專利名稱：蝕刻組合物及其在制備光伏電池的方法中的使用的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及用于在光伏電池上蝕刻減反射涂層(ARC)的蝕刻組合物。本發(fā)明也涉及用于制備使用蝕刻組合物蝕刻ARC的光伏電池的方法以及由該方法制備的光伏電池。
背景技術(shù)：
具有P-型基板的常規(guī)光伏電池結(jié)構(gòu)具有通常位于電池的正面即光照面上的負極和位于背面上的正極。在光伏電池的p-n結(jié)上入射的合適波長的輻射充當在該裝置中產(chǎn)生空穴-電子對的外部能源。由于在P-n結(jié)處存在電勢差，因此空穴和電子以相反的方向跨過該結(jié)移動，從而產(chǎn)生能夠向外部電路輸送電力的電流。大部分光伏電池為金屬化的娃片形式，即，具有導電的金屬觸點。目前所用的太陽能發(fā)電電池大多為硅太陽能電池。在大規(guī)模的生產(chǎn)中，工藝流程一般要求實現(xiàn)最大程度的簡化和盡量降低制造成本。具體地講，通過例如絲網(wǎng)印刷金屬漿料并隨后焙燒的方法制備電極。通常，減反射涂層(ARC)在太陽能電池的正面形成。用于本文所述方法和裝置中的示例性減反射涂層材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氧化鈦、SiNx: H、氫化非晶氮化硅和氧化硅/氧化鈦膜。該涂層可以通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、化學氣相沉積(CVD)、熱化學氣相沉積或其他已知技術(shù)形成。在涂層為氮化硅的一個實施方案中，氮化硅膜能夠通過低壓化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、熱化學氣相沉積或物理氣相沉積(PVD)形成。在絕緣膜為氧化硅的一個實施方案中，氧化硅膜能夠通過熱氧化、熱化學氣相沉積、等離子化學氣相沉積或物理氣相沉積形成?！榱双@得可接受的性能，正面電極必須與鄰近減反射涂層的硅電池表面建立良好的電接觸。使用兩種方法實現(xiàn)此接觸。一種方法是將形成正面電極的導電漿料(如銀漿)沉積到ARC上。在焙燒過程中，銀漿燒結(jié)并穿透ARC，如此制備的正面電極因此能夠與硅電池建立電接觸。作為另外一種選擇，已經(jīng)在電極與硅電池建立接觸的部分蝕刻ARC。銀漿接著沉積到那些部分中并焙燒形成電極。通過使用較昂貴的激光以及通過使用諸如得自MerckKGaA (Darmstadt, Germany)的isishape'々 Solaretch產(chǎn)品的蝕刻組合物來完成蝕刻。需要可以除去減反射涂層的所選部分的非腐蝕性蝕刻組合物，特別需要既是熱可固化又是紫外線可固化的組合物。發(fā)明概沭本發(fā)明提供的蝕刻組合物包含a) 一種或多種選自碘鎊鹽和锍鹽的#鹽；以及b)有機介質(zhì)，其中所述一種或多種錯鹽分散或溶解在有機介質(zhì)中。在一個實施方案中，碘#鹽為二芳基碘錯鹽。在另一個實施方案中，锍鹽為三芳基琉鹽。蝕刻組合物可以通過暴露于光伏電池焙燒條件或通過暴露于紫外光固化。
蝕刻組合物可以用于蝕刻光伏電池的減反射涂層，從而為正面電極漿料提供直接物理接觸，以及在焙燒后提供正面電極與鄰近減反射涂層的硅電池表面的直接物理接觸。這為正面電極與硅電池間提供了良好的電接觸。此外，提供了制備光伏電池的方法，包括以下步驟a)提供在硅基板的正面上具有擴散層的硅基板和疊加在擴散層的表面上的減反射涂層；b)提供蝕刻組合物，其包含i) 一種或多種選自碘鋒鹽和锍鹽的播鹽；以及ii)有機介質(zhì)，
