專利名稱：層疊體的制造方法和層疊體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如在絕緣膜的兩面具有電極的層疊體的制造方法和層疊體。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)驚人的發(fā)展，現(xiàn)在常使用筆記本電腦、便攜式信息終端等來頻繁進(jìn)行收發(fā)信息。因此，眾所周知在不久的將來無論在任何場所都能夠交換信息的全面互聯(lián)(Ubiquitous)社會(huì)將會(huì)到來。在這樣的社會(huì)中，需要更輕型、薄型的信息終端。現(xiàn)在，半導(dǎo)體材料的主流為硅系，作為其制造方法，通常使用光刻法。另一方面，使用印刷技術(shù)制造電子部件的印刷電子技術(shù)也備受矚目。與光刻法相 t匕，印刷電子技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)通過使用印刷技術(shù)，降低了裝置、制造的相關(guān)成本，并且不需要真空、高溫條件，所以可利用塑料基板等。印刷電子技術(shù)中，常使用可溶于有機(jī)溶劑的有機(jī)半導(dǎo)體等作為半導(dǎo)體材料。這是由于能夠通過印刷法來形成半導(dǎo)體層。作為使用可溶于有機(jī)溶劑的有機(jī)半導(dǎo)體等作為半導(dǎo)體材料的技術(shù)，例如，可舉出如專利文獻(xiàn)I中記載的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)I中，利用噴墨法形成有機(jī)半導(dǎo)體層。在此，使用了有機(jī)半導(dǎo)體的TFT (薄膜晶體管)被稱為有機(jī)TFT。作為構(gòu)成TFT的部件，除半導(dǎo)體以外還有電極、絕緣膜，從形成低成本的TFT的角度出發(fā)，優(yōu)選使用印刷法、涂布技術(shù)等濕法來形成電極、絕緣膜。作為使用濕法形成電極、絕緣膜的技術(shù)，例如可舉出如專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3中記載的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)2中，使用噴墨法形成電極，在專利文獻(xiàn)3中，使用旋涂法形成柵絕緣膜。在此，例如在使用有機(jī)TFT驅(qū)動(dòng)顯示器等的情況下，為了得到驅(qū)動(dòng)電壓、所希望的電流值，通常以1.0 [μπι]以下的厚度形成柵絕緣膜?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2005-210086號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開2004-297011號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :日本特開2007-266355號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，通過如專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3中記載的技術(shù)形成的電極上有時(shí)局部地形成有微小的突起部。另外，在使用濕法形成的電極上，除突起以外還時(shí)常存在由油墨的凝集所致的局部的厚膜部分以及來自環(huán)境和工藝中的異物等。在這種情況下，如果使用濕法形成柵絕緣膜，則在柵絕緣膜的一部分上產(chǎn)生存在于電極的異物等所致的與其他部分的潤濕性的差異，有可能在電極(以下，記載為“下部電極”)上形成不被柵絕緣膜覆蓋的部分。另外，與濺射法等干法相比，旋涂法等濕法中，由于對(duì)襯底形狀的追隨性差，所以在下部電極上存在突起物、異物等時(shí)，很可能在該下部電極上形成不被柵絕緣膜覆蓋的部分。進(jìn)而，在下部電極上形成有不被柵絕緣膜覆蓋的部分的狀態(tài)下，在柵絕緣膜上層疊電極(以下，記載為“上部電極”)時(shí)，下部電極與上部電極將會(huì)接觸或接近，因此很可能在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路(short)、漏電(leak)。因此，用濕法形成電極、柵絕緣膜，則在柵絕緣膜上層疊上部電極的狀態(tài)下很可能在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。本發(fā)明的課題在于提供一種層疊體的制造方法和層疊體，其在用濕法形成電極、絕緣膜的情況下，能夠抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。
為了解決上述課題，本發(fā)明中，技術(shù)方案I中記載的發(fā)明的特征在于，是在形成于基板上的下部電極上形成覆蓋該下部電極的基礎(chǔ)絕緣膜的層疊體的制造方法，具有膜厚減少部形成工序，在上述下部電極中的未被上述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分形成如下的膜厚減少部該未被覆蓋的部分的上述下部電極的膜厚比被上述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分的上述下部電極的膜厚薄。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案2中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案I中記載的發(fā)明，其特征在于，在上述膜厚減少部形成工序中，通過將上述基礎(chǔ)絕緣膜作為掩模的蝕刻來形成上述膜厚減少部。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案3中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案2中記載的發(fā)明，其特征在于，在上述膜厚減少部形成工序中，在形成了上述基礎(chǔ)絕緣膜的至少一部分的狀態(tài)下，通過將上述基礎(chǔ)絕緣膜作為掩模的蝕刻來形成上述膜厚減少部。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案4中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案I 3中任一項(xiàng)中記載的發(fā)明，其特征在于，用濕法形成上述下部電極和上述基礎(chǔ)絕緣膜中的至少一方。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案5中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案I 4中任一項(xiàng)中記載的發(fā)明，其特征在于，作為上述膜厚減少部形成工序的后續(xù)工序具有如下的層疊絕緣膜形成工序在上述基礎(chǔ)絕緣膜上形成覆蓋該基礎(chǔ)絕緣膜和上述膜厚減少部的層疊絕緣膜；作為上述層疊絕緣膜形成工序的后續(xù)工序具有如下的上部電極形成工序在上述層疊絕緣膜上形成上部電極，所述上部電極以將上述基礎(chǔ)絕緣膜和上述層疊絕緣膜夾在中間的方式與上述下部電極對(duì)置。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案6中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案5中記載的發(fā)明，其特征在于，用濕法形成上述層疊絕緣膜和上述上部電極中的至少一方。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案7中記載的發(fā)明的特征在于，是具備形成在基板上的下部電極和在上述基板上形成于上述下部電極上且覆蓋下部電極的基礎(chǔ)絕緣膜的層疊體，其中，上述下部電極具有如下的膜厚減少部上述下部電極中的未被上述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分的上述下部電極的膜厚比被上述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分的上述下部電極的膜厚薄。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案8中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案7中記載的發(fā)明，其特征在于，上述層疊體具備如下的層疊絕緣膜形成在上述基礎(chǔ)絕緣膜上，覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜和上述膜厚減少部。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案9中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案8中記載的發(fā)明，其特征在于，上述基礎(chǔ)絕緣膜和上述層疊絕緣膜由相同材料形成。
