專利名稱：單側(cè)紋理化的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體半導(dǎo)體襯底(諸如，例如結(jié)晶硅襯底)的單側(cè)紋理化的方法。
背景技術(shù)：
在光伏工業(yè)中所使用的表面紋理化的方法經(jīng)常是耗時(shí)且效率差的。為了獲得具有高轉(zhuǎn)換效率的光伏電池，電池的一側(cè)(如，前側(cè)或前表面)優(yōu)選地被紋理化，同時(shí)另一側(cè)(如，后表面)被拋光。前側(cè)被紋理化以充分減少光反射，以使入射光的大部分量由光伏電池所捕捉。后側(cè)被拋光，以使其用用作反射未被吸收而穿透襯底的光(如，紅外光)的鏡子。被后側(cè)所反射的光可穿過襯底兩次，藉此增加被吸收的機(jī)會(huì)并創(chuàng)建電荷載流子。在高效的硅光伏電池的工業(yè)制造工藝中，一般通過濕化學(xué)蝕刻的方式紋理化前硅表面。例如，諸如Κ0Η/ΙΡΑ或NaOH/IPA(IPA:異丙醇)基溶液之類的堿基溶液被用于紋理 化單晶硅襯底。對于多晶硅襯底，經(jīng)常使用HF/HN03混合物用于紋理化。在一般的工業(yè)工藝中，從原切硅晶片起始，首先進(jìn)行鋸損傷去除(SDR)步驟，一般在晶片的兩側(cè)均移除硅層約10微米厚度。接著，通過濕法蝕刻紋理化兩側(cè)，藉此在晶片兩側(cè)一般移除約5微米的硅。接著使用一側(cè)拋光工藝(如，其中僅晶片的后側(cè)浸沒在蝕刻溶液中的“浮動(dòng)晶片”工藝)在晶片的后側(cè)上拋光。這引起一般10微米硅的附加的移除。這樣的工藝順序?qū)е鹿杈囊话?0微米厚度的減少。這意味著，對于180微米的工業(yè)硅晶片厚度而言，硅損失了多于20%。除了硅損失之外，濕法處理特別費(fèi)時(shí)且阻礙了對于要求性價(jià)比的光伏電池處理而言所需要的高吞吐量處理。在鋸損傷移除之后且在紋理化步驟之前，通過在襯底的后側(cè)上提供掩模層(如，介電層)可減少硅損失。使用這樣的方法，硅晶片厚度的減少可被限制為一般25微米。然而，這需要用于提供掩模層的附加工藝步驟?？捎糜趩蝹?cè)紋理化的另一個(gè)方法是等離子體紋理化(干法蝕刻)。盡管這是一個(gè)可被成比例放大來增加吞吐量的一側(cè)工藝，但仍然需要濕法蝕刻步驟用于拋光后側(cè)來確保鋸損傷的移除。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例的目的在于提供紋理化半導(dǎo)體(如，硅)襯底的第一表面并拋光半導(dǎo)體(如，娃)襯底的第二表面的方法，第二表面與第一表面相對，其中所移除的娃的量被限制，例如，小于現(xiàn)有技術(shù)方法中的硅的量。通過根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法來完成上述目的。在一個(gè)方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供了用于對結(jié)晶半導(dǎo)體襯底的單側(cè)紋理化的方法，該方法包括提供襯底，例如，諸如結(jié)晶半導(dǎo)體襯底之類的半導(dǎo)體襯底，該襯底包括相對于該襯底彼此相對的第一表面和第二表面；在襯底的第一表面上提供具有隨機(jī)圖案的掩模層；且在拋光溶液中蝕刻襯底，藉此在單個(gè)濕法蝕刻步驟中紋理化襯底的第一表面并拋光與第一表面相對的第二表面。該襯底，例如，結(jié)晶半導(dǎo)體襯底可例如是結(jié)晶娃襯底。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的優(yōu)勢在于，因?yàn)榈诙砻娴膾伖獠襟E和第一表面的紋理化步驟是在單個(gè)步驟中執(zhí)行的，所以此方法較快。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法可例如相比現(xiàn)有技術(shù)的方法耗時(shí)更少，因此允許更高吞吐量和更高性價(jià)比的光伏電池處理。提供半導(dǎo)體襯底可包括提供具有未拋光或粗糙的第一和/或第二表面的襯底，如半導(dǎo)體襯底。例如，該襯底可以是原切硅晶片，通過例如從錠上線鋸襯底而獲得的。這具有襯底的預(yù)先處理被減少或完全不需要的優(yōu)勢。在其中從經(jīng)拋光的晶片起始的情況下，可首先進(jìn)行較短的現(xiàn)有技術(shù)的紋理化步驟，例如像現(xiàn)有技術(shù)紋理化工藝中所用的一樣使用KOH/IPA,從而原本被拋光的表面變得粗糙?