專利名稱：電磁耦合構(gòu)造、多層傳送線路板、電磁耦合構(gòu)造的制造方法、及多層傳送線路板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電磁耦合構(gòu)造、多層傳送線路板、電磁耦合構(gòu)造的制造方法、及多層傳送線路板的制造方法。
背景技術(shù)：
作為對(duì)微波波段(microwave band)或毫米波段(millimeter band)的高頻帶的傳送線路基板的層間進(jìn)行電連接的方法，提出了使用電磁場(chǎng)耦合的方式。例如在專利文獻(xiàn)I中，記載有將多層配線板的層間進(jìn)行電磁場(chǎng)耦合的技術(shù)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2007 - 243123號(hào)公報(bào)發(fā)明概要發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在專利文獻(xiàn)I的多層配線板中，依次層疊形成有第一傳送線路、第一電介質(zhì)、具有狹縫(slot)的第一接地導(dǎo)體、第二電介質(zhì)、在對(duì)應(yīng)于該狹縫的位置上具有別的狹縫的第二接地導(dǎo)體、第三電介質(zhì)、和第二傳送線路。第一接地導(dǎo)體及第二接地導(dǎo)體分別通過(guò)周期性地形成在狹縫的周圍的通孔(via hole)群而電連接。通過(guò)這樣經(jīng)由通孔群將第一接地導(dǎo)體與第二接地導(dǎo)體電連接，而對(duì)第一傳送線路與第二傳送線路進(jìn)行電磁場(chǎng)地連接。另外，第一接地導(dǎo)體的狹縫及第二接地導(dǎo)體的狹縫不貫通到配置在第一接地導(dǎo)體和第二接地導(dǎo)體之間的第二電介質(zhì)。這里，專利文獻(xiàn)I所記載的通孔群設(shè)在第一接地導(dǎo)體及第二接地導(dǎo)體的各自的狹縫的周圍的比較大的范圍中。由此，在狹縫的周圍需要配置通孔群的空間，不能設(shè)置與該空間量的大小對(duì)應(yīng)的例如使用了別的狹縫的電磁耦合構(gòu)造。這樣，在以往的多層配線板中，要求能夠?qū)㈦姶篷詈蠘?gòu)造高密度地集成的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而做出的，目的是提供一種能夠高密度地集成的電磁耦合構(gòu)造、多層傳送線路板及它們的制造方法。用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段為了解決上述問(wèn)題，在本發(fā)明的在微波波段的頻帶中使用的電磁耦合構(gòu)造中，其特征在于，具備層疊體，在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間夾著內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層而層疊得到；一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層，中間夾著層疊體而對(duì)置；以及一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層，中間夾著一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置，在層疊體設(shè)有孔，該孔將內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通，經(jīng)由在孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層電連接，從而將一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層電磁f禹合。在該電磁耦合構(gòu)造中，在成為在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層間夾著內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層的構(gòu)造的層疊體中，設(shè)有將內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通的孔。在該孔的內(nèi)壁上設(shè)有將多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層彼此電連接的管狀的金屬膜。因此，經(jīng)由配置在層疊體的外側(cè)的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層，將一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層間電磁耦合。根據(jù)該電磁耦合構(gòu)造，不需要在孔的周圍設(shè)置例如專利文獻(xiàn)I所述的通孔群等。由此，能夠在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔的周圍例如不設(shè)置通孔群而配置別的在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔等的電磁耦合構(gòu)造。因而，能夠提供可高密度地集成的電磁耦合構(gòu)造。此外，在本發(fā)明的微波波段的頻帶中使用的電磁耦合構(gòu)造中，其特征在于，依次具備第一導(dǎo)體層、第一電介質(zhì)層、第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、第三導(dǎo)體層、第三電介質(zhì)層、及第四導(dǎo)體層，設(shè)有將第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、及第三導(dǎo)體層貫通的孔，經(jīng)由在孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層電連接，從而將第一導(dǎo)體層與第四導(dǎo)體 層電磁f禹合。在該電磁耦合構(gòu)造中，設(shè)有將第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、及第三導(dǎo)體層貫通的孔。在該孔的內(nèi)壁設(shè)有將第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層之間電連接的管狀的金屬膜。因此，經(jīng)由第一電介質(zhì)層、形成在孔的內(nèi)壁的管狀的金屬膜、和第三電介質(zhì)層，將第一導(dǎo)體層與第四導(dǎo)體層電磁耦合。根據(jù)該構(gòu)造，不需要在孔的周圍設(shè)置例如專利文獻(xiàn)I所記載的通孔群等。由此，能夠在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔的周圍例如不設(shè)置通孔群而配置別的在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔等的電磁耦合構(gòu)造。因而，能夠提供可高密度地集成的電磁耦合構(gòu)造。此外，本發(fā)明的微波波段的頻帶中使用的多層傳送線路板，其特征在于，具備層疊體，在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間夾著內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層而層疊得到；一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層，中間夾著層疊體而對(duì)置；以及一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層，中間夾著一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置，并形成傳送線路，在層疊體設(shè)有孔，該孔將內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通，經(jīng)由在孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層電連接，從而將一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層電磁耦合。在該多層傳送線路板中，在成為在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層間夾著內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層的構(gòu)造的層疊體中，設(shè)有將內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通的孔。在該孔的內(nèi)壁上設(shè)有將多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層彼此電連接的管狀的金屬膜。因此，經(jīng)由配置在層疊體的外側(cè)的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層，將一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層間電磁耦合。根據(jù)該電磁耦合構(gòu)造，不需要在孔的周圍設(shè)置例如專利文獻(xiàn)I所述的通孔群等。由此，能夠在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔的周圍例如不設(shè)置通孔群而配置別的在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔等的電磁耦合構(gòu)造。因而，能夠提供可高密度地集成的多層傳送線路板。此外，在本發(fā)明的微波波段的頻帶中使用的多層傳送線路板中，其特征在于，依次具備形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層、第一電介質(zhì)層、第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、第三導(dǎo)體層、第三電介質(zhì)層、以及形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層，設(shè)有將第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、及第三導(dǎo)體層貫通的孔，經(jīng)由在孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層電連接，從而將第一導(dǎo)體層與第四導(dǎo)體層電磁f禹合。在該多層傳送線路板中，設(shè)有將第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、及第三導(dǎo)體層貫通的孔。在該孔的內(nèi)壁設(shè)有將第二導(dǎo)體層與第三導(dǎo)體層之間電連接的管狀的金屬膜。因此，經(jīng)由第一電介質(zhì)層、形成在孔的內(nèi)壁的管狀的金屬膜、和第三電介質(zhì)層，將第一導(dǎo)體層與第四導(dǎo)體層電磁耦合。根據(jù)該構(gòu)造，不需要在孔的周圍設(shè)置例如專利文獻(xiàn)I所記載的通孔群等。由此，能夠在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔的周圍例如不設(shè)置通孔群而配置別的在內(nèi)壁具有管狀的金屬膜的孔等的電磁耦合構(gòu)造。因而，能夠提供可高密度地集成的多層傳送線路板。此外，在上述電磁耦合構(gòu)造中，優(yōu)選的是，外側(cè)導(dǎo)體層在一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸，與外側(cè)導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的孔的寬度設(shè)定為，小于等于與所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。此外，在上述電磁耦合構(gòu)造中，優(yōu)選的是，第一導(dǎo)體層在第一電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸，第四導(dǎo)體層在第三電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸，與第四導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的孔的寬度設(shè)定為，小于等于與所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。此外，在上述多層傳送線路板中，優(yōu)選的是，形成傳送線路的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層在一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸，與形成傳送線路的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層的延伸方向正交的 方向上的孔的寬度設(shè)定為，小于等于與所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。此外，在上述多層傳送線路板中，優(yōu)選的是，形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層在第一電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸，形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層在第三電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸，與第四導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的孔的寬度設(shè)定為，小于等于與所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。另外，第四導(dǎo)體層的延伸方向上的孔的寬度比與第一導(dǎo)體層及第四導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的孔的寬度短。