專利名稱：具有pn結(jié)和肖特基結(jié)的多路太陽能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池，并且更具體地，本發(fā)明涉及具有PN結(jié)和肖特基結(jié)的多路太陽能電池。
背景技術(shù)：
與其他能量源有所不同，太陽能電池(對具有無限的光子能量進(jìn)行轉(zhuǎn)換的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備)是環(huán)境友好的，并因此其重要性隨著時間的推移不斷增長。特別地，由于高的能源價格和化石燃料的缺乏，預(yù)計要更多地使用可再生能源，并且因為太陽能電池具有移動性和便攜性方面的優(yōu)勢，使得對太陽能電池的依賴性會進(jìn)一步增長。 太陽能電池具有PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，其中正型的半導(dǎo)體和負(fù)型的半導(dǎo)體彼此連接，并且當(dāng)陽光入射到太陽能電池中，通過陽光中的能量在半導(dǎo)體中生成空穴和電子。在這種情況下，由于PN結(jié)中生成的電場，空穴移動至正型半導(dǎo)體層，而負(fù)電子移動至負(fù)型的半導(dǎo)體，從而使得形成了電勢，由此產(chǎn)生電力。這樣一種太陽能電池可被歸類為基底型的太陽能電池和薄膜型的太陽能電池?；仔偷奶柲茈姵啬軌蛲ㄟ^使用半導(dǎo)體材料比如硅作為基底來制造，并且薄膜型的太陽能電池能夠通過在由比如玻璃的材料所制成的基底上形成薄膜形的半導(dǎo)體來制造。與薄膜型的太陽能電池相比，基底型的太陽能電池更有效率，但此類基底型的太陽能電池具有在厚度最小化方面以及由于使用昂貴的半導(dǎo)體基底而造成的制造費用很高的問題。與基底型的太陽能電池相比，薄膜型的太陽能電池效率較差，但其具有厚度最小化和通過使用低價材料所導(dǎo)致的制造費用低的優(yōu)勢。然而，基底型的太陽能電池和薄膜型的太陽能電池都有一個問題，即一個PN半導(dǎo)體形成一個太陽能電池并因此使得工藝可能會很復(fù)雜，并且并聯(lián)耦合的太陽能電池需要被串聯(lián)I禹合以提聞電壓。以上在背景部分所公開的信息僅僅是為了增強(qiáng)對本發(fā)明的背景的理解，并因此該信息可能包含有對于該國的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言尚未構(gòu)成公知現(xiàn)有技術(shù)的信息。發(fā)明概述技術(shù)問題本發(fā)明試圖提出一種具有得到改進(jìn)的PN結(jié)和肖特基結(jié)的多路太陽能電池。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的太陽能電池包括PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；第一電極,其與PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接(ohmic-joined)；肖特基結(jié)層，其與面向PN半導(dǎo)體層的第一表面的PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接；第二電極，其被形成以接觸肖特基結(jié)層；以及，重新結(jié)合防止層，其以絕緣材料形成并且排列在肖特基結(jié)層與PN半導(dǎo)體層之間。重新結(jié)合防止層可具有O. Inm至IOnm的厚度。N型半導(dǎo)體層可被形成以接觸重新結(jié)合防止層，并且肖特基結(jié)層可具有比N型半導(dǎo)體層的溢出功更大的溢出功。
P型半導(dǎo)體層可被布置為接觸重新結(jié)合防止層，并且肖特基結(jié)層可具有比P型半導(dǎo)體層的溢出功更小的溢出功。肖特基結(jié)層以金屬制成，并且晶片可以由硅、GaAs、以及類似材料制成。PN半導(dǎo)體層可以由有機(jī)材料制成。反射防止層可以被附接到肖特基結(jié)層，并且反射防止層可以由SiOx或SiN制成。此外，反射防止層可具有O. Inm至IOOnm的厚度。透光基底可被排列接觸第一電極，并且PN半導(dǎo)體層可包括P型半導(dǎo)體層；N型半導(dǎo)體層；以及，本征(I)型半導(dǎo)體層，其排列在P型半導(dǎo)體層與N型半導(dǎo)體層之間。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的太陽能電池包括PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；第一電極，其與PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接；肖特基結(jié)層，其與面向著PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向的PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接； 歐姆金屬層，其與PN半導(dǎo)體層的第二表面歐姆連接，并且與肖特基結(jié)層平行地排列；第一正面電極，其形成在肖特基結(jié)層上；第二正面電極，其形成在歐姆金屬層上；第一接線，其電連接第二正面電極和第一電極；以及，第二接線，其電連接第一正面電極和第一電極。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的太陽能電池包括PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；第一歐姆金屬層，其與PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接；第一肖特基結(jié)層，其與PN半導(dǎo)體層的第一表面肖特基連接；第二歐姆金屬層，其與面向著PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向的PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接；第二肖特基結(jié)層，其與PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接；第一正面電極，其形成在第一肖特基結(jié)層上；第二表面電極，其形成在第一歐姆金屬層上；第一接線，其電連接第一正面電極和第二肖特基結(jié)層；以及，第二接線，其電連接第二正面電極和第二歐姆金屬層。肖特基結(jié)層被排列在垂直地對應(yīng)于第二歐姆金屬層的位置處，第一歐姆金屬層被排列在垂直地對應(yīng)于第二肖特基結(jié)層的位置處，并且第二肖特基結(jié)層和第二歐姆金屬層被排列彼此接觸。