其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案10中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案8或9中記載的發(fā)明，其特征在于，上述層疊體具備如下的上部電極形成在上述層疊絕緣膜上，以將上述基礎(chǔ)絕緣膜和上述層疊絕緣膜夾在中間的方式與上述下部電極對(duì)置。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案11中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案7 10中任一項(xiàng)中記載的發(fā)明，其特征在于，上述下部電極由金屬或金屬氧化物形成。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案12中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案7 11中任一項(xiàng)中記載的發(fā)明，其特征在于，上述層疊體用于薄膜晶體管。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案13中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案12中記載的發(fā)明，其特征在于，上述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由有機(jī)半導(dǎo)體形成。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案14中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案7 11中任一項(xiàng)中記載的發(fā)明，其特征在于，上述層疊體用于電容器。 其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案15中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案7 11中任一項(xiàng)中記載的發(fā)明，其特征在于，上述層疊體用于配線間的交叉部。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案16中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案7 15中任一項(xiàng)中記載的發(fā)明，其特征在于，上述基板具有撓性。其次，本發(fā)明中，技術(shù)方案17中記載的發(fā)明根據(jù)技術(shù)方案16中記載的發(fā)明，其特征在于，上述具有撓性的基板由塑料形成。根據(jù)本發(fā)明，在下部電極形成膜厚減少部時(shí)，能夠除去形成于下部電極上的突起部和存在于下部電極上的異物等，能夠通過形成于基礎(chǔ)絕緣膜上并配置在下部電極與上部電極之間的絕緣膜來覆蓋在基礎(chǔ)絕緣膜形成的小孔。因此，能夠防止下部電極與上部電極的接觸，能夠提供可抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的層疊體的制造方法和層疊體。技術(shù)方案I中記載的發(fā)明的效果是通過在下部電極上形成由微細(xì)的孔等形成的膜厚減少部，從而能夠除去形成于下部電極的突起部和存在于下部電極上的異物等。因此，能夠在下部電極與上部電極之間形成由膜厚減少部產(chǎn)生的空隙，能夠抑制下部電極與上部電極的接觸或接近，所以能夠抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。技術(shù)方案2中記載的發(fā)明的效果是通過在膜厚減少部的形成中使用蝕刻，從而能夠在下部電極容易地形成膜厚減少部。技術(shù)方案3中記載的發(fā)明的效果是通過在形成基礎(chǔ)絕緣膜的至少一部分之后，以基礎(chǔ)絕緣膜作為掩模進(jìn)行蝕刻，從而能夠?qū)π纬捎谙虏侩姌O的突起部、存在于下部電極上的異物等進(jìn)行選擇性蝕刻。技術(shù)方案4中記載的發(fā)明的效果是通過利用濕法形成下部電極和基礎(chǔ)絕緣膜中的至少一方，從而能夠降低層疊體的成本。技術(shù)方案5中記載的發(fā)明的效果是通過在基礎(chǔ)絕緣膜上形成的層疊絕緣膜能夠抑制下部電極與上部電極的接觸，能夠形成可抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的層疊體。技術(shù)方案6中記載的發(fā)明的效果是通過利用濕法形成層疊絕緣膜和上部電極中的至少一方，從而能夠降低層疊體的成本。
技術(shù)方案7中記載的發(fā)明的效果是通過使下部電極具有由微細(xì)的孔等形成的膜厚減少部，從而能夠?qū)盈B體的構(gòu)成制成除去了形成于下部電極的突起部和存在于下部電極上的異物等的構(gòu)成。因此，能夠抑制下部電極與上部電極的接觸或接近，能夠抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。技術(shù)方案8中記載的發(fā)明的效果是通過層疊基礎(chǔ)絕緣膜和層疊絕緣膜，從而在下部電極的蝕刻時(shí)等中，能夠?qū)⒒A(chǔ)絕緣膜作為掩模使用，能夠提高層疊絕緣膜的絕緣性。技術(shù)方案9中記載的發(fā)明的效果是通過由相同材料形成基礎(chǔ)絕緣膜和層疊絕緣膜，從而在將基礎(chǔ)絕緣膜作為掩模進(jìn)行蝕刻等而在下部電極形成膜厚減少部后對(duì)層疊絕緣膜進(jìn)行層疊時(shí)，即便在膜厚減少部上也能夠高效率地形成層疊絕緣膜。
技術(shù)方案10中記載的發(fā)明的效果是通過在基礎(chǔ)絕緣膜上形成的層疊絕緣膜，能夠抑制下部電極與上部電極的接觸，能夠形成可抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的層疊體。技術(shù)方案11中記載的發(fā)明的效果是通過用金屬或金屬氧化物形成下部電極，從而能夠利用以往的蝕刻法在下部電極容易地形成膜厚減少部。技術(shù)方案12中記載的發(fā)明的效果是通過將層疊體用于薄膜晶體管，從而能夠得到抑制了在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的可靠性高的薄膜晶體管。技術(shù)方案13中記載的發(fā)明的效果是通過用有機(jī)半導(dǎo)體形成半導(dǎo)體層，從而能夠利用印刷法形成薄膜晶體管的全部構(gòu)成部件，所以能夠降低薄膜晶體管的成本。技術(shù)方案14中記載的發(fā)明的效果是通過將層疊體用于電容器，從而能夠得到抑制了在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的可靠性高的電容器。技術(shù)方案15中記載的發(fā)明的效果是通過將層疊體用于配線間的交叉部，從而能夠得到抑制了在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的可靠性高的配線。技術(shù)方案16中記載的發(fā)明的效果是通過基板具有撓性，從而能夠使層疊體的構(gòu)成成為具有撓性的構(gòu)成。另外，與由玻璃等硬的材料形成的基板相比，通常，具有撓性的基板中，更有可能因突起物等而表面粗糙度變大，即使形成下部電極的情況下也因表面粗糙度所致的凹凸而引起下部電極與上部電極接觸或接近，進(jìn)而增加下部電極與上部電極之間的短路、漏電。然而，本發(fā)明中，由于能夠?qū)⒂删哂袚闲缘幕宓耐黄鹞锏人鸬南虏侩姌O的突起部，通過蝕刻制成膜厚減少部，所以，通過膜厚減少部能夠抑制下部電極與上部電極的接觸，能夠增強(qiáng)抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的效果。技術(shù)方案17中記載的發(fā)明的效果是通過具有撓性的基板由塑料形成，由此能夠以低成本得到具有撓性的層疊體。