其中所述一種或多種鎊鹽分散或溶解在有機介質(zhì)中，c)將所述蝕刻組合物沉積到待蝕刻的減反射涂層的那些部分上；以及d)將蝕刻組合物固化，從而除去減反射涂層的部分以提供擴散層的暴露表面以用作正面電極的接觸點。另外提供的上述方法還包括以下步驟e)將形成正面電極的漿料沉積到擴散層的暴露表面上；以及f)焙燒形成正面電極的漿料以形成正面電極。還提供了通過上述方法產(chǎn)生的光伏電池。附圖
簡沭圖I為示出半導體裝置制造過程的工藝流程圖。圖I中所示的附圖標號說明如下10 p-型硅基板20 :n_型擴散層30 :ARC，如，氮化硅膜、氧化鈦膜或氧化硅膜40 :p+層(背表面場，BSF)60 :在背面上形成的鋁漿61 :通過焙燒背面鋁漿獲得的鋁背面電極漿料6070 :在背面上形成的銀或銀/鋁漿71 :通過焙燒背面銀漿獲得的銀或銀/鋁背面電極500 =ARC上的蝕刻組合物600 :通過蝕刻提供的η型擴散層接觸區(qū)域700 :沉積在接觸區(qū)域的形成正面電極的漿料701 :通過焙燒正面銀漿700獲得的正面電極圖2示出了通過實施例中紫外線固化蝕刻組合物提供的蝕刻圖案發(fā)明詳述本發(fā)明提供了蝕刻組合物，其包含一種或多種分散或溶解在有機介質(zhì)中的輪鹽。該一種或多種翁鹽選自碘錯鹽和锍鹽。固化此組合物以激活撕鹽的蝕刻特性并且蝕刻將要蝕刻材料的期望部分，如，光伏電池的減反射涂層。此蝕刻可以通過光伏焙燒條件下的熱處理或通過暴露于紫外光發(fā)生。紫外線固化對于薄膜光伏電池特別有利。
鏞鹽此鋪·鹽選自碘德鹽和锍鹽。在此組合物的一些實施方案中，碑錫■鹽為具有結(jié)構(gòu)I的二芳基碘緣鹽
/=\ + /=\
I
并且锍鹽為具有結(jié)構(gòu)II的三芳基锍鹽
R2
Sfy=X
R1 v_ _STV^R3
~ X ~
II其中，在兩個結(jié)構(gòu)中，例如，X=SbF6,PF6, BPh4, CF3S03、或(CF3SO2)3C,以及 R1' R2 和R3獨立地為H、烷基或芳基。可用的碘錯鹽和锍鹽的具體但非限制性實例為二(4-叔-丁基苯基)碘鋪·六氟磷酸鹽、二(4-叔-丁基苯基)碘錫■六氟銻酸鹽、二(4-叔-丁基苯基)碘錯三氟甲磺酸鹽、二(4-叔-丁基苯基)碘#樟腦磺酸鹽、二(4-叔-丁基苯基)碘播甲苯磺酸鹽、[4-(辛氧基)苯基]苯基碘錯六氟磷酸鹽、[4-(辛氧基)苯基]苯基碘錯六氟銻酸鹽、三苯基六氟鋪酸锍鹽、三苯基六氟磷酸鹽、UVACUREe 160CK得自Cytec Industries (Smyrna, GA)的苯基-對-辛氧基苯基-碘 六氟銻酸鹽)、Ciba" Irgacure 250(溶解在碳酸亞丙酯中的75%的4-異丁基苯基-4'-甲基苯基碘錯六氟磷酸鹽溶液,得自Ciba SpecialtyChemicals, BASF)以及三苯基锍全氟-I- 丁烷磺酸鹽(TPS-nf)。輸鹽在典型貯藏溫度下穩(wěn)定。每一百萬份只需數(shù)份穩(wěn)定劑便可防止鐵鹽的預成熟降解。碘鐵■鹽和锍鹽沒有腐蝕性并且許多符合美國注冊的TSCA (有毒物質(zhì)控制法)。有機介質(zhì)通過機械式混合使一種或多種錯鹽分散或溶解在有機介質(zhì)中以形成稱為“漿料”的粘稠組合物，該組合物具有適用于印刷的稠度和流變學性質(zhì)。有機介質(zhì)可以包括多種惰性粘稠材料。在一個實施方案中，有機介質(zhì)包含炭黑粉末以調(diào)節(jié)粘度，從而限制漿料的散布。所得的線條具有更好的清晰度。有機介質(zhì)是一種可使得#鹽以適當?shù)姆€(wěn)定度分散或溶解在其中的介質(zhì)。介質(zhì)的流變學特性可賦予組合物良好應用特性，包括用于沉積蝕刻組合物的特定方法(如絲網(wǎng)印刷)的適當粘度和觸變性、待蝕刻材料的適當潤濕性質(zhì)以及良好的干燥速率。