專利名稱：具有穿透襯底互連的微電子裝置及相關(guān)制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明技術(shù)概括來說涉及具有穿透襯底互連的微電子裝置和相關(guān)制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶粒通常包括多個集成電路、耦合到集成電路的接合墊和用于使電信號在接合墊與外部觸點(diǎn)之間路由的金屬路由層。制作和封裝所述半導(dǎo)體晶粒包括形成互連以使接合墊和/或金屬路由層電耦合到外部裝置(例如，引線框、印刷電路板等)。在一些應(yīng)用中，互連延伸完全穿透半導(dǎo)體晶?；虼┩赴雽?dǎo)體晶粒的大部分(通常稱為“穿透襯底互連”)。用于形成穿透襯底互連的一種常規(guī)工藝可包括在晶粒的前側(cè)和/或后側(cè)上形成與相應(yīng)接合墊對準(zhǔn)的深導(dǎo)通孔。然后用導(dǎo)電材料(例如，銅)填充所述導(dǎo)通孔。隨后將焊料球和/或其它外部電觸點(diǎn)附接到穿透襯底互連。
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穿透襯底互連可(I)在整合處理之前形成(通常稱為“先鉆孔”工藝)，或(2)在整合處理已實(shí)質(zhì)上完成后，形成(通常稱為“后鉆孔”工藝)。然而，先鉆孔和后鉆孔工藝二者均具有某些缺點(diǎn)，如下文所更詳細(xì)論述。因此，可期望穿透襯底形成工藝的一些改良
發(fā)明內(nèi)容


圖I為本技術(shù)實(shí)施例的具有堆疊晶粒的微電子封裝的示意性剖面圖。圖2A-2N為本技術(shù)實(shí)施例的經(jīng)歷可用于形成圖I中所顯示半導(dǎo)體晶粒的一些實(shí)施例的工藝的半導(dǎo)體襯底的一部分的示意性剖面圖。圖3A-3F為本技術(shù)其它實(shí)施例的經(jīng)歷可用于形成圖I中所顯示半導(dǎo)體晶粒的一些實(shí)施例的工藝的半導(dǎo)體襯底的一部分的示意性剖面圖。圖4A-4F為本技術(shù)其它實(shí)施例的經(jīng)歷可用于形成圖I中所顯示半導(dǎo)體晶粒的一些實(shí)施例的工藝的半導(dǎo)體襯底的一部分的示意性剖面圖。
具體實(shí)施例方式下文參照用于在半導(dǎo)體襯底中形成通孔和導(dǎo)電路由層的工藝闡述本發(fā)明技術(shù)的一些實(shí)施例。下文參照半導(dǎo)體晶粒闡述某些實(shí)施例的許多細(xì)節(jié)。全文使用術(shù)語“半導(dǎo)體襯底”以包括各種制品，舉例來說，包括個別集成電路晶粒、成像器晶粒、傳感器晶粒和/或具有其它半導(dǎo)體特征的晶粒。下文所述工藝中的一些可用于在晶片或一部分晶片上在個別晶粒中或在多個晶粒中形成通孔和導(dǎo)電路由層。晶片或晶片部分(例如，晶片形式)可包括未經(jīng)單個化的晶片或晶片部分、或經(jīng)重新組裝的載體晶片。經(jīng)重新組裝的載體晶片可包括周邊形狀與未經(jīng)單個化的晶片的形狀相當(dāng)?shù)拇篌w剛性框圍繞的粘合劑材料(例如，柔性粘合劑)，且可包括由所述粘合劑圍繞的經(jīng)單個化的元件(例如，晶粒)。
圖1-4F中闡述某些實(shí)施例的許多具體細(xì)節(jié)且以下文字用以提供對這些實(shí)施例的透徹理解。一些其它實(shí)施例可具有與那些下文所述者不同的配置、組件和/或工藝。因此，相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，在圖1-4F中未給出所述實(shí)施例的一些細(xì)節(jié)的情況下可實(shí)施其它實(shí)施例。圖I是本技術(shù)實(shí)施例的微電子封裝100的一部分的示意性剖面圖。如圖I中所顯示，微電子封裝100可包括與多個半導(dǎo)體晶粒102串聯(lián)堆疊的多個導(dǎo)電耦合器104(例如，焊料球)。出于圖解說明目的，圖I中顯示四個半導(dǎo)體晶粒102 (分別個別地識別為第一、第二、第三和第四半導(dǎo)體晶粒102a-102d)。在其它實(shí)施例中，微電子封裝100可包括任一其它期望數(shù)量的半導(dǎo)體晶粒102，其經(jīng)由線接合、焊料球、導(dǎo)電帶和/或其它適宜電連接器而彼此耦合。半導(dǎo)體晶粒102可個別地包括半導(dǎo)體襯底106，其在靠近半導(dǎo)體襯底106的第一側(cè)106a攜載信號路由結(jié)構(gòu)108 ;位于信號路由結(jié)構(gòu)108上的多個接合墊112(分別個別地識別 為第一到第五接合墊112a_112e);和于半導(dǎo)體襯底106的第一側(cè)106a與第二側(cè)106b之間延伸的多個穿透襯底互連110(分別個別地識別為第一到第四互連110a-110d)。半導(dǎo)體晶粒102還可包括與第一穿透襯底互連IlOa相連的輸入/輸出(“I/O”)緩沖器114和與第二、第三和第四穿透襯底互連IlOb-IlOd相連的芯片選擇(“C/S”)緩沖器116。將穿透襯底互連110可選擇性地連接到信號路由結(jié)構(gòu)108中的某些金屬化層(圖I中未顯示)用以在半導(dǎo)體晶粒102的第一側(cè)106a與第二側(cè)106b之間攜載電信號。下文參照圖2A-4F更詳細(xì)地論述用于形成信號路由結(jié)構(gòu)108和穿透襯底互連110的工藝的一些實(shí)施例的細(xì)節(jié)?？苫谄谕盘柭酚煞桨甘箤?dǎo)電耦合器104與相應(yīng)接合墊112介接。如圖I中所顯示，并非所有接合墊112均電耦合到導(dǎo)電耦合器104中的一者。舉例來說，第一半導(dǎo)體晶粒102a的第一穿透襯底互連IlOa經(jīng)由導(dǎo)電耦合器104和第一半導(dǎo)體晶粒102a的第一接合墊112a電耦合。相反，所有半導(dǎo)體晶粒102的第二接合墊112b、第三半導(dǎo)體晶粒102c的第三接合墊112c和第四半導(dǎo)體晶粒102d的第三和第四接合墊112c和112d未電耦合到導(dǎo)電率禹合器104中的任一者。