專利名稱：電子元器件安裝體、電子元器件及基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有在基板上安裝有電子元器件的結構的電子元器件安裝體，以及用于電子元器件安裝體上的電子元器件及基板。通常，在倒裝芯片的安裝中，LSI等半導體元件的電極上形成有焊料凸點等突起電極，且形成有該突起電極的半導體元件面朝下地安裝在安裝基板上。具體而言，加熱后的半導體元件的突起電極壓接在安裝基板的電極端子上。作為在半導體元件的電極上形成焊料凸點的方法，一般采用如下方法:通過絲網印刷、涂布或電解電鍍在電極上形成焊料層后，利用回流爐將該焊料層加熱到焊料熔點以上。但是，近年來，為了同時實現半導體元件的高密度化與半導體元件電極端子的多引腳化，半導體元件的電極端子的窄間距化及面積縮小化正在加以推進。由于如上所述那樣半導體元件的電極端子趨于窄間距化，因此若像從前那樣在半導體元件的外周部配置I列電極端子、或交錯地配置2列，則電極端子間可能會發(fā)生短路。另外，由于半導體元件的電極端子的窄間距化，從而產生由半導體元件與安裝基板的熱膨脹系數差而產生的翹曲所引起的連接不良等問題。因此，采用將半導體元件的電極端子配置成矩陣狀的區(qū)域配置，從而實現電極端子間間距的擴大。但是，近年來，即使進行區(qū)域配置，電極端子的窄間距化進展依然顯著，焊料接合部間的間距變窄。另外，近年來，半導體元件與基板端子之間的間隙也變窄了。因此，在安裝倒裝芯片時進行的壓接及加熱工序中，產生焊料橋接不良的問題。焊料橋接不良的產生是由于熔融的焊料凸點發(fā)生變形，并且由于焊料表面的張力引起焊料凸點互相粘連。因此，提出一種半導體裝置，利用含有金屬粒子的絕緣性皮膜將由金或銅形成的突起電極覆蓋(例如，參照專利文獻I)。根據該半導體裝置，在安裝倒裝芯片時絕緣性皮膜及突起電極不會熔融。在該半導體裝置中，通過在注入于半導體元件與基板之間的密封樹脂硬化收縮時產生的壓縮方向的力，從而使含有絕緣性皮膜的金屬粒子與突起電極及基板端子接觸，并使半導體元件的突起電極與基板端子電導通。由此，根據該半導體裝置，即使電極端子間的間距變狹窄了，也能防止橋接的發(fā)生。但是，在僅依靠金屬粒子與突起電極及基板端子不擴散接合地接觸來確保電導通的連接方式下，若半導體元件的電極面積變小，則當然存在于突起電極與基板端子間的導電粒子的數量將變少。因此，將產生連接電阻變大且信號的傳輸損失增大的問題。特別是近年來，由于對半導體元件電極端子的窄間距化的要求變得非常嚴苛，并且半導體元件的電極端子的面積變得越來越小，因此該問題更為顯著。因此，開始采用如下的2層結構的突起電極:利用高熔點金屬形成下層金屬，并利用焊料在該下層金屬上形成上層金屬(例如，參照專利文獻2)。根據該2層結構的突起電極，與僅由焊料層組成的突起電極相比，能夠減少焊料量，并且能在安裝倒裝芯片時減少平面方向上的焊料坍塌量。因此，可以防止焊料橋接的發(fā)生。另外，根據該2層結構的突起電極，由于焊料與基板端子進行擴散接合，因此接觸電阻變小了。由此，信號的傳輸損失也不會增大。現有技術專利文獻專利文獻I日本專利特開2003-282617號公報專利文獻2日本專利特開平9 - 97791號公報

發(fā)明內容
發(fā)明所要解決的技術問題但是，出于近年來與布線規(guī)則的細微化或信號處理的高速化的要求相對應的目的，開始使用所謂I O w—k模、ULK (U I t r a I O w — k:超低介電常數)膜等低介電常數絕緣膜，以作為半導體元件的層間絕緣膜。為了降低介電常數，低介電常數絕緣膜呈具有多個數nm大小的空孔的多孔狀。低介電常數絕緣膜的密度為，例如:1.0 1.4 g /cm3。因此，低介電常數絕緣膜是脆弱的。因此，在從前的安裝方法中，存在低介電常數絕緣膜容易產生剝離或裂縫的問題。以專利文獻2中記載的安裝方法為例對該問題進行詳細說明。圖9是專利文獻2中記載的安裝方法的示意圖。如圖9上側的圖所示，在半導體元件101上形成有由電極102a及焊料接合部102b組成的凸點103。在該安裝方法中，如圖9所示，將上述凸點103與電路基板104上的電極105的位置對準后，對半導體元件101進行加熱，并向電路基板104施加壓力，從而使焊料接合部102b熔融。由此，將半導體元件101裝載到電路基板104上。但是，如專利文獻2的安裝方法所示，通過電極102a及焊料接合部102b來確保凸點103的高度在面內相等，在此情況下，存在于電極102a正下方的脆弱的低介電常數絕緣膜會產生剝離或裂縫，該電極102a配置在半導體元件101的邊角部分。這是由于，在凸點103高度相等的情況下，在倒裝芯片工序中，較大的應力作用在存在于半導體元件101邊角部分上的電極102a正下方的低介電常數絕緣膜上。S卩，由于在倒裝芯片工序中將焊料熔融后進行的冷卻過程中，半導體元件101與電路基板104的彈性率及線膨脹系數存在差值從而引起熱應力集中到半導體元件101的邊角部分上的焊料接合部102b，并且該應力不經過緩和而直接被傳遞到半導體元件101的電極102a正下方的層。另外，在溫度差急劇增大的使用環(huán)境下，還存在如下的問題:產生與在倒裝芯片工序中產生的熱應力集中相同的熱應力集中，并且位于電極正下方的脆弱的低介電常數絕緣膜產生剝離或裂縫。本發(fā)明鑒于上述問題，目的在于，提供一種電子元器件安裝體、電子元器件以及基板，即使在將具有脆弱薄膜的半導體元件等電阻元器件安裝到基板上的情況下也能容易地確保較高的連接可靠性。