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的太陽能電池包括透光基底；PN半導(dǎo)體層，其形成在透光基底上，并且包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；第一肖特基結(jié)層，其與PN半導(dǎo)體層的第一表面肖特基連接；第二肖特基結(jié)層，其與面向著PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向的第二表面肖特基連接，并且排列在透光基底和PN半導(dǎo)體層之間；電極，其形成在第一肖特基結(jié)層上；第一重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成并且排列在第一肖特基結(jié)層和PN半導(dǎo)體層之間；以及，第二重新結(jié)合防止層，其以絕緣材料形成并且排列在第二肖特基結(jié)層和PN半導(dǎo)體層之間。肖特基結(jié)層可被排列在垂直地對應(yīng)于第二歐姆金屬層的位置處，第一歐姆金屬層可被排列在垂直地對應(yīng)于第二肖特基結(jié)層的位置處，并且第二肖特基結(jié)層和第二歐姆金屬層可被排列使得彼此間有一定距離。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的太陽能電池包括透光基底；PN半導(dǎo)體層，其形成在透光基底上，并且包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；第一肖特基結(jié)層，其與PN半導(dǎo)體層的第一表面肖特基連接；第二肖特基結(jié)層，其與面向著PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向的第二表面肖特基連接，并且排列在透光基底和PN半導(dǎo)體層之間；電極，其形成在第一肖特基結(jié)層上；第一重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成并且排列在第一肖特基結(jié)層和PN半導(dǎo)體層之間；以及，第二重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成并且排列在第二肖特基結(jié)層和PN半導(dǎo)體層之間。第一肖特基結(jié)層可以由具有比N型半導(dǎo)體層的溢出功更大的溢出功的材料形成，并因此與N型半導(dǎo)體層肖特基連接；并且，第二肖特基結(jié)層由具有比P型半導(dǎo)體層的溢出功更小的溢出功的材料形成，并因此與P型半導(dǎo)體層肖特基連接；并且，第一肖特基結(jié)層可以由具有比P型半導(dǎo)體層的溢出功更小的溢出功的材料形成，并因此與P型半導(dǎo)體層肖特基連接；并且，第二肖特基結(jié)層由具有比N型半導(dǎo)體層的溢出功更大的溢出功的材料形成，并因此與N型半導(dǎo)體層肖特基連接。太陽能電池還可包括第一重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成并且排列在第一肖特基結(jié)層和PN半導(dǎo)體層之間；以及，第二重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成并且排列 在第二肖特基結(jié)層和PN半導(dǎo)體層之間。一種根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的制造太陽能電池的方法包括準(zhǔn)備包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層的PN半導(dǎo)體層；在該P(yáng)N半導(dǎo)體層上形成絕緣重新結(jié)合防止層；形成肖特基結(jié)層以形成與PN半導(dǎo)體層的金屬層肖特基連接；以及，在肖特基結(jié)層上形成具有導(dǎo)電性的正面電極。形成該P(yáng)N半導(dǎo)體層可包括對晶片摻雜以形成N型半導(dǎo)體層以及在PN半導(dǎo)體層的底面中形成第一電極；以及，準(zhǔn)備PN半導(dǎo)體可進(jìn)一步包括控制費米能級以增加N型半導(dǎo)體層的費米能級。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的太陽能電池形成兩個太陽能電池，這兩個太陽能電池通過串聯(lián)耦合PN結(jié)半導(dǎo)體和肖特基結(jié)層來形成，并因此，光能夠被轉(zhuǎn)換成電，由此改善了光電效率。此外，因為形成了兩個耗盡區(qū)域，所以開路電壓(OCV)能夠得到改善。另外，在PN結(jié)半導(dǎo)體層的兩側(cè)形成肖特基結(jié)層，這提供了與串聯(lián)耦合的三個太陽能電池相同的效果。因此，能夠簡單地制造串聯(lián)耦合的太陽能電池，并且太陽能電池的光效率和OCV能夠得到改善。附圖概述圖I是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的太陽能電池的俯視圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的太陽能電池的制造方法的流程圖。圖4a是用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的太陽能電池的PN半導(dǎo)體層的工作機(jī)制的示意圖。圖4b是用于描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的太陽能電池的肖特基結(jié)和N型半導(dǎo)體層的工作機(jī)制的示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的太陽能電池的俯視圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實施方式的示例性變體的太陽能電池的剖視圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。實施方式詳述要理解的是，術(shù)語“在…上”、“在…以上”、“在…上方”指的是位于對象成員以上或以下，并且不必指在以重力方向為基準(zhǔn)的、成員對象的以上。此外，在說明書中，術(shù)語“PN結(jié)”意指其中P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體彼此連接的結(jié)構(gòu)，并且被定義為是包括了 PIN結(jié)的PN結(jié)，所述PIN結(jié)具有排列在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間的I型半導(dǎo)體。