3之間，而每一個(gè)非晶硅的薄層3和8可具有在lX1019at/cm3和lX1022at/cm3之間的摻雜劑的濃度。由于低摻雜水平，通過(guò)微摻雜的非晶硅代替本征非晶硅允許獲得低的局部態(tài)密度，并因此獲得在與基底的界面處的載流子的低復(fù)合率，以及高開(kāi)路電壓。而且，微摻雜的非晶層具有實(shí)質(zhì)上比本征非晶層的電導(dǎo)高的電導(dǎo)，這減少了電池的串聯(lián)電阻并實(shí)質(zhì)上改進(jìn)了電池的形狀因子。異質(zhì)結(jié)光伏電池包含至少一個(gè)晶體氧化硅薄膜(11)，該晶體氧化硅薄膜(11)直接置于晶體硅基底(I)的前或后表面(Ia)的一個(gè)上，在所述基底(I)和非晶或微晶硅的層
(3)之間。薄膜(11)用來(lái)確?；?I)的所述表面(Ia)的鈍化。具體地，在沉積非晶硅的層(3)之前，薄膜(11)通過(guò)基團(tuán)地氧化基底(I)的表面部分而獲得。而 且，本征或微摻雜的非晶硅的薄層(2)可置于所述薄膜(11)和非晶或微晶硅的層之間。
權(quán)利要求
1.包括具有指定摻雜類(lèi)型的晶體硅基底(I)和非晶或微晶硅的層(3、8)的異質(zhì)結(jié)光伏電池，其特征在于所述異質(zhì)結(jié)光伏電池包含至少一個(gè)晶體氧化硅薄膜(11)，該晶體氧化硅薄膜(11)直接置于所述基底(I)的表面(la、Ib)上，在所述基底(I)和所述非晶或微晶硅的層(3、8)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電池，其特征在于所述晶體氧化硅薄膜(11)由通過(guò)基團(tuán)氧化的所述基底(I)的表面部分構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I和2中任一項(xiàng)所述的電池，其特征在于所述晶體氧化硅薄膜(11)具有低于或等于2納米的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的電池，其特征在于本征或微摻雜的非晶硅的薄層(2、7)被插入所述晶體氧化硅薄膜(11)和所述非晶或微晶硅的層(3、8)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的電池，其特征在于所述晶體氧化硅薄膜(11) 與所述非晶或微晶硅的層(3、8 )直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的電池，其特征在于所述非晶或微晶硅的層(8)的摻雜類(lèi)型與所述晶體硅基底(I)的摻雜類(lèi)型相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的電池，其特征在于所述非晶或微晶硅的層(3)的摻雜類(lèi)型與所述晶體硅基底(I)的摻雜類(lèi)型相反。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電池，其特征在于所述電池包含附加的晶體氧化硅薄膜(12 )，該附加的晶體氧化硅薄膜(12)直接布置在所述基底(I)的另一表面(Ib )上，在所述基底(I)和附加的非晶或微晶硅的層(8)之間，所述附加的非晶或微晶硅的層(8)的摻雜類(lèi)型與所述晶體硅基底(I)的摻雜類(lèi)型相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電池，其特征在于附加的本征或微摻雜的非晶硅的薄層(7)被插入所述附加的晶體氧化硅薄膜(12)和所述附加的非晶或微晶硅的層(8)之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電池，其特征在于所述附加的晶體氧化硅薄膜(12)與所述附加的非晶或微晶硅的層(8)直接接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至10中任一項(xiàng)所述的電池，其特征在于所述晶體硅基底(I)的至少一個(gè)表面(la、Ib)是有織構(gòu)的。
12.根據(jù)權(quán)利要求I至11中任一項(xiàng)所述的電池，其特征在于非晶氧化硅的層直接布置在所述晶體氧化硅薄膜(11、12)上，在所述薄膜和所述非晶或微晶硅的層(3、8)之間。
13.用于制造至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求I至12中任一項(xiàng)所述的光伏電池的方法，其特征在于在所述非晶或微晶硅的層(3、8)的形成之前，所述晶體氧化硅薄膜(11、12)通過(guò)所述基底(I)的表面的基團(tuán)表面氧化而制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述基團(tuán)表面氧化依靠從氧和/或臭氧和/或水獲得的氧化基進(jìn)行。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于所述基底(I)的表面的所述表面氧化借助 于對(duì)所述表面施加紫外輻射。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于至少?gòu)难醌@得所述氧化基，所述紫外輻射具有范圍在160nm和400nm之間的波長(zhǎng)。
17.根據(jù)權(quán)利要求13和14中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于所述基底(I)的表面的所述表面氧化由等離子體輔助。
18.根據(jù)權(quán)利要求13至17中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于所述基底(I)的表面的所述基團(tuán)表面氧化的后面為剝離步驟，以移除在基團(tuán)表面氧化過(guò)程中在所述薄膜(11、12)的表面上形成的非晶形式的氧化硅的一部分。
全文摘要
異質(zhì)結(jié)光伏電池包含至少一個(gè)晶體氧化硅薄膜(11)，該晶體氧化硅薄膜(11)直接置于晶體硅基底(1)的前或后表面(1a)的一個(gè)上，在所述基底(1)和非晶或微晶硅的層(3)之間。薄膜(11)用來(lái)確保基底(1)的所述表面(1a)的鈍化。具體地，在沉積非晶硅的層(3)之前，薄膜(11)通過(guò)基團(tuán)地氧化基底(1)的表面部分而獲得。而且，本征或微摻雜的非晶硅的薄層(2)可置于所述薄膜(11)和非晶或微晶硅的層之間。
文檔編號(hào)H01L31/0745GK102770972SQ201180007552
公開(kāi)日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2011年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者H.莫里塞厄, P.穆?tīng)? P-J.里貝農(nóng) 申請(qǐng)人:原子能和代替能源委員會(huì)