解決技術問題所采用的技術方案為了達成上述目的，本發(fā)明的第I電子元器件安裝體在基板上安裝有包括多個元器件側電極端子的電子元器件，該基板包括與上述多個元器件側電極端子相對應的多個基板側電極端子，該電子元器件安裝體的特征在于，包括:多個突起狀電極，該突起狀電極分別形成于上述電子元器件的上述多個元器件側電極端子上且與上述電子元器件及上述基板電連接；假電極，該假電極形成于上述電子元器件上且與上述多個元器件側電極端子中的預定位置上的元器件側電極端子電連接，與上述假電極電連接的上述預定位置上的元器件側電極端子上的上述突起狀電極比與上述預定位置不同的位置上的元器件側電極端子上的上述突起狀電極更高。在上述本發(fā)明的第I電子元器件安裝體中，也可以將上述假電極與上述多個元器件側電極端子中的配置于與上述電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。另外，在上述本發(fā)明的第I電子元器件安裝體中，上述假電極可以包含面積互不相同的多種假電極，并且可以使得進行電連接的假電極的面積越大，與上述假電極電連接的元器件側電極端子上的上述突起狀電極的高度越高。另外，在該結構中，上述假電極包含:第I假電極，該第I假電極與第I元器件側電極端子電連接，該第I元器件側電極端子配置在與上述電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及第2假電極，該第2假電極的面積比上述第I假電極小并且與第2元器件側電極端子電連接，該第2元器件側電極端子與上述第I元器件側電極端子相鄰，上述第I元器件側電極端子上的上述突起狀電極可以比上述第2元器件側電極端子上的上述突起狀電極更高。另外，在上述本發(fā)明的第I電子元器件安裝體中，也可以將上述假電極形成于與配置有上述電子元器件的上述多個元器件側電極端子的面不同的面上。在該結構中，也可以將上述假電極與上述多個元器件側電極端子中的配置于與上述電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。另外，在該結構中，也可以將上述多個元器件側電極端子配置成矩陣狀，并且將上述假電極與配置有上述多個元器件側電極端子的區(qū)域的中央部上的元器件側電極端子電連接。另外，在該結構中，也可以將上述假電極與電源端子或散熱源連接。另外，在上述本發(fā)明的第I電子元器件安裝體中，也可以將上述假電極形成于配置有上述多個元器件側電極端子的面上且具有起到位置校正用識別標記的作用的形狀。為了達成上述目的，本發(fā)明的第2電子元器件安裝體在基板上安裝有包括多個元器件側電極端子的電子元器件，該基板包括與上述多個元器件側電極端子相對應的多個基板側電極端子，該電子元器件安裝體的特征在于，包括:多個突起狀電極，該突起狀電極分別形成于上述基板的上述多個基板側電極端子上且與上述電子元器件及上述基板電連接；假電極，該假電極形成于上述基板上且與上述多個基板側電極端子中的預定位置上的基板側電極端子電連接，與上述假電極電連接的上述預定位置上的基板側電極端子上的上述突起狀電極比與上述預定位置不同的位置上的基板側電極端子上的上述突起狀電極更高。在上述本發(fā)明的第2電子元器件安裝體中，也可以將上述假電極與上述多個基板側電極端子中的配置于與上述電子元器件的邊角部相對應的位置上的基板側電極端子電連接。另外，在上述本發(fā)明的第2電子元器件安裝體中，上述假電極可以包含面積互不相同的多種假電極，并且可以使得進行電連接的假電極的面積越大，與上述假電極電連接的基板側電極端子上的上述突起狀電極的高度越高。另外，在該結構中，上述假電極包含:第I假電極，該第I假電極與第I基板側電極端子電連接，該第I基板側電極端子配置在與上述電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及第2假電極，該第2假電極的面積比上述第I假電極小，并且與第2基板側電極端子電連接，該第2基板側電極端子與上述第I基板側電極端子相鄰，上述第I基板側電極端子上的上述突起狀電極可以比上述第2基板側電極端子上的上述突起狀電極更高。為了達成上述目的，本發(fā)明的電子元器件包括:多個元器件側電極端子；假電極，該假電極與上述多個元器件側電極端子中的預定位置上的元器件側電極端子電連接；以及多個突起狀電極，該突起狀電極分別形成于上述多個元器件側電極端子上，與上述假電極電連接的上述預定位置上的元器件側電極端子上的上述突起狀電極比與上述預定位置不同的位置上的元器件側電極端子上的上述突起狀電極更高。在上述本發(fā)明的電子元器件中，也可以將上述假電極與上述多個元器件側電極端子中的配置于與上述電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。另外，在上述本發(fā)明的電子元器件中，可以使上述假電極包含面積互不相同的多種假電極，并且使得進行電連接的假電極的面積越大，與上述假電極電連接的元器件側電極端子上的上述突起狀電極的高度越高。另外，在該結構中，上述假電極包含:第I假電極，該第I假電極與第I元器件側電極端子電連接，該第I元器件側電極端子配置在與該電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及第2假電極，該第2假電極的面積比上述第I假電極小，并且與第2元器件側電極端子電連接，該第2元器件側電極端子與上述第I元器件側電極端子相鄰，上述第I元器件側電極端子上的上述突起狀電極可以比上述第2元器件側電極端子上的上述突起狀電極更高。另外，在上述本發(fā)明的電子元器件中，也可以將上述假電極形成于與配置有上述多個元器件側電極端子的面不同的面上。在該結構中，也可以將上述假電極與上述多個元器件側電極端子中的配置于與上述電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。