在下文中，本發(fā)明的一些示例性實施方式是參考附圖進(jìn)行描述的，以便本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)這些實施方式。然而，正如本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將會認(rèn)識到的，本發(fā)明可以按各種不同的方式來進(jìn)行修改，并且不限于這些示例性實施方式。附圖和說明書被視為在實質(zhì)上是說明性而非限制性的。貫穿本說明書始終，相似的參考標(biāo)記指示相似的元件。 圖I是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的太陽能電池的剖視圖。參考圖1，根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池101包括PN半導(dǎo)體層13 ;第一電極11，其被排列接觸PN半導(dǎo)體13的第一表面；肖特基結(jié)層15，其被排列接觸面向著PN半導(dǎo)體層13的第一表面的相反方向的第二表面；重新結(jié)合防止層14，其形成在肖特基結(jié)層15與PN半導(dǎo)體層13之間；以及，第二電極12，其被形成以接觸肖特基結(jié)層15。PN半導(dǎo)體層13被形成為晶片，并且包括P型半導(dǎo)體層131和N型半導(dǎo)體層132。因為PN半導(dǎo)體層13由晶體型的硅形成，所以PN半導(dǎo)體層13能夠通過將N型材料摻雜到具有P型特征的晶體型的硅中來形成。所述晶片能夠不僅由硅形成還能夠由GaAs形成。本發(fā)明不限于此，并且PN半導(dǎo)體層可以由有機(jī)材料形成。在這種情況下，N型材料(比如PPV、P3HT、P30T、和類似材料)以及P型材料(B卩，電子受體)(比如C60、PCBCR、PCBCa、和類似材料)可被應(yīng)用為PN半導(dǎo)體層。第一電極11以對PN半導(dǎo)體層13底面的歐姆結(jié)的方式來組合。第一電極11被形成貫穿PN半導(dǎo)體層13的底面，并且可以由金屬材料比如鋁來形成。P型半導(dǎo)體層131排列在PN半導(dǎo)體層13的底面，而N型半導(dǎo)體層132則排列在正面。與此同時，重新結(jié)合防止層14形成在PN半導(dǎo)體層13的正面。重新結(jié)合防止層14可以由包括氧化物比如SiOx、SiNx、和類似物的絕緣材料組成。重新結(jié)合防止層14的厚度為O. Inm至IOnm,并且其通過防止由光生成的載子的重新結(jié)合來改善電壓特性。當(dāng)重新結(jié)合防止層14的厚度小于O. Inm時，受激電子與空穴重新結(jié)合，而當(dāng)重新結(jié)合防止層14的厚度大于IOnm時，阻抗顯著增加。在本示例性實施方式中，描述了重新結(jié)合防止層14形成在PN半導(dǎo)體層13與肖特基結(jié)層15之間以便改善光效率。本發(fā)明不限于此，并且肖特基結(jié)層15能夠被形成直接接觸PN半導(dǎo)體層13。肖特基結(jié)層15以在重新結(jié)合防止層14上形成肖特基結(jié)的方式來與PN半導(dǎo)體層13連接。肖特基結(jié)層15被布置為與N型半導(dǎo)體層132相對，并且以具有比N型半導(dǎo)體層132更大的溢出功的材料來形成。肖特基結(jié)層15的材料不限于任何一種材料，并且可使用具有比N型半導(dǎo)體層132更大溢出功的各種金屬。此外，肖特基結(jié)層15可以由包括了 ΙΤ0、ΑΤΟ、ΙΖ0、或AZO的材料形成。當(dāng)肖特基結(jié)層15混合了 ΙΤ0、ΑΤ0、ΙΖΟ、ΑΖ0、或類似物時，肖特基結(jié)層15的透光性能夠得到改善而不會使導(dǎo)電性劣化。
肖特基結(jié)層15的厚度可以是Inm至20nm。當(dāng)肖特基結(jié)層15的厚度小于Inm時，不能夠正確地形成耗盡層，而當(dāng)肖特基結(jié)層15的厚度大于20nm時，透光效率明顯降低。反射防止層16形成在肖特基結(jié)層15上，并且反射防止層16排列在肖特基結(jié)層15和第二電極12之間。反射防止層16可以由SiOx或SiN形成，并且反射防止層16的厚度可以從O. Inm至lOOnm。重新結(jié)合防止層14和肖特基結(jié)層15被形成為薄得足以高效透光。當(dāng)其具有較高透光率時，重新結(jié)合防止層14和肖特基結(jié)層15能夠更有優(yōu)勢，但是它們被形成為足以透射至少50%的光。如圖I和圖2中所示，第二電極12形成在肖特基結(jié)層15上，并且以在一個方向上 帶狀延伸的形狀來形成。第二電極由具有極佳導(dǎo)電率(比如銀(Ag)、鉬(Pt)、和類似物)的材料形成。第二電極12排列在面向著第一電極11的相反方向的表面上，第一電極11可被定義為底面電極，并且第二電極12可被定義為正面電極。提供多個第二電極12，并且布置這些第二電極使其彼此間有一定距離，并且將電連接這些第二電極12的匯流條17形成到這些第二電極12的每一個中。第二電極12和匯流條17可以由具有低阻抗和極佳導(dǎo)電性的材料(比如Cu、Ag、和類似物)形成。參考圖3，描述了制造根據(jù)第一示例性實施方式的太陽能電池的方法。一種根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池101的制造方法包括準(zhǔn)備PN半導(dǎo)體13 (SlOl);形成重新結(jié)合防止層14 (S102);形成肖特基結(jié)層15 (S103);以及，形成第二電極 12 (S104)。形成PN半導(dǎo)體層13 (S103)可包括對晶片摻雜，其用于通過摻雜晶片在P型半導(dǎo)體層131上形成N型半導(dǎo)體層132 ;以及，在晶片的底面上形成第一電極11。晶片可由通常應(yīng)用于太陽能電池的晶體硅形成，并且因為晶片的制造方法對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是已熟知的，所以不再提供進(jìn)一步的描述。晶片摻雜可包括摻雜第V組元素，比如磷(P)、砷(As)、和類似元素。在形成第一電極11時，通過沉積或涂覆金屬(比如鋁)形成在晶片的底面上。準(zhǔn)備PN半導(dǎo)體層13(S101)可進(jìn)一步包括控制N型半導(dǎo)體層132的費米能級。在形成了 N型半導(dǎo)體層132之后，N型半導(dǎo)體132的費米能級可使用氣體比如氨(NH3)、氧氣、以及類似物來增加。此外，為了控制費米能級，可應(yīng)用與功能性分子比如鉀(K)、鋇(Br)、和類似物反應(yīng)以及熱處理的方法；使用與聚合物(PEI)材料的連接鏈的方法；或者，摻雜金屬(比如鋁和類似物)的方法。