在一個實施方案中，用于本發(fā)明蝕刻組合物中的有機介質(zhì)為非水惰性液體。設想使用多種有機介質(zhì)，所述介質(zhì)可包含或不包含增稠劑、穩(wěn)定劑和/或其他常用添加劑。有機介質(zhì)能夠為一種或多種聚合物在一種或多種溶劑中的溶液。在一個實施方案中，聚合物為低級醇的聚甲基丙烯酸酯。在另一個實施方案中，聚合物為乙基纖維素。此外，有機載體可包含揮發(fā)性液體，該液體在被施加到基板后有助于快速硬化。添加劑除了上述主要成分，本發(fā)明的蝕刻組合物還可以包含各種增加或增強其特性的二次物料，諸如使得組合物熱可固化或紫外光可固化的彈性聚合物、自由基引發(fā)劑，以及各種印刷助劑，諸如流平劑、消泡劑和增稠劑。這些材料是本領域所熟知的。通常，按蝕刻組合物的總重量計，所用光引發(fā)劑的量為0.1-10重量％。通常，按蝕刻組合物的總重量計，所用印刷助劑的量為O. 1-2. O重量％。制造半導體裝置的方法為了達到良好的光伏電池性能，正面電極必須與硅電池建立良好的電接觸。本發(fā)明提供了實現(xiàn)該種良好電接觸的方法。本發(fā)明提供了制備光伏電池的方法，包括以下步驟提供在硅基板的正面上具有擴散層的硅基板和疊加在擴散層上的減反射涂層，將本發(fā)明的蝕刻組合物沉積到待蝕刻的減反射涂層的那些部分上并且固化該蝕刻組合物，從而除去該減反射涂層的那些部分以提供擴散層的暴露表面以用作正面電極的接觸點。另外提供的上述方法還包括以下步驟將形成正面電極的漿料(如銀漿)沉積到擴散層的暴露表面上，并焙燒形成正面電極的漿料以形成正面電極。本發(fā)明還提供了通過上述制備光伏電池的方法的任一實施方案制備的光伏電池。下面結(jié)合圖I描述制備光伏電池的方法的一個實例。圖IA示出P型硅基板10。在圖IB中，通過磷(P)等的熱擴散形成η型擴散層20 (ρ型硅基板的反面)。通常將三氯氧化磷(POCl3)用作磷擴散源。在沒有任何具體變型的情況下，擴散層20在硅基板10的整個表面之上形成。該擴散層具有大約幾十歐姆/平方(Ω/μ)的薄膜電阻率以及約O. 3-0. 5μπι的厚度。如圖IC所示，在用抗蝕劑等保護該擴散層的一個表面之后，通過蝕刻將擴散層20從大多數(shù)表面移除以便其僅僅保留在一個主表面上，在該情況下保留在光伏電池的正面上。然后使用有機溶劑等將抗蝕劑移除。接下來，使用例如等離子體化學氣相沉積(CVD)的方法，以圖ID所示的方式在η型擴散層20上形成作為減反射涂層(ARC)的約70nm至90nm厚度的氮化硅膜30。如圖IE所示，將本發(fā)明包含光弓I發(fā)劑的蝕刻組合物500絲網(wǎng)印刷到待蝕刻的氮化硅膜30的那些部分上。接著干燥蝕刻組合物。然后通過將其暴露在紫外光下固化該蝕刻組合物，從而除去氮化硅膜600的那些部分并且將η型擴散層暴露，如圖IF所示。作為另外一種選擇，如果熱固化該蝕刻組合物，則應將其暴露在300°C至900°C的溫度下。如圖IG所示，將形成正面電極的漿料700絲網(wǎng)印刷到暴露的η型擴散層表面上然后加以干燥。此外，隨后將鋁漿60和背面銀漿或銀/鋁漿70絲網(wǎng)印刷在基板的背面上并依次進行干燥。然后通常在大約700°C至975°C溫度范圍內(nèi)的紅外線加熱爐中焙燒幾分鐘至幾十分鐘。因此，如圖IH所示，焙燒期間作為摻雜劑的鋁從鋁漿擴散到硅基板10中，從而形成包含高濃度鋁摻雜劑的P+層40。該層一般被稱為背表面場(BSF)層并且有助于改善太陽能電池的能量轉(zhuǎn)化效率。鋁漿通過焙燒從干燥狀態(tài)60轉(zhuǎn)化為鋁背電極61。同時，將背面銀漿或銀/鋁漿70焙燒成銀或銀/鋁背面電極71。在焙燒期間，背面鋁電極與背面銀或銀/鋁電極之間的 邊界呈現(xiàn)合金狀態(tài)并且實現(xiàn)電連接。