圖I是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式中的層疊體的示意構(gòu)成的圖。圖2是圖I的II-II線剖面圖。圖3是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式中的膜厚減少部和基礎(chǔ)絕緣膜的形成工序的示意圖。
圖4是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式中的膜厚減少部和基礎(chǔ)絕緣膜的形成工序的示意圖。圖5是表示本發(fā)明第二實(shí)施方式中的層疊體的示意構(gòu)成的剖面圖。圖6是表示本發(fā)明第三實(shí)施方式中的層疊體的示意構(gòu)成的剖面圖。圖7是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式中的使用了層疊體的薄膜晶體管的概略構(gòu)成的圖。圖8是圖7的VIII-VIII線剖面圖。圖9是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的變形例中的使用了層疊體的薄膜晶體管的示意構(gòu)成的圖。圖10是圖9的X-X線剖面圖。 圖11是表示本發(fā)明第四實(shí)施方式的變形例中的使用了層疊體的薄膜晶體管陣列的示意構(gòu)成的圖。圖12是表示圖11中所示的薄膜晶體管陣列的一個(gè)像元區(qū)的示意構(gòu)成的圖，圖12(a)是僅表示層疊體的圖，圖12 (b)是表示薄膜晶體管陣列整體的圖。圖13是圖12 (b)的XIII-XIII線剖面圖。圖14是表示比較例的使用了層疊體的薄膜晶體管陣列的示意構(gòu)成的圖。
具體實(shí)施例方式(第一實(shí)施方式)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式(以下，記載為“本實(shí)施方式”)進(jìn)行說明。(構(gòu)成)首先，使用圖I和圖2說明本實(shí)施方式的層疊體I的構(gòu)成。圖I是表示本實(shí)施方式中的層疊體I的示意構(gòu)成的圖。另外，圖2是圖I的II-II線剖面圖。如圖I和圖2中所示，本實(shí)施方式的層疊體I具備基板2、下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6?；?為以塑料為材料形成的板狀部件，具有撓性。下部電極4以金屬或金屬氧化物作為材料形成在基板2上，具有膜厚減少部8。其中，關(guān)于膜厚減少部8的說明如后述。在此，將下部電極4的材料為金屬或金屬氧化物的理由是為了通過后述的蝕刻在下部電極4容易地形成膜厚減少部8。另外，作為金屬、金屬氧化物的具體例，可舉出金、銀、鋁、銅、鉬、鎳、鉻、銦錫氧化物等。另外，利用濕法形成下部電極4時(shí)，使用將銀、金、鈀等的粒子分散而成的溶液作為下部電極4的材料?；A(chǔ)絕緣膜6在下部電極4上形成，覆蓋下部電極4。在此，對(duì)形成基礎(chǔ)絕緣膜6的材料沒有特別限定，但對(duì)下部電極4進(jìn)行蝕刻而設(shè)置膜厚減少部8時(shí)，優(yōu)選使用有耐性的材料。因此，作為形成基礎(chǔ)絕緣膜6的材料的具體例，可舉出通常使用的聚乙烯基苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚乙烯醇、環(huán)氧樹脂等高分子溶液，使氧化鋁、二氧化硅凝膠等粒子分散而成的溶液等。另外，作為形成基礎(chǔ)絕緣膜6的材料的具體例，也可舉出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氧化鉭、氧化釔、氧化鉿、鉿鋁酸鹽、氧化鋯、氧化鈦等無機(jī)材料等。除使用上述材料形成基礎(chǔ)絕緣膜6以外，還可以使用PET、PEN、PES等薄膜作為基礎(chǔ)絕緣膜6。另外，對(duì)基礎(chǔ)絕緣膜6的形成方法沒有特別限定，可以適當(dāng)?shù)厥褂谜婵照翦兎āR射法、CVD等的干法,旋涂、狹縫模頭涂布(slit die)等的濕法,或者層壓等方法。膜厚減少部8在下部電極4中的未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分形成。關(guān)于在下部電極4上形成膜厚減少部8的方法如后述。另外，膜厚減少部8例如為在厚度方向貫通下部電極4 (圖2中為上下方向)的貫通孔、或在下部電極4的與基礎(chǔ)絕緣膜6相對(duì)的面(圖2中為上面)上開口的凹部。應(yīng)予說 明，在圖2中顯示了膜厚減少部8為貫通孔的狀態(tài)。即，膜厚減少部8如下地形成下部電極4中的未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分的下部電極4的膜厚比被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分的下部電極4的膜厚薄。另外，與膜厚減少部8為貫通孔的情況相比，膜厚減少部8為凹部的情況下，膜厚減少部8的對(duì)具有層疊體I的構(gòu)成的電容器和薄膜晶體管中的保持的電荷、晶體管部的電壓等的影響變小。對(duì)膜厚減少部8的大小(開口面積)沒有特別限定，但優(yōu)選盡量小，例如，優(yōu)選50[nm] 5 [μπι]左右。這是由于以下原因在具有層疊體I的構(gòu)成的薄膜晶體管和電容器中，I吳厚減少部8的大小影響保持的電荷、晶體管部的電壓等。應(yīng)予說明，在基礎(chǔ)絕緣膜6中，膜厚減少部8的上方開口有在厚度方向貫通基礎(chǔ)絕緣膜6的小孔10。該小孔10是因下部電極4上的突起部、異物等而在對(duì)基礎(chǔ)絕緣膜6進(jìn)行成膜時(shí)產(chǎn)生的。(層疊體的制造方法)以下，參照?qǐng)DI和圖2，使用圖3和圖4，說明本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法。圖3和圖4是表不本實(shí)施方式中的基礎(chǔ)絕緣I旲6和I旲厚減少部8的形成工序的不意圖。本實(shí)施方式的層疊體的制造方法具有膜厚減少部形成工序，其在下部電極4中的未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分形成如下的膜厚減少部8 :該部分的下部電極4的膜厚比被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分的下部電極4的膜厚薄。另外，對(duì)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中利用濕法形成下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6的情況進(jìn)行說明。在此，下部電極4中的未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分在如下情況下產(chǎn)生例如，如圖3 (a)中所示，在形成于基板2上的下部電極4上形成有比其他部分突出的突起部12的情況。除此之外，下部電極4中的未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分在如下情況下產(chǎn)生例如，如圖4 Ca)中所示，在形成于基板2上的下部電極4上存在有微小的塵埃等異物14的情況。