通過(guò)這樣設(shè)定孔的寬度，能夠在抑制傳送損失的同時(shí)實(shí)現(xiàn)電磁耦合構(gòu)造的高密度集成化。此外，在上述電磁耦合構(gòu)造或多層傳送線路板中，從生產(chǎn)效率的觀點(diǎn)看，管狀的金屬膜優(yōu)選的是鍍膜。此外，在上述電磁耦合構(gòu)造或多層傳送線路板中，優(yōu)選的是，在形成有管狀的金屬膜的孔內(nèi)填充有電介質(zhì)，該電介質(zhì)滿足IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切為O O. 0300及IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)為2 30中的至少一個(gè)。由于傳送損失與材料的介質(zhì)損耗角正切成比例變大，所以通過(guò)這樣將介質(zhì)損耗角正切較低的電介質(zhì)填充到孔內(nèi)，能夠抑制傳送損失。此外，通過(guò)將相對(duì)介電常數(shù)較高的電介質(zhì)填充到孔內(nèi)，將通過(guò)孔內(nèi)部的信號(hào)的波長(zhǎng)縮短，所以與其相應(yīng)地，孔的寬度也變窄，能夠?qū)崿F(xiàn)電磁耦合構(gòu)造的高密度化并帶來(lái)開(kāi)孔成本的降低。此時(shí)，如果填充到孔內(nèi)的電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)變大，則傳送損失增加，但通過(guò)將介質(zhì)損耗角正切較低的電介質(zhì)填充到孔內(nèi)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高密度化和傳送損失的抑制。此外，也可以向形成有管狀的金屬膜的孔內(nèi)填充空氣。在此情況下，也與將電介質(zhì)填充到孔內(nèi)的情況同樣，能夠抑制傳送損失。此外，能夠省去填充電介質(zhì)的工序，能夠?qū)崿F(xiàn)工序的簡(jiǎn)單化。此外，本發(fā)明的微波波段的頻帶中使用的電磁耦合構(gòu)造的制造方法的特征在于，具備形成在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間配置內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層的層疊體的工序；設(shè)置將層疊體的內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通的孔的工序；在孔的內(nèi)壁設(shè)置管狀的金屬膜的工序；形成中間夾著層疊體而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的工序；以及形成中間夾著一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層的工序。根據(jù)該制造方法，能夠高效率地生產(chǎn)上述電磁耦合構(gòu)造。
此外，本發(fā)明的微波波段的頻帶中使用的傳送線路板的制造方法的特征在于，具備形成在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間配置內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層的層疊體的工序；設(shè)置將層疊體的內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通的孔的工序；在孔的內(nèi)壁設(shè)置管狀的金屬膜的工序；形成中間夾著層疊體而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的工序；以及形成中間夾著一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層的工序。根據(jù)該制造方法，能夠高效率地生產(chǎn)上述傳送線路板。此外，在上述電磁耦合構(gòu)造或多層傳送線路板的制造方法中，從進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率的觀點(diǎn)看，優(yōu)選的是，將管狀的金屬膜通過(guò)鍍敷(日本語(yǔ)A 9爸)形成。此外，在上述電磁耦合構(gòu)造或多層傳送線路板的制造方法中，優(yōu)選的是，還具有向形成了管狀的金屬膜的孔內(nèi)填充電介質(zhì)的工序，該電介質(zhì)滿足IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切為O O. 0300及IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)為2 30中的至少一個(gè)。由于傳送損失與材料的介質(zhì)損耗角正切成比例變大，所以通過(guò)這樣將介質(zhì)損耗角正切較低的電介質(zhì)填充到孔內(nèi)，能夠抑制傳送損失。此外，通過(guò)將相對(duì)介電常數(shù)較高的電介 質(zhì)填充到孔內(nèi)，將通過(guò)孔內(nèi)部的信號(hào)的波長(zhǎng)縮短，所以與其相應(yīng)地，孔的寬度也變窄，能夠?qū)崿F(xiàn)電磁耦合構(gòu)造的高密度化并帶來(lái)開(kāi)孔成本的降低。此時(shí)，如果填充到孔內(nèi)的電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)變大，則傳送損失增加，但通過(guò)將介質(zhì)損耗角正切較低的電介質(zhì)填充到孔內(nèi)，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)高密度化和傳送損失的抑制。此外，優(yōu)選的是還具備向形成了上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充空氣的工序。在此情況下，也與將電介質(zhì)填充到孔內(nèi)的情況同樣，能夠抑制傳送損失。此外，由于能夠?qū)⑻畛潆娊橘|(zhì)的工序進(jìn)一步簡(jiǎn)略化，所以是優(yōu)選的。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供可高密度地集成的電磁耦合構(gòu)造、多層傳送線路板、電磁耦合構(gòu)造的制造方法、及多層傳送線路板的制造方法。


圖I是表示具有涉及本實(shí)施方式的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的一實(shí)施方式的分解立體圖。圖2是沿著圖I的II 一 II線的剖視圖。圖3 (a) 圖3 (C)是表示具有涉及本實(shí)施方式的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的制造方法的一例的圖。圖4 (a) 圖4 (C)是表示具有涉及本實(shí)施方式的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的制造方法的一例的圖。圖5是表示具有涉及本實(shí)施方式的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的變形例的首1J視圖。圖6是表示具有涉及本實(shí)施方式的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的他的變形例的剖視圖。圖7 (a)是表示為了測(cè)量具有涉及實(shí)施例I 3的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的高頻特性而將傳送線路的結(jié)構(gòu)更換后的構(gòu)造的俯視透視圖。圖7 (b)是沿著圖7 (a)的VIIb — VIIb線的剖視圖。
圖8 (a)是表示為了測(cè)量具有涉及實(shí)施例4的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的高頻特性而將傳送線路的結(jié)構(gòu)更換后的構(gòu)造的俯視透視圖。圖8 (b)是沿著圖8 (a)的VIIIb — VIIIb線的剖視圖。圖9是表示具有涉及比較例I的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的分解立體圖。圖10是沿著圖9的X — X線的剖視圖。圖11 Ca)是表示用來(lái)測(cè)量具有涉及比較例I的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的高頻特性的構(gòu)造的俯視透視圖。圖11 (b)是沿著圖11 Ca)的XIb - XIb線的剖視圖。
圖12是表示具有涉及比較例2的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的分解立體圖。圖13(a)是表示用來(lái)測(cè)量涉及比較例2的電磁耦合構(gòu)造的構(gòu)造的俯視透視圖。圖13 (b)是沿著圖13 Ca)的XIIIb — XIIIb線的剖視圖。圖14是表示實(shí)施例I及比較例I的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。圖15是表示實(shí)施例I 3的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。圖16是表示比較例2的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。圖17是表示實(shí)施例4的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)具有涉及本發(fā)明的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的優(yōu)選的實(shí)施方式詳細(xì)地說(shuō)明。在圖中，適當(dāng)表示XYZ正交坐標(biāo)軸系C。具有涉及本發(fā)明的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板是在微波波段的高頻帶中使用的。這里所述的微波波段的頻帶具體而言是IOGHz IOOGHz的頻帶。圖I是表示具有涉及本實(shí)施方式的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板的一實(shí)施方式的分解立體圖。如圖I所示，多層傳送線路板I依次層疊有第一導(dǎo)體層11、第一電介質(zhì)層21、第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、第三導(dǎo)體層15、第三電介質(zhì)層25、及第四導(dǎo)體層16。這里，第二電介質(zhì)層23相當(dāng)于內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層，第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15相當(dāng)于多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層，第一電介質(zhì)層21及第三電介質(zhì)層25相當(dāng)于一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層，第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16相當(dāng)于一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層。在圖2中表示多層傳送線路板I的沿著與第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16的延伸方向平行的方向即II - II線的截面結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)體層11是形成第一傳送線路的部分。此夕卜，第四導(dǎo)體層16是形成第二傳送線路的部分。這些第一傳送線路和第二傳送線路是用于電磁場(chǎng)地連接的高頻傳送線路。形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層11在第一電介質(zhì)層21的面內(nèi)方向上延伸。形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層16在第三電介質(zhì)層25的面內(nèi)方向上延伸。在圖I及圖2所示的例子中，第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16以Y方向?yàn)殚L(zhǎng)軸而延伸。另外，該第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16的延伸方向(圖I及圖2所示的Y方向)與第一導(dǎo)體層11、第一電介質(zhì)層21、第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、第三導(dǎo)體層15、第三電介質(zhì)層25、及第四導(dǎo)體層16的層疊方向(圖I及圖2所不的Z方向)正交。第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15是形成接地層的接地導(dǎo)體。第一電介質(zhì)層21、第二電介質(zhì)層23、及第三電介質(zhì)層25是用來(lái)將第一導(dǎo)體層11、第二導(dǎo)體層12、第三導(dǎo)體層15、及第四導(dǎo)體層16相互電絕緣的部分。第一電介質(zhì)層21及第三電介質(zhì)層25優(yōu)選的是低介電損失的材料，例如是陶瓷、特氟綸(Teflon)(注冊(cè)商標(biāo))、聚苯醚、聚苯醚的改性物、液晶聚合物等絕緣材料。另外，作為第一電介質(zhì)層21及第三電介質(zhì)層25，可以含有玻璃纖維。第二電介質(zhì)層23如果使用低損失材料，則作為傳送線路板整體成為低損失，所以是優(yōu)選的，但由于對(duì)電磁耦合構(gòu)造的損失沒(méi)有影響，所以考慮成本，可以使用FR - 4等級(jí)的通常的環(huán)氧基板等。另外，作為第二電介質(zhì)層23，可以含有玻璃纖維。在多層傳送線路板I中，設(shè)有將第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、及第三導(dǎo)體層15貫通的孔S。作為貫通孔的孔S設(shè)在形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層11、和形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層16對(duì)置的區(qū)域。在孔S的內(nèi)壁上，通過(guò)鍍敷(例如非電解鍍敷)形成有管狀的金屬膜3。由此，將第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15經(jīng)由管狀的金屬膜3電連接，所以將形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層11與形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層16電磁耦合。另夕卜，管狀的金屬膜3優(yōu)選的是遍及孔S的內(nèi)壁的整面而形成，但也可以在該管狀的金屬膜3上具有不足有效波長(zhǎng)λ的1/4的大小的孔，該有效波長(zhǎng)λ與使用的頻率對(duì)應(yīng)。