另外，在該結構中，也可以將上述多個元器件側電極端子配置成矩陣狀，并且將上述假電極與配置有上述多個元器件側電極端子的區(qū)域的中央部上的元器件側電極端子電連接。另外，在上述本發(fā)明的電子元器件中，也可以使上述假電極形成于配置有上述多個元器件側電極端子的面上且具有起到位置校正用識別標記的作用的形狀。另外，為了達成上述目的，本發(fā)明的基板的特征在于，包括:多個基板側電極端子；假電極，該假電極與上述多個基板側電極端子中的預定位置上的基板側電極端子電連接；以及多個突起狀電極，該突起狀電極分別形成于上述多個基板側電極端子上，與上述假電極電連接的上述預定位置上的基板側電極端子上的上述突起狀電極比與上述預定位置不同的位置上的基板側電極端子上的上述突起狀電極更高。在上述本發(fā)明的基板中，也可以將上述假電極與上述多個基板側電極端子中的配置于與安裝在該基板上的電子元器件的邊角部相對應的位置上的基板側電極端子電連接。另外，在上述本發(fā)明的基板中，上述假電極可以包含面積互不相同的多種假電極，并且可以使得進行電連接的假電極的面積越大，與上述假電極電連接的基板側電極端子上的上述突起狀電極的高度越高。另外，在該結構中，上述假電極包含:第I假電極，該第I假電極與第I基板側電極端子電連接，該第I基板側電極端子配置在與安裝在該基板上的電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及第2假電極，該第2假電極的面積比上述第I假電極小，并且與第2基板側電極端子電連接，該第2基板側電極端子與上述第I基板側電極端子相鄰，上述第I基板側電極端子上的上述突起狀電極可以比上述第2基板側電極端子上的上述突起狀電極更高。發(fā)明效果根據本發(fā)明，由于能夠選擇性地將設置在翹曲最大的部位上的突起狀電極的高度加高，因此能夠在安裝時抵消基板的翹曲。若如此抵消翹曲，則在焊料凝固后的冷卻過程中產生的垂直方向(拉伸方向)的焊料接合部的延伸量將減少，并且拉伸方向上的熱應力將得以緩和。另外，根據本發(fā)明，由于將設置于電子元器件的邊角部的突起狀電極的高度加高到比設置于與邊角部不同位置上的突起狀電極更高，因此能夠在電子元器件的邊角部加高接合間隙。由此，與接合間隙相等的情況相比，能夠使剪切方向上的熱應力集中于電子元器件的電極端子上的情況得以緩和。通過緩和該熱應力，存在于電子元器件的電極端子正下方的低介電常數絕緣膜等脆弱薄膜所承受的熱應力將得以減小。因此，能夠防止該脆弱薄膜的剝離及裂縫，能夠確保較高的連接可靠性。因此，根據本發(fā)明，即使在將具有脆弱薄膜的半導體元件等電子元器件安裝到基板上的情況下也能容易地確保較高的連接可靠性。


圖1 (a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式I中的電子元器件安裝體的主要部分的剖視圖，(b)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式I中的電子元器件安裝體的主要部分的俯視圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式I中的電子元器件安裝體的制造方法的流程圖。圖3是用于對本發(fā)明的實施方式I中的電子元器件安裝體的制造方法按工序分別進行說明的示意圖。圖4是用于對本發(fā)明的實施方式I中的電子元器件安裝體進行說明的示意圖。圖5(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式2中的電子元器件安裝體的主要部分的剖視圖，(b)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式2中的電子元器件安裝體的主要部分的俯視圖。圖6是用于對本發(fā)明的實施方式2中的電子元器件安裝體的制造方法按工序分別進行說明的示意圖。圖7(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式3中的電子元器件的主要部分的剖視圖，(b)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式3中的電子元器件的主要部分的俯視圖，(c)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式3中的電子元器件安裝體的主要部分的剖視圖。圖8是示意性地表示本發(fā)明的實施方式4中的電子元器件的主要部分的俯視圖。圖9是表示現有的半導體裝置的主要部分的示意圖。
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。在如下的各個實施方式中，作為具有在基板上安裝有電子元器件的結構的電子元器件安裝體，以具有在電路基板上安裝有半導體元件的結構的半導體裝置為例進行說明。