在形成于基板2上的下部電極4上形成有突起部12的狀態(tài)下，在下部電極4上形成基礎(chǔ)絕緣膜6時(shí)，例如，如圖3 (b)中所示，在下部電極4中的形成有突起部12的部分上將不形成基礎(chǔ)絕緣膜6。因此，下部電極4中的形成有突起部12的部分成為未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分。另外，在下部電極4中的形成突起部12的部分中，由于突起部12，基礎(chǔ)絕緣膜6的形成受到阻礙。因此，在基礎(chǔ)絕緣膜6中的沒覆蓋下部電極4的部分形成小孔10。特別是在如本實(shí)施方式這樣用濕法形成基礎(chǔ)絕緣膜6的情況下，由于均化作用，突起部12有可能不被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋，形成小孔10。另外，在形成于基板2上的下部電極4上存在異物14的狀態(tài)下，在下部電極4上形成基礎(chǔ)絕緣膜6時(shí)，例如，如圖4 (b)中所示，在下部電極4中的存在異物14的部分上不形成基礎(chǔ)絕緣膜6。因此，下部電極4中的存在異物14的部分成為未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分。·另外，在下部電極4中的存在異物14的部分中，由于異物14，基礎(chǔ)絕緣膜6的形成受到阻礙。因此，在基礎(chǔ)絕緣膜6中的沒覆蓋下部電極4的部分形成小孔10。如圖3 (b)和圖4 (b)中所示，在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成有小孔10，在下部電極4上形成有未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分的狀態(tài)下，在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成上部電極(未圖示)，則有可能因下部電極4與上部電極的接觸或接近，在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。因此，本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法中，在膜厚減少部形成工序中，在形成基礎(chǔ)絕緣膜6之后，通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模的蝕刻來除去突起部12 (參照?qǐng)D3)或異物14 (參照?qǐng)D4)的同時(shí)在下部電極4上形成膜厚減少部8 (參照?qǐng)D2)。此時(shí)，隨著突起部12、異物14的除去，小孔10在基礎(chǔ)絕緣膜6中在膜厚減少部8的上方開口(參照?qǐng)D2)。在此，作為在下部電極4上形成膜厚減少部8的方法，例如，優(yōu)選使用濕式蝕刻法、干式蝕刻法等。本實(shí)施方式中，將在下部電極4上形成膜厚減少部8的方法為濕式蝕刻法的情況，作為一個(gè)例子進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施方式中，說明在膜厚減少部形成工序中，以形成了全部基礎(chǔ)絕緣膜6的狀態(tài)下通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模進(jìn)行蝕刻來形成膜厚減少部8的情況。應(yīng)予說明，在下部電極4上形成膜厚減少部8的方法為濕式蝕刻法的情況下，蝕刻不僅在下部電極4的膜厚方向，還在與基板2的表面平行方向微觀地進(jìn)行(邊緣蝕刻)。因此，下部電極4上形成膜厚減少部8的方法為濕式蝕刻法時(shí)，如圖2中所示，有時(shí)在側(cè)視圖中，與在成為掩模的基礎(chǔ)絕緣膜6上開口的小孔10相比，膜厚減少部8變大。如上所述，通過以基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模的蝕刻來除去突起部12、異物14的同時(shí)在下部電極4上形成膜厚減少部8，則與以在下部電極4沒形成膜厚減少部8的狀態(tài)下在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成上部電極的情況相比，能夠抑制在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的可能性。這是由以下記載的理由導(dǎo)致的。在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成上部電極時(shí)，首先，在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成層疊絕緣膜之后，在層疊絕緣膜上形成上部電極。在此，對(duì)于用本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法制造的層疊體I而言，在下部電極4上形成有膜厚減少部8，除去了突起部12、異物14。因此，在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成的層疊絕緣膜在覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜6和膜厚減少部8的同時(shí)覆蓋在基礎(chǔ)絕緣膜6上開口的小孔10。因此，本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法中，能夠在由基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜構(gòu)成的絕緣膜上不形成小孔10，在下部電極4上不存在未被絕緣膜(基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜)覆蓋的部分的狀態(tài)下，在絕緣膜上形成上部電極。
因此，能夠抑制下部電極4與上部電極的接觸或接近，能夠抑制在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。(第一實(shí)施方式的效果)以下，列舉本實(shí)施方式的效果。(I)本實(shí)施方式的層疊體I中，下部電極4具有下部電極4中的未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分的下部電極4的膜厚比被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分的下部電極4的膜厚薄的膜厚減少部8。因此，在下部電極4上形成膜厚減少部8之際，能夠除去形成于下部電極上的突起部12和存在于下部電極4上的異物14等。其結(jié)果，由于在下部電極4與上部電極之間，能夠形成由膜厚減少部8產(chǎn)生的空隙，能夠抑制下部電極4與上部電極的接觸或接近，所以能夠抑制在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。(2)本實(shí)施方式的層疊體I中，下部電極4由金屬或金屬氧化物形成。因此，能夠通過現(xiàn)有的蝕刻法在下部電極4上容易地形成膜厚減少部8。其結(jié)果，能夠提高層疊體I的制造效率。另外，能夠降低層疊體I的制造成本。(3)本實(shí)施方式的層疊體I中，由于基板2具有撓性，所以能夠使層疊體I的構(gòu)成成為具有撓性的構(gòu)成。另外，與由玻璃等硬材料形成的基板相比，具有撓性的基板2雖然因基板變形而特別容易產(chǎn)生短路、漏電，但通過蝕刻能夠?qū)⒂苫?的突起物等導(dǎo)致的下部電極4的突起部12成為膜厚減少部8。其結(jié)果，通過膜厚減少部8能夠抑制下部電極4與上部電極的接觸，所以能夠增強(qiáng)抑制在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電的效果。(4)本實(shí)施方式的層疊體I中，由于具有撓性的基板2由塑料形成，所以能夠以低成本得到具有撓性的層疊體。(5)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，具有如下的膜厚減少部形成工序，S卩，在下部電極4中的未被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分上形成該部分的下部電極4的膜厚比被基礎(chǔ)絕緣膜6覆蓋的部分的下部電極4的膜厚薄的膜厚減少部8。因此，在下部電極4上形成膜厚減少部8之際，能夠除去形成于下部電極上的突起部12和存在于下部電極4上的異物14等。其結(jié)果，由于在下部電極4與上部電極之間不存在突起部、異物，所以能夠抑制下部電極4與上部電極的接觸或接近，能夠抑制在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。(6)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，在膜厚減少部形成工序中，通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模的蝕刻來形成膜厚減少部8。因此，能夠在下部電極4上容易地形成膜厚減少部8。其結(jié)果，能夠提高層疊體I的制造效率。另外，能夠降低層疊體I的制造成本。( 7 )本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，用濕法形成下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6中的至少一方。其結(jié)果，能夠降低層疊體I的成本。(應(yīng)用例)以下，列舉本實(shí)施方式的應(yīng)用例。