同時，在形成重新結(jié)合防止層14 (S102)時，使用比如沉積或類似方法的方法將材料比如氧化物(比如SiOx、SiNx、和類似物)形成到N型半導(dǎo)體層132上。在形成肖特基結(jié)層15 (S103)時，使用比如沉積、噴涂、涂覆、和類似方法的方法將肖特基結(jié)層15形成到重新結(jié)合防止層14上。肖特基結(jié)層15可由包括ΙΤ0、ΑΤ0、ΙΖ0、ΑΖ0、或類似物的材料形成。在形成第二電極12(S104)時，使用比如沉積、涂覆、和類似方法的方法將這些第二電極形成在肖特基結(jié)層15上。第二電極可由具有極佳導(dǎo)電性的材料(比如銀(Ag)、鉬(Pt)、和類似物)的材料形成。參考圖4A和圖4B，將描述根據(jù)第一示例性實施方式的太陽能電池101的動作。當(dāng)光入射時，電子在接觸P型半導(dǎo)體層131和N型半導(dǎo)體層132的第一耗盡區(qū)域Al中受到光的激發(fā)，并且受激電子移動至N型半導(dǎo)體層132，使得出現(xiàn)電壓差。此外，因為第二耗盡區(qū)域A2形成在其中N型半導(dǎo)體層132與肖特基結(jié)層15彼此接觸的區(qū)域內(nèi)，自由電子由于入射光而產(chǎn)生在第二耗盡區(qū)域A2中，并且相應(yīng)地產(chǎn)生電壓差。當(dāng)電子在N型半導(dǎo)體層132中積累時，它們由于隧道效應(yīng)而穿過一長壁并移動至肖特基結(jié)層15，從而使得電子可被抽離至外部。根據(jù)本示例性實施方式，PN半導(dǎo)體層13變成一個太陽能電池，并且N型半導(dǎo)體層132變成另一個太陽能電池，并且能夠提供與串聯(lián)耦合兩個太陽能電池相同的效果。此外，多路太陽能電池能夠簡單地通過在常規(guī)晶片形太陽能電池上形成肖特基結(jié)層15而簡單形成，使得制造能夠被簡化，并且制造成本能夠降低。本示例性實施方式的太陽能電池可通過形成單個肖特基結(jié)層15來提供與串聯(lián)耦合太陽能電池相同的效果，并因此與形成多個PIN半導(dǎo)體層(如薄膜太陽能電池)相比能夠有更多優(yōu)勢。圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的太陽能電池102的剖視圖。參考圖5，根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池102包括PN半導(dǎo)體層23 ;第一電極21，其被排列接 觸PN半導(dǎo)體層23的第一表面；肖特基結(jié)層25，其與面向著PN半導(dǎo)體層23的第一表面的第二表面相對地排列；重新結(jié)合防止層24，其形成在肖特基結(jié)層25與PN半導(dǎo)體層23之間；以及，第二電極22，其被形成以接觸肖特基結(jié)層25。除了 PN半導(dǎo)體層23和肖特基結(jié)層25的結(jié)構(gòu)之外，根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池23與根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的太陽能電池在結(jié)構(gòu)上是相同的，并因此對相同結(jié)構(gòu)的描述將被省略。PN半導(dǎo)體層23形成為晶片，并且包括P型半導(dǎo)體層231和N型半導(dǎo)體層232。因為PN半導(dǎo)體層23以晶體硅形成，則PN半導(dǎo)體層23能夠通過將N型材料摻雜到具有P型特征的晶體硅中來形成。肖特基結(jié)層25以肖特基結(jié)的形式與P型半導(dǎo)體層232連接，并因此肖特基結(jié)層25以一種材料形成，該材料的溢出功小于P型半導(dǎo)體層232的材料的溢出功。相應(yīng)地，耗盡區(qū)同樣形成在肖特基結(jié)層25和P型半導(dǎo)體層232彼此接觸的區(qū)域中。如所描述的，以PN結(jié)太陽能電池與肖特基結(jié)太陽能電池被串聯(lián)耦合的結(jié)構(gòu)來形成的太陽能電池能夠根據(jù)本示例性實施方式提供。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的太陽能電池103的剖視圖，而圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的太陽能電池103的俯視圖。參考圖6和圖7，根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池103包括PN半導(dǎo)體層33 ；第一電極31，其被形成與PN半導(dǎo)體層33的第一表面接觸；重新結(jié)合防止層34，其被排列接觸PN半導(dǎo)體層33的第二表面，被排列面向所述PN半導(dǎo)體層的第一表面；肖特基結(jié)層35，其形成在重新結(jié)合防止層34上；以及，歐姆金屬層36，其形成在重新結(jié)合防止層34上。PN半導(dǎo)體層33包括P型半導(dǎo)體層331和形成在該P(yáng)型半導(dǎo)體層331上的N型半導(dǎo)體層332，并且具有與第一示例性實施方式的PN半導(dǎo)體層相同的結(jié)構(gòu)。重新結(jié)合防止層34以一種材料，比如氧化物(比如SiOx、SiNx、和類似物)形成。因為肖特基結(jié)層35和歐姆金屬層36彼此間有一定距離地排列在重新結(jié)合防止層34上，由其溢出功大于N型半導(dǎo)體層332的材料的溢出功的材料所形成肖特基結(jié)層35以肖特基結(jié)的形式與N半導(dǎo)體層332連接，并且由其溢出功小于N型半導(dǎo)體層332的材料的溢出功的材料所形成的歐姆金屬層36與N型半導(dǎo)體層332歐姆連接。肖特基結(jié)層35和歐姆金屬層36彼此平行地排列在相同的平面上。第一正面電極321被排列在肖特基結(jié)層35上，并且第二正面電極322被排列在歐姆金屬層36上。肖特基結(jié)層35、歐姆金屬層36、第一正面電極321、第二正面電極322和重新結(jié)合防止層34各自具有薄得足以讓入射到其中的光透射達(dá)到PN半導(dǎo)體層33的厚度。同時，第一電極31被形成以接觸P型半導(dǎo)體層331，并因此第一電極31的底面由金屬(比如鋁和類似金屬)形成。根據(jù)本示例性實施方式，當(dāng)光入射時，電子在P型半導(dǎo)體層331和N型半導(dǎo)體層332彼此接觸的耗盡區(qū)域中形成，并且還在N型半導(dǎo)體層332和肖特基結(jié)層35重疊的耗盡區(qū)域中生成。在肖特基結(jié)層35和N型半導(dǎo)體層332之間形成的電子通過P型半導(dǎo)體層331，并 隨后移動至第一電極31或移動至第二正面電極322。