(實施方式I)圖1 (a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式I中的半導體裝置的主要部分的剖視圖。例外，圖1 (b)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式I中的半導體裝置的主要部分的俯視圖，即從形成有元器件側電極端子的主面(電極面)一側觀察半導體元件。在半導體元件I的電極面內側的層設置有多層布線層，該多層布線層包含:由例如Cu或Al組成的細微布線層以及Low — k膜或ULK膜等低介電常數絕緣膜2，在該多層布線層的最外面等間隔地將多個元器件側電極端子3設置成矩陣狀。多個元器件側電極端子3包含:第I元器件側電極端子3a，該第I元器件側電極端子3a配置于與半導體元件I的邊角部對應的位置上；第2元器件側電極端子3b，該第2元器件側電極端子3b配置于與第I元器件側電極端子3a不同的位置上。另外，在配置有多個元器件側電極端子3的區(qū)域的外側，設置有面積比元器件側電極端子3大的假電極3c，并且第I元器件側電極端子 3a與假電極3c由布線3ac連接以使其電導通。例如，可以使第I元器件側電極端子3a、第2元器件側電極端子3b、假電極3c以及布線3ac在同一平面內。第I元器件側電極端子3a、第2元器件側電極端子3b、假電極3c以及布線3ac中的任一個都可以由例如A I—Cu或A I—S 1-C u組成。另外，在半導體元件I上設置有覆蓋其電極面的絕緣膜4。絕緣膜4具有多個開口部，該開口部使第I元器件側電極端子3a、第2元器件側電極端子3b以及假電極3c均至少露出一部分，且將半導體元件I的電極面上的布線覆蓋。絕緣膜4例如由S i 3N4組成。另外，第I元器件側電極端子3a、第2元器件側電極端子3b以及假電極3c上分別設置有第I突起狀電極5a、第2突起狀電極5b以及假突起狀電極5c。第I突起狀電極5a、第2突起狀電極5b以及假突起狀電極5c由經過例如N丨一？/人11或!^丨一人11等焊料浸潤后的金屬組成。另一方面，安裝有半導體元件I的電路基板6的主面上具有第I基板側電極端子7a及第2基板側電極端子7b，該第I基板側電極端子7a與第2基板側電極端子7b配置成分別與半導體元件I的第I突起狀電極5a及第2突起狀電極5b相對。電路基板6例如由硅組成。基板側電極端子7a、7b例如由N i / Au、Ni / Pd/Au、Ni / SnAg等組成。利用焊料8使半導體元件I的第I突起狀電極5a及第2突起狀電極5b、與電路基板6的第I基板側電極端子7a及第2基板側電極端子7b接合，并且電連接或機械連接。焊料 3 例如由 SnAg、SnAgCu、SnZn、SnZnB 1、SnPb、SnB 1、Sn A g B i In、SnIn、In、Sn等組成。另外,在半導體元件I與電路基板6之間填充有密封樹脂9。在該實施方式I中，作為半導體元件1，使用外形尺寸為6 mm X6 mm,厚度為
0.2 mm,并且在其電極面上包括直徑為25 μ m,厚度為1μ m的圓形的多個元器件側電極端子3，該多個元器件側電極端子3進行區(qū)域配置成相互之間中心間距為50 μ m的矩陣狀。另外，作為電路基板6,使用外形尺寸為8 mm X8 mm,厚度為0.2 mm的電路基板。另外，元器件側電極端子3的絕緣膜4的開口部呈直徑為15μ m的圓形。另外，假電極3c的絕緣膜4的開口部呈800 μ m Χ800μ m的正方形。圖2是表示本發(fā)明的實施方式I中的半導體裝置的制造方法的流程圖。如圖2所示，在本發(fā)明實施方式I的制造方法中，首先，在半導體元件I的元器件側電極端子上形成作為突起狀電極的UBM (UnderBumpMetal:凸點下金屬)(步驟SI),在電路基板6的基板側電極端子上預敷焊料材料以形成焊料層(步驟S2)。接下來，將半導體元件I的元器件側電極端子與電路基板6的基板側電極端子的位置對準，并在電路基板6上安裝半導體元件I后(步驟S3)，利用底部填充物將半導體元件I與電路基板6之間的空隙填充(步驟S4)。利用圖3對該半導體裝置的一個制造方法的例子進行詳細說明。圖3是用于對本發(fā)明的實施方式I中的半導體裝置的制造方法按工序分別進行說明的示意圖。首先，對形成U B M的工序進行說明。在該工序中，如圖3 (a0)、圖3 (al)所示，利用非電解電鍍法在半導體元件I的第I元器件側電極端子3a、第2元器件側電極端子3b以及假電極3c上形成第I突起狀電極5a、第2突起狀電極5b以及假突起狀電極5c。具體而言，在去除電極表面的雜質以后，將半導體元件I浸潰于鋅電鍍敷中，從而進行將電極材料的A I置換成Z η的置換反應。接下來，在去除Z η核后，再次將半導體元件I浸入鋅電鍍液中，使更細微的Z η核在電極材料A I上生長。接下來，將半導體元件I浸潰于N 1-P電鍍液中來溶解Z η，并使N i 一 P皮膜在電極材料A I上生長。此后，將半導體元件I浸潰于非電解電鍍液中并使Au皮膜在N i 一P皮膜上生長。由此，形成了由非電解電鍍金屬組成的突起狀電極。在該形成U B M的工序中，如圖3 (a2)所示，由于假電極3c與第I元器件側電極端子3a的總面積比第2元器件側電極端子3b的面積大，因此在電鍍液中發(fā)生電位差，從而使第I元器件側電極端子3a中的電子交換比第2元器件側電極端子3b中的更活躍，該第
I元器件側電極端子3a與該假電極3c電連接。因此，第I元器件側電極端子3a中的Z η核的生長比在第2元器件側電極端子3b中的進展更快，并且N i 一 P皮膜或A u皮膜也是在第I元器件側電極端子3a中的生長比在第2元器件側電極端子3b中的生長更快。在非電解電鍍中，由于生長是在高度方向與水平方向上以一定比例進行的，因此第I突起狀電極5a的直徑與高度均比第2突起狀電極5b的大。在該實施方式I中，第2突起狀電極5b的高度為8 μ m，直徑為31 μ m，與此相對，第I突起狀電極5a的高度為10 μ m，直徑為35 μ m，從而第I突起狀電極5a比第2突起狀電極5b高2μ m。這樣，在該實施方式I中，使配置于與半導體元件I邊角部相對應的位置上的突起狀電極5a比配置于與半導體元件I邊角部相對應的位置不同的位置上的其它突起狀電極5b更高。另外，假突起狀電極5c的面積是第I突起狀電極5a面積(從高度方向上看第I突起狀電極5al時的投影面積)的100倍以上。接下來，對在基板側電極端子上涂敷焊料材料的工序進行說明。在該工序中，如圖3(b)所示，在基板側電極端子7 a、7 b上形成有焊料涂敷層8’，該基板側電極端子7 a、7b位于電路基板6的主面上。具體而言，將電路基板6浸潰于粘性添加化合物中。接下來，在將微小的焊料粒子均勻地撒到電路基板6上，隨后清洗電路基板6。由此，在基板側電極