(I)本實(shí)施方式的層疊體I中，用金屬或金屬氧化物形成下部電極4，但并不限定于此，也可以用金屬和金屬氧化物以外的材料形成下部電極4。(2)本實(shí)施方式的層疊體I中，將基板2制成具有撓性的構(gòu)成，但并不限定于此，也可以將基板2制成不具有撓性的構(gòu)成。此時(shí)，例如可以使用玻璃、石英的基板，也可以使用不銹鋼等金屬基板。(3)本實(shí)施方式的層疊體I中，用塑料形成具有撓性的基板2，但并不限定于此，也可以用塑料以外的材料形成具有撓性的基板2。(4)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模的蝕刻來形成膜厚減少部8，但并不限定于此，也可以通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模的蝕刻以外的方法來形成膜厚減少部8。(5)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中,在膜厚減少部形成工序中,在形成了全部基礎(chǔ)絕緣膜6的狀態(tài)下通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模的蝕刻來形成膜厚減少部8，但并不限定于此。即，在膜厚減少部形成工序中，也可以在僅形成了一部分的基礎(chǔ)絕緣膜6的狀態(tài)下，通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模的蝕刻來形成膜厚減少部8。此時(shí)，能夠?qū)π纬捎谙虏侩姌O4的突起部和存在于下部電極4上的異物等進(jìn)行選擇性蝕刻。(6)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，用濕法形成下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6中的至少一方，但并不限定于此，也可以利用濕法以外的方法形成下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6中的至少一方。(7)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法和通過該制造方法制造的層疊體I中,在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成上部電極時(shí)，在形成于基礎(chǔ)絕緣膜6上的層疊絕緣膜上形成上部電極，但并不限定于此，也可以不形成層疊絕緣膜，在基礎(chǔ)絕緣膜6上直接形成上部電極。即便這種情況下，也能夠在下部電極4與上部電極之間形成由膜厚減少部8產(chǎn)生的空隙。因此，與下部電極4不具有膜厚減少部8的情況相比，能夠抑制下部電極4與上部電極的接觸或接近，能夠抑制在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。(第二實(shí)施方式)以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式(以下，記載為“本實(shí)施方式”)進(jìn)行說明。(構(gòu)成)首先，參照?qǐng)DI 圖4的同時(shí)使用圖5，說明本實(shí)施方式的層疊體I的構(gòu)成。圖5是表示本實(shí)施方式中的層疊體I的示意構(gòu)成的剖面圖。如圖I和圖2中所示，本實(shí)施方式的層疊體I具備基板2、下部電極4、基礎(chǔ)絕緣膜6以及層疊絕緣膜16。由于基板2、下部電極4以及基礎(chǔ)絕緣膜6的構(gòu)成與上述第一實(shí)施方式同樣，因此省略其說明。層疊絕緣膜16形成在基礎(chǔ)絕緣膜6上，覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜6和膜厚減少部8。由此，層疊絕緣膜16的與基礎(chǔ)絕緣膜6相反的一側(cè)的面(圖5中為上面)成為不存在突出部分的均勻平面。另外，層疊絕緣膜16由與基礎(chǔ)絕緣膜6相同的材料形成。其他構(gòu)成與上述第一實(shí)施方式同樣。(層疊體的制造方法) 以下，參照?qǐng)DI 圖5，說明本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法。本實(shí)施方式的層疊體的制造方法如下在形成基礎(chǔ)絕緣膜6后，在除去突起部12(參照?qǐng)D3)或異物14 (參照?qǐng)D4)的同時(shí)在下部電極4上形成膜厚減少部8 (參照?qǐng)D2)，之后在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成層疊絕緣膜16。應(yīng)予說明，本實(shí)施方式中，對(duì)基礎(chǔ)絕緣膜6上形成層疊絕緣膜16的方法為濕法的情況進(jìn)行說明。在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成層疊絕緣膜16，則該層疊絕緣膜16在覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜6和膜厚減少部8的同時(shí)覆蓋在基礎(chǔ)絕緣膜6上開口的小孔10。即，本實(shí)施方式的層疊體的制造方法作為膜厚減少部形成工序的后續(xù)工序具有層疊絕緣膜形成工序，其在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜6和膜厚減少部8的層疊絕緣膜16。因此，本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法中，能夠與上述第一實(shí)施方式同樣地，在由基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16構(gòu)成的絕緣膜上不形成小孔10，在下部電極4上不存在未被絕緣膜(基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16)覆蓋的部分的狀態(tài)下，在層疊絕緣膜16上形成上部電極。因此，能夠抑制下部電極4與上部電極的接觸或接近，能夠抑制在下部電極4與上部電極之間發(fā)生短路、漏電。其他制造工序與上述第一實(shí)施方式同樣。(第二實(shí)施方式的效果)以下，列舉本實(shí)施方式的效果。(I)本實(shí)施方式的層疊體I中，層疊體I具備在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成的、覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜6和膜厚減少部8的層疊絕緣膜16。其結(jié)果，通過層疊基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16，從而在對(duì)下部電極4進(jìn)行蝕刻時(shí)等中，可以將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模使用，能夠提高層疊絕緣膜16的絕緣性。(2)本實(shí)施方式的層疊體I中，由相同材料形成基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16。其結(jié)果，通過將基礎(chǔ)絕緣膜6作為掩模，進(jìn)行蝕刻等而在下部電極4上形成膜厚減少部8后對(duì)層疊絕緣膜16進(jìn)行層疊時(shí)，對(duì)膜厚減少部8也能夠高效率地形成層疊絕緣膜16。(3)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，用濕法形成層疊絕緣膜16。其結(jié)果，能夠降低層疊體I的成本。