在P型半導(dǎo)體層331和N型半導(dǎo)體層332之間生成的電子移動至第一電極31。根據(jù)本示例性實施方式，通過電子從第一正面電極321流動至第一電極31，肖特基結(jié)層35和N型半導(dǎo)體層332形成了第一單元電池，并且P型半導(dǎo)體層331和N型半導(dǎo)體層332形成了第二單元電池。此外，通過電子從第一正面電極321流動至第二正面電極322，肖特基結(jié)層35和N型半導(dǎo)體層332形成了第三單元電池。如所描述的，根據(jù)本示例性實施方式形成了三個太陽能電池。當(dāng)?shù)诙骐姌O322和第一電極31的底面通過第一接線371彼此電連接并且第一正面電極321和第一電極31通過第二接線372彼此電連接時，第一單元電池和第二單元電池串聯(lián)連接，并且第三單元電池與被串聯(lián)耦合的第一和第二接線并聯(lián)耦合。圖8是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施方式的太陽能電池104的剖視圖。參考圖8，根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池104包括PN半導(dǎo)體層43 ;第一電極48，其被排列接觸PN半導(dǎo)體層43的第一表面；肖特基結(jié)層46，其被形成與PN半導(dǎo)體層43的第二表面相對，所述PN半導(dǎo)體層的第二表面面向所述PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向；重新結(jié)合防止層45，其形成在肖特基結(jié)層46和PN半導(dǎo)體層43之間；以及，第二電極47，其被形成以接觸肖特基結(jié)層46。根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池104由形成在透光基底41上的薄膜太陽能電池形成。透光基底41可由玻璃或者由基于s聚合物的材料所形成。其中形成了納米尺寸的凸起物的反射防止層可附接到透光基底41。反射防止層可以由SiOx、SiN、和類似物形成，并且其厚度可以是O. Inm至lOOnm。因為透光基底41被排列接觸第一電極48，第一電極48被形成在透光基底41上。第一電極48由透明材料(比如IT0、IZ0、FT0、和類似物)形成。因為PN半導(dǎo)體層43以薄膜形狀形成，PN半導(dǎo)體層43包括P型半導(dǎo)體層431 ；N型半導(dǎo)體層432 ;以及，本征(I)型半導(dǎo)體433，其形成在P型半導(dǎo)體層431和N型半導(dǎo)體層432之間。薄膜太陽能電池的這樣一種PIN結(jié)的結(jié)構(gòu)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是熟知的，并因此不再提供進(jìn)一步的描述。此處，I型半導(dǎo)體層433由本征半導(dǎo)體材料形成。PN半導(dǎo)體層可以由包括了 InGaP、CdSe, CdS、ZnSe, ZnS, ZnTe、或類似物的材料形成。
重新結(jié)合防止層45、肖特基結(jié)層46、以及第二電極47在PN半導(dǎo)體層43上順序分層。因為重新結(jié)合防止層45、肖特基結(jié)層46、和第二電極47分別與第一示例性實施方式的太陽能電池中的重新結(jié)合防止層、肖特基結(jié)層、和第二電極相同，所以不再提供進(jìn)一步份的描述。如所描述的，根據(jù)本示例性實施方式，肖特基結(jié)層46形成在薄膜太陽能電池上，使得多路類型的太陽能電池能夠被簡單地制造。圖9是根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實施方式的太陽能電池105的剖視圖。根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池105包括PN半導(dǎo)體層53 ;第一肖特基結(jié)層551和第一歐姆金屬層552,其被排列相對于PN半導(dǎo)體層53的第一表面；以及，第二肖特基結(jié)層541和第二歐姆金屬層542，其被排列與面向PN半導(dǎo)體層53的第一表面的相反方向的
第二表面相對。第一肖特基結(jié)層551以肖特基結(jié)的形式與PN半導(dǎo)體層53的第一表面連接，并且第一歐姆金屬層552與PN半導(dǎo)體層53的第一表面歐姆連接。第二肖特基結(jié)層541肖特基連接到第二表面，該第二表面面向PN半導(dǎo)體層53的第一表面的相反方向，并且第二歐姆金屬層542與PN半導(dǎo)體層53的第二表面歐姆連接。此外，第一重新結(jié)合防止層57形成在PN半導(dǎo)體層53、第一肖特基結(jié)層551和第一歐姆金屬層552之間，并且第二重新結(jié)合防止層56形成在PN半導(dǎo)體層53、第二肖特基結(jié)層541、和第二歐姆金屬層542之間。此外,第一正面電極521形成在第一肖特基結(jié)層551上，并且，第二正面電極522形成在第一歐姆金屬層552上。根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池51由形成在透光基底51上的薄膜太陽能電池所形成。透光基底51可被形成為玻璃的或基于聚合物的基底。第二肖特基結(jié)層541和第二歐姆金屬層542形成在透光基底51上。第二肖特基結(jié)層541和第二歐姆金屬層542彼此平行地排列在透光基底51上。因為PN半導(dǎo)體層53以薄膜形狀形成，PN半導(dǎo)體層53包括P型半導(dǎo)體層531 ；N型半導(dǎo)體層532 ;以及，本征(I)型半導(dǎo)體533，其形成在P型半導(dǎo)體層531和N型半導(dǎo)體層532之間。重新結(jié)合防止層57形成在PN半導(dǎo)體層53上，并且第一肖特基結(jié)層551和第一歐姆金屬層552彼此平行地排列在重新結(jié)合防止層57上。第二歐姆金屬層542形成在相應(yīng)于第一短鍵肖特基結(jié)層551的下部，并且第二肖特基結(jié)層541形成在相應(yīng)于第一歐姆金屬層552的下部。第一肖特基結(jié)層551由具有比N型半導(dǎo)體層532的溢出功更大的溢出功的材料形成，并且第二肖特基結(jié)層541由具有比P型半導(dǎo)體層531的溢出功更小的溢出功的材料形成。此外，第一歐姆金屬層552由具有比N型半導(dǎo)體層532的溢出功更小的溢出功的材料形成，并且第二歐姆金屬層542由具有比P型半導(dǎo)體層531的溢出功更大的溢出功的材料形成。根據(jù)本示例性實施方式，電子在第一肖特基結(jié)層551和N型半導(dǎo)體層532之間形成，并且在PN半導(dǎo)體層53、第二肖特基結(jié)層541和P型半導(dǎo)體層531之間形成。