取而代之，信號路由結(jié)構(gòu)108將于第一半導(dǎo)體晶粒102a的第二接合墊112b處接收的芯片選擇信號(和/或其它適宜信號)經(jīng)由第一半導(dǎo)體晶粒102a的第二穿透襯底互連110b、第二半導(dǎo)體晶粒102b的第三穿透襯底互連IlOc和第三半導(dǎo)體晶粒102c的第四穿透襯底互連IlOd路由到第四半導(dǎo)體晶粒102d的C/S緩沖器116。在操作期間，經(jīng)電耦合的半導(dǎo)體晶粒102的第一穿透襯底互連IIOa形成電路徑用以將輸入/輸出信號攜載到所有半導(dǎo)體晶粒102。個別半導(dǎo)體晶粒102的信號路由結(jié)構(gòu)108將輸入/輸出信號從電路徑路由到半導(dǎo)體晶粒102的個別I/O緩沖器114。信號路由結(jié)構(gòu)108還可將芯片選擇信號(和/或其它適宜信號)路由到所選半導(dǎo)體晶粒102以便能夠在所選半導(dǎo)體晶粒102處理于I/O緩沖器114處接收的輸入/輸出信號。舉例來說，信號路由結(jié)構(gòu)108將于第五接合墊112e處接收的芯片選擇信號路由到第一半導(dǎo)體晶粒102a的C/S緩沖器116以便第一半導(dǎo)體晶粒102a能夠處理接收的輸入/輸出信號。在另一實(shí)例中，信號路由結(jié)構(gòu)108還可將于第四接合墊112d處接收的芯片選擇信號經(jīng)由第一半導(dǎo)體晶粒102a的第四穿透襯底互連IlOd路由到第二半導(dǎo)體晶粒102b。根據(jù)常規(guī)技術(shù)，可基于先鉆孔工藝或后鉆孔工藝形成穿透襯底互連110。然而，本發(fā)明者已認(rèn)識到，先鉆孔和后鉆孔工藝二者均具有某些缺點(diǎn)。舉例來說，后鉆孔工藝可能無法充分適應(yīng)芯片選擇信號的路由，這是因?yàn)樗鲂薷目娠@著增加制造工藝的成本和/或復(fù)雜性。舉例來說，可用于在最后金屬化層路由信號的技術(shù)可包括(I)控制毗鄰半導(dǎo)體晶粒102形成(或避免形成)導(dǎo)電凸塊；(2)將信號路由返回到下部金屬化層；(3)向信號路由結(jié)構(gòu)108添加控制柵極(例如，MOSFET) ；(4)以不同方式對半導(dǎo)體晶粒102的每一者實(shí)施圖案化；和(5)在半導(dǎo)體晶粒102上添加再分布層(未顯示)。本發(fā)明者還認(rèn)識到，先鉆孔工藝可對半導(dǎo)體晶粒102的電可靠性造成不利影響，此乃因在信號路由結(jié)構(gòu)108形成期間半導(dǎo)體晶粒102中信號路由結(jié)構(gòu)108與集成電路(未顯示)之間的電觸點(diǎn)可能受到損壞。下文參照圖2A-2N論述用于解決先鉆孔和后鉆孔工藝的至少一些上述缺點(diǎn)的工藝的一些實(shí)施例。圖2A-2N是本技術(shù)實(shí)施例的經(jīng)歷用于形成圖I中所顯示半導(dǎo)體晶粒102的一些實(shí)施例的工藝的半導(dǎo)體襯底106的一部分的示意性剖面圖。在下列說明中，類似 處理操作可利用大致類似的處理技術(shù)。因此，為簡便起見，用于實(shí)施處理操作(例如，對所沉積材料實(shí)施圖案化、去除部分電介材料、沉積導(dǎo)電材料等)的適宜技術(shù)僅描述一次。如圖2A中所顯示，所述工藝可包括在半導(dǎo)體襯底106的第一側(cè)106a中和/或在其上形成集成電路118。在所圖解說明實(shí)施例中，出于圖解說明目的，集成電路118是作為具有源極120a、漏極120b和柵極122的場效晶體管示意性地顯示。在其它實(shí)施例中，集成電路118還可包括垂直晶體管、三維晶體管、電容器和/或其它可形成動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和/或其它適宜電子裝置的適宜電組件。所述工藝可包括在半導(dǎo)體襯底106上形成絕緣體124。在所圖解說明實(shí)施例中，絕緣體124包括四個氧化硅、氮化硅和/或其它適宜電介質(zhì)的層(分別個別地識別為第一到第四絕緣材料124a-124d)。在其它實(shí)施例中，絕緣體124還可包括另一期望數(shù)量的電介質(zhì)和/或其它適宜絕緣材料。用于形成絕緣體124的技術(shù)可包括熱氧化、化學(xué)氣相沉積(“CVD”)、原子層沉積(“々0)”)、旋涂玻璃和/或其它適宜技術(shù)。所述工藝還可包括在絕緣體124中形成導(dǎo)電鏈路126，其電連接到集成電路118。在一個實(shí)施例中，形成導(dǎo)電鏈路126包括使用光刻和/或其它適宜技術(shù)對絕緣體124實(shí)施圖案化，和經(jīng)由濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻和/或其它適宜技術(shù)去除一部分圖案化絕緣體124以形成孔127。然后可使用導(dǎo)電材料129(例如，銅、鋁、金和/或其它適宜導(dǎo)電材料)經(jīng)由物理氣相沉積(PVD)、CVD、ALD、電鍍和/或其它適宜技術(shù)來填充孔127。在其它實(shí)施例中，除上述操作以外或替代所述操作，形成導(dǎo)電鏈路126可包括其它處理操作。所述工藝可包括形成第一金屬化層128a，其通過以下方式實(shí)施在絕緣體124上形成第一電介質(zhì)130,根據(jù)期望金屬路由輪廓對第一電介質(zhì)130實(shí)施圖案化,去除一部分第一電介質(zhì)130以在第一電介質(zhì)130中形成溝槽、通道和/或其它開口 135，和在開口 135中沉積導(dǎo)電材料137(例如，銅、鋁、金和/或其它適宜導(dǎo)電材料)。所述工藝然后可包括在第一金屬化層128a上形成第一障壁132 (例如，由應(yīng)用材料(Applied Materials)公司，圣塔克拉拉(Santa Clara),加利福尼亞(California)提供的BLOK)和在第一障壁132上沉積第二電介質(zhì)134 (例如,氧化娃)。第二電介質(zhì)134包括靠近第一障壁132的第一表面134a和與第一表面134a相對的第二表面134b。在形成第一金屬化層128a后，圖2B-2H圖解說明用于在半導(dǎo)體襯底106中形成穿透襯底互連110(圖I)的穿透襯底互連形成工藝模塊(下文稱為“TSV模塊”)。