，F(xiàn)有技術(shù)的紋理化步驟可維持得剛好足以創(chuàng)建一些表面粗糙度那么長。而不需要維持用以提供如對于例如光伏電池所需要的良好的表面紋理化那么長。在這個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的紋理化步驟之后，可進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法，在不需要在進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的紋理化步驟之前在襯底的后側(cè)上提供掩模層的情況下，導(dǎo)致經(jīng)拋光的后表面和經(jīng)紋理化的前表面。在第一表面上提供具有隨機(jī)圖案的掩模層，S卩，具有隨機(jī)分布特征的掩模層，可包括在第一表面上提供粘合層并接著移除該粘合層，藉此在第一表面上留下粘合層的 隨機(jī)分布的痕跡。粘合層例如可以是有機(jī)粘合層。在特定實(shí)施例中，粘合層可以是粘合帶。這個(gè)加工方法非常簡單且并不很耗時(shí)。然后粘合層可例如從卷裝片(roll-to-roll sheet)提供。從襯底的第一表面移除粘合層可包括將粘合層的痕跡留在襯底的第一表面上。這些痕跡可以隨機(jī)圖案留下。在特定實(shí)施例中，在第一表面已經(jīng)顯示出一些粗糙度之處，隨機(jī)圖案可相關(guān)聯(lián)于襯底的粗糙度?？蛇x地，提供具有隨機(jī)圖案的掩模層可包括在第一表面上噴涂掩模層。根據(jù)又一個(gè)可選實(shí)施例，提供具有隨機(jī)圖案的掩模層可包括通過滾筒的方式提供掩模層。還可使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的且適于獲得所期望的特征的用于提供具有隨機(jī)圖案的掩模層的任何其他方法。在襯底的第一表面上提供粘合層可包括室溫下在襯底第一表面上提供粘合層。在拋光溶液中蝕刻襯底可例如包括在諸如NaOH基拋光溶液或KOH基拋光溶液(例如，NaOH:H20或K0H:H20溶液)之類的堿性溶液中蝕刻襯底。NaOH濃度或KOH濃度可在5%到45%范圍內(nèi)，如，在10%到40%范圍內(nèi)，例如在15%到30%范圍內(nèi)?？稍诶?0。C到95° C，例如在70° C到90° C之間的溫度下進(jìn)行在拋光溶液中蝕刻襯底?？稍贗分鐘到45分鐘，例如在2分鐘到30分鐘，例如在2分鐘到10分鐘的蝕刻時(shí)間內(nèi)進(jìn)行在拋光溶液中蝕刻襯底。由于在襯底的后側(cè)上沒有掩模層，蝕刻步驟導(dǎo)致被拋光的后側(cè)。由于在襯底前側(cè)的隨機(jī)掩模層的存在，蝕刻步驟導(dǎo)致紋理化的前側(cè)，如，被隨機(jī)紋理化的前側(cè)。由于蝕刻時(shí)間并不很長，由蝕刻引起的襯底材料的移除受限，且在蝕刻步驟過程中襯底的厚度可被減少少于20%，例如，少于10%。因此，可使用較薄的晶片起始，導(dǎo)致材料耗費(fèi)的減少。在第二方面，本發(fā)明提供了根據(jù)本發(fā)明的第一方面的實(shí)施例的方法制造的單側(cè)紋理化的襯底。本發(fā)明還提供了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的單側(cè)紋理化的襯底的光伏電池。為了簡述本發(fā)明以及相對于現(xiàn)有技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的優(yōu)勢，本文已經(jīng)如上描述了本發(fā)明的特定目的和優(yōu)勢。當(dāng)然，可理解的是根據(jù)本發(fā)明的任何特定實(shí)施例并不是必定要實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的所有這些目的或優(yōu)勢。因此，例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，本發(fā)明可用這樣的方式體現(xiàn)或?qū)崿F(xiàn)實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化如此處教導(dǎo)的一項(xiàng)優(yōu)勢或一組優(yōu)勢，而不必要實(shí)現(xiàn)如此處可被教導(dǎo)或建議的其他目的或優(yōu)勢。進(jìn)一步，可理解的是這個(gè)概述僅僅是示例且并不意在限制所要求保護(hù)的本發(fā)明的內(nèi)容。關(guān)于組織和操作方法兩者的本發(fā)明，連同其特征和優(yōu)勢一起，通過結(jié)合附圖