鋁電極占背電極的大部分區(qū)域，這部分歸因于需要形成P+層40。由于不可能對鋁電極進行焊接，因此在背面的部分上形成了銀背電極，作為用于通過銅帶或類似物互連太陽能電池的電極。此外，在焙燒期間，形成正面電極的漿料700轉(zhuǎn)化為正面電極701，同樣在圖IH中示出。正面電極從而能夠與η型擴散層20建立電接觸。太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率和耐濕可靠性取決于正面電極與η型擴散層的電接觸。據(jù)信，通過在本發(fā)明蝕刻組合物中使用像鹽獲得的太陽能電池性能的改善是由于實現(xiàn)了良好電接觸。用于本文所述的方法和裝置中的示例性半導體基板包括但不限于單晶硅、多晶硅和帶狀娃。半導體基板可摻入有磷和硼以形成ρ/η結(jié)。半導體基板的尺寸(長度X寬度)和厚度可改變。例如，半導體基板的厚度為50-500μπι ;100-300μπι ;或140-200 μ m。半導體基板的長度和寬度均為100_250mm ；125-200mm ;或 125_156mm。通常，如上所述，減反射涂層在太陽能電池的正面形成。用于本文所述方法和裝置中的示例性減反射涂層材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氧化鈦、SiNx:H、氫化非晶氮化硅和氧化硅/氧化鈦膜。該涂層可以通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、化學氣相沉積(CVD)、熱化學氣相沉積或其他已知技術(shù)形成。在涂層為氮化硅的一個實施方案中，氮化硅膜能夠通過低壓化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、熱化學氣相沉積或物理氣相沉積(PVD)形成。在絕緣膜為氧化硅的一個實施方案中，氧化硅膜能夠通過熱氧化、熱化學氣相沉積、等離子化學氣相沉積或物理氣相沉積形成。該蝕刻組合物可以通過多種方法(諸如絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、共擠出、注射器分配、直寫和氣溶膠噴墨印刷)施加到ARC上。形成正面電極的漿料可以通過多種方法(諸如絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、共擠出、注射器分配、直寫和氣溶膠噴墨印刷)施加到暴露的η型擴散層表面上。在一個實施方案中，漿料組合物用于形成正面電極的導電指狀物和母線。在這樣一個實施方案中，導電指狀物的線寬度為20-200 μ m。涂覆在暴露的η型擴散層表面上的形成正面電極的漿料可以干燥(例如)O. 5-10分鐘，在此期間除去有機介質(zhì)的揮發(fā)性部分。通過加熱到500°C至940°C之間的最大溫度并保持I秒至2分鐘的持續(xù)時間來焙燒形成干燥正面電極的漿料。在一個實施方案中，焙燒過程中達到的硅片最高溫度在650°C至800°C的范圍內(nèi)，持續(xù)時間為1-10秒。在另一個實施方案中，由形成正面電極的漿料形成的電極在由氧氣與氮氣的混合氣體構(gòu)成的氣氛中進行焙燒。在另一個實施方案中，由形成正面電極的漿料形成的電極在有機介質(zhì)移除溫度以上于不含氧氣的惰性氣氛中焙燒。通常，焙燒在帶式爐中進行。在除去剩余有機介質(zhì)期間溫度范圍介于500°C和700°C之間并且接著將此溫度升高至860°C和940°C之間。焙燒電極可包括由焙燒和燒結(jié)過程所得的組分及組合物。例如，在ZnO為漿料組合物中的組分的一個實施方案中，焙燒電極可包括鋅硅酸鹽，例如硅鋅礦(Zn2SiO4)和Zni.7Si04_x，其中X為0-1。正如先前所建議，將其他導電和裝置增強材料施加到半導體裝置的背面并且與形成正面電極的漿料共燒。該材料充當電接觸、鈍化層和可軟焊固定區(qū)域。作為另外一種選擇，可以在焙燒形成正面電極的漿料之前或之后施加和焙燒這些材料。在一個實施方案中，背面導電材料包括鋁或鋁和銀。