優(yōu)選的是在形成有管狀的金屬膜3的孔S內(nèi)填充有介質(zhì)損耗角正切(介質(zhì)衰耗因數(shù))較低的電介質(zhì)4或相對(duì)介電常數(shù)較高的電介質(zhì)4。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選的是使用IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切是O O. 0300的電介質(zhì)4、或者IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)是2 30的電介質(zhì)4。電介質(zhì)4也可以是上述介質(zhì)損耗角正切及相對(duì)介電常數(shù)都滿足的材質(zhì)。由于傳送損失與材料的介質(zhì)損耗角正切成比例而變大，所以通過(guò)將孔S內(nèi)用低介質(zhì)損耗角正切的材料填充能夠抑制傳送損失。此外，通過(guò)將相對(duì)介電常數(shù)較高的電介質(zhì)4填充到孔內(nèi)，將經(jīng)過(guò)孔S內(nèi)部的信號(hào)的波長(zhǎng)縮短，所以與其相應(yīng)地，孔S的寬度也變窄，能夠?qū)崿F(xiàn)電磁耦合構(gòu)造的高密度化，并且還帶來(lái)開(kāi)孔成本的降低。此時(shí)，如果填充在孔S內(nèi)的電介質(zhì)4的相對(duì)介電常數(shù)變大則傳送損失增加，但通過(guò)將介質(zhì)損耗角正切較低的電介質(zhì)4填充到孔S內(nèi)，能夠兼顧高密度化和傳送損失的抑制。此外，在圖I所示的例子中，以與XY平面平行的方式切割得到的孔S的截面呈如下形狀，即在沿X方向延伸的帶狀部分的兩端的各自上，朝向該帶狀部分的外側(cè)而突出設(shè)置半圓部分。與第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16的延伸方向(圖I所示的Y方向)正交的方向(X方向)上的孔S的寬度W設(shè)定為，小于等于與在多層傳送線路板I中使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)λ。通過(guò)這樣設(shè)定孔S的寬度W，能夠在抑制傳送損失的同時(shí)實(shí)現(xiàn)電磁耦合構(gòu)造的高密度集成化。此外，如圖2所示，形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層11在一端部具有開(kāi)放端11Ρ，形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層16在一端部具有開(kāi)放端16Ρ。從孔S的中心(形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層11的延伸方向(Y軸方向)上的孔S的長(zhǎng)度的正中間部分)到開(kāi)放端IlP或開(kāi)放端16Ρ的距離LI設(shè)定為，約為上述有效波長(zhǎng)λ的1/4左右。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠抑制傳送損失。另外，為了慎重起見(jiàn)而順帶說(shuō)一下，形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層11及形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層16也可以是從相同的方向朝向孔S延伸的結(jié)構(gòu)。以下，表示多層傳送線路板I的制造方法的一例。首先，如圖3 Ca)所示，準(zhǔn)備在電介質(zhì)層23a的兩面上形成有銅箔等導(dǎo)體層12a、15a的層疊體。接著，如圖3 (b)所示，通過(guò)在該層疊體上用鉆等進(jìn)行開(kāi)孔，形成具有孔S、在兩面上具備導(dǎo)體層12a、15a的電介質(zhì)層23。接著，在孔S的內(nèi)壁上通過(guò)鍍敷而形成管狀的金屬膜3。例如如圖3 (c)所示，通過(guò)對(duì)形成有孔S的層疊體進(jìn)行非電解鍍敷處理，在孔S的內(nèi)壁上形成管狀的金屬膜3，并且在電介質(zhì)層23的兩面上形成比圖3 (b)所示的導(dǎo)體層12a、15a厚的導(dǎo)體層12、15。由此，如圖3 (c)所示，得到在將中間夾著電介質(zhì)層23對(duì)置的導(dǎo)體層12、15貫通的孔S的內(nèi)壁上形成有管狀的金屬膜3的層疊體30。另外，管狀的金屬膜3的厚度優(yōu)選的是5 μ m以上50 μ m以下，更優(yōu)選的是10 μ m以上50 μ m以下。如果管狀的金屬膜3的厚度不足5 μ m,則有可能不能均勻地形成管狀的金屬膜。管狀的金屬膜3除了鍍敷以外也可以通過(guò)蒸鍍或?yàn)R射形成，但為了高效率地均勻地得到上述厚度，優(yōu)選的是通過(guò)鍍敷形成。在鍍敷處理后，向形成有管狀的金屬膜3的孔S 內(nèi)填充電介質(zhì)4。如圖4 Ca)所示，將電介質(zhì)4的表面研磨而平坦化。接著，如圖4 (b)所示，使一對(duì)電介質(zhì)層21、25中間夾著層疊體30而對(duì)置，進(jìn)而使導(dǎo)體層lla、16a中間夾著電介質(zhì)層21、25而對(duì)置后，使它們加熱壓接。由此，能夠做成依次層疊了導(dǎo)體層11a、電介質(zhì)層21、導(dǎo)體層12、電介質(zhì)層23、導(dǎo)體層15、電介質(zhì)層25、及導(dǎo)體層16a的構(gòu)造體。最后,通過(guò)將導(dǎo)體層11a、16a例如用蝕刻進(jìn)行圖案化，從而如圖4 (c)所示，在中間夾著孔S而對(duì)置的位置上，形成作為傳送線路的導(dǎo)體層11、16。如以上這樣，能夠得到具有圖I及圖2所示的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板
Io在具有以上那樣的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板I中，在將第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、及第三導(dǎo)體層15貫通的孔S的內(nèi)壁，設(shè)有將第二導(dǎo)體層12與第三導(dǎo)體層15之間電連接的管狀的金屬膜3。因此，形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層11與形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層16，經(jīng)由第一電介質(zhì)層21、和形成在上述孔S的內(nèi)壁上的管狀的金屬膜、和第三電介質(zhì)層25而電磁耦合。由此，能夠使和與孔S鄰接的電路或配線的距離比以往變短，能夠提供可將電磁耦合構(gòu)造更高密度地集成的多層傳送線路板I。此外，在這樣的多層傳送線路板I中，傳送損失較小。這是因?yàn)?，如圖2所示，在多層傳送線路板I中，形成傳送線路的第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16之上的電磁場(chǎng)模式，中間夾著形成接地層的第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15、和將這些第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15電連接的管狀的金屬膜3的層疊體，處于“鏡像”的關(guān)系。即，該層疊體配置在傳送線路的鏡像現(xiàn)象的中心位置即多層傳送線路板I的層疊方向的中央。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，電磁場(chǎng)穩(wěn)定，能夠得到較強(qiáng)的模式耦合，所以能夠抑制傳送損失。以上，說(shuō)明了具有本實(shí)施方式的電磁耦合構(gòu)造的多層傳送線路板1，但本發(fā)明并不限定于這些。在上述中，表示了在作為多個(gè)接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間夾著內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層而層疊得到的層疊體的例子，但層疊體的形態(tài)并不限定于此。例如，在這樣的層疊體中，也可以在內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層以外還有不為接地層的導(dǎo)體層。在此情況下，例如成為在作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間夾著不為接地層的導(dǎo)體層及內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層的構(gòu)造。此外，例如形成有管狀的金屬膜3的孔S內(nèi)，作為電介質(zhì)，除了環(huán)氧樹(shù)脂、氰酸酯樹(shù)脂以外可以做成例如空氣層。空氣由于相對(duì)介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切都較低，所以能夠抑制多層傳送線路板I的傳送損失。此外，孔S的截面形狀優(yōu)選的是形成由上述那樣的帶狀部分和半圓部分構(gòu)成的形狀，但并不限于該形狀，例如也可以是圓形、矩形等。此外，作為用來(lái)實(shí)現(xiàn)上述電磁耦合構(gòu)造的具體的構(gòu)造，第二電介質(zhì)層23的厚度優(yōu)選的是O. 02mm以上4mm以下，更優(yōu)選的是O. 02mm以上2mm以下。第二導(dǎo)體層12的第一電介質(zhì)層21側(cè)的表面及第三導(dǎo)體層15的第三電介質(zhì)層25側(cè)的表面考慮表皮效果，表面粗糙較小是優(yōu)選的，表面粗糙(十點(diǎn)平均粗糙；Rz)優(yōu)選的是O. Ιμπι以上9μπι以下，更優(yōu)選的是O.I μ m以上6 μ m以下,更加優(yōu)選的是O. I μ m以上不足3 μ m。此外,第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15的厚度優(yōu)選的是5 μ m以上50 μ m以下,更優(yōu)選的是12 μ m以上50 μ m以下。作為用來(lái)得到這樣的構(gòu)造的材料，只要是一般的多層配線板材料就可以，沒(méi)有特別的問(wèn)題，可以使用陶瓷類或有機(jī)類的配線板材料。為了得到便宜的多層傳送線路板1，可以在不流過(guò)高頻信號(hào)的配線層中使用通用的多層配線板材料。由此，作為第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23及第三導(dǎo)體層15，可以采用例如作為兩面貼銅層疊板的MCL - E - 679 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名)等。此外，為了抑制流過(guò)高頻信號(hào)的傳送線 路的傳送損失，優(yōu)選的是低相對(duì)介電常數(shù)且低介質(zhì)損耗角正切的配線板材料。例如，作為第一電介質(zhì)層21及第三電介質(zhì)層25，可以采用作為低介質(zhì)損耗角正切高耐熱多層材料的兩面貼銅層疊板MCL -FX-2 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名)或預(yù)成型料(prepreg)GFA — 2 (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制,商品名)。第一電介質(zhì)層21及第三電介質(zhì)層25的厚度優(yōu)選的是O. 02mm以上O. 8mm以下,更優(yōu)選的是O. 07mm以上O. 2mm以下。此外，關(guān)于在制作形成第一傳送線路的導(dǎo)體層11及形成第二傳送線路的導(dǎo)體層16時(shí)所使用的銅箔，第一導(dǎo)體層11的第一電介質(zhì)層21側(cè)的表面及第四導(dǎo)體層16的第三電介質(zhì)層25側(cè)的表面考慮表皮效果，表面粗糙較小是優(yōu)選的，表面粗糙(Rz)優(yōu)選的是O. Ιμπι以上9 μ m以下,更優(yōu)選的是O. I μ m以上6 μ m以下,更加優(yōu)選的是O. I μ m以上不到3 μ m。形成第一傳送線路的導(dǎo)體層11及形成第二傳送線路的導(dǎo)體層16的厚度優(yōu)選的是5μπι以上50 μ m以下，更優(yōu)選的是12 μ m以上50 μ m以下。作為這樣的材料，例如有3EC — VLP —12 (三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名)等。此外，在上述中，表示了導(dǎo)體層是第一導(dǎo)體層11、第二導(dǎo)體層12、第三導(dǎo)體層15、第四導(dǎo)體層16的共計(jì)4層的例子，但導(dǎo)體層可以設(shè)為4層以上。例如如圖5所示，可以使導(dǎo)體層為6層。圖5所示的多層傳送線路板2與圖2所示的多層傳送線路板I不同的點(diǎn)是，在作為接地層的第二導(dǎo)體層12與第三導(dǎo)體層15之間還具備作為信號(hào)線的第五導(dǎo)體層13和第六導(dǎo)體層14，設(shè)有用來(lái)將這些第二導(dǎo)體層12、第五導(dǎo)體層13、第六導(dǎo)體層14、及第三導(dǎo)體層15之間絕緣的電介質(zhì)層31、32、33。這里，第五導(dǎo)體層13和第六導(dǎo)體層14是形成內(nèi)層的信號(hào)線的部分。如圖5所示，第五導(dǎo)體層13和第六導(dǎo)體層14通過(guò)電介質(zhì)層31、32、33與形成在孔S的內(nèi)壁上的管狀的金屬膜3絕緣。