電子在第一肖特基結(jié)層551和N型半導(dǎo)體層532之間生成，并從排列在第一肖特基結(jié)層551以下的PN半導(dǎo)體層53移動至第二歐姆金屬層542 ;并且，電子在第二肖特基結(jié)層541和P型半導(dǎo)體層531之間生成，并從排列在第二肖特基結(jié)層541以上的PN半導(dǎo)體53移動至第二肖特基結(jié)層541。因此，根據(jù)本示例性實施方式，第一肖特基結(jié)層551和N型半導(dǎo)體層532形成第一單元電池，排列在第一肖特基結(jié)層551以下的PN半導(dǎo)體53形成第二單元電池，第二肖特基結(jié)層541和P型半導(dǎo)體層531形成第三單元電池，并且排列在第二肖特基結(jié)層541以上的PN半導(dǎo)體53成為第四單 元電池。當(dāng)?shù)谝徽骐姌O521和第二正面電極522通過第一接線581彼此電連接，第二肖特基結(jié)層541和第二歐姆金屬層542彼此連接，并因此彼此電連接，第一正面電極521和第二歐姆金屬層542通過第二接線582與充電電池583電連接，第一單元電池與第二單元電池彼此串聯(lián)耦合，第三單元電池和第四單元電池彼此串聯(lián)耦合，并且這些串聯(lián)耦合的電池組彼此并聯(lián)耦合。圖10是根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實施方式的示例性變體的太陽能電池105’的剖視圖。參考圖10，根據(jù)本示例性實施方式的第二肖特基結(jié)層541和第二歐姆金屬層542彼此間以一定距離排列。除了第二肖特基結(jié)層543和第二歐姆金屬層545以及接線的配置之外，本示例性實施方式的太陽能電池與第五示例性實施方式的太陽能電池在結(jié)構(gòu)上是相同的。第一正面電極521通過第一接線591與第二肖特基結(jié)層541電連接，并且，充電電池593通過第二接線592與第二正面電極522和第二歐姆金屬層542電連接。相應(yīng)地，根據(jù)本示例性實施方式，第一單元電池、第二單元電池、第三單元電池和第四單元電池串聯(lián)耦合。圖11是本發(fā)明的第六示例性實施方式的太陽能電池106的剖視圖。參考圖11，根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池106包括透光基底61 ;PN半導(dǎo)體層63,其形成在該透光基底61上；第一肖特基結(jié)層66,其與PN半導(dǎo)體層63的第一表面肖特基連接；第二肖特基結(jié)層68，其與PN半導(dǎo)體層66的第二表面肖特基連接；以及，電極67,其形成在第一肖特基結(jié)層66上。其中，PN半導(dǎo)體層63的第二表面面對著其第一表面的相反方向。根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池106由形成在透光基底61上的薄膜太陽能電池所形成。透光基底61可被形成為玻璃基底或基于聚合物的基底。因為PN半導(dǎo)體層63以薄膜形狀形成，PN半導(dǎo)體層63包括P型半導(dǎo)體層631 ；N型半導(dǎo)體層632 ;以及，I型半導(dǎo)體層633，其形成在P型半導(dǎo)體層631和N型半導(dǎo)體層632之間。因為薄膜太陽能電池的PIN結(jié)的結(jié)構(gòu)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是熟知的，所以將不再提供進(jìn)一步的描述。第一肖特基結(jié)層66排列在PN半導(dǎo)體層63上，并且與N型半導(dǎo)體層632肖特基連接。第一肖特基結(jié)層66由具有比N型半導(dǎo)體層632的溢出功更大的溢出功的材料形成。由絕緣材料形成的第一重新結(jié)合防止層65形成在第一肖特基結(jié)層66和N型半導(dǎo)體層632之間。第二肖特基結(jié)層68排列在透光基底61和PN半導(dǎo)體層63之間，并且與P型半導(dǎo)體層631肖特基連接。第二肖特基結(jié)層68由具有比P型半導(dǎo)體層631的溢出功更小的溢出功的材料形成。在這種情況下，第二肖特基結(jié)層68被排列接觸透光基底61，并且由絕緣材料所形成的第二重新結(jié)合防止層64形成在第二肖特基結(jié)層68和P型半導(dǎo)體層631之間。為了透光性，第一肖特基結(jié)層66和第二肖特基結(jié)層68以Inm至20nm的厚度形成。因此，能夠從入射到PN半導(dǎo)體層63兩側(cè)的光產(chǎn)生電力。當(dāng)電極67和第二肖特基結(jié)層68與充電電池連接，第一肖特基結(jié)層66和N型半導(dǎo)體層632形成單個太陽能電池，PN半導(dǎo)體層63形成單個太陽能電池，并且P型半導(dǎo)體層631和第二肖特基結(jié)層68形成單個太陽能電池，從而使得這三個太陽能電池串聯(lián)耦合。根據(jù)本示例性實施方式，其中三個太陽能電池串聯(lián)耦合的結(jié)構(gòu)能夠通過在PN半導(dǎo)體層63的各個側(cè)面中形成肖特基結(jié)層66和68來方便地制造。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實施方式的太陽能電池107的剖視圖。參考圖12，根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池107包括透光基底71 ;PN半導(dǎo)體層73，其形成在透光基底71上；第一肖特基結(jié)層76，其與PN半導(dǎo)體層73的第一表面肖特基連接；第二肖特基結(jié)層78，其與PN半導(dǎo)體層73的第二表面肖特基連接；以及，電極77，其形成在第一肖特基結(jié)層76上。此處，PN半導(dǎo)體層73的第二表面面向著其第一表面的相反方向。根據(jù)本示例性實施方式的太陽能電池107由形成在透光基底71上的薄膜太陽能電池所形成。透光基底71可以被形成為玻璃基底或基于聚合物的基底。因為PN半導(dǎo)體層73以薄膜形狀形成，PN半導(dǎo)體層73包括N型半導(dǎo)體層731 ；P型半導(dǎo)體層732 ;以及，I型半導(dǎo)體層733，其形成在N型半導(dǎo)體層731和P型半導(dǎo)體層732之間。因為薄膜太陽能電池的PIN結(jié)的結(jié)構(gòu)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言是熟知的，所以不再提供進(jìn)一步的描述。第一肖特基結(jié)層76排列在PN半導(dǎo)體層73上，并且與P型半導(dǎo)體層732肖特基連接。