而閱讀參考以下詳細(xì)描述可被最好地理解。在所附獨(dú)立和從屬權(quán)利要求中陳述了本發(fā)明的特定及優(yōu)選方面。從屬權(quán)利要求的特征可按照需要且不僅僅如權(quán)利要求書中所明確陳述地與獨(dú)立權(quán)利要求的特征以及與其它附屬權(quán)利要求的特征組合。附圖簡述圖I示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法。圖2示出在通過不同紋理化方法獲得的紋理化的硅表面處測得的反射率。圖3示出在使用不同紋理化方法的單側(cè)紋理化的襯底上制造的光伏電池的短路電流密度Js。。
圖4示出在使用不同紋理化方法的單側(cè)紋理化的襯底上制造的光伏電池的開路
電壓V。。。圖5示出在使用不同紋理化方法的單側(cè)紋理化的襯底上制造的光伏電池的填充因數(shù)FF。圖6示出在使用不同紋理化方法的單側(cè)紋理化的襯底上制造的光伏電池的能量
換轉(zhuǎn)效率Eff。附圖只是示意性的，而非限制性的。在附圖中，出于說明的目的，一些元件的大小可能被放大，而不是按比例描繪的。權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記都不解釋為范圍的限制。 在不同的附圖中，相同的附圖標(biāo)記指代相同或相似的元件。說明性實(shí)施例的詳細(xì)描述在以下詳細(xì)描述中，闡述眾多特定細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明以及其可如何在特定實(shí)施方式中實(shí)施的透徹理解。然而，將理解，本發(fā)明的實(shí)施例在沒有這些特定細(xì)節(jié)的情況下也可以實(shí)施。在其它情形中，眾所周知的方法、程序和技術(shù)并未進(jìn)行詳細(xì)描述以免混淆本發(fā)明。雖然將針對特定實(shí)施方式并參考特定附圖描述本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。本文中所包括和描述的附圖是示意性的且不限制本發(fā)明的范圍。此外，說明書和權(quán)利要求中的術(shù)語第一、第二和第三等用于區(qū)別類似的元件，而不一定用于描述時(shí)間、空間、排列或任何其他方式的先后順序。可以理解，在適當(dāng)?shù)那闆r下，如此使用的術(shù)語是可互換的，本文所描述的本發(fā)明實(shí)施例能夠以與本文所描述的或所示出的順序不同的其他順序來操作。此外，本說明書和權(quán)利要求書中的術(shù)語“頂部”、“底部”、“上方”、“下方”等用于描述性目的，而不一定用于描述相對位置?？梢岳斫猓谶m當(dāng)?shù)那闆r下，如此使用的術(shù)語是可互換的，本文所描述的本發(fā)明的各實(shí)施例能夠以與本文所描述的或所示出的朝向不同的其他朝向來操作。注意，權(quán)利要求書中所使用的術(shù)語“包括”不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于其后所列出的手段，它并不排除其它元件或步驟。因而，它應(yīng)當(dāng)被解釋為指定存在所引用的所述特征、整體、步驟或組件，但并不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟或組件或者其組合。由此，“一種設(shè)備，包括裝置A和B的”的表達(dá)范圍不應(yīng)限于只由組件A和B組成的設(shè)備。
在本發(fā)明的上下文中，光伏電池的前表面、前側(cè)、第一表面或第一側(cè)是適于被取向面向光源并因此用于接收照明的表面或側(cè)。光伏電池的背表面、背側(cè)、后表面、后側(cè)、第二表面、或第二側(cè)是相對于形成光伏電池的襯底，與前表面相對的表面或側(cè)。在本發(fā)明的上下文中，背表面、背側(cè)、后表面、后側(cè)、第二表面、或第二側(cè)是適于反射未被吸收地穿透襯底的光的光伏電池的表面或側(cè)。進(jìn)一步，在本發(fā)明的上下文中，光伏電池襯底的前表面、前側(cè)、第一表面、或第一側(cè)是適于被取向面向光源的襯底的表面或側(cè)。