7a、7 b上添加微小焊料粒子。此后，在添加有微小焊料粒子的基板側電極7 a、7 b上涂布助焊劑并將電路基板6放入回流爐中，使焊料粒子熔融。由此形成焊料涂敷層8，。此外，焊料涂敷層也可以通過將均勻地排列有細微焊料粉末的焊料轉印片的焊料面與半導體元件I重疊使得與形成在半導體元件I上的突起狀電極5 a、5 b相對，并對焊料轉印片進行加熱，向半導體元件I施加壓力，從而在突起狀電極5 a、5 b上對焊料粒子進行轉印并制作。接下來，對在電路基板6上安裝半導體元件I的工序進行說明。在該工序中，如圖3(c)所示，將半導體元件I與電路基板6的位置對準使得半導體元件I的第I突起狀電極5a及第2突起狀電極5b、與電路基板6的第I基板側電極端子7a及第2基板側電極端子7b相對。此后，對半導體元件I進行加熱的同時對電路基板6施加壓力，從而將半導體元件I裝載到電路基板6上。此時，以焊料熔點以上的溫度對焊料涂敷層8’進行加熱。因此，焊料涂敷層8’熔融，使第I突起狀電極5a與第I基板側電極端子7a之間，以及第2突起狀電極5b與及第2基板側電極端子7b之間接合。此后，如圖3(d)所示，使用涂布裝置，將密封樹脂9填充于半導體元件I與電路基板6之間的空隙中。根據如上說明的半導體裝置，由于第I突起狀電極5a比第2突起狀電極5b更高，因此包含第I突起狀電極5a在內的接合部的接合間隙A比包含第2突起狀電極5b在內的接合部的接合間隙B更大。其結果是，即使在對使用low - k膜或ULK膜等脆弱的低介電常數絕緣膜以作為層間絕緣膜的半導體元件在電路基板上進行倒裝芯片安裝的情況下，也能確保優(yōu)異的連接可靠性。具體而言，在將半導體元件I安裝到電路基板6的工序中焊料熔融后的冷卻過程中，由于半導體元件I與電路基板6的彈性率及線膨脹系數不同，從而在半導體元件I的邊角部分的附近容易產生電路基板的翹曲，其結果是，接合部垂直方向(拉伸方向)上的拉伸在半導體元件I的邊角部附近的接合部最大。因此，在以往，半導體元件I與電路基板6之間的接合間隙相等的情況下，具體如圖4 ( a )所示那樣，半導體元件I的邊角部附近的第I突起狀電極5a的高度、與配置于與半導體元件I的邊角部附近不同的位置上的第2突起狀電極5b的高度相等，并且包含第I突起狀電極5a在內的接合部的接合間隙A、與包含第2突起狀電極5b在內的接合部的接合間隙B相等，在該情況下，若將接合部的彈性率近似設為E，將半導體元件I的邊角部附近的接合部的冷卻過程中的拉伸量設為I，則半導體元件I的邊角部附近的接合部所承受的應力為E X I / B。該應力傳遞給位于元器件側電極端子3a正上方的脆弱的低介電常數絕緣膜2。該應力超過了低介電常數絕緣膜2的破壞應力。因此，在低介電常數絕緣膜2的界面上低介電常數絕緣膜2產生剝離或裂縫。另一方面，在該實施方式I中，如圖4 (b )所示，半導體元件I邊角部附近的第I突起狀電極5a比配置于與半導體元件I的邊角部附近不同的位置上的第2突起狀電極5b更高。由此，包含第I突起狀電極5a在內的接合部的接合間隙A、與包含第2突起狀電極5b在內的接合部的接合間隙B的關系有A> B。因此，半導體元件I邊角部附近的接合部所承受的應力為E X I /A，比以往更小。其結果是，由于半導體元件I邊角部附近的接合部所承受的應力在脆弱的低介電常數絕緣膜2的破壞應力以下，因此能夠在低介電常數絕緣膜2的界面上防止低介電常數絕緣膜2產生剝離或裂縫。如上所述，能夠通過在將半導體元件安裝到電路基板上的工序中，使構成配置于半導體元件與電路基板之間間隙最大的部位上的接合部的突起裝電極的高度、比構成配置于其它部位上的接合部的突起狀電極更高，從而減小脆弱的低介電常數絕緣膜所承受的應力，并確保較高的連接可靠性。(實施方式2)
圖5 (a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式2中的半導體裝置的主要部分的剖視圖。另外，圖5 (b)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式2中的電路基板的主要部分的俯視圖，即從形成有基板側電極端子的主面一側觀察電路基板。作為電路基板10能夠使用例如:玻璃環(huán)氧多層基板、芳族聚酰胺多層基板或者硅基板等。在電路基板10中，例如由A 1-S1-C u等組成的基板側電極端子11被等間隔地設置成矩陣狀。多個基板側電極端子11包含 第I基板側電極端子Ila ;第2基板側電極端子Ilb ;以及第3基板側電極端子11c，該第3基板側電極端子Ilc配置于與該第1、第2基板側電極端子I Ia及Ilb不同的位置上。第I基板側電極端子Ila配置于與安裝在電路基板10上的半導體元件的邊角部相對應的位置。沿著配置有多個基板側電極端子11的區(qū)域的周向，與第I基板側電極端子I Ia相鄰地配置有第2基板側電極端子I Ib。另外，在配置有多個基板側電極端子11的區(qū)域的外側設置有面積比基板側電極端子11大的第I假電極Ild及第2假電極lie。第I假電極Ild的面積比及第2假電極lie大，并且經由布線Ilad與第I基板側電極端子Ila電連接。另外，第2假電極lie經由布線Ilbe與第2基板側電極端子Ilb電連接。例如，也可以使第I基板側電極端子11a、第2基板側電極端子lib、第3基板側電極端子11c、第I假電極lid、第2假電極lie、布線Ilad以及布線Ilbe在同一平面內。