如圖2B中所顯示，TSV模塊可包括經(jīng)由旋涂和/或其它適宜技術(shù)在第二電介質(zhì)134上沉積第一光致抗蝕劑136。然后可對第一光致抗蝕劑136實(shí)施圖案化以形成第一開口 138。本文所用術(shù)語“光致抗蝕劑”通常是指當(dāng)暴露于電磁輻射時可發(fā)生化學(xué)改質(zhì)的材料。所述術(shù)語涵蓋經(jīng)構(gòu)造以使當(dāng)通過電磁輻射活化時可溶的正性光致抗蝕劑和經(jīng)構(gòu)造以使當(dāng)通過光活化時可溶的負(fù)性光致抗蝕劑。如圖2C中所顯示，TSV模塊可包括在半導(dǎo)體襯底106中形成互連孔140。互連孔140可通過以連續(xù)操作方式經(jīng)由開口 138從第一電介質(zhì)130、第一障壁132、第二電介質(zhì)134、絕緣體124和至少一部分半導(dǎo)體襯底106去除材料來形成。在其它實(shí)施例中，形成互連孔140可包括第一材料去除操作(例如，使用濕蝕刻)以去除一部分第一電介質(zhì)130、第一障壁132、第二電介質(zhì)134和絕緣體124 ;和第二材料去除操作(例如，使用反應(yīng)性離子蝕亥Ij)以去除一部分半導(dǎo)體襯底106。

如圖2D中所顯示，TSV模塊可進(jìn)一步包括去除第一光致抗蝕劑136和在互連孔140中依次形成孔絕緣體142、孔障壁144和晶種材料146。孔絕緣體142可包括經(jīng)由熱氧化、CVD、ALD和/或其它適宜技術(shù)形成的氧化硅、氮化硅和/或其它適宜絕緣材料。孔障壁144可包括經(jīng)由脈沖化學(xué)氣相沉積(“pCVD”)、離子物理氣相沉積(“iPVD”)、ALD和/或其它適宜技術(shù)形成的鉭(Ta)、鎢(W)、氮化鈦(TiN)和/或其它適宜障壁材料。晶種材料144可包括經(jīng)由pCVD、iPVD、ALD和/或其它適宜技術(shù)沉積得到的銅、鎢和/或其它適宜導(dǎo)電材料。如圖2E中所顯示，TSV模塊還可包括在晶種材料146上沉積第二光致抗蝕劑148。然后可對第二光致抗蝕劑148實(shí)施圖案化以形成第二開口 150。如圖2F中所顯示，TSV模塊可包括經(jīng)由第二開口 150用第一導(dǎo)電材料152填充互連孔140以形成穿透襯底互連110。第一導(dǎo)電材料152包括位于互連孔140中的第一部分152a和延伸超過第二電介質(zhì)134的第二部分152b。第一導(dǎo)電材料152可包括銅、鋁、鎢、金和/或具有上述成份的合金。在具體實(shí)施例中，第一導(dǎo)電材料152包括引入到互連孔140中的電解銅。電解銅與無電沉積的材料相比且與焊料相比具有提高的純度。舉例來說，第一導(dǎo)電材料152可為至少90%銅且在某些情形下為99%銅。然后可去除第二光致抗蝕劑148。如圖2G中所顯示，隨后可去除第一導(dǎo)電材料152的第二部分152b (圖2F)以使第一導(dǎo)電材料152的第一部分152a與第二電介質(zhì)134的第二表面134b大致處于平面。用于去除第一導(dǎo)電材料152的第二部分152b的技術(shù)可包括化學(xué)-機(jī)械拋光(“CMP”)、電化學(xué)-機(jī)械拋光(“ECMP”)和/或其它適宜技術(shù)。如圖2H中所顯示，TSV模塊可任選地包括在第二電介質(zhì)134的第二表面134b和第一導(dǎo)電材料152的第一部分152a上沉積第二障壁154(例如，由應(yīng)用材料(Applied Materials)公司，圣塔克拉拉(Santa Clara),加利福尼亞(California)提供的BL0K)。在其它實(shí)施例中，可省略第二障壁154的沉積。盡管上文所論述的TSV模塊包括對第二光致抗蝕劑148實(shí)施沉積和圖案化，但在某些實(shí)施例中，可省略第二光致抗蝕劑148。取而代之，TSV模塊可包括沉積第一導(dǎo)電材料152，其中第一部分152a在互連孔140中且第二部分152b實(shí)質(zhì)上覆蓋第二電介質(zhì)134的第二表面134b。隨后，可去除第二部分152b的至少一部分以產(chǎn)生如圖2G中所顯示的穿透襯底互連110。
在TSV模塊后，所述工藝可包括形成第二金屬化層。如圖21中所顯示，所述工藝可包括在可選第二障壁154上形成第三電介質(zhì)156。第三電介質(zhì)156包括靠近可選第二障壁154的第一表面156a和與第一表面156a相對的第二表面156b。然后，可形成穿透第三電介質(zhì)156、可選第二障壁154和第二電介質(zhì)134通往第一金屬化層128a的多個第一導(dǎo)通孔 159。所述工藝然后可包括在第三電介質(zhì)156上沉積第三光致抗蝕劑158和對第三光致抗蝕劑158實(shí)施圖案化以形成對應(yīng)于第二金屬化層128b (未顯示)的期望路由輪廓的第三開口 160。如圖2J中所顯示，所述工藝可包括去除一部分第三電介質(zhì)156和任選地去除一部分第二障壁154以形成開口 162。開口 162暴露第二電介質(zhì)134的第二表面134b的至少一部分和第一導(dǎo)電材料152的第一部分152a的上表面。
如中圖2K所顯示，所述工藝可包括用第二導(dǎo)電材料164填充開口 162和第一導(dǎo)通孔159且隨后去除開口 162外部過多的第二導(dǎo)電材料164以使第二導(dǎo)電材料164與第三電介質(zhì)156的第二表面156b大致處于平面。在所圖解說明實(shí)施例中，第二導(dǎo)電材料164包括第一部分164a、橫向延伸遠(yuǎn)離第一部分164a的第二部分164b和位于第一導(dǎo)通孔159中的第三部分164c。第二導(dǎo)電材料164的第一部分164a與穿透襯底互連110的第一導(dǎo)電材料152的第一部分152a直接實(shí)體接觸。第二導(dǎo)電材料164的第三部分164c電連接到第二部分164b和第一金屬化層128a。在一個實(shí)施例中,第二導(dǎo)電材料164包括與第一導(dǎo)電材料152相同的組成(例如，銅)。