光伏電池襯底的背表面、背側(cè)、后表面、后側(cè)、第二表面、或第二側(cè)是與襯底的前表面相對的表面或側(cè)。本發(fā)明的實(shí)施例提供用于紋理化襯底(如，諸如例如硅襯底之類的半導(dǎo)體襯底)的第一表面并拋光襯底的第二表面的方法，第二表面與第一表面相對。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法是基于濕法蝕刻工藝。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的優(yōu)勢在于，諸如例如被移除的硅之類的半導(dǎo)體材料的量小于用于前側(cè)紋理化和后側(cè)拋光的基于現(xiàn)有技術(shù)的濕法蝕刻的方法中的量。進(jìn)一步，本發(fā)明的方法相比現(xiàn)有技術(shù)方法耗時(shí)較少，因此允許更高的吞吐量和更高性價(jià)比的光伏電池處理。提供了用于結(jié)晶半導(dǎo)體襯底(諸如結(jié)晶硅襯底)的單側(cè)紋理化的方法。本發(fā)明的方法包括提供結(jié)晶半導(dǎo)體襯底，如，結(jié)晶硅襯底；在半導(dǎo)體襯底的第一表面上提供具有隨 機(jī)圖案的掩模層；且在拋光溶液中蝕刻襯底，藉此在單個(gè)濕法蝕刻步驟中紋理化襯底的第一表面并拋光與第一表面相對的第二表面。提供結(jié)晶半導(dǎo)體襯底可包括提供具有未拋光或粗糙的第一表面的半導(dǎo)體襯底。例如，該襯底可以是原切硅晶片。提供具有隨機(jī)圖案的掩模層可包括在第一表面上提供粘合層并隨后移除該粘合層，藉此在第一表面上留下粘合層的隨機(jī)分布的痕跡?？蛇x地，提供具有隨機(jī)圖案的掩模層可包括在第一表面上噴涂掩模層?？墒褂帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員已知的用于提供隨機(jī)掩模層的任何其他方法。在拋光溶液中蝕刻晶片可例如包括在諸如NaOH基拋光溶液或KOH基拋光溶液之類的堿性拋光溶液中蝕刻晶片。圖I中示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的方法。提供諸如半導(dǎo)體襯底(如，硅晶片10)之類的襯底10作為起始材料，該襯底具有第一表面12和相對襯底與第一表面12相對的第二表面14。第一表面12和第二表面14可以是粗糙的、未拋光的表面。例如，可使用例如通過從半導(dǎo)體(如，硅)錠線鋸獲得的半導(dǎo)體(如，硅)原切晶片。這樣的原切半導(dǎo)體(如，硅)晶片的表面是粗糙的且受到雜質(zhì)(如，來自在獲取晶片步驟(線鋸)過程中使用的漿和金屬線的金屬雜質(zhì))污染。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的第一步驟中，在圖I (a)中示出，在襯底10的第一表面12上提供掩模層。在特定實(shí)施例中，如圖I中所示，掩模層，可以是提供在襯底(如，粗糙硅晶片10)的第一表面12上的諸如例如有機(jī)粘合層或粘合帶之類的粘合層20?？稍谑覝叵绿峁┭谀?，如，粘合層20。使用這樣的粘合層20 (如，粘合帶)的優(yōu)勢在于其可快速且低成本地被提供。例如，粘合層可從卷裝片提供到晶片，晶片例如被保持在真空中。粘合滾筒可提供足夠壓力來獲得晶片表面上的良好覆蓋率。在下一個(gè)步驟中，掩模層被提供隨機(jī)圖案。在圖I (a)所示的實(shí)施例中，掩模層是粘合層，且在圖I (b)所示的步驟中，粘合層被移除，藉此將粘合層的痕跡21留在襯底(如，原切硅晶片10)的第一表面12上。這些痕跡形成不規(guī)則或隨機(jī)的圖案，如，相關(guān)聯(lián)于粗糙襯底(如，原切娃表面)的粗糙度。例如,可使用卷對卷工藝(roll-to-roll process)用于提供粘合層并隨后馬上移除粘合層。
接著在拋光溶液(諸如例如堿性拋光溶液，如，包括NaOH或KOH的溶液)中蝕刻晶片。例如，可使用NaOH = H2O或KOH = H2O溶液，其中NaOH濃度或KOH濃度在5%到45%，如在10%到40%，如在15%到30%范圍內(nèi)。蝕刻溫度可例如在60° C到95° C，例如在70° C到90° C之間。蝕刻時(shí)間可例如在I分鐘到45分鐘，如在2分鐘到30分鐘，如在2分鐘到10分鐘范圍內(nèi)。例如，可在80°C的溫度下，以5分鐘的蝕刻時(shí)間使用在H2O中的20%重量比的NaOH或Κ0Η。可使用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言已知的其他蝕刻溶液和蝕刻參數(shù)。