這樣，多層傳送線路板2具備交替地層疊有多個(gè)內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層31、32、33及多個(gè)導(dǎo)體層12、13、14、15的層疊體(這里，第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15相當(dāng)于作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層)、中間夾著該層疊體對(duì)置的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層21、25、和中間夾著該一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層21、25而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層11、16。在將該層疊體中的多個(gè)內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層31、32、33及多個(gè)導(dǎo)體層12、13、14、15的全部的層貫通的孔S的內(nèi)壁，形成有管狀的金屬膜3。因此，多層傳送線路板2具有經(jīng)由第一電介質(zhì)層21、管狀的金屬膜3、及第三電介質(zhì)層25而使形成傳送線路的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層11、16間電磁耦合的電磁耦合構(gòu)造。因而，與上述實(shí)施方式同樣，能夠使和與孔S鄰接的電路或配線的距離比以往變短，能夠提供更高密度的多層傳送線路板。在圖5所示的例子中，對(duì)在作為接地層的內(nèi)側(cè)的第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15之間設(shè)有多個(gè)作為信號(hào)線的導(dǎo)體層的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但可以在作為信號(hào)線的層間進(jìn)一步設(shè)置作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層。例如如圖6所示，可以將內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層及外側(cè)導(dǎo)體層加在一起設(shè)為共計(jì)8層。圖6所示的多層傳送線路板5與圖5所示的多層傳送線路板2不同的點(diǎn)是，在第五導(dǎo)體層13與第六導(dǎo)體層14之間，還具備第七導(dǎo)體層17及第八導(dǎo)體層18作為成為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層，并且設(shè)有用來(lái)將這些第五導(dǎo)體層13、第六導(dǎo)體層14、第七導(dǎo)體層17、及第八導(dǎo)體層18之間絕緣的內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層34、23、35。如圖6所示，作為接地層的第七導(dǎo)體層17及第八導(dǎo)體層18與形成在孔S的內(nèi)壁的管狀的金屬膜3電連接。如果做成這樣的構(gòu)造，則與圖I所示的構(gòu)造相比，能夠通過(guò)更多的信號(hào)線。此外，與圖5所示的構(gòu)造相比，通過(guò)在第五導(dǎo)體層13與第六導(dǎo)體層14之間設(shè)置有作為接地層的第七導(dǎo)體層17及第八導(dǎo)體層18，從而沒(méi)有與處于上層或下層的信號(hào)線之間的串?dāng)_的影響及阻抗變動(dòng)的影響，所以是優(yōu)選的。這樣，多層傳送線路板5具備交替地層疊了多個(gè)內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層31、34、23、35、33及多個(gè)導(dǎo)體層12、13、17、18、14、15的層疊體(其中，導(dǎo)體層12、17、18及15相當(dāng)于作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層)、中間夾著該層疊體而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層21、25、和在中間夾著該一對(duì)的外側(cè)電介質(zhì)層21、25而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層11、16。在將該層疊體中的多個(gè)內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層31、34、23、35、33及多個(gè)導(dǎo)體層12、13、17、18、14、15的全部的層貫通的孔S的內(nèi)壁， 形成有管狀的金屬膜3。因此，多層傳送線路板5具有經(jīng)由第一電介質(zhì)層21、管狀的金屬膜3及第三電介質(zhì)層25使形成傳送線路的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層11、16間電磁耦合的電磁耦合構(gòu)造。因而，與上述實(shí)施方式同樣，能夠使和與孔S鄰接的電路或配線的距離比以往變短，能夠提供更高密度的多層傳送線路板。上述多層傳送線路板5例如可以通過(guò)以下的方法制造。首先，作為第七導(dǎo)體層17、第二電介質(zhì)層23、第八導(dǎo)體層18而準(zhǔn)備兩面貼銅層疊板a。接著，在該層疊板a的兩側(cè)作為第二導(dǎo)體層12、第四電介質(zhì)層31、及第五導(dǎo)體層13而準(zhǔn)備兩面貼銅層疊板b，并且作為第三導(dǎo)體層15、第五電介質(zhì)層33、及第六導(dǎo)體層14而準(zhǔn)備兩面貼銅層疊板C。在兩面貼銅層疊板b的第五導(dǎo)體層13及兩面貼銅層疊板c的第六導(dǎo)體層14中，利用蝕刻等將各導(dǎo)體的一部分比孔S更大地除去，從而預(yù)先形成信號(hào)線。接著，在兩面貼銅層疊板a的外側(cè)，作為第六電介質(zhì)層34及第七電介質(zhì)層35而分別載置預(yù)成型料。進(jìn)而，以使兩面貼銅層疊板b的第五導(dǎo)體層13側(cè)及兩面貼銅層疊板c的第六導(dǎo)體層14側(cè)朝向兩面貼銅層疊板a側(cè)的方式進(jìn)行載置。然后，在通過(guò)加熱加壓形成層疊體后，用鉆等設(shè)置孔S。然后，通過(guò)例如用非電解鍍銅將孔S的內(nèi)壁鍍敷，從而將內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層(即第二導(dǎo)體層12、第七導(dǎo)體層17、第八導(dǎo)體層18、及第三導(dǎo)體層15)電連接。進(jìn)而，在層疊體的外側(cè)，作為一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層(即第一電介質(zhì)層21及第三電介質(zhì)層25)而分別載置預(yù)成型料。進(jìn)而，在其外側(cè)作為一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層(即第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16)而分別載置銅箔。然后，在加熱加壓后，通過(guò)將第一導(dǎo)體層11及第四導(dǎo)體層16的一部分利用蝕刻等除去，形成傳送線路層。另外，在圖5及圖6中，表示了層疊體的最外層是導(dǎo)體層的情況，但并不一定需要將導(dǎo)體層設(shè)在最外層，最外層也可以是電介質(zhì)層。此外，并不一定需要將電介質(zhì)層與導(dǎo)體層交替地層疊，也可以將多個(gè)電介質(zhì)層重疊設(shè)置或?qū)⒍鄠€(gè)導(dǎo)體層重疊設(shè)置。以下，對(duì)實(shí)施例I 4及比較例I 2進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施例。在實(shí)施例I 4及比較例I 2中，進(jìn)行了頻帶是60 80GHz的情況下的電磁稱合構(gòu)造的傳送損失的測(cè)量。這里，上述說(shuō)明的電磁耦合構(gòu)造由于配線(即第一導(dǎo)體層11和第四導(dǎo)體層16)被分開(kāi)到多層傳送線路板的表面和背面，所以難以原樣使用晶片探針等進(jìn)行高頻測(cè)量。因此，在以下的實(shí)施例I 4中，如圖7 (a)及圖8 (a)所示，準(zhǔn)備了代替一個(gè)第四導(dǎo)體層16而使用兩個(gè)第四導(dǎo)體層161、162、代替一個(gè)孔S而使用兩個(gè)孔S的多層傳送線路板1A。通過(guò)這樣將兩個(gè)狹縫稱合(slot coupling)串聯(lián)連接,能夠進(jìn)行基于探測(cè)(probing)的測(cè)量。另外，在高頻測(cè)量時(shí)，為了將探頭相面對(duì)測(cè)量，將一個(gè)第四導(dǎo)體層161的形狀做成由長(zhǎng)邊16A及短邊16C構(gòu)成的“L”字形狀，并且將另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的形狀做成由長(zhǎng)邊16B及短邊16D構(gòu)成的“L”字形狀。這些短邊16C及短邊16D作為探測(cè)測(cè)量時(shí)的端子連接部而使用。此外，作為第一導(dǎo)體層11的替代，使用了由一端11A、另一端11B、以及將這些一端IlA與另一端IlB連結(jié)的連結(jié)部IlC構(gòu)成的“ 口 ”字形狀的第一導(dǎo)體層110。(實(shí)施例I)圖7 Ca)是從第四導(dǎo)體層161、162側(cè)觀察多層傳送線路板IA的俯視透視圖。圖
7(b)是沿著圖7 (a)的VIIb — VIIb線的剖視圖。在實(shí)施例I中，制作了將傳送線路(第一導(dǎo)體層110)、第一電介質(zhì)層21、第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、第三導(dǎo)體層15、第三電介質(zhì)層25、及兩個(gè)傳送線路(第四導(dǎo)體層161及第四導(dǎo)體層162)依次層疊的多層傳送線路板1A。如圖7(b)所示，在與形成在內(nèi)層的電路板上的一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上，作為相當(dāng)于外側(cè)導(dǎo)體層的傳送線路而對(duì)置配置第一導(dǎo)體層110及第四導(dǎo)體層161，并且在與另一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上，作為相當(dāng)于外側(cè)導(dǎo)體層的傳送線路而對(duì)置配置第一導(dǎo)體層110及第四導(dǎo)體層162。另外，這里的“對(duì)置配置”是指，配置為使孔S的中心(形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層16的延伸方向(Y軸方向)上的孔S的長(zhǎng)度的正中間部分)與距第一導(dǎo)體層110或第四導(dǎo)體層161、162的開(kāi)放端IlP或開(kāi)放端16P為大約有效波長(zhǎng)λ的1/4左右內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體層上的點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)。此時(shí)，在多層傳送線路板IA的中心附近，配置第四導(dǎo)體層161及第四導(dǎo)體層162，以使第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16Α與第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16Β隔開(kāi)規(guī)定的間隔相對(duì)。此外，將第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16Α及第一導(dǎo)體層110的一端IlA的延伸方向(在圖7 Ca)的例子中是Y軸方向)配置為與一個(gè)孔S的長(zhǎng)軸方向正交的朝向。同樣，將第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B及第一導(dǎo)體層110的另一端IlB的延伸方向(在圖7 (a)的例子中是Y軸方向)配置為與另一個(gè)孔S的長(zhǎng)軸方向正交的朝向。經(jīng)由在兩個(gè)孔S的各自中形成于內(nèi)壁上的管狀的金屬膜3，使第二導(dǎo)體層12與第三導(dǎo)體層15電連接。因此，形成了經(jīng)由第一電介質(zhì)層21、管狀的金屬膜3、及第三電介質(zhì)層25將作為傳送線路的第一導(dǎo)體層110與第四導(dǎo)體層161電磁耦合、并且將作為傳送線路的第一導(dǎo)體層110與第四導(dǎo)體層162電磁耦合的電磁耦合構(gòu)造100。以下，對(duì)多層傳送線路板IA的具體的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備在(作為第二電介質(zhì)層23的)電介質(zhì)層的兩面形成有(作為第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15的)銅箔的層疊板(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名MCL — E — 679)。該層疊板的厚度是O. 5mm，各銅箔的厚度是12 μ m，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙是Rz :6.0μπι。接著，在該層疊體上使用直徑