第I基板側電極端子11a、第2基板側電極端子lib、第3基板側電極端子11c、第I假電極I IcU第2假電極lie、布線Ilad以及布線Ilbe中的任一個均可以由例如A 1-Cu或Al—S i—Cu 組成。另外，在電路基板10上設置有覆蓋其主面的絕緣膜12。絕緣膜12具有多個開口部，該開口部使第I基板側電極端子11a、第2基板側電極端子lib、第3基板側電極端子11c、第I假電極Ild以及第2 假電極lie均至少露出一部分，且將電路基板10的主面上的布線覆蓋。絕緣膜12例如由S i 3 N 4組成。另外，在第I基板側電極端子11a、第2基板側電極端子lib、第3基板側電極端子11c、第I假電極Ild以及第2假電極lie上分別設有第I突起狀電極13a、第2突起狀電極13b、第3突起狀電極13c、第I假突起狀電極13d以及第2假突起狀電極13e。第I突起狀電極13a、第2突起狀電極13b、第3突起狀電極13c、第I假突起狀電極13d以及第2假突起狀電極13e由經過例如N i —P / A u或N i — A u等焊料浸潤后的金屬組成。另一方面，在半導體元件14的電極面(主面)內側的層設置有多層布線層，該多層布線層包含:由例如Cu或Al組成的細微布線層、以及比例如ULK膜還脆弱的E X t r e me I y I ο w— k膜等低介電常數絕緣膜15，在該多層布線層的最表面上對作為元器件側電極端子的焊料凸點16進行區(qū)域配置使得與電路基板10的基板側電極端子11相對。焊料凸點16例如由S η—Ag、Sn—Ag —Cu、Sn —B i等組成。半導體元件14安裝在電路基板10上，利用焊料使半導體元件14的焊料凸點16與電路基板10的第I突起狀電極11a、第2突起狀電極lib、第3突起狀電極Ilc接合，并電連接或機械連接。另外，在半導體元件14與電路基板10之間填充有密封樹脂17。在該實施方式2中，半導體元件14的焊料凸點16的間距為40 μ m的間距。另外，電路基板10的基板側電極端子11的絕緣膜12的開口部呈直徑為12μ m的圓形。另外，電路基板10的第I假電極Ild的絕緣膜12的開口部呈800 μ m X 800 μ m的正方形，電路基板10的第2假電極Ile的絕緣膜12的開口部呈400 μ m X 400 μ m的正方形。接下來，利用圖6對上述半導體裝置的一個制造方法的例子進行說明。圖6是用于對本發(fā)明的實施方式2中的半導體裝置的制造方法按工序分別進行說明的示意圖。首先，如圖6 ( a )、圖6 ( b )所示，通過非電解鍍金法在電路基板10的第I基板側電極端子11a、第2基板側電極端子lib、第3基板側電極端子11c、第I假電極Ild以及第2假電極Ile上形成第I突起狀電極13a、第2突起狀電極13b、第3突起狀電極13c、第I假突起狀電極13d以及第2假突起狀電極13e。具體而言，在去除電極表面的雜質以后，將電路基板10浸潰于鋅電鍍液中，從而進行將電極材料的A I置換成Z η的置換反應。接下來，在去除Z η核后，再次將電路基板10浸潰于鋅電鍍液中，使更細微的Z η核在電極材料A I上生長。接下來，將電路基板10浸潰于N i 一 P電鍍液中來溶解Z η，并使N i 一P皮膜在電極材料A I上生長。此后,將電路基板10浸潰于非電解電鍍液中并使A u皮膜在N i 一P皮膜上生長。由此，形成了由非電解電鍍金屬組成的突起狀電極。在該工序中，如圖5 (b)所示，由于第I假電極Ild的面積比第2假電極Ile的面積大，因此在與第I模擬電解Ild電連接的第I基板側電極端子Ila中進行的電鍍的生長速度比在與第2模擬電解Ile電連接的第2基板側電極端子Ilb中更快。另外，由于第2假電極Ile的面積比基板側電極端子11的面積大，因此在第2基板側電極端子Ilb中進行的電鍍的生長速度比在未與第1、第2假電極Ild及Ile電連接的第3基板側電極端子Ilc中更快。其結果是，如圖6(b)所示，突起狀電極的高度按第3突起狀電極13c、第2突起狀電極13b、第I突起狀電極13a的順序依次變高。如上所述，在該實施方式2所涉及的半導體裝置的制作方法中，與前述的實施方式I相同，使用非電解電鍍法通過假電極的面積對電子的交換進行控制。在該實施方式2中，第I突起狀電極13a、第2突起狀電極13b以及第3突起狀電極13c的高度分別為10 μm,9 μ m,8 μ m。這樣,在該實施方式2中，使配置于與半導體元件14邊角部相對應的位置上的第I突起狀電極13a、以及與第I突起狀電極13a相鄰的第2突起狀電極13b的高度，比配置于與第I突起狀電極13a及第2突起狀電極13b不同的位置上的第3突起狀電極13c更高。另外，第I假突起狀電極13d的面積是第I突起狀電極13a的面積(從高度方向看第I突起狀電極13a時的投影面積)的10000倍以上，第2假突起狀電極13e的面積是第2突起狀電極13b的面積(從高度方向看第2突起狀電極13b時的投影面積)的100倍以上。接下來，如圖6(c)所示，提供密封樹脂17以將電路基板10上的第I突起狀電極13a、第2突起狀電極13b以及第3突起狀電極13c覆蓋。例如，將NCF (非導電性薄膜)粘貼于電路基板10上，或利用涂布將NCP (非導電糊料)提供給電路基板10即可。接下來，如圖6(d)所示，將半導體元件14與電路基板10的位置對準使得電路基板10的第I突起狀電極13a、第2突起狀電極13b以及第3突起狀電極13c與半導體元件14的焊料凸點16相對。此后，對半導體元件14進行加熱的同時對電路基板10施加壓力，從而將半導體元件14裝載到電路基板10上。此時，以焊料熔點以上的溫度對焊料凸點16進行加熱。因此，焊料凸點16熔融，并且焊料凸點16與第I突起狀電極13a、第2突起狀電極13b以及第3突起狀電極13c接合。此后，密封樹脂17的硬化反應開始。為了使密封樹脂17的硬化反應徹底結束，也可以再將密封樹脂17放在回流爐中加熱。