由于被圖案化的掩模層的掩模效果，如，襯底(如，硅晶片10)的第一表面12處的所留下的痕跡，這個(gè)蝕刻步驟得到如圖I (c)中所示的紋理化的前表面。由于在晶片10的第二表面14上不存在這樣的圖案化的掩模層(如痕跡)，第二表面14被拋光且鋸損傷可被減少或甚至完全移除。此外，蝕刻步驟可同時(shí)還導(dǎo)致隨機(jī)掩模的移除。相比于現(xiàn)有技術(shù)的工藝，由于在單個(gè)濕法蝕刻步驟中鋸損傷移除、前表面紋理化 和后表面拋光的組合，本發(fā)明的實(shí)施例的工藝可導(dǎo)致處理時(shí)間大幅減少多于50%，例如多于70%。此外，相比于現(xiàn)有技術(shù)工藝中移除的襯底材料(如，硅)的量，被移除的襯底材料(如，娃)的量一般可被減少50%。一般,在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，移除約15微米的襯底材料(如，硅)。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法中，可使用原切晶片的自然粗糙度用作一側(cè)上的掩模材料的分布。粗糙度允許掩模效果局部化。所提出的技術(shù)已經(jīng)被應(yīng)用在20Cz_Si (156cm2)晶片上。該晶片已經(jīng)使用用于高效光伏電池的先進(jìn)工業(yè)工藝流而加工過。該Cz晶片具有10hm-cm的電阻率和150微米的起始厚度。使用12. 5cmxl2. 5cm(襯底面積156cm2)的正方形晶片。原切晶片被加熱至50°C，且在晶片的第一表面上提供有機(jī)掩模材料?？墒┘訅毫佉源_保充分的覆蓋率。接著在室溫下移除粘合劑。然后在80°C下，在1: 5Na0H:H20蝕刻溶液中進(jìn)行濕法蝕刻步驟達(dá)4. 5分鐘。這個(gè)濕法蝕刻步驟移除了鋸損傷和污染物，且同時(shí)提供了晶片的前側(cè)紋理化和后側(cè)拋光。此外，該濕法蝕刻步驟移除了有機(jī)掩模材料的痕跡。為了進(jìn)行比較，可測量不同地紋理化的半導(dǎo)體表面的反射曲線。作為示例，在圖2中示出不同地紋理化的單晶硅表面的所測得的反射曲線。在用本發(fā)明的實(shí)施例的工藝獲得的紋理化的表面處的反射系數(shù)(上曲線，“新”)與在使用基于Κ0Η/ΙΡΑ的溶液的、如現(xiàn)有技術(shù)中所描述的隨機(jī)金字塔工藝紋理化的表面處的反射系數(shù)(圖2中的下曲線，“RP”)比較，并與在使用由RENA提供的工業(yè)工藝紋理化的表面處的反射系數(shù)(圖2中間的曲線“RENA”)比較。對用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法紋理化的硅表面而示出的結(jié)果是基于在20個(gè)不同晶片上的測量，其中在每個(gè)晶片上有9個(gè)測量點(diǎn)?！癛P”和“RENA”結(jié)果是基于每個(gè)2個(gè)晶片上的測量，其中每個(gè)晶片上有9個(gè)測量點(diǎn)。相比于“RP”和“RENA”晶片的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法紋理化的晶片的反射率中更大的展布可涉及通過提供隨機(jī)掩模的粘合劑的晶片的非均勻覆蓋率。這些結(jié)果示出在用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法紋理化的硅表面處的反射率充分低在從425nm到750nm波長范圍內(nèi)在14%到20%之間。在進(jìn)行根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的蝕刻步驟用于前側(cè)紋理化和后側(cè)拋光后，在所描述的示例中在氯化氫溶液中中和晶片。接著，該晶片被清潔并在所描述的示例中例如通過使用基于標(biāo)準(zhǔn)60ohm/Sq P0C13#散工藝在前側(cè)形成發(fā)射極。然后，在所描述的示例中使用本地Al-BSF (背表面電場)和介電Si02/SiN層疊，后表面被鈍化。在前側(cè)上，例如通過PECVDSiN，提供抗反射涂層，在所描述的示例中例如是SiN防反射涂層。在后側(cè)上進(jìn)行點(diǎn)陣列圖案的激光消融用于提供穿過介電層疊的通孔。在后側(cè)上沉積鋁用于形成后側(cè)金屬/半導(dǎo)體觸片，且在前側(cè)上絲網(wǎng)印刷銀膠用于形成前側(cè)金屬/半導(dǎo)體觸片。