第一肖特基結(jié)層76由具有比P型半導(dǎo)體層732的溢出功更小的溢出功的材料形成。由絕緣材料形成的第一重新結(jié)合防止層75排列在第一肖特基結(jié)層76和P型半導(dǎo)體層732之間。第二肖特基結(jié)層78排列在透光基底71和PN半導(dǎo)體層73之間，并且與N型半導(dǎo)體層731肖特基連接。第二肖特基結(jié)層78由具有比N型半導(dǎo)體層731的溢出功更大的溢出功的材料形成。在這種情況下，第二肖特基結(jié)層78被排列接觸透光基底71，并且由絕緣材料形成的第二重新結(jié)合防止層74形成在第二肖特基結(jié)層78和N型半導(dǎo)體層731之間。為了透光性，第一肖特基結(jié)層76和第二肖特基結(jié)層78以Inm至20nm的厚度形成。因此，能夠從入射到PN半導(dǎo)體層73兩側(cè)的光產(chǎn)生電力。當(dāng)電極77和第二肖特基結(jié)層78與充電電池連接，第一肖特基結(jié)層76和N型半導(dǎo)體層731形成單個太陽能電池，PN半導(dǎo)體層73形成單個太陽能電池，并且P型半導(dǎo)體層732和第二肖特基結(jié)層78單個太陽能電池，從而使得這三個太陽能電池串聯(lián)耦合。根據(jù)本示例性實施方式，其中這三個太陽能電池串聯(lián)耦合的結(jié)構(gòu)能夠通過在PN半導(dǎo)體層73的兩個側(cè)面上形成肖特基結(jié)層76和78來方便地制造。雖然本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合目前被認(rèn)為是實際的示例性實施方式進(jìn)行了描述，但是要理解的是，本發(fā)明不限于所公開的實施方式，而正相反地，其旨在涵蓋被包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種不同的修改 和等價布置。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池，包括 PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層； 第一電極，其與所述PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接； 肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接，所述PN半導(dǎo)體層的第二表面面向所述PN半導(dǎo)體層的第一表面； 第二電極，其被形成接觸所述肖特基結(jié)層；以及 重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成，并且排列在所述肖特基結(jié)層和所述PN半導(dǎo)體層之間。
2.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，所述重新結(jié)合防止層具有O.Inm至IOnm的厚度。
3.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，所述N型半導(dǎo)體層被形成接觸所述重新結(jié)合防止層。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池，其中，所述肖特基結(jié)層具有比所述N型半導(dǎo)體層的溢出功更大的溢出功。
5.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，所述P型半導(dǎo)體層被排列接觸所述重新結(jié)合防止層。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其中，所述肖特基結(jié)層具有比所述P型半導(dǎo)體層的溢出功更小的溢出功。
7.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，所述肖特基結(jié)層由金屬形成。
8.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，所述肖特基結(jié)層由選自包括金屬、ITO、ATO、IZOjP AZO的組的至少一種材料形成。
9.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，所述PN半導(dǎo)體層由晶片形成。
10.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池,其中,所述PN半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
11.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，反射防止層附接到所述肖特基結(jié)層。
12.如權(quán)利要求11所述的太陽能電池，其中，所述反射防止層由SiOx或SiN形成。
13.如權(quán)利要求11所述的太陽能電池，其中，所述反射防止層具有O.Inm至IOOnm的厚度。
14.如權(quán)利要求I所述的太陽能電池，其中，透光基底被排列接觸所述第一電極，并且所述PN半導(dǎo)體層包括P型半導(dǎo)體層、N型半導(dǎo)體層以及排列在所述P型半導(dǎo)體層和所述N型半導(dǎo)體層之間的本征(I)型半導(dǎo)體層。
15.—種太陽能電池,包括 PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層； 第一電極，其與所述PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接； 肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接，所述PN半導(dǎo)體層的第二表面面向所述PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向； 歐姆金屬層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第二表面歐姆連接，并且與所述肖特基結(jié)層平行排列； 第一正面電極，其形成在所述肖特基結(jié)層上； 第二正面電極，其形成在所述歐姆金屬層上；第一接線，其電連接所述第二正面電極和所述第一電極；以及 第二接線，其電連接所述第一正面電極和所述第一電極。