在該實施方式2中，低介電常數絕緣膜比前述的實施方式I更脆弱，且元器件側電極端子(焊料凸點16)間的間距也更窄。因此，如果所有突起狀電極的高度相等，則由于在將半導體元件14安裝到電路基板10的步驟中的冷卻過程中，半導體元件14與電路基板10的彈性率及線膨脹系數不同，從而不僅使半導體元件14邊角部的接合部所承受的應力，還使得與該邊角部的接合部相鄰的接合部所承受的應力的大小也超過脆弱的低介電常數絕緣膜15的破壞強度。因此，在低介電常數絕緣膜15的界面上低介電常數絕緣膜15產生剝離或裂縫。與此相對，根據該實施方式2，突起狀電極的高度按第3突起狀電極13c、與半導體元件I邊角部相鄰的第2突起狀電極13b、位于半導體元件I邊角部的第I突起狀電極13a的順序依次變高。由此,半導體元件I邊角部的接合部與以往相比,在與該邊角部的接合部相鄰的接合部上，在冷卻過程中所承受的應力有所緩和。由此，即使在對具有脆弱的低介電常數絕緣膜且電極端子間間距狹窄的半導體元件進行倒裝安裝的情況下，也能夠防止低介電常數絕緣膜產生剝離或裂縫。通過截面研究，對上面說明的半導體裝置進行了截面解析，其結果是，能夠確認半導體元件與電路基板的間隔在半導體元件的邊角部最大，并且脆弱的低介電常數絕緣膜沒有發(fā)生剝離及裂縫。另外，對半導體裝置進行溫度周期測試(I個周期:一 45°C、85°C、各30分鐘)的結果為:1000個周期后能夠確保連接電阻的穩(wěn)定。如上所述，對與上述的實施方式I相比電極端子間間距狹窄且低介電常數絕緣膜脆弱的半導體元件進行安裝倒裝芯片，即使再此情況下，通過階段性地改變突起狀電極的高度，從而能夠將低介電常數絕緣膜所承受的應力減小、并確保較高的連接可靠性。此外，這里，對將突起狀電極的高度設定成3個階段的情況進行了說明，但是也可以設定成3個階段以上。通過將突起狀電極的高度設定成3個階段以上，從而能夠適用于更加脆弱的元件、以及翹曲更大的基板。另外，這里，對將突起狀電極的高度設定成3個階段的情況進行了說明，與上述的實施方式I相同，也可以僅使設置在基板上的突起狀電極中的與半導體元件的邊角部相對應的突起狀電極比其它突起狀電極更高。與此相反的，在上述的實施方式I中，與該實施方式2相同，也可以將設置在半導體元件上的突起狀電極的高度設定成3個階段以上。(實施方式3)圖7(a)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式3中的電子元件的主要部分的剖視圖。圖7(b)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式3中的電子元件的主要部分的俯視圖，即從形成有元器件側電極端子的主面(電極面)一側觀察半導體元件。圖7(c)是示意性地表示本發(fā)明的實施方式3中的半導體裝置的主要部分的剖視圖。此外，與在上述實施方式I中說明了的構件相對應的構件對其賦予相同的符號，并適當省略對其的說明。如圖7 (a)、圖7 (b)所示，在半導體元件I電極面內側的層設置有多層布線層，該多層布線層包含:例如由Cu或Al組成的細微布線層以及例如ULK膜等脆弱的低介電常數絕緣膜2，在該多層布線層的最表面上以40μ m的間距等間隔地對多個元器件側電極端子3進行區(qū)域配置。多個元器件側電極端子3包含:第I元器件側電極端子3a ;第2元器件側電極端子3b，該第2元器件側電極端子3b配置于與第I元器件側電極端子3a不同的位置上。在該實施方式3中，第I元器件側電極端子3a不僅位于與半導體元件I的邊角部相對應的位置上，還配置于配置有多個元器件側電極端子3的區(qū)域的中央部。另外，在配置有多個元器件側電極端子3的區(qū)域的外側設置有焊盤18，并通過布線19將第I元器件側電極端子3a與焊盤18連接使其導通。另外，在半導體元件I上設置有覆蓋其電極面的絕緣膜4。絕緣膜4將與元器件側電極端子3位于同一平面內的布線以及焊盤18覆蓋，且具有多個開口部，該開口部使各元器件側電極端子3的中央部露出。絕緣膜4例如由S i 3N4組成。在未由元器件側電極端子3的絕緣膜4覆蓋的區(qū)域上設置有稱作U B M的突起狀電極5。突起狀電極5由形成在第I元器件側電極端子3a上的第I突起狀電極5a、以及形成在第2元器件側電極端子3b上的第2突起狀電極5b組成。第I突起狀電極5a及第2突起狀電極5b通過非電解電鍍法形成，突起從第I突起狀電極5a電極表面的高度比從第2突起狀電極5b電極表面的聞度更聞。另一方面，在與半導體兀件I的電極面相反的一面上設置有假電極20。在該實施方式3中，設置有3 mm X 3 mm的正方形的假電極20。該假電極20通過貫穿孔21與焊盤18電連接。貫穿孔21由電鍍金屬填充。焊盤18與假電極20由例如N i —P / Au皮膜組成。N i —P / A u例如通過非電解電鍍法形成。填充貫穿孔21的電鍍金屬由例如Cu組成。在焊盤18、假電極20以及貫穿孔21的界面上可以設置例如由T i或W等組成的片層。另外，由圖7 (C)所示，安裝半導體元件I的電路基板6在其主面上具有配置成使得分別與半導體元件I的突起狀電極相對的基板側電極端子。作為電路基板6能夠使用例如:玻璃環(huán)氧多層基板、芳族聚酰胺多層基板或者硅基板等。半導體元件I的突起狀電極與電路基板6的基板側電極端子由焊料接合并電導通，半導體元件I與電路基板6之間注入有密封樹脂9。根據該實施方式3，為了使假電極20與元器件側電極端子不在同一面內，可以使半導體元件I的面積比上述的實施方式I更小。另外，由于位于半導體元件I的邊角部的突起狀電極5a比未與假電極20電連接的突起狀電極5b更高，因此與上述的實施方式I相同，能夠防止脆弱的低介電常數絕緣膜發(fā)生剝離及破壞。