O.25mm的鉆進(jìn)行直徑O. 25mm、寬Wl. 45mm的開(kāi)孔，形成兩個(gè)孔S。在對(duì)這兩個(gè)孔S的內(nèi)壁及銅箔表面實(shí)施了 IOym鍍銅后，在各孔S內(nèi)印刷相當(dāng)于電介質(zhì)4的埋孔樹(shù)脂(太陽(yáng)油墨(日本語(yǔ)太陽(yáng)^ )制造株式會(huì)社制，商品名DX — I, IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切O. 03,相對(duì)介電常數(shù)3. 5)，將表面研磨而制作內(nèi)層電路板。另外，在圖7 (b)中，省略作為第二導(dǎo)體層12的銅箔以及作為第三導(dǎo)體層15的銅箔的表面上的鍍銅膜的圖示。接著，以厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP — 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. O μ m)、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、上述內(nèi)層電路板、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP 一 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. Oym)的順序?qū)⑺鼈冎丿B，在溫度180°C、壓力3MPa、時(shí)間80分鐘的條件下制作出層疊一體化的多層傳送線路板。最后，對(duì)于該多層傳送線路板，利用蝕刻將上下的銅箔圖案化。通過(guò)將上側(cè)的銅箔圖案化，得到兩個(gè)“L”字形狀的第四導(dǎo)體層161、162。此外，通過(guò)將下側(cè)的銅箔圖案化，得到“二”字形狀的第一導(dǎo)體層110。此時(shí)，在與在內(nèi)層電路板形成的一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上，作為寬度220 μ m的傳送線路而對(duì)置配置第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A及第一導(dǎo)體層110的一端11A，并且在與另一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上，作為寬度220 μ m的傳送線路而對(duì)置配置第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B及第一導(dǎo)體層110的另一端11B。這些傳送線路(即第四導(dǎo)體層161、第四導(dǎo)體層162、及第一導(dǎo)體層110)是做成特性阻抗50 Ω的微帶線(microstrip line)。如以上這樣,制作出圖7 (a)、圖7 (b)所示那樣的具有包括兩個(gè)孔S的電磁耦合構(gòu)造100的多層傳送線路板1A。這里，從作為傳送線路的一個(gè)第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A的內(nèi)側(cè)到另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的內(nèi)側(cè)的最短距離L2是I. 63_。(實(shí)施例2)在實(shí)施例I中，作為各孔S內(nèi)的電介質(zhì)4，將樹(shù)脂埋孔印刷，但在實(shí)施例2中，在各孔S內(nèi)將IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)是2. 8、介質(zhì)損耗角正切是O. 003的電介質(zhì)4埋孔印刷，其他條件與實(shí)施例I同樣，制作出圖7 (a)、圖7 (b)所示那樣的具有包括兩個(gè)孔S的電磁耦合構(gòu)造101的多層傳送線路板。這里，從作為傳送線路的一個(gè)第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A 的內(nèi)側(cè)到另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的內(nèi)側(cè)的最短距離L2是I. 63mm。(實(shí)施例3)首先，準(zhǔn)備在電介質(zhì)層的兩面上形成有銅箔的層疊板(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名MCL — E — 679)。該層疊板的厚度是O. 5mm，銅箔的厚度是12 μ m，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙是Rz :6. Oym0接著，在該層疊體上使用直徑O. 25mm的鉆進(jìn)行直徑O. 25mm、寬度Wl. OOmm的開(kāi)孔，形成兩個(gè)孔S。在對(duì)這兩個(gè)孔S的內(nèi)壁及銅箔表面實(shí)施了 IOym鍍銅后，在各孔S內(nèi)印刷IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)是15、介質(zhì)損耗角正切是O. 03的電介質(zhì)4，將表面研磨而制作出內(nèi)層電路板。另外，在圖7 (b)中，省略銅箔12及15表面上的鍍銅膜。接著，以厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP — 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. O μ m)、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、上述內(nèi)層電路板，預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP 一 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. Oym)的順序?qū)⑺鼈冎丿B，在溫度180°C、壓力3MPa、時(shí)間80分鐘的條件下制作出層疊一體化的多層傳送線路板。最后，對(duì)于該多層傳送線路板，利用蝕刻將上下的銅箔圖案化，從而在與在內(nèi)層電路板形成的一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上對(duì)置配置寬度220 μ m的傳送線路16A及傳送線路11A，以使16A及IlA的延伸方向成為與孔S的長(zhǎng)軸方向正交的朝向，并且在與另一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上對(duì)置配置寬度220 μ m的傳送線路16B及傳送線路11B，以使16B及IlB的延伸方向成為與孔S的長(zhǎng)軸方向正交的朝向。這些傳送線路16A、16B、110是做成特性阻抗50Ω的微帶線。如以上這樣，制作出圖7 (a)、圖7 (b)所示那樣的具有包括兩個(gè)孔S的電磁耦合構(gòu)造102的多層傳送線路板IA0如果進(jìn)行補(bǔ)充，則多層傳送線路板IA具有如下電磁耦合構(gòu)造102，即依次層疊有傳送線路110、第一電介質(zhì)層21、第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、第三導(dǎo)體層15、第三電介質(zhì)層25、及兩個(gè)傳送線路16A、16B，通過(guò)經(jīng)由在兩個(gè)孔S的各自中形成于內(nèi)壁上的管狀的金屬膜3將第二導(dǎo)體層12與第三導(dǎo)體層15電連接，從而經(jīng)由第一電介質(zhì)層21、在兩個(gè)孔S的各自中形成于內(nèi)壁上的管狀的金屬膜3、及第三電介質(zhì)層25將傳送線路IlA與傳送線路16A電磁耦合，并且將傳送線路IlB與傳送線路16B電磁耦合。另外，傳送線路16A、16B、110是使特性阻抗為50Ω的微帶線。如以上這樣，制作出圖7 (a)、圖7 (b)所示那樣的具有包括 兩個(gè)孔S的電磁耦合構(gòu)造102的多層傳送線路板1A。這里，從作為傳送線路的一個(gè)第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A的內(nèi)側(cè)到另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的內(nèi)側(cè)的最短距離L2是
I.18mm。(實(shí)施例4)在實(shí)施例4中，采用了在實(shí)施例I所示的傳送線路板的層疊體的導(dǎo)體層間將作為信號(hào)線層的導(dǎo)體層和作為接地層的導(dǎo)體層分別各形成兩層、并且在各導(dǎo)體層之間夾著電介質(zhì)層的電磁稱合構(gòu)造103。在圖8 (a)及圖8 (b)中，表示在實(shí)施例4中制作出的具有包括兩個(gè)孔S的電磁耦合構(gòu)造103的多層傳送線路板1B。圖8 (a)是將多層傳送線路板IB從第四導(dǎo)體層161、162側(cè)觀察的俯視透視圖。圖8 (b)是沿著圖8 (a)的VIIIb — VIIIb線的剖視圖。在多層傳送線路板IB中，形成為依次層疊了第一導(dǎo)體層110、第一電介質(zhì)層21、第二導(dǎo)體層12、第四電介質(zhì)層31、第五導(dǎo)體層13、第六電介質(zhì)層34、第七導(dǎo)體層17、第二電介質(zhì)層23、第八導(dǎo)體層18、第七電介質(zhì)層35、第六導(dǎo)體層14、第五電介質(zhì)層33、第三導(dǎo)體層15、第三電介質(zhì)層25、及兩個(gè)第四導(dǎo)體層161、162的構(gòu)造。如圖8 (b)所示，使兩個(gè)孔S從第三導(dǎo)體層15貫通到第二導(dǎo)體層12。在各孔S的內(nèi)壁上形成管狀的金屬膜3。在內(nèi)壁上形成有管狀的金屬膜3的各孔S內(nèi)填充電介質(zhì)4。通過(guò)金屬膜3將作為接地層的第二導(dǎo)體層12、第七導(dǎo)體層17、第八導(dǎo)體層18及第三導(dǎo)體層15電連接。此外，作為信號(hào)線層的第五導(dǎo)體層13及第六導(dǎo)體層14不進(jìn)行與形成在孔S的金屬膜3的電連接。此外，如圖8(a)所示，在與形成在內(nèi)層的電路板的一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上，作為與外側(cè)導(dǎo)體層相當(dāng)?shù)膫魉途€路而對(duì)置配置第一導(dǎo)體層Iio及第四導(dǎo)體層161，并且在與另一個(gè)孔S對(duì)應(yīng)的位置上，作為與外側(cè)導(dǎo)體層相當(dāng)?shù)膫魉途€路而對(duì)置配置第一導(dǎo)體層110及第四導(dǎo)體層162。此時(shí)，在多層傳送線路板IB的中心附近配置第四導(dǎo)體層161及第四導(dǎo)體層162，以使第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A與第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B隔開(kāi)規(guī)定的間隔相對(duì)。此外，將第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A及第一導(dǎo)體層110的一端IlA的延伸方向(在圖8 (a)的例子中是Y軸方向)配置為與一個(gè)孔S的長(zhǎng)軸方向正交的朝向。同樣，將第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B及第一導(dǎo)體層110的另一端IlB的延伸方向(在圖8 (a)的例子中是Y軸方向)配置為與另一個(gè)孔S的長(zhǎng)軸方向正交的朝向。在以上那樣的電磁耦合構(gòu)造103中，通過(guò)經(jīng)由兩個(gè)金屬膜3將第二導(dǎo)體層12與第三導(dǎo)體層15電連接，從而經(jīng)由第三電介質(zhì)層25、兩個(gè)金屬膜3及第一電介質(zhì)層21將作為傳送線路的第一導(dǎo)體層110與作為傳送線路的第四導(dǎo)體層161、162分別電磁I禹合。以下，對(duì)多層傳送線路板IB的具體的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備在電介質(zhì)層的兩面上形成有銅箔的層疊板(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名MCL — E — 679)(層疊板I)。該層疊板的厚度是O. 1mm，銅箔的厚度是12 μ m，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙是Rz :6. O μ mo接著，準(zhǔn)備兩片板厚O. Imm及銅箔厚度12 μ m的兩面貼銅層疊板(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名MCL -LX- 67Y)(層疊板2)。對(duì)準(zhǔn)備的兩片兩面貼銅層疊板的一側(cè)的銅箔的在之后設(shè)置孔的部位通過(guò)蝕刻大一圈(100 μ m)地除去，并 且通過(guò)蝕刻形成規(guī)定的傳送線路。在層疊板I的兩面上載置預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GXA — 67Y，厚度100 μ m)，進(jìn)而在其外側(cè)將層疊板2的傳送線路側(cè)朝向?qū)盈B板I側(cè)重疊，在溫度230°C、壓力3MPa、時(shí)間80分鐘的條件下制作出層疊一體化的層疊體。在該層疊體上使用直徑O. 25mm的鉆進(jìn)行直徑O. 25mm、寬度Wl. 45mm的開(kāi)孔,形成兩個(gè)孔S。在對(duì)這兩個(gè)孔S的內(nèi)壁及銅箔表面實(shí)施了 IOym鍍銅、形成了管狀的金屬膜3后，在各孔S內(nèi)印刷作為電介質(zhì)4的埋孔樹(shù)脂(太陽(yáng)油墨制造株式會(huì)社制,商品名DX — I, IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切O. 03，相對(duì)介電常數(shù)3. 5)，將表面研磨而制作內(nèi)層電路板。另外，在圖