因此，第一導(dǎo)電材料152和第二導(dǎo)電材料164可大致相同(在圖2K中使用虛線來顯不第一導(dǎo)電材料152與第二導(dǎo)電材料164之間的人為分界線)。在其它實(shí)施例中,第二導(dǎo)電材料164可包括至少部分不同于第一導(dǎo)電材料152a的組成。因此,第一金屬化層128a經(jīng)由第二導(dǎo)電材料164電連接到穿透襯底互連110。在形成第二金屬化層128b后，所述工藝可包括在半導(dǎo)體襯底106上形成其它金屬化層。舉例來說，圖2L和2M圖解說明形成第三金屬化層128c的操作。如圖2L中所顯不，所述工藝可包括在第三電介質(zhì)156的第二表面156b和第二金屬化層128b上沉積第四電介質(zhì)166。所沉積第四電介質(zhì)166具有靠近第三電介質(zhì)156的第一表面166a和與第一表面166a相對的第二表面166b。所述工藝然后可包括實(shí)施圖案化和去除一部分第四電介質(zhì)166以形成多個從第四電介質(zhì)166的第二表面166b延伸到第二金屬化層128b的第二導(dǎo)通孔 168。然后可根據(jù)與那些參照圖21和2J所闡述者大致類似的操作形成第三金屬化層128c。如圖2M中所顯示，第三金屬化層128c包括第三導(dǎo)電材料170，其經(jīng)由第二導(dǎo)通孔168電連接到第二金屬化層128b。在所圖解說明實(shí)施例中，第三導(dǎo)電材料170具有與第一導(dǎo)電材料152和第二導(dǎo)電材料164相同的組成(例如，銅)。在其它實(shí)施例中，第三電介材料170可具有不同于第一電介材料152和/或第二電介材料164的組成。在某些實(shí)施例中，所述工藝還可包括對半導(dǎo)體襯底106實(shí)施處理以在半導(dǎo)體襯底106中和/或在其上形成其它特征。舉例來說，如圖2N中所顯示，可使用機(jī)械或化學(xué)-機(jī)械技術(shù)從第二側(cè)106b去除一部分半導(dǎo)體襯底106以暴露穿透襯底互連110。然后可將導(dǎo)電組件172 (例如，導(dǎo)電柱、焊料球、焊料凸塊、再分布層、穿透硅導(dǎo)通孔螺柱和/或其它適宜的互連裝置)附接到穿透襯底互連110用以與外部組件(未顯示)互連。
盡管圖2A-2M中僅圖解說明第一金屬化層128a、第二金屬化層128b和第三金屬化層128c，但在某些實(shí)施例中，所述工藝可包括通過重復(fù)至少上文參照圖2L和2M所論述的一些操作來形成四個、五個或任一期望數(shù)量的金屬化層。在這些實(shí)施例中，穿透襯底互連110可電連接到第二金屬化層128b、第三金屬化層128c或N-I金屬化層(未顯示)。上述工藝的一些實(shí)施例可降低損壞第一金屬化層128a與導(dǎo)電鏈路126之間的電連接的風(fēng)險。本發(fā)明者已觀察到在形成第一金屬化層128a之前形成穿透襯底互連110會在第一金屬化層128a與導(dǎo)電鏈路126之間產(chǎn)生有缺陷的電連接。不欲受理論限制，我們認(rèn)為在形成第一金屬化層128a期間的一些操作(例如，沉積導(dǎo)電材料、去除多余的導(dǎo)電材料等)可實(shí)質(zhì)上減弱和/或損壞第一金屬化層128a與導(dǎo)電鏈路126之間的電連接。因此，通過在形成第一金屬化層128a后形成穿透襯底互連110可降低產(chǎn)生有缺陷的電連接的風(fēng)險。上述工藝的一些實(shí)施例與常規(guī)技術(shù)相比還會更成本有效且更靈活。舉例來說，穿透襯底互連110與金屬化層之間電連接的選擇可推遲到晚于先鉆孔工藝的處理階段進(jìn)行。因此，可增加通用中間產(chǎn)品(即，部分形成金屬化層的半導(dǎo)體晶粒)的數(shù)量以便在對半導(dǎo)體 晶粒102的最終連接配置作出決定前生產(chǎn)管理人員能夠連續(xù)生產(chǎn)半導(dǎo)體晶粒102。盡管上文參照圖2A-2N論述形成第二金屬化層128b并將其連接到穿透襯底互連110的特定操作，但在其它實(shí)施例中，可使用其它和/或不同工藝操作形成第二金屬化層128b并將其連接到穿透襯底互連110。舉例來說，圖3A-3F是本技術(shù)其它實(shí)施例的經(jīng)歷用于形成圖I中所顯示半導(dǎo)體晶粒102的一些實(shí)施例的工藝的半導(dǎo)體襯底的一部分的示意性剖面圖。如圖3A中所顯示，所述工藝可包括在半導(dǎo)體襯底106中和/或在其上形成集成電路118,形成導(dǎo)電鏈路126、第一金屬化層128a并在第一金屬化層128a上形成第一障壁132,如上文參照圖2A所述。與圖2A中所顯示實(shí)施例不同，圖3B中所顯示工藝可包括在第一障壁132上沉積第二電介質(zhì)134之前利用TSV模塊，如上文參照圖2B-2H所論述。隨后，可在第一障壁132和穿透襯底互連110上形成第二電介質(zhì)134。因此，穿透襯底互連110與第一障壁132可大致處于平面且可直接接觸第二電介質(zhì)134的第一表面134a。如圖3C中所顯示，所述工藝可包括在第二電介質(zhì)134上沉積第三電介質(zhì)156。因此，第三電介質(zhì)156的第一表面156a可直接接觸第二電介質(zhì)134的第二表面134b。所述工藝可包括在第二電介質(zhì)134和第三電介質(zhì)156中形成穿透第三電介質(zhì)156、第二電介質(zhì)134和障壁132的多個存取導(dǎo)通孔180。存取導(dǎo)通孔180包括(I)大致對應(yīng)于穿透襯底互連110的存取導(dǎo)通孔180的第一組180a ;和(2)大致對應(yīng)于第一金屬化層128a的存取導(dǎo)通孔180的第二組180b。所述工藝然后可包括在第三電介質(zhì)156上沉積光致抗蝕劑182和對光致抗蝕劑182實(shí)施圖案化以形成對應(yīng)于第二金屬化層128b期望路由輪廓的開口 184。如圖3E中所顯示，所述工藝可包括去除一部分第三電介質(zhì)156以形成開口 186。開口 186暴露第二電介質(zhì)134的第二表面134b的至少一部分并與存取導(dǎo)通孔180中的至少一些連通。如圖3F中所顯示，所述工藝可包括用第二導(dǎo)電材料164填充開口 186和存取導(dǎo)通孔180。