(應(yīng)用例)以下，記載本實(shí)施方式的應(yīng)用例。(I)本實(shí)施方式的層疊體I中，由相同材料形成基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16，但并不限定于此，也可以用不同的材料形成基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16。(第三實(shí)施方式)以下，參照附圖，說明本發(fā)明的第三實(shí)施方式(以下，記載為“本實(shí)施方式”)。(構(gòu)成)首先，參照?qǐng)DI 圖5的同時(shí)使用圖6說明本實(shí)施方式的層疊體I的構(gòu)成。圖6是表示本實(shí)施方式中的層疊體I的示意構(gòu)成的剖面圖。 如圖I和圖2中所示，本實(shí)施方式的層疊體I具備基板2、下部電極4、基礎(chǔ)絕緣膜6、層疊絕緣膜16以及上部電極18。由于基板2、下部電極4、基礎(chǔ)絕緣膜6以及層疊絕緣膜16的構(gòu)成與上述第二實(shí)施方式同樣，因此省略其說明。上部電極18在層疊絕緣膜16上形成，以將基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16夾在中間的方式與下部電極4對(duì)置。其他構(gòu)成與上述第二實(shí)施方式同樣。(層疊體的制造方法)以下，參照?qǐng)DI 圖6，說明本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法。本實(shí)施方式的層疊體的制造方法如下在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成層疊絕緣膜16 (參照?qǐng)D5)后，在層疊絕緣膜16上，以將基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16夾在中間的方式與下部電極4對(duì)置地形成上部電極18。S卩，本實(shí)施方式的層疊體的制造方法具有層疊絕緣膜形成工序和上部電極形成工序，該上部電極形成工序作為層疊絕緣膜形成工序的后續(xù)工序，在層疊絕緣膜16上形成以將基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16夾在中間的方式與下部電極4對(duì)置的上部電極18。應(yīng)予說明，本實(shí)施方式中，對(duì)層疊絕緣膜16上形成上部電極18的方法為濕法的情況進(jìn)行說明。在此，在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成的層疊絕緣膜16，覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜6和膜厚減少部8的同時(shí)覆蓋在基礎(chǔ)絕緣膜6上開口的小孔10。因此，本實(shí)施方式中的層疊體I的制造方法中，能夠與上述第一實(shí)施方式同樣地，在由基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16構(gòu)成的絕緣膜上不形成小孔10，在下部電極4上不存在未被絕緣膜(基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16)覆蓋的部分的狀態(tài)下，在層疊絕緣膜16上形成上部電極18。因此，能夠抑制下部電極4與上部電極18的接觸或接近，能夠抑制在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路、漏電。其他制造工序與上述第二實(shí)施方式同樣。(第三實(shí)施方式的效果)以下，列舉本實(shí)施方式的效果。(I)本實(shí)施方式的層疊體I中，層疊體I具備上部電極18，其在層疊絕緣膜16上形成，以將基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜16夾在中間的方式與下部電極4對(duì)置。
其結(jié)果，通過在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成的層疊絕緣膜16，能夠抑制下部電極4與上部電極18的接觸，能夠形成可抑制在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路、漏電的層疊體
Io(2)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，具有層疊絕緣膜形成工序，其作為膜厚減少部形成工序的后續(xù)工序，在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜6和膜厚減少部8的層疊絕緣膜16。加之，作為層疊絕緣膜形成工序的后續(xù)工序具有上部電極形成工序，其在層疊絕緣膜16上形成以將基礎(chǔ)絕緣膜6和層疊絕緣膜8夾在中間的方式與下部電極4對(duì)置的上部電極18。其結(jié)果，通過在基礎(chǔ)絕緣膜6上形成的層疊絕緣膜16，能夠抑制下部電極4與上部電極18的接觸，能夠形成可抑制在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路、漏電的層疊體
Io
(3)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，用濕法形成上部電極18。其結(jié)果，能夠降低層疊體I的成本。(應(yīng)用例)以下，記載本實(shí)施方式的應(yīng)用例。(I)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，用濕法形成上部電極18，但并不限定于此，也可以用濕法以外的方法形成上部電極18。(第四實(shí)施方式)以下，參照附圖，說明本發(fā)明的第四實(shí)施方式(以下，記載為“本實(shí)施方式”)。(構(gòu)成)首先，參照?qǐng)DI 圖6的同時(shí)使用圖7和圖8說明本實(shí)施方式的使用了層疊體I的薄膜晶體管20的構(gòu)成。圖7是表示本實(shí)施方式中的使用了層疊體I的薄膜晶體管20的示意構(gòu)成的圖。另夕卜，圖8是圖7的VIII-VIII線剖面圖。如圖7和圖8中所示，使用了層疊體I的薄膜晶體管20具備層疊體I和半導(dǎo)體層22。即，將本實(shí)施方式的層疊體I用于薄膜晶體管20。層疊體I具備基板2、下部電極4、基礎(chǔ)絕緣膜6、層疊絕緣膜16以及上部電極18。應(yīng)予說明，由于基板2、基礎(chǔ)絕緣膜6、層疊絕緣膜16的構(gòu)成與上述第三實(shí)施方式同樣，因此省略其說明。下部電極4構(gòu)成柵電極或電容器電極。即，本實(shí)施方式的層疊體I成為底柵構(gòu)造。由于下部電極4的其他構(gòu)成與上述第三實(shí)施方式同樣，因此省略其說明。上部電極18由源電極18a和漏電極18b構(gòu)成。由于上部電極18的其他構(gòu)成與上述第三實(shí)施方式同樣，因此省略其說明。使用濕法在層疊絕緣膜16上形成半導(dǎo)體層22，覆蓋整個(gè)上部電極18。另外，半導(dǎo)體層22以有機(jī)半導(dǎo)體為材料形成。這是由于以下原因由于使用了具有撓性的軟性基板2，作為半導(dǎo)體層22的材料優(yōu)選使用有機(jī)半導(dǎo)體的材料、氧化物半導(dǎo)體的材料，另外，在使用濕法形成半導(dǎo)體層22時(shí)，優(yōu)選將有機(jī)半導(dǎo)體作為材料。在此，作為有機(jī)半導(dǎo)體的材料，可以使用聚噻吩、聚烯丙胺、芴-并噻吩聚合物以及它們的衍生物這種高分子有機(jī)半導(dǎo)體材料；并五苯、并四苯、銅酞菁、茈以及它們的衍生物這種低分子有機(jī)半導(dǎo)體材料。另外，作為有機(jī)半導(dǎo)體的材料，碳納米管、或者富勒烯等碳化合物、半導(dǎo)體納米粒子分散液等也可以用作半導(dǎo)體層的材料。作為有機(jī)半導(dǎo)體的印刷方法，可以使用凹版印刷、膠版印刷、絲網(wǎng)印刷以及噴墨法等公知的方法。通常，作為以如上所述的有機(jī)半導(dǎo)體為材料的半導(dǎo)體層22的形成方法，由于有機(jī)半導(dǎo)體對(duì)溶劑的溶解度低，所以優(yōu)選使用適合低粘度溶液的印刷的柔版印刷、轉(zhuǎn)印膠版印刷、噴墨法、點(diǎn)膠法(dispenser)。特別是由于柔版印刷的印刷時(shí)間短，油墨使用量少，所以最優(yōu)選。另外，作為氧化物半導(dǎo)體的材料，例如，可以使用含鋅、銦、錫、鎢、鎂、鎵中的一種以上的元素的氧化物。