實施例
在下列實施例中，所用的光伏晶片為156mmX156mm 65Ω/ □多晶硅片(得自Q-Cells SE(Bitterfeld-Wolfen, Germany))或這些晶片的部分。這些晶片正面包含氮化娃減反射涂層。實施例I此實施例展示了鎊鹽在蝕刻減反射涂層中的效果。使用丨Pgacureii 250溶液(溶解在碳酸亞丙酯中的75%的4-異丁基苯基-4'-甲基苯基碘鎊六氟磷酸鹽溶液，得自Ciba Specialty Chemicals, BASF),通過滴液移液管在2. 5cm X 2. 5cm大小的光伏晶片上畫上字母“P ”。將晶片在80°C下干燥10分鐘。該字母“P”具有底層氮化硅減反射涂層的藍色。然后在Despatch 6區(qū)帶式爐中以500-550-610-700-880-900°C的區(qū)溫度以及220ipm的帶速焙燒該晶片。字母“P”的藍色變?yōu)楣璧幕疑瑥亩砻鳒p反射涂層已經(jīng)蝕刻掉并且硅得以暴露。實施例2此實施例展示了錯鹽在蝕刻減反射涂層中的效果。將8g UVACURE'* 1600(得自 Cytec Industries (Smyrna, GA)的苯基-對-辛氧基苯基-碘輪六氟銻酸鹽)與2g得自VWR(Bridg^)ort，NJ)的異丙醇和O. 2g PMMA/PMAA (聚甲基丙烯酸甲酯/聚甲基丙烯酸)共聚物溶液在得自EastmanChemical Company (Kingsport, TN)的Texano廣醇酯中混合。聚合物溶液包含42. 5重量％PMMA(Mw=6700)和20重量％PMAA。將混合物手動攪拌5分鐘。使用該混合物通過滴液移液管在2. 5cmX2. 5cm大小的光伏晶片上畫上字母“V”。將晶片在80°C下干燥10分鐘。該字母“V”具有底層氮化硅減反射涂層的藍色。然后在Despatch 6區(qū)帶式爐中以500-550-610-700-880-900°C的區(qū)溫度以及220ipm的帶速焙燒該晶片。字母“V”的藍色變?yōu)楣璧幕疑?，從而表明減反射涂層已經(jīng)被蝕刻掉并且硅被暴露。實施例3 此實施例展示了錯鹽在蝕刻減反射涂層中的效果。將 0.25g UVACURE 1600(得自 Cytec Industries (Smyrna, GA)的苯基-對-辛氧基苯基-碘鎊六氟鋪酸鹽)與20g得自VWR(Bridgeport, NJ)的異丙醇混合。將混合物手動攪拌2分鐘。使用該混合物，通過滴液移液管在2. 5cmX 2. 5cm大小的光伏晶片上畫上字母“X”。將晶片在80°C下干燥10分鐘。該字母“X”具有底層氮化硅減反射涂層的藍色。然后在箱式爐中以350°C持續(xù)I小時焙燒晶片。字母“X”的藍色變?yōu)楣璧幕疑?，從而表明減反射涂層已經(jīng)蝕刻掉并且硅得以暴露。實施例4此實施例展示了德鹽在蝕刻減反射涂層中的效果。將Irgacureli' 250溶液(溶解在碳酸亞丙酯中的75%的4-異丁基苯基-4'-甲基苯基碘鐵六氟磷酸鹽溶液，得自Ciba Specialty Chemicals, BASF)以圖3所示圖案絲網(wǎng)印刷到156mmX156mm硅晶片上。將晶片在80°C下干燥10分鐘。絲網(wǎng)印刷圖案具有底層氮化硅減反射涂層的藍色。然后在Despatch 6區(qū)帶式爐中以500-550-610-700-880-900°C的區(qū)溫度以及220ipm的帶速焙燒該晶片。