然后可去除開口 186外多余的第二導(dǎo)電材料164以使第二導(dǎo)電材料164與第三電介質(zhì)156的第二表面156b大致處于平面。第二導(dǎo)電材料164包括第一部分164a、橫向延伸遠(yuǎn)離第一部分164a的第二部分164b、位于存取導(dǎo)通孔180的第一組180a中的第三部分164c和位于存取導(dǎo)通孔180的第二組180b中的第四部分164d。第二導(dǎo)電材料164的第三部分164c使第二導(dǎo)電材料164的第一部分164a電連接到穿透襯底互連110。第二導(dǎo)電材料164的第四部分164d使第二導(dǎo)電材料164的第二部分164b電連接到第一金屬化層128a。如參照圖2L-2N所論述，所述工藝然后可包括形成其它金屬化層和實(shí)施后續(xù)處理。圖4A-4F為本技術(shù)其它實(shí)施例的經(jīng)歷用于形成圖I中所顯示半導(dǎo)體晶粒102的一些實(shí)施例的工藝的半導(dǎo)體襯底100的一部分的示意性剖面圖。如圖4A中所顯示，所述工藝可包括在半導(dǎo)體襯底106中和/或在其上形成集成電路118，形成導(dǎo)電鏈路126、第一金屬化層128a并在第一金屬化層128a上形成第一障壁132，如上文參照圖2A所論述。所述工藝還可包括形成第二金屬化層128b，如上文參照圖2H-2K所論述。所述工藝然后可任選地包括在第二金屬化層128b上沉積第二障壁154。如圖4B中所顯示，所述工藝可包括在第二障壁154上形成第四電介質(zhì)166和在第四電介質(zhì)166上沉積光致抗蝕劑190。然后可對光致抗蝕劑190實(shí)施圖案化以形成對應(yīng)于 一部分第二金屬化層128b和穿透襯底互連110 (未顯示)的開口 192。因此，使一部分第四電介質(zhì)166和下伏第二障壁154暴露于開口 192 (下文稱為暴露部分194)中。如中圖4C所顯示，所述工藝可包括在半導(dǎo)體襯底106中形成互連孔140和去除暴露部分194 (圖4B)。在一個實(shí)施例中，可形成互連孔140并可在一個連續(xù)操作中使用相移掩模、漏鉻掩模(leaky-chrome mask)和/或其它適宜技術(shù)去除暴露部分194。在另一實(shí)施例中，可利用大致對應(yīng)于互連孔140的第一掩模(未顯示)進(jìn)行蝕刻以形成互連孔140?？衫么笾聦?yīng)于暴露部分194的第二掩模(未顯示)去除暴露部分194。在其它實(shí)施例中,可經(jīng)由其它適宜技術(shù)去除暴露部分194。如圖4D中所顯示,所述工藝可包括在互連孔140中形成孔絕緣體142。在所圖解說明實(shí)施例中，孔絕緣體142包括位于互連孔140中的第一部分142a和位于互連孔140外的第二部分142b。第二部分142b至少部分重疊并直接接觸第二金屬化層128b。在其它實(shí)施例中，通過使用(例如)在形成孔絕緣體142時所用大致對應(yīng)于互連孔140的光罩，孔絕緣體142可僅包括第一部分142a。如圖4E中所顯示，所述工藝可包括至少部分去除孔絕緣體142的第二部分142b和暴露第二金屬化層128b。在一個實(shí)施例中，可經(jīng)由間隔物蝕刻部分去除第二部分142b。因此，第二部分142b的一部分142c仍位于第二金屬化層128b上。在其它實(shí)施例中，可經(jīng)由激光燒蝕和/或其它適宜技術(shù)部分去除第二部分142b。在其它實(shí)施例中，可完全去除第二部分142b。所述工藝然后可包括在互連孔140中沉積孔障壁144和晶種材料146，如上文參照圖2C所論述。然后，所述工藝可包括用第一導(dǎo)電材料152填充互連孔140，和從第四電介質(zhì)166去除多余的第一導(dǎo)電材料152。如圖4F中所顯示，穿透襯底互連110包括位于互連孔140中的垂直區(qū)段IlOa和位于互連孔140外的水平區(qū)段110b。水平區(qū)段IlOb向第二金屬化層128b橫向延伸以使至少一部分水平區(qū)段IlOb直接接觸第二金屬化層128b的上表面。所述工藝可任選地包括在第四電介質(zhì)166和穿透襯底互連110上形成第三障壁196。所述工藝然后可包括如參照圖2L-2N所論述形成其它金屬化層和實(shí)施后續(xù)處理以產(chǎn)生圖4E中所顯示的半導(dǎo)體晶粒102。依據(jù)前文所述，應(yīng)了解，本文已出于圖解說明目的闡述了本技術(shù)的特定實(shí)施例，但可在不背離本技術(shù)的情況下作出各種修改。除其它實(shí)施例的元件以外或替代所述元件，一 個實(shí)施例的許多元件可與其它實(shí)施例組合。因此，本技術(shù)僅受隨附權(quán)利要求限制。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其包含 半導(dǎo)體襯底； 第一金屬化層和第二金屬化層，所述第二金屬化層與所述半導(dǎo)體襯底間隔開，其中所述第一金屬化層位于其間；和 導(dǎo)電互連，其至少部分延伸穿透所述半導(dǎo)體襯底； 其中所述第一金屬化層經(jīng)由所述第二金屬化層與所述導(dǎo)電互連電接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述半導(dǎo)體襯底包括第一側(cè)和第二側(cè)； 所述第二金屬化層包括大致對應(yīng)于所述導(dǎo)電互連的第一部分和從所述第一部分橫向延伸的第二部分；且 所述半導(dǎo)體裝置還包括 絕緣體，其位于所述半導(dǎo)體襯底的所述第一側(cè)與所述第一金屬化層之間； 集成電路，其位于所述半導(dǎo)體襯底之上或其中； 導(dǎo)電鏈路，其至少部分位于所述絕緣體中，所述導(dǎo)電鏈路位于所述集成電路與所述第一金屬化層之間； 電介質(zhì)，其位于所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間；且所述電介質(zhì)包括直接位于所述第一金屬化層與所述第二金屬化層的所述第二部分之間的導(dǎo)電導(dǎo)通孔； 所述導(dǎo)電互連包括第一端和第二端，所述導(dǎo)電互連的所述第一端與所述第二金屬化層的所述第一部分直接接觸；和 焊料球，其在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二側(cè)附接到所述導(dǎo)電互連的所述第二端。