8(b)中，省略銅箔12及15表面上的鍍銅膜。接著，以厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP 一 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. O μ m)、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、上述內(nèi)層電路板，預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP 一 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. Oym)的順序?qū)⑺鼈冎丿B，在溫度180°C、壓力3MPa、時(shí)間80分鐘的條件下制作出層疊一體化的多層傳送線路板1B。最后，對(duì)于該多層傳送線路板，利用蝕刻將上下的銅箔圖案化。通過(guò)將上側(cè)的銅箔圖案化，得到兩個(gè)“L”字形狀的第四導(dǎo)體層161、162。此外，通過(guò)將下側(cè)的銅箔圖案化，得到“二”字形狀的第一導(dǎo)體層110。此時(shí)，在對(duì)應(yīng)于在內(nèi)層電路板形成的一個(gè)孔S的位置上，對(duì)置配置寬度220 μ m的第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A及第一導(dǎo)體層110的一端11A，并且在對(duì)應(yīng)于另一個(gè)孔S的位置上對(duì)置配置寬度220 μ m的第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B及第一導(dǎo)體層110的另一端11B。此外，第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A及第一導(dǎo)體層110的一端IlA的延伸方向(圖8 Ca)所示的Y軸方向)配置為，成為與一個(gè)孔S的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)正交的朝向，并且另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B及第一導(dǎo)體層110的另一端IlB的延伸方向(Y軸方向)配置為，成為與另一個(gè)孔S的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)正交的朝向。這些傳送線路(第四導(dǎo)體層161、162及第一導(dǎo)體層110)是做成特性阻抗50 Ω的微帶線。如以上這樣，制作出圖8 (a)及圖8 (b)所示那樣的具有包括兩個(gè)狹縫S的電磁耦合構(gòu)造103的多層傳送線路板1B。這里，從作為傳送線路的一個(gè)第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A的內(nèi)側(cè)到另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的內(nèi)側(cè)的最短距離L2是I. 63mm。
(比較例I)圖9表示涉及比較例I的多層傳送線路板10的分解立體圖。圖10表示沿著圖9的X — X線的剖視圖。在比較例I中，采用了圖9及圖10所示那樣的、具有僅將第二導(dǎo)體層12貫通的狹縫SI、和僅將第三導(dǎo)體層15貫通的狹縫S2的多層傳送線路板10的結(jié)構(gòu)。這里，狹縫是指僅在導(dǎo)體層設(shè)置的孔。在多層傳送線路板10中，依次層疊有第一導(dǎo)體層(傳送線路)11、第一電介質(zhì)層21、第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、第三導(dǎo)體層15、第三電介質(zhì)層25、及第四導(dǎo)體層(傳送線路)16。第一導(dǎo)體層11的延伸方向(Y軸方向)設(shè)為與第四導(dǎo)體層16的延伸方向(Y軸方向)相同。使狹縫S1、S2的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)與各傳送線路的延伸方向(Y軸方向)正交。使第一導(dǎo)體層11的一端為開(kāi)放端11P，使第四導(dǎo)體層16的一端為開(kāi)放端16P。使從第一導(dǎo)體層11的開(kāi)放端IlP到狹縫SI的中心的距離LI為所使用的有效波長(zhǎng)λ的1/4左右。同樣，使從第四導(dǎo)體層16的開(kāi)放端16Ρ到狹縫S2的中心的距離LI為所使用的有效波長(zhǎng)λ的1/4左右。如圖10所示，在比較例I的多層傳送線路板10中，在第二電介質(zhì)層23沒(méi)有設(shè)置 將第二電介質(zhì)層23貫通那樣的孔。但是，如上述那樣，配線(即第一導(dǎo)體層11、第四導(dǎo)體層16)被分開(kāi)到多層傳送線路板10的表面和背面，所以原樣使用晶片探針等進(jìn)行高頻測(cè)量是困難的。因此，實(shí)際上與實(shí)施例I 4同樣，制作出采用圖11 (a)及圖11 (b)所示那樣的在表面上具有兩個(gè)“L”字形狀的傳送線路(即兩個(gè)第四導(dǎo)體層161、162)、在背面上具有一個(gè)“ ”字形狀的傳送線路(即第一導(dǎo)體層110)的結(jié)構(gòu)并且具有4個(gè)狹縫SI、S2、S3、S4的多層傳送線路板10A。以下，說(shuō)明多層傳送線路板IOA的具體的制造方法。首先，準(zhǔn)備板厚O. 5mm及銅箔厚度12 μ m的兩面貼銅層疊板(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名MCL — E — 679)。銅箔的電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙是Rz :6.0μπι。通過(guò)利用蝕刻將銅箔圖案化，制作出具有長(zhǎng)徑
I.9mmX短徑O. 4mm的4個(gè)狹縫SI、S2、S3、S4的內(nèi)層電路板。狹縫SI及狹縫S3形成為，僅將作為第二導(dǎo)體層12的銅箔貫通，狹縫S2及狹縫S4形成為，僅將作為第三導(dǎo)體層15的銅箔貫通。此外，從層疊方向(Z軸方向)觀察，狹縫SI與狹縫S2以重疊的方式對(duì)置配置，狹縫S3與狹縫S4以重疊的方式對(duì)置配置。接著，以厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP — 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. O μ m)、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、上述內(nèi)層電路板、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度100 μ m)、厚度12 μ m的銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP 一 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. Oym)的順序?qū)⑺鼈冎丿B，在溫度180°C、壓力3MPa、時(shí)間80分鐘的條件下制作出層疊一體化的多層傳送線路板。最后，將上下的銅箔利用蝕刻圖案化。即，通過(guò)將上側(cè)的銅箔圖案化，得到兩個(gè)“L”字形狀的第四導(dǎo)體層161、162。此外，通過(guò)將下側(cè)的銅箔圖案化，得到“字“形狀的第一導(dǎo)體層110。此時(shí)，在與在內(nèi)層電路板形成的狹縫SI及狹縫S2對(duì)應(yīng)的位置上，對(duì)置配置寬度220 μ m的第一導(dǎo)體層110的一端IIA及第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A，并且使第一導(dǎo)體層110的一端IlA及第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A的延伸方向(圖11 Ca)所不的Y軸方向)成為與狹縫SI或S2的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)正交的朝向。同樣，在對(duì)應(yīng)于狹縫S3及狹縫S4的位置上，對(duì)置配置寬度220 μ m的第一導(dǎo)體層110的另一端IlB及第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B，并且使第一導(dǎo)體層110的另一端IlB及第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的延伸方向(圖11 (a)所示的Y軸方向)成為與狹縫S3或S4的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)正交的朝向。如果進(jìn)行補(bǔ)充，則多層傳送線路板IOA具有如下的電磁耦合構(gòu)造1000，即依次層疊(作為傳送線路的)第一導(dǎo)體層110、第一電介質(zhì)層21、第二導(dǎo)體層12、第二電介質(zhì)層23、第三導(dǎo)體層15、第三電介質(zhì)層25、及(作為兩個(gè)傳送線路的)第四導(dǎo)體層161、162，經(jīng)由狹縫SI及狹縫S2將作為傳送線路的第一導(dǎo)體層110與第四導(dǎo)體層161電磁耦合，并且經(jīng)由狹縫S3及狹縫S4將作為傳送線路的第一導(dǎo)體層110與第四導(dǎo)體層162電磁耦合。另外，作為傳送線路的第一導(dǎo)體層110、第四導(dǎo)體層161、162是使特性阻抗為50Ω的微帶線。如以上這樣，制作出圖11(b)所示那樣的具有包括4個(gè)狹縫SI、S2、S3、S4的電磁耦合構(gòu)造1000的多層傳送線路板IOA0這里，從作為傳送線路的一個(gè)第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A的內(nèi)側(cè)到另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的內(nèi)側(cè)的最短距離L2是2. 08mm。(比較例2)在比較例2中，采用了相當(dāng)于專利文獻(xiàn)I的實(shí)施例I的構(gòu)造。將具體的構(gòu)造表示 在圖12、圖13 (a)及圖13 (b)中。圖12表示比較例2中用于高頻測(cè)量的多層傳送線路板20A的分解立體圖。圖13 (a)是將圖12的多層傳送線路板從上方的外側(cè)導(dǎo)體層側(cè)觀察的俯視透視圖。圖13 (b)是沿著圖13 (a)的XIIIb — XIIIb線的剖視圖。另外，在高頻測(cè)量時(shí)為了將探頭相面對(duì)而進(jìn)行測(cè)量，與實(shí)施例I 4同樣，使第四導(dǎo)體層為兩個(gè)，使這些第四導(dǎo)體層161及第四導(dǎo)體層162分別為“L”字形狀。在第三電介質(zhì)層25上，將第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A與第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B平行地配置。此外，使用第四導(dǎo)體層161的短邊16C及第四導(dǎo)體層162的短邊16D作為探測(cè)用的端子連接部。如圖12所示，在作為傳送線路的第四導(dǎo)體層161、162的下方，隔著電介質(zhì)層25形成了僅將所設(shè)置的第三導(dǎo)體層15貫通的狹縫S12、S14。如圖12或圖13 (a)所示，使狹縫S12、S14的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)正交于第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A及第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的延伸方向(Y軸方向)。此外，作為僅使第二導(dǎo)體層12貫通的孔，形成狹縫Sll、S13。該狹縫Sll、S13形成在隔著第二電介質(zhì)層23對(duì)置于狹縫S12、S14的位置上。這里，狹縫Sll 14僅使導(dǎo)體層貫通而形成，沒(méi)有貫通到第二電介質(zhì)層23。此外，在狹縫Sll、S12的周圍以一定間隔設(shè)有多個(gè)通孔41。同樣，在狹縫S13、14的周圍以一定間隔設(shè)有多個(gè)通孔41。各通孔41從第三導(dǎo)體層15經(jīng)由第二電介質(zhì)層23貫通到第二導(dǎo)體層12。在通孔41的內(nèi)壁形成非電解鍍層41a，使第二導(dǎo)體層12與第三導(dǎo)體層15經(jīng)由通孔41的內(nèi)壁而電連接。此時(shí)，第二導(dǎo)體層12和第三導(dǎo)體層15的表面上也形成非電解鍍層，但在圖13 (b)中，為了方便而將關(guān)于第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15表面的鍍膜的圖示省略。在第二導(dǎo)體層12的下部,還隔著第一電介質(zhì)層21而設(shè)有作為傳送線路的第一導(dǎo)體層110。第一導(dǎo)體層110如圖12及圖13 (a)所示，做成了字形狀。第一導(dǎo)體層110的一端IlA的延伸方向平行于第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A的延伸方向(圖13 Ca)所不的Y軸方向)。此外，第一導(dǎo)體層110的另一端IlB的延伸方向平行于第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的延伸方向(圖13 (a)所示的Y軸方向)。此時(shí)，從層疊方向(Z軸方向)觀察，第一導(dǎo)體層110的一端IlA配置為，與一個(gè)孔S及一個(gè)第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A重疊，并且第一導(dǎo)體層110的另一端IlB配置為，與另一個(gè)孔S及另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B重疊。以下，對(duì)多層傳送線路板20A的具體的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，在板厚O. 5mm及銅箔厚度12 μ m的貼銅層疊板(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名MCL — E — 679)上，在之后通過(guò)蝕刻形成的各狹縫的周圍，進(jìn)行多個(gè)通孔41(孔徑O. 15πιπιΦ、鄰接的孔彼此的壁間距離O. 4mm、孔壁與狹縫間的距離O. Imm)的開(kāi)孔，對(duì)通孔的內(nèi)壁實(shí)施非電解鍍層41a。并且，在被上述貼銅層疊板的通孔41包圍的區(qū)域內(nèi)形成O. 4mmX I. 9mm的狹縫Sll S14。此時(shí)，通過(guò)蝕刻進(jìn)行圖案化、以使狹縫Sll與狹縫S12對(duì)置配置、并且狹縫S13與狹縫S14對(duì)應(yīng)配置，制作成內(nèi)層電路板(步驟SI)。另外，使狹縫Sll、S12的延伸方向與狹縫S13、S14的延伸方向?yàn)橥恢本€上。接著，以12 μ m銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP 一 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. O μ m)、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA — 2，厚度ΙΟΟμπι)、在步驟SI中得到的內(nèi)層電路板、預(yù)成型料(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制，商品名GFA - 2，厚度100 μ m)、12 μ m銅箔(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品名3EC — VLP 一 12，電介質(zhì)層側(cè)的表面粗糙Rz :3. O μ m)的順序?qū)⑺鼈冎丿B，在溫度180°C、壓力3MPa、時(shí)間60分鐘的條件下制作出層疊一體化的多層板(步驟S2)。