最后，在帶式爐中進(jìn)行共燒步驟來確保在前側(cè)上的歐姆接觸以及在介電層疊的開口區(qū)域中的本地BSF。電池結(jié)果圖示于圖3到6。對于使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法紋理化的電池和對于使用現(xiàn)有技術(shù)的隨機(jī)金字塔工藝(“RP”)紋理化的電池而示出短路電流密度Js。(圖3)、開路電壓V。。(圖4)、填充因數(shù)FF (圖5)和能量轉(zhuǎn)換效率Eff (圖6)。如圖3中所示，使用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法紋理化的光伏電池的短路電流密度Js。等于或略好于用現(xiàn)有技術(shù)方法紋理化的電池的短路電流密度Js。。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例紋理化的電池所獲得的良好的填充因數(shù)FF和良好的開路電壓V。。示出獲得了良好接觸的同時(shí)而還獲得了良好的表面 鈍化。實(shí)現(xiàn)了 17. 5%的平均能量轉(zhuǎn)換效率，最高效率是18. 4%。在圖3到圖6中，還對于兩個(gè)測試組(現(xiàn)有技術(shù)設(shè)備和根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的設(shè)備)都示出了 student t檢驗(yàn)(T檢驗(yàn))結(jié)果。student t檢驗(yàn)是示出數(shù)據(jù)組在統(tǒng)計(jì)學(xué)上是否有差異的方法。在所示結(jié)果中，圓圈彼此重疊，意味著有95%的機(jī)會(huì)兩個(gè)數(shù)據(jù)組之間的差異是可忽略的。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法和現(xiàn)有技術(shù)的方法在統(tǒng)計(jì)學(xué)上獲得了相同的結(jié)果。雖然已在附圖和上文的描述中對本發(fā)明詳細(xì)說明和描述，這些說明和描述旨在被認(rèn)為是說明性的或者示例性的，而非限制性的。本發(fā)明不限于所披露的實(shí)施例。通過對附圖、公開內(nèi)容以及所附權(quán)利要求的研究，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在實(shí)施所要求保護(hù)的發(fā)明時(shí)可理解和實(shí)現(xiàn)所公開實(shí)施例的其他變型。在權(quán)利要求中，‘包括’ 一詞不排除其他要素或者步驟，并且不定冠詞‘a(chǎn)’或‘a(chǎn)n’不排除復(fù)數(shù)形式。在相互不同的從屬權(quán)利要求中描述了特定措施的事實(shí)并不意味著這些措施的組合不能用于產(chǎn)生良好效果。權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記都不應(yīng)解釋為范圍的限制。上述描述細(xì)節(jié)化了發(fā)明的特定實(shí)施例。可理解的是，然而，不管在上述文本中有多詳細(xì)，可以很多方式實(shí)踐本發(fā)明。應(yīng)該注意的是，在描述本發(fā)明的特定特征或方面時(shí)所使用的特定術(shù)語不應(yīng)該被認(rèn)為是暗示了該術(shù)語是此處被重新定義來限制為包括與本術(shù)語相關(guān)聯(lián)的本發(fā)明的特征或方面的任何特定特性。
權(quán)利要求
1.-用于襯底的單側(cè)紋理化方法，所述方法包括 -提供襯底(10)，所述襯底包括相對于所述襯底(10)而言彼此相對的第一表面(12)和第二表面(14)； -在所述襯底(10)的所述第一表面(12)上提供具有隨機(jī)圖案的掩模層(21 )，和 -在拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)， 其中在拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)包括在單個(gè)蝕刻步驟中紋理化所述襯底(10)的第一表面(12)并拋光所述襯底(10)的第二表面(14)。
2.-如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，提供襯底(10)包括提供結(jié)晶半導(dǎo)體襯底。