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述半導(dǎo)體襯底包括第一側(cè)和第二側(cè)； 所述第二金屬化層包括大致對應(yīng)于所述導(dǎo)電互連的第一部分和從所述第一部分橫向延伸的第二部分；且 所述半導(dǎo)體裝置還包括 絕緣體，其位于所述半導(dǎo)體襯底的所述第一側(cè)與所述第一金屬化層之間； 集成電路，其位于所述半導(dǎo)體襯底之上或其中； 導(dǎo)電鏈路，其至少部分位于所述絕緣體中，所述導(dǎo)電鏈路于所述集成電路與所述第一金屬化層之間延伸；和 電介質(zhì)，其位于所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間； 所述導(dǎo)電互連包括第一端和與所述第一端相對的第二端； 所述電介質(zhì)包括第一導(dǎo)電導(dǎo)通孔和與所述第一導(dǎo)電導(dǎo)通孔間隔開的第二導(dǎo)電導(dǎo)通孔，所述第一導(dǎo)電導(dǎo)通孔直接位于所述第一金屬化層與所述第二金屬化層的所述第二部分之間，所述第二導(dǎo)電導(dǎo)通孔直接位于所述第二金屬化層的所述第一部分與所述導(dǎo)電互連的所述第一端之間；和 焊料球，其在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二側(cè)附接到所述導(dǎo)電互連的所述第二端。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述半導(dǎo)體襯底包括第一側(cè)和第二側(cè)；所述第二金屬化層包括第一金屬化表面和與其相對的第二金屬化表面；且 所述半導(dǎo)體裝置還包括 絕緣體，其位于所述半導(dǎo)體襯底的所述第一側(cè)與所述第一金屬化層之間； 集成電路，其位于所述半導(dǎo)體襯底之上或其中； 導(dǎo)電鏈路，其至少部分位于所述絕緣體中，所述導(dǎo)電鏈路位于所述集成電路與所述第一金屬化層之間； 電介質(zhì)，其位于所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間；且 所述電介質(zhì)包括直接位于所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間的導(dǎo)電導(dǎo)通孔； 所述導(dǎo)電互連包括 孔，其至少部分于所述半導(dǎo)體襯底的所述第一側(cè)與所述第二側(cè)之間延伸； 位于所述孔中的導(dǎo)電材料的第一區(qū)段； 位于所述孔外部的所述導(dǎo)電材料的第二區(qū)段； 所述導(dǎo)電材料的所述第二區(qū)段在所述第一區(qū)段上橫向延伸；且 所述第二區(qū)段與所述第二金屬化層的所述第二金屬化表面的至少一部分直接接觸；和 焊料球，其在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二側(cè)附接到所述導(dǎo)電互連的所述第二端。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述半導(dǎo)體裝置還包括在所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間的電介質(zhì)；且所述導(dǎo)電互連包括第一端和第二端，所述導(dǎo)電互連的所述第一端與所述電介質(zhì)的所述第二表面大致成平面，所述第二端與所述第一端相對。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述半導(dǎo)體裝置還包括在所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間的電介質(zhì)；且所述導(dǎo)電互連包括第一端和第二端，所述導(dǎo)電互連的所述第一端與所述第二金屬化層直接接觸，所述第二端與所述第一端相對。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述第二金屬化層包括大致對應(yīng)于所述導(dǎo)電互連的第一部分和從所述第一部分橫向延伸的第二部分； 所述半導(dǎo)體裝置還包括在所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間的電介質(zhì)，所述電介質(zhì)具有與所述第一金屬化層直接接觸的第一表面和與所述第二金屬化層的所述第二部分直接接觸的第二表面；且 所述導(dǎo)電互連包括第一端和第二端，所述導(dǎo)電互連的所述第一端與所述第二金屬化層的所述第一部分直接接觸，所述第二端與所述第一端相對。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述第一金屬化層包括靠近所述半導(dǎo)體襯底的第一金屬化表面和與所述第一金屬化表面相對的第二金屬化表面；且 所述導(dǎo)電互連包括第一端和第二端，所述導(dǎo)電互連的所述第一端與所述第一金屬化層的所述第二金屬化表面大致齊平，所述第二端與所述第一端相對。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述半導(dǎo)體裝置還包括在所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間的電介質(zhì)，所述電介質(zhì)具有與所述第一金屬化層直接接觸的第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第二表面與所述第二金屬化層直接接觸； 所述電介質(zhì)包括第一導(dǎo)電導(dǎo)通孔和與所述第一導(dǎo)電導(dǎo)通孔間隔開的第二導(dǎo)電導(dǎo)通孔； 所述第一導(dǎo)電導(dǎo)通孔直接位于所述第一金屬化層與所述第二金屬化層之間；且 所述第二導(dǎo)電導(dǎo)通孔直接位于所述第二金屬化層與所述導(dǎo)電互連之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電互連包括 孔，其至少部分于所述半導(dǎo)體襯底中延伸； 在所述孔中的導(dǎo)電材料的第一區(qū)段； 在所述孔外部的所述導(dǎo)電材料的第二區(qū)段；且 所述導(dǎo)電材料的所述第二區(qū)段從所述孔橫向延伸且與所述第二金屬化層直接接觸。