絲網(wǎng)印刷圖案的藍色變?yōu)楣璧幕疑?，從而表明減反射涂層已經(jīng)蝕刻掉并且硅得以暴露。 通過化學分析用電子能譜學(ESCA)分析該樣品。該圖案點顯示出較少氮或無氮，表明幾乎完全或完全除去氮化硅ARC。實施例5本實施例展示了蝕刻組合物中的錯鹽對減反射涂層進行蝕刻的效果以及熱固化的使用。將20g 乙基纖維素 N_22、80g 得自 Eastman Chemical Company (Kingsport, TN)的 Texanol⑧醇酯、和 O. 5g 得自 Elementis Specialties, Inc. (Highstown, NJ)的ThixatiOlxST混合并且使用機械攪拌器在100°C下攪拌混合物I. 5小時。所得為透明粘稠溶液。將該溶液冷卻到60 °C，然后添加IOg UVACURE 1600 (得自CytecIndustries (Smyrna, GA)的苯基-對-辛氧基苯基-碘錫■六氟鋪酸鹽)并攪拌20分鐘。將上述溶液以圖3所示圖案絲網(wǎng)印刷到156mmX 156mm硅晶片上。將晶片在80°C下干燥10分鐘。絲網(wǎng)印刷圖案具有底層氮化硅減反射涂層的藍色。然后在Despatch 6區(qū)帶式爐中以500-550-610-700-880-900°C的區(qū)溫度以及220ipm的帶速焙燒該晶片。絲網(wǎng)印刷圖案的藍色變?yōu)楣璧幕疑?，從而表明減反射涂層已經(jīng)蝕刻掉并且硅得以暴露。實施例6本實施例展示了鍛鹽在蝕刻減反射涂層中的效果以及紫外線固化的使用。向IOg IrgacureR; 250溶液(溶解在碳酸亞丙酯中的75%的4-異丁基苯基-4'-甲基苯基碘鎊六氟磷酸鹽溶液,得自Ciba Specialty Chemicals, BASF)中加入O. 5g光引發(fā)劑二苯甲酮。室溫下用磁力攪拌棒攪拌該混合物10分鐘。將該混合物以圖3所示圖案絲網(wǎng)印刷到156mmX 156mm硅晶片上。將晶片在150°C下干燥10分鐘。絲網(wǎng)印刷圖案具有底層氮化硅減反射涂層的藍色。然后將該晶片暴露在600mJ/cm2劑量的紫外線下。暴露后將該晶片在150 C下供烤10分鐘。將電池置于冷水中保持I小時。然后將印刷的混合物從晶片上剝離，而使印刷圖案保持硅的灰色，從而表明減反射涂層已經(jīng)蝕刻掉并且硅被暴露。
實施例7本實施例展示了蝕刻組合物中的#鹽對減反射涂層進行蝕刻的效果、熱固化的使用以及在蝕刻組合物中包含炭黑粉末的優(yōu)點。將2克得自Cabot (Boston, MA)的炭黑粉末、3克IrgacuiV 250溶液(溶解在
碳酸亞丙酯中的75%的4-異丁基苯基-4'-甲基苯基碘#六氟磷酸鹽溶液，得自CibaSpecialty Chemicals, BASF)和 5 克得自 Eastman Chemical Company (Kingsport, TN)的 Texanol 醇酯混合。所得漿料用于在晶片上畫上3線條并且將其在80°C下干燥10分鐘，然后在Despatch 6區(qū)帶式爐中以500-550-610-700-850-880°C區(qū)溫度和220ipm帶速進行焙烤。這3個從黑色變?yōu)楣璧幕疑?，從而表明減反射涂層已經(jīng)蝕刻掉并且硅暴露出來。所得線條具有更好的邊緣清晰度，這是在蝕刻組合物中使用炭黑粉末的結(jié)果。
權(quán)利要求
1.蝕刻組合物，包含a)一種或多種選自碘鎊鹽和锍鹽的#鹽；以及b)有機介質(zhì)，其中所述一種或多種#鹽分散或溶解在所述有機介質(zhì)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蝕刻組合物，其中所述碘.德鹽為二芳基碘錯鹽。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蝕刻組合物，其中所述锍鹽為三芳基锍鹽。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蝕刻組合物，其中所述有機介質(zhì)包含炭黑粉末。