最后，在由步驟S2得到的多層板中，將上下的銅箔利用蝕刻圖案化。S卩，通過(guò)將上側(cè)的銅箔圖案化，得到兩個(gè)“L”字形狀的第四導(dǎo)體層161、162。此外，通過(guò)將下側(cè)的銅箔圖案化，得到“ 2 ”字形狀的第一導(dǎo)體層110。此時(shí)，在與形成在內(nèi)層電路板上的狹縫S11、S12對(duì)應(yīng)的位置上，使寬度O. 22mm的作為傳送線路的第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A沿著與狹縫SlU S12的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)正交的朝向延伸。同樣，在與形成在內(nèi)層電路板上的狹縫S13、S14對(duì)應(yīng)的位置上，使寬度O. 22mm的作為傳送線路的第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B沿著與狹縫S13、S14的長(zhǎng)軸方向(X軸方向)正交的朝向延伸。如以上這樣，制作出狹縫耦合型層間連接構(gòu)造1001。這里，從作為傳送線路的一個(gè)第四導(dǎo)體層161的長(zhǎng)邊16A的內(nèi)側(cè)到另一個(gè)第四導(dǎo)體層162的長(zhǎng)邊16B的內(nèi)側(cè)的最短距離L3是2. 58mm。(測(cè)量結(jié)果)如以上這樣，對(duì)于在實(shí)施例I、實(shí)施例2、實(shí)施例3、實(shí)施例4、比較例I、及比較例2中制作出的電磁稱合構(gòu)造100、電磁稱合構(gòu)造101、電磁稱合構(gòu)造102、電磁稱合構(gòu)造103、電磁率禹合構(gòu)造1000、及電磁稱合構(gòu)造1001,使高頻探頭(康思德精密科技(日本語(yǔ)力7夕一
F ^々口 y '7々)公司制，商品名ACP 一 L 一 GSG150)接觸在高頻測(cè)量用的端子部(即16C或16D)上，測(cè)量從經(jīng)由同軸電纜(安捷倫科技(日本語(yǔ)7夕 > > 卜f夕7 口夕一文)公司制，商品名E7342 )連接的網(wǎng)絡(luò)分析儀(安捷倫科技公司制，商品名HP85IOC)供給電力、并且電力通過(guò)高頻測(cè)量用的端子部的端面時(shí)的傳送損失。將測(cè)量到的傳送損失的結(jié)果表示在圖14 圖17中。這些曲線圖所示的特性是全部經(jīng)由孔或狹縫的電磁耦合為兩個(gè)的特性。因而，經(jīng)由孔或狹縫的電磁耦合為一個(gè)的傳送損失成為這些曲線圖的傳送損失的大致一半的特性。另外，在測(cè)量結(jié)果的曲線圖中，還一起表示了測(cè)量的微帶線的傳送損失。由此，能夠計(jì)算經(jīng)由孔或狹縫的電磁耦合部的傳送損失。以下，與其計(jì)算方法一起具體地說(shuō)明。圖14是表示實(shí)施例I及比較例I的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。在圖14中，Gl表示微帶線的傳送損失。G2表示實(shí)施例I的微帶線的經(jīng)由兩個(gè)孔S的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造100的傳送損失。G3表示比較例I的微帶線的經(jīng)由4個(gè)狹縫SI、S2、S3、S4的電磁稱合為兩個(gè)的電磁稱合構(gòu)造1000的傳送損失。
圖15是表示實(shí)施例I 3的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。在圖15中，用G4表示微帶線的傳送損失。用G5表示實(shí)施例I的微帶線的經(jīng)由兩個(gè)孔S的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造100的傳送損失。該G5與G2是相同的。用G6表示實(shí)施例2的微帶線的經(jīng)由兩個(gè)孔S的電磁稱合為兩個(gè)的電磁稱合構(gòu)造101的傳送損失。用G7表不實(shí)施例3的微帶線的經(jīng)由兩個(gè)孔S的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造102的傳送損失。圖16是表示比較例2的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。在圖16中，G4表示微帶線的傳送損失。G9表示比較例2的微帶線的經(jīng)由被多個(gè)通孔41所包圍的狹縫Sll S14的電磁稱合為兩個(gè)的電磁稱合構(gòu)造1001的傳送損失。圖17是表示實(shí)施例4的高頻特性的測(cè)量結(jié)果的曲線圖。在圖17中，G4表示微帶線的傳送損失。G8表示實(shí)施例4的微帶線的經(jīng)由兩個(gè)孔S的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造103的傳送損失。 此外,將電磁稱合構(gòu)造100、電磁稱合構(gòu)造101、電磁稱合構(gòu)造102、電磁稱合構(gòu)造103、電磁耦合構(gòu)造1000、及電磁耦合構(gòu)造1001的71GHz時(shí)的特性集中表示在下述表I中。[表I]
(實(shí)施例 (.實(shí)施例 (實(shí)施例 (實(shí)施例 C比較例 (比較例項(xiàng) 0 I)2)3)4)I)2)__^ 構(gòu)造100 構(gòu)造101 構(gòu)造102 構(gòu)造103 構(gòu)造1000 構(gòu)造1001
測(cè)量的基板的傳
-1J2 -3.74-3.14-4.08-4.11 -11.70 -5.08
送損失UB)________
層間連接部(一
個(gè))的傳送損失 / UJC0((-1.13I I4!4 )4I C3
(dB) /_______
導(dǎo)體層的最短距 7
一/ 1.631.631.181.632.082.58
H (mm) /如圖14的G2、圖15的G5、或者表I所示，在71GHz時(shí)，在實(shí)施例I的電磁耦合構(gòu)造100中測(cè)量出的基板的傳送損失是-3. 74dB，如果從該值減去圖14的G1、圖15的G4、或者表I所示的微帶線的傳送損失-I. 82dB,則為-I. 92dB。該-I. 92dB的值是微帶線的經(jīng)由孔的電磁稱合為兩個(gè)的電磁稱合構(gòu)造100的傳送損失,所以其一半的值即-O. 96dB成為,一個(gè)經(jīng)由孔的電磁耦合的傳送損失。此外，如圖15的G6或表I所示，在71GHz時(shí)，在實(shí)施例2的電磁耦合構(gòu)造101中測(cè)量出的基板的傳送損失是-3. 14dB，如果從該值減去圖15的G4或表I所示的微帶線的傳送損失-I. 82dB，則為-I. 32dB。該-I. 32dB的值是微帶線的經(jīng)由孔的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造101的傳送損失，所以其一半的值即-O. 66dB成為，一個(gè)經(jīng)由孔的電磁耦合的傳送損失。如圖15的G7或表I所示，在71GHz時(shí)，在實(shí)施例3的電磁耦合構(gòu)造102中測(cè)量出的基板的傳送損失是-4. 08dB，如果從該值減去圖9的Gl或表I所示的微帶線的傳送損失-I. 82dB，則為-2. 26dB。該-2. 26dB的值是微帶線的經(jīng)由孔的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造102的傳送損失，所以其一半的值即-I. 13dB成為，一個(gè)經(jīng)由孔的電磁耦合的傳送損失。
此外，如圖17的G8或表I所示，在71GHz時(shí)，在實(shí)施例4的電磁耦合構(gòu)造103中測(cè)量出的基板的傳送損失是-4. lldB，如果從該值減去圖17的G4或表I所示的微帶線的傳送損失-I. 82dB,則為-2. 29dB。該-2. 29dB的值是微帶線的經(jīng)由狹縫的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造103的傳送損失，所以其一半的值即-I. 15dB成為，一個(gè)經(jīng)由狹縫的電磁耦合的傳送損失。此外，如圖14的G3或表I所示，在71GHz時(shí)，在比較例I的電磁耦合構(gòu)造1000中測(cè)量出的基板的傳送損失是-11. 70dB，如果從該值減去圖14的Gl或表I所示的微帶線的傳送損失-I. 82dB,則為-9. 88dB。該-9. 88dB的值是微帶線的經(jīng)由狹縫的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造101的傳送損失，所以其一半的值即-4. 94dB成為，一個(gè)經(jīng)由狹縫的電磁耦合的傳送損失。此外，如圖16的G9或表I所示，在71GHz時(shí)，在比較例2的電磁耦合構(gòu)造1001中測(cè)量出的基板的傳送損失是-5. 08dB，如果從該值減去圖16的G4或表I所示的微帶線的傳 送損失-I. 82dB,則為-3. 26dB。該-3. 26dB的值是微帶線的經(jīng)由狹縫的電磁耦合為兩個(gè)的電磁耦合構(gòu)造1001的傳送損失，所以其一半的值即-I. 63dB成為，一個(gè)經(jīng)由狹縫的電磁耦合的傳送損失。因而,關(guān)于71GHz頻帶下的傳送損失,實(shí)施例I的電磁稱合構(gòu)造100相比比較例I的電磁稱合構(gòu)造1000小很多。此外,如圖14所示,遍及60 80GHz的頻帶,實(shí)施例I的電磁耦合構(gòu)造100與比較例I的電磁耦合構(gòu)造1000相比，傳送損失小很多。此外，關(guān)于71GHz頻帶下的傳送損失，實(shí)施例2的電磁稱合構(gòu)造101比實(shí)施例I的電磁稱合構(gòu)造100小。這樣，與圖11所示的比較例I那樣的以往的多層傳送線路板IOA相比，在圖7所示的實(shí)施例I或?qū)嵤├?那樣的多層傳送線路板IA中，傳送損失變小。這是由于在比較例的多層傳送線路板中傳送線路間的電磁耦合較弱。電磁耦合變?nèi)醯睦碛捎袃蓚€(gè)。第一，是因?yàn)閭魉途€路間的距離變遠(yuǎn)了傳送線路之間存在的多層構(gòu)造的厚度量。第二，是因?yàn)樵诒容^例的多層傳送線路板中沒(méi)有采取利用“鏡像”關(guān)系加強(qiáng)電磁耦合的設(shè)計(jì)方法。在圖7 (b)所示的實(shí)施例I及實(shí)施例2那樣的多層傳送線路板IA中，形成傳送線路的第一導(dǎo)體層110及第四導(dǎo)體層161、162之上的電磁場(chǎng)模式中間夾著層疊體而處于“鏡像”的關(guān)系，該層疊體是形成接地層的第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15、和將這些第二導(dǎo)體層12及第三導(dǎo)體層15電連接的管狀的金屬膜3的層疊體。也就是說(shuō)，該層疊體配置在傳送線路的鏡像現(xiàn)象的中心位置即多層傳送線路板IA的層疊方向的中央。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，電磁場(chǎng)穩(wěn)定而能夠得到較強(qiáng)的模式耦合，所以能夠抑制傳送損失。相對(duì)于此，在圖11 (b)所示的比較例I那樣的以往的多層傳送線路板IOA中，雖然能夠減小傳送線路間(即第四導(dǎo)體層161、162與第一導(dǎo)體層110之間)的距離，但不能通過(guò)鏡像原理加強(qiáng)模式耦合，所以電力從處于狹縫SI、S2間或狹縫S3、S4間的第二電介質(zhì)層23向X方向或Y方向泄漏。此外，在圖12所示的比較例2那樣的以往的多層傳送線路板20A中，雖然與比較例I相比能夠?qū)魉蛽p失抑制得較小，但與實(shí)施例I及實(shí)施例2相比，傳送損失還是較大。此外，在比較例2的構(gòu)造中，傳送線路間的最短距離L3是2. 58mm，相對(duì)于此，在實(shí)施例I 實(shí)施例4的構(gòu)造中，傳送線路間的最短距離L2在實(shí)施例1、2、4中是I. 63mm、在實(shí)施例3中為I. 18mm，與比較例2的構(gòu)造相比能夠?qū)魉途€路更密地配置。在實(shí)施例3中，將IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切為O. 0300、相對(duì)介電常數(shù)為15的電介質(zhì)填充到孔內(nèi)，結(jié)果是，在孔內(nèi)通過(guò)的有效波長(zhǎng)變短，所以能夠使孔的寬度變窄，能夠?qū)魉途€路更高密度地配置。此外，在實(shí)施例4的構(gòu)造中，傳送損失相應(yīng)于傳送線路板整體的厚度比實(shí)施例I的情況稍厚的量而稍稍變大，但與比較例I的情況相比足夠小。此外，在實(shí)施例4的構(gòu)造中，傳送線路間的最短距離L2也較小，能夠?qū)魉途€路相比比較例2的構(gòu)造更密地配置。即，如果采用實(shí)施例I 4的電磁耦合構(gòu)造，則與比較例I及比較例2那樣的以往的構(gòu)造相比具有能夠?qū)魉途€路更密地配置、并且能夠?qū)魉蛽p失抑制得較低的優(yōu)點(diǎn)。另外，如圖7 (a)、圖8 (a)、圖11 (a)及圖13 (a)所示的第一導(dǎo)體層110那樣，
為了方便進(jìn)行傳送損失測(cè)量而將傳送線路做成了 “L”字形狀及“ ”字形狀。即，第四導(dǎo)體層161的短邊16C、第四導(dǎo)體層162的短邊16D、及第一導(dǎo)體層110的連結(jié)部IlC不過(guò)是為了方便探頭測(cè)量而設(shè)置的，所以這些部件的延伸方向在討論上述孔S及狹縫的延伸方向時(shí)沒(méi)有特別考慮。標(biāo)號(hào)說(shuō)明I多層傳送線路板,3管狀的金屬膜,4電介質(zhì)，11第一導(dǎo)體層，12第二導(dǎo)體層，15第三導(dǎo)體層，16第四導(dǎo)體層，21第一電介質(zhì)層,23第二電介質(zhì)層,25第三電介質(zhì)層,30層疊體，S孔，SI S4、Sll S14狹縫。