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其包含 半導(dǎo)體襯底；所述半導(dǎo)體襯底所攜載的多個金屬路由層，所述多個金屬路由層包括1、2........N (N為大于3的正整數(shù))個金屬路由層；和 導(dǎo)電互連，其至少部分延伸穿透所述半導(dǎo)體襯底，所述導(dǎo)電互連包括靠近所述金屬路由層的一端； 其中所述導(dǎo)電互連的所述端延伸超過至少第一金屬路由層或與其大致齊平。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電互連的所述端延伸超過第N-2個金屬路由層或與其大致齊平。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中 所述導(dǎo)電互連的所述端延伸超過所述第N-2個金屬路由層或與其大致齊平；且 第N-I個金屬路由層將所述第N-2個金屬路由層電連接到所述導(dǎo)電互連。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電互連的所述端與所述第N-I個金屬路由層直接接觸。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)一步包含在所述導(dǎo)電互連的所述端與所述第N-I個金屬路由層之間的導(dǎo)電導(dǎo)通孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述導(dǎo)電互連的所述端包括第一區(qū)段和從所述第一區(qū)段橫向延伸的第二區(qū)段，所述第二區(qū)段與所述第N-I個金屬路由層直接接觸。
17.一種制作半導(dǎo)體裝置的方法，其包含 在半導(dǎo)體襯底上形成第一金屬化層； 在形成所述第一金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的互連孔； 用導(dǎo)電材料填充所述互連孔；和 在所述第一金屬化層上形成第二金屬化層，所述第二金屬化層與所述互連孔中的所述導(dǎo)電材料電接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中 形成互連孔包括 在所述第一金屬化層上沉積第一電介質(zhì)；對所述第一電介質(zhì)實(shí)施圖案化并形成大致對應(yīng)于所述互連孔的開口 ；和 經(jīng)由所述開口蝕刻所述第一電介質(zhì)和所述半導(dǎo)體襯底； 填充所述互連孔包括 將第一導(dǎo)電材料引入所述互連孔中；和 去除所述互連孔外部過多的第一導(dǎo)電材料；且 形成第二金屬化層包括 在所述第一電介質(zhì)和所述互連孔中的所述導(dǎo)電材料上沉積第二電介質(zhì)； 基于所述第二金屬化層的期望輪廓對所述經(jīng)沉積第二電介質(zhì)實(shí)施圖案化；和在所述圖案化第二電介質(zhì)中形成導(dǎo)通孔和凹陷，所述導(dǎo)通孔暴露所述第一金屬化層的 至少一部分，所述凹陷暴露所述互連孔中的所述第一導(dǎo)電材料的至少一部分；和 用第二導(dǎo)電材料填充所述導(dǎo)通孔和所述凹陷，所述第二導(dǎo)電材料具有與所述互連孔中的所述第一導(dǎo)電材料直接接觸的第一部分和所述導(dǎo)通孔中與所述第一金屬化層直接接觸的第二部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中 形成互連孔包括 對具有所述第一金屬化層的所述半導(dǎo)體襯底實(shí)施圖案化并形成大致對應(yīng)于所述互連孔的開口 ；和 經(jīng)由所述開口蝕刻所述半導(dǎo)體襯底； 填充所述互連孔包括 將第一導(dǎo)電材料引入所述互連孔中；和 去除所述互連孔外部過多的第一導(dǎo)電材料；且 形成第二金屬化層包括 在所述第一金屬化層和所述互連孔中的所述第一導(dǎo)電材料上沉積第一電介質(zhì)； 在所述第一電介質(zhì)中形成第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔，所述第一導(dǎo)通孔暴露所述第一金屬化層的至少一部分，所述第二導(dǎo)通孔暴露所述互連孔中的所述第一導(dǎo)電材料的至少一部分； 在所述第一電介質(zhì)上沉積第二電介質(zhì)； 基于所述第二金屬化層的期望輪廓對所述經(jīng)沉積第二電介質(zhì)實(shí)施圖案化； 在所述圖案化第二電介質(zhì)中形成凹陷，所述凹陷大致對應(yīng)于所述第二金屬化層的所述期望輪廓；和 用第二導(dǎo)電材料填充所述第一導(dǎo)通孔和所述第二導(dǎo)通孔和所述凹陷。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中 形成第二金屬化層包括 在所述第一金屬化層上沉積第一電介質(zhì)； 基于所述第二金屬化層的期望輪廓對所述第一電介質(zhì)實(shí)施圖案化； 在所述第一電介質(zhì)中形成導(dǎo)通孔和凹陷，所述凹陷大致對應(yīng)于所述第二金屬化層的所述期望輪廓；和 用第一導(dǎo)電材料填充所述導(dǎo)通孔和所述凹陷；且 形成互連孔包括在所述第二金屬化層和所述第一電介質(zhì)上沉積第二電介質(zhì)； 對所述第二電介質(zhì)實(shí)施圖案化并形成大致對應(yīng)于所述互連孔和所述第二金屬化層的至少一部分的開口； 經(jīng)由所述開口蝕刻所述第一電介質(zhì)和所述第二電介質(zhì)和所述半導(dǎo)體襯底； 在所述互連孔中和在所述第二金屬化層上沉積絕緣材料； 去除所述第二金屬化層上的所述絕緣材料的至少一部分；和 經(jīng)由所述開口用第二導(dǎo)電材料填充所述互連孔，所述第二導(dǎo)電材料的至少一部分與所述第二金屬化層直接接觸。