5.制備光伏電池的方法，包括以下步驟a)提供在所述娃基板的正面上具有擴散層的娃基板和疊加在所述擴散層的表面上的減反射涂層；b)提供蝕刻組合物，所述蝕刻組合物包含i) 一種或多種選自碘鎊鹽和锍鹽的錯鹽；以及 )有機介質(zhì)，其中所述一種或多種鐵鹽分散或溶解在所述有機介質(zhì)中；c)將所述蝕刻組合物沉積到待蝕刻的所述減反射涂層的那些部分上；以及d)將所述蝕刻組合物固化，從而除去所述減反射涂層的所述部分以提供所述擴散層的暴露表面以用作正面電極的接觸點。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述碘#鹽為二芳基碘翁鹽并且所述锍鹽為三芳基锍鹽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，所述蝕刻組合物還包含光引發(fā)劑，從而所述蝕刻組合物是可紫外線固化的，并且其中所述固化通過將所述蝕刻組合物暴露于紫外光實現(xiàn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述固化通過將所述蝕刻組合物暴露于300°C至 900°C的溫度下實現(xiàn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括以下步驟e)將形成正面電極的漿料沉積到所述擴散層的所述暴露表面上；以及f)焙燒所述形成正面電極的漿料以形成所述正面電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述碘#鹽為二芳基碘銷■鹽并且所述锍鹽為三芳基锍鹽。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述蝕刻組合物還包含光引發(fā)劑，從而所述蝕刻組合物是可紫外線固化的，并且其中所述固化通過將所述蝕刻組合物暴露于紫外光實現(xiàn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述固化通過將所述蝕刻組合物暴露于300°C 至900°C的溫度下實現(xiàn)。
13.由權(quán)利要求5所述的方法制備的光伏電池。
14.由權(quán)利要求6所述的方法制備的光伏電池。
15.由權(quán)利要求7所述的方法制備的光伏電池。
16.由權(quán)利要求8所述的方法制備的光伏電池。
17.由權(quán)利要求9所述的方法制備的光伏電池。
18.由權(quán)利要求10所述的方法制備的光伏電池。
19.由權(quán)利要求11所述的方法制備的光伏電池。
20.由權(quán)利要求12所述的方法制備的光伏電池。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種蝕刻組合物，所述蝕刻組合物包含一種或多種選自碘鹽和锍鹽的鹽以及有機介質(zhì)。還提供了使用蝕刻組合物以蝕刻減反射涂層制備光伏電池的方法以及由該方法制備的光伏電池。
文檔編號H01L31/18GK102933690SQ201180027059
公開日2013年2月13日 申請日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月16日
發(fā)明者A·R·卡特熱納, F·高, H·楊, 張磊 申請人:E·I·內(nèi)穆爾杜邦公司