可以進(jìn)一步使用氧化鋅、氧化銦、氧化銦鋅、氧化錫、氧化鶴、氧化鋅鎵銦(In-Ga-Zn-O)等公知的材料。上述氧化物半導(dǎo)體的材料的構(gòu)造可以為單晶、多晶、微晶、結(jié)晶/非晶質(zhì)的混晶、散在有納米結(jié)晶的非晶質(zhì)、非晶質(zhì)中的任一種。另外，作為以氧化物半導(dǎo)體為材料的半導(dǎo)體層22的形成方法，可以使用如下方法使用濺射法、脈沖激光沉積法、真空蒸鍍法、CVD法、溶膠凝膠法等方法進(jìn)行成膜之后，使用光刻法、剝離法等形成圖案。其他構(gòu)成與上述第三實(shí)施方式同樣。(第四實(shí)施方式的效果)以下，列舉本實(shí)施方式的效果。(I)本實(shí)施方式的層疊體I中，將層疊體I用于薄膜晶體管20。其結(jié)果，能夠得到抑制了在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路、漏電的可靠性高的薄膜晶體管20。(2)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，薄膜晶體管20的半導(dǎo)體層22由有機(jī)半導(dǎo)體形成。其結(jié)果，由于能夠利用印刷法形成薄膜晶體管20的全部構(gòu)成部件，所以能夠降低薄膜晶體管20的成本。(應(yīng)用例)以下，列舉本實(shí)施方式的應(yīng)用例。(I)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，下部電極4構(gòu)成柵電極或電容器電極，但并不限定于此，例如，如圖9和圖10中所示，下部電極4也可以構(gòu)成源電極4a和漏電極4b。即，也可以使層疊體I成為頂柵構(gòu)造。應(yīng)予說明，圖9是表示本實(shí)施方式的變形例中的使用了層疊體I的薄膜晶體管20的示意構(gòu)成的圖。另外，圖10是圖9的X-X線剖面圖。為了不給半導(dǎo)體層22帶來蝕刻等的影響，最優(yōu)選使層疊體I成為底柵·底接觸(Bottom Contact)構(gòu)造。(2)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，將層疊體I用于薄膜晶體管20，但并不限定于此，可以將層疊體I用于電容器、配線的交叉部。此時(shí)，如果將層疊體I用于電容器，則能夠得到抑制了在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路、漏電的可靠性高的電容器。同樣地，如果將層疊體I用于配線間的交叉部，則能夠得到抑制了在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路、漏電的可靠性高的配線間的交叉部。(3)本實(shí)施方式的層疊體的制造方法中，將層疊體I用于薄膜晶體管20，但并不限定于此，例如，如圖11 圖13中所示，也可以將層疊體I用于組合了薄膜晶體管20、電容器、配線的交叉部的薄膜晶體管陣列24。應(yīng)予說明，圖11是表示本實(shí)施方式的變形例中的使用了層疊體I的薄膜晶體管陣列24的示意構(gòu)成的圖。另外，圖12是表示圖11中所示的薄膜晶體管陣列24的一個(gè)像元區(qū)的示意構(gòu)成的圖，圖12 (a)是僅表示層疊體I的圖，圖12 (b)是表示薄膜晶體管陣列24整體的圖。另外，圖13是圖12 (b)的XIII-XIII線剖面圖。應(yīng)予說明，在圖11 圖13中，作為下部電極4，分別示出了柵電極4c、柵配線4d、 電容器電極4e、電容器配線4f。同樣地，在圖11 圖13中，作為上部電極18，分別示出了源電極18a、漏電極18b、源配線18c、像素電極18d。(第一實(shí)施例)以下，參照?qǐng)D7和圖8，對(duì)使用了層疊體I的薄膜晶體管20的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說明?；?使用鈉石灰玻璃形成。下部電極4 (柵電極)使用鉻作為材料，通過EB蒸鍍法以膜厚50nm進(jìn)行成膜，在基板2上形成。下部電極4使用鉻作為材料，通過光刻法圖案化為所希望的形狀?；A(chǔ)絕緣膜6使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作為材料，通過旋涂法以膜厚IOOnm形成。膜厚減少部8是通過使用以“硝酸鈰銨高氯酸水=34:16:150”的比例混合而成的水溶液作為蝕刻液，將形成了下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6的基板2浸潰在該水溶液中15分鐘而形成的。應(yīng)予說明，圖7和圖8中所示的膜厚減少部8的位置、大小為示意性繪制的位置、大小，與實(shí)際的位置、大小不同。層疊絕緣膜16使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作為材料，通過旋涂法以膜厚500nm形成。上部電極18 (源電極18a、漏電極18b)使用納米銀油墨(住友電工公司制納米銀Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (質(zhì)量比))作為材料，通過轉(zhuǎn)印膠印法進(jìn)行印刷后，在180°C烘烤I小時(shí)而形成。半導(dǎo)體層22使用將LisiconSP200 (Merck公司制)用四氫化萘(關(guān)東化學(xué)公司制)以成為I. O質(zhì)量％的方式溶解而成的溶液作為材料，通過旋涂法進(jìn)行成膜而形成。使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶體管20的結(jié)果，制造出了在下部電極4與上部電極18之間不發(fā)生短路、漏電的薄膜晶體管20。(第二實(shí)施例)以下，參照?qǐng)D7和圖8，對(duì)使用了層疊體I的薄膜晶體管20的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說明。
基板2使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜(Teijin DuPont公司制)作為材料而形成。下部電極4 (柵電極)使用鋁作為材料，通過EB蒸鍍法以膜厚50nm進(jìn)行成膜，將鋁通過光刻法圖案化為所希望的形狀。基礎(chǔ)絕緣膜6使用聚酰亞胺(Mitsubishi Gas Chemical公司制Neopulim)作為材料，通過旋涂法以膜厚IOOnm形成。膜厚減少部8是通過使用以“磷酸硝酸乙酸水=85:5:5:5”的比例混合而成的水溶液作為蝕刻液，在該水溶液中，將形成了下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6的基板2浸潰在水溶液中60分鐘而形成。應(yīng)予說明，如同上述第一實(shí)施例，圖7和圖8中所示的膜厚減少部8的位置、大小為示意性繪制的位置、大小，與實(shí)際的位置、大小不同。
·
層疊絕緣膜16使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作為材料，通過旋涂法以膜厚500nm形成。上部電極18 (源電極18a，漏電極18b)使用納米銀油墨(住友電工公司制納米銀Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (質(zhì)量比))作為材料，通過轉(zhuǎn)印膠印法進(jìn)行印刷后，在180°C烘烤I小時(shí)而形成。半導(dǎo)體層22使用將LisiconSP200 (Merck公司制)用四氫化萘(關(guān)東化學(xué)公司制)以成為I. O質(zhì)量％的方式溶解而成的溶液作為材料，通過旋涂法進(jìn)行成膜而形成。使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶體管20的結(jié)果，如同第一實(shí)施例，制造出了在下部電極4與上部電極18之間不發(fā)生短路、漏電的薄膜晶體管20。(第三實(shí)施例)以下，參照?qǐng)D11 圖13，對(duì)使用了層疊體I的薄膜晶體管陣列24的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說明?；?使用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜(Teijin DuPont公司制)作為材料而形成。下部電極4 (柵電極4c、柵配線4d、電容器電極4e、電容器配線4f)使用納米銀油墨(住友電工公司制納米銀Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (質(zhì)量比))作為材料，通過轉(zhuǎn)印膠印法進(jìn)行印刷，在180°C烘烤I小時(shí)而形成?；A(chǔ)絕緣膜6使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作為材料，通過旋涂法以膜厚IOOnm來形成。膜厚減少部8使用以“磷酸硝酸乙酸水=85:5:5:5”的比例混合而成的水溶液作為蝕刻液，將形成了下部電極4和基礎(chǔ)絕緣膜6的基板2浸潰在水溶液中60分鐘而形成。應(yīng)予說明，如同上述第一實(shí)施例，圖11 圖13中所示的膜厚減少部8的位置、大小為示意性繪制的位置、大小，與實(shí)際的位置、大小不同。層疊絕緣膜16使用聚乙烯基苯酚(Aldrich公司制)作為材料，通過旋涂法以膜厚500nm形成。