3.-如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，提供襯底(10)包括提供襯底(10)， 該襯底(10)的第一表面(12)和/或第二表面(14)是未拋光和/或粗糙的表面。
4.-如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，在所述襯底(10)的所述第一表面(12)上提供具有隨機(jī)圖案的掩模層(21)包括 -在所述襯底(10)的所述第一表面(12)上提供粘合層(20)，和 -從所述襯底(10)的所述第一表面(12)移除所述粘合層(20)。
5.-如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，提供粘合層(20)包括提供粘合帶。
6.-如權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，在所述襯底(10)的所述第一表面(12)上提供粘合層(20)包括在室溫下在所述襯底(10)的所述第一表面(12)上提供粘合層(20)。
7.-如權(quán)利要求4到6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述襯底(10)的所述第一 表面(12 )上提供粘合層(20 )包括從卷裝片提供所述粘合層(20 )。
8.-如權(quán)利要求4到7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，從所述襯底(10)的所述第一表面(12)移除所述粘合層(20)包括在所述襯底(10)的所述第一表面(12)上留下所述粘合層(20)的痕跡。
9.-如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，從所述襯底(10)的所述第一表面(12)移除所述粘合層(20)包括留下形式為隨機(jī)圖案的粘合層的痕跡。
10.-如權(quán)利要求I到3中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述襯底(10)的所述第一表面(12)上提供具有隨機(jī)圖案的掩模層(21)包括在所述第一表面(12)上噴涂掩模層。
11.-如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，在拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)包括在堿性拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)。
12.-如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，在拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)包括在60°C到95°C之間、例如在70° C到90° C之間的溫度下在拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)。
13.-如前述任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，在拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)包括以I分鐘到45分鐘之間、例如在2分鐘到30分鐘之間、例如在2分鐘到10分鐘之間的蝕刻時(shí)間在拋光溶液中蝕刻所述襯底(10)。
全文摘要
用于結(jié)晶半導(dǎo)體襯底(10)的單側(cè)紋理化的方法，該方法包括提供襯底(10)，例如半導(dǎo)體襯底，其包括相對于襯底(10)而言彼此相對的第一表面(12)和第二表面(14)；在襯底(10)的第一表面(12)上提供具有隨機(jī)圖案的掩模層(21)；且在拋光溶液中蝕刻襯底(10)，藉此在單個(gè)濕法蝕刻步驟中紋理化襯底(10)的第一表面(12)并拋光第二表面(14)。
文檔編號H01L31/0236GK102822990SQ201180009272
公開日2012年12月12日 申請日期2011年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月11日
發(fā)明者V·普拉賈巴蒂, J·約翰 申請人:Imec公司, 魯汶天主教大學(xué)