權(quán)利要求
1.一種電磁耦合構(gòu)造，在微波波段的頻帶中使用，其特征在于， 具備 層疊體，在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間夾著內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層而層疊得到； 一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層，夾著上述層疊體而對(duì)置；以及 一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層，夾著上述一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置， 在上述層疊體設(shè)有孔，該孔將上述內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及上述多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通， 經(jīng)由在上述孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將上述多個(gè)作為接地層的上述內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層電連接，從而將上述一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層電磁f禹合。
2.一種電磁耦合構(gòu)造，在微波波段的頻帶中使用，其特征在于， 依次具備第一導(dǎo)體層、第一電介質(zhì)層、第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、第三導(dǎo)體層、第三電介質(zhì)層、及第四導(dǎo)體層， 設(shè)有將上述第二導(dǎo)體層、上述第二電介質(zhì)層、及上述第三導(dǎo)體層貫通的孔， 經(jīng)由在上述孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將上述第二導(dǎo)體層與上述第三導(dǎo)體層電連接，從而將上述第一導(dǎo)體層與上述第四導(dǎo)體層電磁耦合。
3.如權(quán)利要求I或2所述的電磁耦合構(gòu)造，其特征在于， 上述管狀的金屬膜是鍍膜。
4.一種多層傳送線路板，在微波波段的頻帶中使用，其特征在于， 具備 層疊體，在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間夾著內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層而層疊得到； 一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層，夾著上述層疊體而對(duì)置；以及 一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層，夾著上述一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置，并形成傳送線路， 在上述層疊體設(shè)有孔，該孔將上述內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及上述多個(gè)作為接地層的上述內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通， 經(jīng)由在上述孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將上述多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層電連接，從而將上述一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層電磁f禹合。
5.一種多層傳送線路板，在微波波段的頻帶中使用，其特征在于， 依次具備形成第一傳送線路的第一導(dǎo)體層、第一電介質(zhì)層、第二導(dǎo)體層、第二電介質(zhì)層、第三導(dǎo)體層、第三電介質(zhì)層、以及形成第二傳送線路的第四導(dǎo)體層， 設(shè)有將上述第二導(dǎo)體層、上述第二電介質(zhì)層、及上述第三導(dǎo)體層貫通的孔， 經(jīng)由在上述孔的內(nèi)壁形成的管狀的金屬膜，將上述第二導(dǎo)體層與上述第三導(dǎo)體層電連接，從而將上述第一導(dǎo)體層與上述第四導(dǎo)體層電磁耦合。
6.如權(quán)利要求4或5所述的多層傳送線路板，其特征在于， 上述管狀的金屬膜是鍍膜。
7.如權(quán)利要求I所述的電磁耦合構(gòu)造，其特征在于， 上述外側(cè)導(dǎo)體層在上述一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸， 與上述外側(cè)導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的上述孔的寬度設(shè)定為，小于等于與上述頻帶中所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。
8.如權(quán)利要求2所述的電磁耦合構(gòu)造，其特征在于，上述第一導(dǎo)體層在上述第一電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸， 上述第四導(dǎo)體層在上述第三電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸， 與上述第四導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的上述孔的寬度設(shè)定為，小于等于與上述頻帶中所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。
9.如權(quán)利要求4所述的多層傳送線路板，其特征在于， 形成上述傳送線路的上述一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層在上述一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸， 與形成上述傳送線路的上述一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的上述孔的寬度設(shè)定為，小于等于與上述頻帶中所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。
10.如權(quán)利要求5所述的多層傳送線路板，其特征在于， 形成上述第一傳送線路的第一導(dǎo)體層在上述第一電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸， 形成上述第二傳送線路的第四導(dǎo)體層在上述第三電介質(zhì)層的面內(nèi)方向上延伸， 與上述第四導(dǎo)體層的延伸方向正交的方向上的上述孔的寬度設(shè)定為，小于等于與上述頻帶中所使用的頻率對(duì)應(yīng)的有效波長(zhǎng)。
11.如權(quán)利要求1、2、3、7及8中任一項(xiàng)所述的電磁耦合構(gòu)造，其特征在于， 在形成有上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充有電介質(zhì)，該電介質(zhì)滿足IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切為O O. 0300及IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)為2 30中的至少一個(gè)。
12.如權(quán)利要求1、2、3、7及8中任一項(xiàng)所述的電磁耦合構(gòu)造，其特征在于， 在形成有上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充有空氣。
13.如權(quán)利要求4、5、6、9及10中任一項(xiàng)所述的多層傳送線路板，其特征在于， 在形成有上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充有電介質(zhì)，該電介質(zhì)滿足IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切為O O. 0300及IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)為2 30中的至少一個(gè)。
14.如權(quán)利要求4、5、6、9及10中任一項(xiàng)所述的多層傳送線路板，其特征在于， 在形成有上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充有空氣。
15.一種電磁耦合構(gòu)造的制造方法，是在微波波段的頻帶中使用的電磁耦合構(gòu)造的制造方法，其特征在于，具備 形成在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間配置有內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層的層疊體的工序；設(shè)置將上述層疊體的上述內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及上述多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通的孔的工序； 在上述孔的內(nèi)壁設(shè)置管狀的金屬膜的工序； 形成夾著上述層疊體而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的工序；以及 形成夾著上述一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層的工序。
16.如權(quán)利要求15所述的電磁耦合構(gòu)造的制造方法，其特征在于， 通過(guò)鍍敷形成上述管狀的金屬膜。
17.如權(quán)利要求15或16所述的電磁耦合構(gòu)造的制造方法，其特征在于， 還具有向形成了上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充電介質(zhì)的工序，該電介質(zhì)滿足IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切為O O. 0300及IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)為2 30中的至少一個(gè)。
18.如權(quán)利要求15或16所述的電磁耦合構(gòu)造的制造方法，其特征在于，具有向形成了上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充空氣的工序。
19.一種多層傳送線路板的制造方法，是在微波波段的頻帶中使用的多層傳送線路板的制造方法，其特征在于，具備 形成在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層之間配置有內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層的層疊體的工序；設(shè)置將上述層疊體的上述內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層及上述多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層貫通的孔的工序； 在上述孔的內(nèi)壁設(shè)置管狀的金屬膜的工序； 形成夾著上述層疊體而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層的工序；以及 形成夾著上述一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層的工序。
20.如權(quán)利要求19所述的多層傳送線路板的制造方法，其特征在于， 通過(guò)鍍敷形成上述管狀的金屬膜。
21.如權(quán)利要求19或20所述的多層傳送線路板的制造方法，其特征在于， 還具有向形成了上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充電介質(zhì)的工序，該電介質(zhì)滿足IOGHz下的介質(zhì)損耗角正切為O O. 0300及IOGHz下的相對(duì)介電常數(shù)為2 30中的至少一個(gè)。
22.如權(quán)利要求19或20所述的多層傳送線路板的制造方法，其特征在于， 具有向形成了上述管狀的金屬膜的上述孔內(nèi)填充空氣的工序。
全文摘要
一種在微波波段的頻帶中使用的電磁耦合構(gòu)造，其特征在于，具備內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層(23)夾在多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層(12、15)之間而層疊的層疊體、中間夾著層疊體而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層(21、25)、和中間夾著一對(duì)外側(cè)電介質(zhì)層(21、25)而對(duì)置的一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層(11、16)。在層疊體上，設(shè)有將內(nèi)側(cè)電介質(zhì)層(23)及多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層(12、15)貫通的孔(S)，通過(guò)經(jīng)由形成在孔(S)的內(nèi)壁上的管狀的金屬膜(3)將多個(gè)作為接地層的內(nèi)側(cè)導(dǎo)體層(12、15)電連接，將一對(duì)外側(cè)導(dǎo)體層(11、16)電磁耦合。
文檔編號(hào)H01P5/107GK102783259SQ201180012638
公開(kāi)日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2011年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月9日
發(fā)明者水島悅男, 水野康之, 渡邊靖, 近藤裕介 申請(qǐng)人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社