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中 所述導(dǎo)電材料是第一導(dǎo)電材料；且 形成第二金屬化層包括 在所述互連孔中的所述導(dǎo)電材料上沉積電介質(zhì)； 在所述電介質(zhì)中形成凹陷，所述凹陷暴露所述互連孔中的所述導(dǎo)電材料的至少一部分；和 用第二導(dǎo)電材料填充所述凹陷，所述第二導(dǎo)電材料具有與所述互連孔中的所述第一導(dǎo)電材料直接接觸的第一部分和從所述第一部分橫向延伸的第二部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中 所述導(dǎo)電材料是第一導(dǎo)電材料；且 形成第二金屬化層包括 在所述第一金屬化層和所述互連孔中的所述第一導(dǎo)電材料上沉積電介質(zhì)； 在所述電介質(zhì)中形成第一導(dǎo)通孔和第二導(dǎo)通孔，所述第一導(dǎo)通孔暴露所述第一金屬化層的至少一部分，所述第二導(dǎo)通孔暴露所述互連孔中的所述第一導(dǎo)電材料的至少一部分；和 用第二導(dǎo)電材料填充所述第一導(dǎo)通孔和所述第二導(dǎo)通孔。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中 所述導(dǎo)電材料是第一導(dǎo)電材料；且 形成互連孔包括 在所述第二金屬化層上沉積電介質(zhì)； 形成穿透所述電介質(zhì)和所述半導(dǎo)體襯底的所述互連孔； 暴露所述第二金屬化層的至少一部分；和 在所述互連孔中和在所述第二導(dǎo)電材料的所述暴露部分上沉積第二導(dǎo)電材料。
24.一種制作半導(dǎo)體裝置的方法，其包含 在半導(dǎo)體襯底上形成第一、第二.......和第N個金屬化層，N是不小于3的正整數(shù)；至少在形成所述第一金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的互連孔；和 用導(dǎo)電材料填充所述互連孔，所述導(dǎo)電材料與所述金屬化層中的至少一者電接觸。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中形成互連孔包括在形成第N-2個金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述互連孔。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中 形成互連孔包括在形成所述第N-2個金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述互連孔；且形成第一、第二.......和第N個金屬化層包括在用所述導(dǎo)電材料填充所述互連孔后，形成第N-I個金屬化層。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中 形成互連孔包括在形成所述第N-2個金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述互連孔；形成第一、第二.......和第N個金屬化層包括在用所述導(dǎo)電材料填充所述互連孔后，形成所述第N-I個金屬化層；且 所述方法進(jìn)一步包括使所述第N-I個金屬化層與所述互連孔中的所述導(dǎo)電材料直接接觸。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中 形成互連孔包括在形成所述第N-2個金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述互連孔；形成第一、第二.......和第N個金屬化層包括在用所述導(dǎo)電材料填充所述互連孔后，形成所述第N-I個金屬化層；且 所述方法進(jìn)一步包括直接在所述第N-I個金屬化層與所述互連孔中的所述導(dǎo)電材料之間形成導(dǎo)電導(dǎo)通孔。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中 形成互連孔包括在形成所述第N-I個金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述互連孔；且 填充所述互連孔包括用所述導(dǎo)電材料填充所述互連孔，其中第一部分與所述第N-I個金屬化層直接接觸且第二部分位于所述互連孔中。
30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中 形成互連孔包括在形成所述第N-I個金屬化層后，形成至少部分位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述互連孔； 所述方法進(jìn)一步包括暴露所述第N-I個金屬化層的至少一部分；且 填充所述互連孔包括將所述互連孔引入所述互連孔中和所述第N-I個金屬化層的所述暴露部分上。
全文摘要
本文揭示具有穿透襯底互連的微電子裝置和相關(guān)制造方法。在一個實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包括攜載第一金屬化層和第二金屬化層的半導(dǎo)體襯底。所述第二金屬化層與所述半導(dǎo)體襯底間隔開，其中所述第一金屬化層位于其間。所述半導(dǎo)體裝置還包括至少部分延伸穿透所述半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電互連。所述第一金屬化層經(jīng)由所述第二金屬化層與所述導(dǎo)電互連電接觸。
文檔編號H01L23/045GK102804370SQ201180014446
公開日2012年11月28日 申請日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月8日
發(fā)明者凱爾·K·柯比, 庫納爾·R·帕雷克, 薩拉·A·尼魯曼德 申請人:美光科技公司