16.—種太陽能電池,包括 PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層； 第一歐姆金屬層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接； 第一肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第一表面肖特基連接； 第二歐姆金屬層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第二表面歐姆連接，所述PN半導(dǎo)體層的第二表面面向所述PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向； 第二肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接； 第一正面電極，其形成在所述第一肖特基結(jié)層上； 第二正面電極，其形成在所述第一歐姆金屬層上； 第一接線，其電連接所述第一正面電極和所述第二正面電極；以及 第二接線，其電連接所述第一正面電極和所述第二歐姆金屬層。
17.如權(quán)利要求16所述的太陽能電池，其中，所述肖特基結(jié)層被排列在垂直地對應(yīng)于所述第二歐姆金屬層的位置處，所述第一歐姆金屬層被排列在垂直地對應(yīng)于所述第二肖特基結(jié)層的位置處，并且所述第二肖特基結(jié)層和所述第二歐姆金屬層被排列彼此接觸。
18.一種太陽能電池，包括 PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層； 第一歐姆金屬層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接； 第一肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第一表面肖特基連接； 第二歐姆金屬層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第二表面歐姆連接，所述第二表面面向所述PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向； 第二肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的所述第二表面肖特基連接； 第一正面電極，其形成在所述第一肖特基結(jié)層上； 第二表面電極，其形成在所述第一歐姆金屬層上； 第一接線，其電連接所述第一正面電極和所述第二肖特基結(jié)層；以及 第二接線，其電連接所述第二正面電極和所述第二歐姆金屬層。
19.如權(quán)利要求18所述的太陽能電池，其中，所述肖特基結(jié)層被排列在垂直地對應(yīng)于所述第二歐姆金屬層的位置處，所述第一歐姆金屬層被排列在垂直地對應(yīng)于所述第二肖特基結(jié)層的位置處，并且所述第二肖特基結(jié)層和所述第二歐姆金屬層被排列使得彼此間有一定距離。
20.一種太陽能電池，包括 透光基底； PN半導(dǎo)體層，其形成在所述透光基底上，并且包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層； 第一肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第一表面肖特基連接； 第二肖特基結(jié)層，其與所述PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接，所述第二表面面向所述PN半導(dǎo)體層的第一表面的相反方向，并且所述第二肖特基結(jié)層排列在所述透光基底和所述PN半導(dǎo)體層之間； 電極，其形成在所述第一肖特基結(jié)層上；第一重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成并且排列在所述第一肖特基結(jié)層和所述PN半導(dǎo)體層之間；以及 第二重新結(jié)合防止層，其由絕緣材料形成并且排列在所述第二肖特基結(jié)層和所述PN半導(dǎo)體層之間。
21.如權(quán)利要求20所述的太陽能電池，其中，所述第一肖特基結(jié)層由具有比所述N型半導(dǎo)體層的溢出功更大的溢出功的材料形成，并因此與所述N型半導(dǎo)體層肖特基連接，并且，所述第二肖特基結(jié)層由具有比所述P型半導(dǎo)體層的溢出功更小的溢出功的材料形成，并因此與所述P型半導(dǎo)體層肖特基連接。
22.如權(quán)利要求20所述的太陽能電池，其中，所述第一肖特基結(jié)層由具有比所述P型半導(dǎo)體層的溢出功更小的溢出功的材料形成，并因此與所述P型半導(dǎo)體層肖特基連接，并且，所述第二肖特基結(jié)層由具有比所述N型半導(dǎo)體層的溢出功更大的溢出功的材料形成，并因此與所述N型半導(dǎo)體層肖特基連接。
23.一種制造太陽能電池的方法，包括 準(zhǔn)備PN半導(dǎo)體層，所述PN半導(dǎo)體層包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層； 在所述PN半導(dǎo)體層上形成絕緣的重新結(jié)合防止層； 形成肖特基結(jié)層，所述肖特基結(jié)層用于形成與所述PN半導(dǎo)體層的金屬層肖特基連接；以及 在所述肖特基結(jié)層上形成具有導(dǎo)電性的正面電極。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，形成所述PN半導(dǎo)體層包括對晶片摻雜以形成N型半導(dǎo)體層；以及，在所述PN半導(dǎo)體層的底面中形成第一電極。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中，準(zhǔn)備所述PN半導(dǎo)體還包括控制費米能級以便增加所述N型半導(dǎo)體層的費米能級。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有PN結(jié)和肖特基結(jié)的多路太陽能電池及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的太陽能電池包括PN半導(dǎo)體層，其包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；第一電極，其與PN半導(dǎo)體層的第一表面歐姆連接；肖特基結(jié)層，其與PN半導(dǎo)體層的第二表面肖特基連接，所述PN半導(dǎo)體層的第二表面面對PN半導(dǎo)體層的第一表面；以及，第二電極，其被形成接觸所述肖特基結(jié)層。
文檔編號H01L31/042GK102844881SQ201180016255
公開日2012年12月26日 申請日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月6日
發(fā)明者金俊東, 韓昌洙 申請人:韓國機(jī)械研究院