上部電極18 (源電極18a、漏電極18b、源配線18c、像素電極18d)使用納米銀油墨(住友電工公司制納米銀Aldrich公司制聚乙二醇# 200 = 8:1 (質(zhì)量比))作為材料，通過轉(zhuǎn)印膠印法進(jìn)行印刷后，在180°C烘烤I小時(shí)而形成。半導(dǎo)體層22使用將LisiConSP200 (Merck公司制)用四氫化萘(關(guān)東化學(xué)公司制)以成為I. O質(zhì)量％的方式溶解而成的溶液作為材料，通過柔版印刷對(duì)半導(dǎo)體圖案進(jìn)行印刷后,在100°C干燥60分鐘而形成。密封層26使用CYTOP (旭硝子公司制)作為材料，通過柔版印刷對(duì)密封圖案進(jìn)行印刷后，在100°C干燥90分鐘而形成。使用以上的材料和制造方法制造薄膜晶體管陣列24的結(jié)果，制造出了下部電極4與上部電極18之間不發(fā)生短路、漏電的薄膜晶體管陣列24。(比較例)以下，使用圖14，對(duì)使用了層疊體I的薄膜晶體管陣列24的比較例進(jìn)行說明。應(yīng)予說明，圖14是表示比較例的使用了層疊體I的薄膜晶體管陣列24的示意構(gòu)成的圖。 比較例中，如圖14中所示，在下部電極4 (柵電極4c、柵配線4d、電容器電極4e、電容器配線4f )上不形成膜厚減少部8，除此以外，使用與上述第三實(shí)施例同樣的材料和制造方法制造薄膜晶體管陣列24。在下部電極4上不形成膜厚減少部8，使用與上述第三實(shí)施例同樣的材料和制造方法制造了薄膜晶體管陣列24的結(jié)果，出現(xiàn)了在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路的地方。(各實(shí)施例與比較例的對(duì)比)因此，確認(rèn)到了在上述第一和第二實(shí)施例的薄膜晶體管20以及第三實(shí)施例的薄膜晶體管陣列24中，由于在下部電極4上形成有膜厚減少部8，所以在下部電極4與上部電極18之間不發(fā)生短路、漏電，與此相對(duì)，在比較例的薄膜晶體管陣列24中，由于在下部電極4上沒形成膜厚減少部8，所以在下部電極4與上部電極18之間發(fā)生短路。S卩，確認(rèn)到了通過使用本發(fā)明的層疊體1，能夠制造在下部電極4與上部電極18之間不發(fā)生短路、漏電的薄膜晶體管20、薄膜晶體管陣列24等。

I…層疊體，2…基板,4…下部電極,4a…源電極，4b…漏電極,4c…柵電極,4d…柵配線，4e···電容器電極，4f···電容器配線，6…基礎(chǔ)絕緣膜，8…膜厚減少部，10···小孔，12···突起部，14···異物，16···層疊絕緣膜，18···上部電極，18a···源電極，18b···漏電極，18c…源配線，18d···像素電極，20…薄膜晶體管，22…半導(dǎo)體層，24···薄膜晶體管陣列，26···密封層。
權(quán)利要求
1.一種層疊體的制造方法，其特征在于，是在形成于基板上的下部電極上形成覆蓋該下部電極的基礎(chǔ)絕緣膜的層疊體的制造方法，其具有 膜厚減少部形成工序，在所述下部電極中的未被所述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分形成如下的膜厚減少部該未被覆蓋的部分的所述下部電極的膜厚比被所述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分的所述下部電極的膜厚薄。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的層疊體的制造方法，其特征在于，在所述膜厚減少部形成工序中，通過將所述基礎(chǔ)絕緣膜作為掩模的蝕刻來形成所述膜厚減少部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊體的制造方法，其特征在于，在所述膜厚減少部形成工序中，在形成了所述基礎(chǔ)絕緣膜的至少一部分的狀態(tài)下，通過將所述基礎(chǔ)絕緣膜作為掩模的蝕刻來形成所述膜厚減少部。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法，其特征在于，用濕法形成所述下部電極和所述基礎(chǔ)絕緣膜中的至少一方。
5.根據(jù)權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的層疊體的制造方法，其特征在于，作為所述膜厚減少部形成工序的后續(xù)工序具有如下的層疊絕緣膜形成工序在所述基礎(chǔ)絕緣膜上形成覆蓋該基礎(chǔ)絕緣膜和所述膜厚減少部的層疊絕緣膜；作為所述層疊絕緣膜形成工序的后續(xù)工序具有如下的上部電極形成工序在所述層疊絕緣膜上形成上部電極，所述上部電極以將所述基礎(chǔ)絕緣膜和所述層疊絕緣膜夾在中間的方式與所述下部電極對(duì)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊體的制造方法，其特征在于，用濕法形成所述層疊絕緣膜和所述上部電極中的至少一方。
7.一種層疊體，其特征在于，具備形成在基板上的下部電極和在所述基板上形成于所述下部電極上且覆蓋下部電極的基礎(chǔ)絕緣膜，其中，所述下部電極具有如下的膜厚減少部所述下部電極中的未被所述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分的所述下部電極的膜厚比被所述基礎(chǔ)絕緣膜覆蓋的部分的所述下部電極的膜厚薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的層疊體，其特征在于，所述層疊體具備如下的層疊絕緣膜形成在所述基礎(chǔ)絕緣膜上，覆蓋基礎(chǔ)絕緣膜和所述膜厚減少部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體，其特征在于，所述基礎(chǔ)絕緣膜和所述層疊絕緣膜由相同材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的層疊體，其特征在于，所述層疊體具備如下的上部電極形成在所述層疊絕緣膜上，以將所述基礎(chǔ)絕緣膜和所述層疊絕緣膜夾在中間的方式與所述下部電極對(duì)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求7 10中任一項(xiàng)所述的層疊體，其特征在于，所述下部電極由金屬或金屬氧化物形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求7 11中任一項(xiàng)所述的層疊體，其特征在于，所述層疊體用于薄膜晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的層疊體，其特征在于，所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由有機(jī)半導(dǎo)體形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求7 11中任一項(xiàng)所述的層疊體，其特征在于，所述層疊體用于電容 器。
15.根據(jù)權(quán)利要求7 11中任一項(xiàng)所述的層疊體，其特征在于，所述層疊體用于配線間的交叉部。
16.根據(jù)權(quán)利要求7 15中任一項(xiàng)所述的層疊體，其特征在于，所述基板具有撓性。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的層疊體，其特征在于，所述具有撓性的基板由塑料形成。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠抑制在下部電極與上部電極之間發(fā)生短路或漏電的層疊體的制造方法和層疊體。層疊體(1)具備形成在基板(2)上的下部電極(4)和在基板(2)上形成于下部電極(4)上且覆蓋下部電極(4)的基礎(chǔ)絕緣膜(6)，下部電極(4)具有如下的膜厚減少部(8)下部電極(4)中的未被基礎(chǔ)絕緣膜(6)覆蓋的部分的下部電極(4)的膜厚比被基礎(chǔ)絕緣膜(6)覆蓋的部分的下部電極(4)的膜厚薄。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102834914SQ20118001714
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2011年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月30日
發(fā)明者松原亮平 申請(qǐng)人:凸版印刷株式會(huì)社