另外，由于假電極20設置于與半導體元件I的電極面相反一側的面上，因此能夠將假電極20與散熱板、散熱片等散熱源連接。在半導體元件的電極端子間間距狹窄的情況下，由于接合部的截面積微小，因此增加了來自接合部的發(fā)熱量。另外，若半導體元件的電極端子間間距狹窄，則來自接合部的散熱性將惡化。特別是，位于配置有多個元器件側電極端子的區(qū)域的中央部的接合部的散熱性將惡化。與此相對，在該實施方式3中，由于與假電極20電連接的元器件側電極端子3a也設置于配置有多個元器件側電極端子的區(qū)域的中央部，因此如果將假電極20與散熱源連接，則可以散去不易散去的中央部上的熱。因此，即使在微小的接合部的截面積流過大電流的情況下也能進行散熱。這是由于，該實施方式3中的半導體元件對電極端子間距正趨于狹窄化的半導體元件是有用的。另外，由于突起狀電極通過非電解電鍍法形成，因此與假電極20電連接的突起狀電極5a不僅高度直徑也比未與假電極20電連接的突起狀電極5b更大。在該實施方式3中，第I突起狀電極5a的高度為12μ m、平均直徑為29μ m，與此相對，第2突起狀電極5b的高度為10 μ m、平均直徑為25 μ m，第I突起狀電極5a與第2突起狀電極5b相比，高度高2 μ m、平均直徑長4 μ m。因此，如果將假電極20與供電源連接，則能夠使流過大電流的供電端子的直徑比非供電端子的其它突起狀電極更大。由此，可以防止電遷移等問題。如上所述，根據該實施方式3，能夠不增大半導體元件的面積及半導體封裝，并將脆弱的低介電常數絕緣膜所承受的應力減小，以確保較高的連接可靠性。(實施方式4)圖8 ( a ) 圖8 ( d )是示意性地表示本發(fā)明的實施方式4中的電子元件的主要部分的俯視圖，即，從未形成有元器件側電極端子的主面(電極面)一側觀察半導體元件。此夕卜，與在上述實施方式I中說明了的構件相對應的構件對其賦予相同的符號，并適當省略對其說明。如圖8 U) 圖8 (d)所示，也可以使與第I突起狀電極5a電連接的假突起狀電極5c具有起到位置校正用識別標記的作用的形狀，該位置校正用識別標記在安裝倒裝芯片時由圖像識別攝像頭拍攝得到。此外，在該實施方式4中，與上述的實施方式I相同，在配置有多個元器件側電極端子3的區(qū)域的外側設置面積相同的一種假突起狀電極5c，并對此情況進行了說明，如實施方式2中說明的那樣，在設置面積互異的多種假突起狀電極的情況下，能夠使多種假突起狀電極中的至少一些具有識別標記的作用。在上面的各個實施方式中，作為電子元器件以半導體元件為例進行了說明，但不局限于此，例如，在將電極端子間間距狹窄的電容器、電感、電阻等電子元器件安裝到基板上的情況下同樣也能夠實施。工業(yè)上的實用性本發(fā)明所涉及的電子元器件安裝體、電子元器件以及基板能夠提高電子元器件與基板的連接可靠性，并且在將電子端子趨于窄距化的半導體元件、具有由低介電常數材料等組成的層間絕緣膜的半導體元件等半導體元件安裝到基板上的安裝領域中特別有效。
權利要求
1.一種電子元器件安裝體，在基板上安裝有包括多個元器件側電極端子的電子元器件，該基板包括與所述多個元器件側電極端子相對應的多個基板側電極端子，該電子元器件安裝體的特征在于，包括: 多個突起狀電極，該多個突起狀電極分別形成于所述電子元器件的所述多個元器件側電極端子上且與所述電子元器件及所述基板電連接；以及 假電極，該假電極形成于所述電子元器件上且與所述多個元器件側電極端子中的預定位置上的元器件側電極端子電連接， 與所述假電極電連接的所述預定位置上的元器件側電極端子上的所述突起狀電極比與所述預定位置不同的位置上的元器件側電極端子上的所述突起狀電極更高。
2.按權利要求1所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極與所述多個元器件側電極端子中的配置于與所述電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。
3.按權利要求1所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極包含面積互不相同的多種假電極， 進行電連接的假電極的面積越大，與所述假電極電連接的元器件側電極端子上的所述突起狀電極的高度越高。
4.按權利要求3所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極包含: 第I假電極，該第I假電極與 第I元器件側電極端子電連接，該第I元器件側電極端子配置在與所述電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及 第2假電極，該第2假電極的面積比所述第I假電極小，并且與第2元器件側電極端子電連接，該第2元器件側電極端子與所述第I元器件側電極端子相鄰， 所述第I元器件側電極端子上的所述突起狀電極比所述第2元器件側電極端子上的所述突起狀電極更高。
5.按權利要求1所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極形成于所述電子元器件的與配置有所述多個元器件側電極端子的面不同的面上。
6.按權利要求5所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極與所述多個元器件側電極端子中的配置于與所述電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。
7.按權利要求6所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述多個元器件側電極端子配置成矩陣狀，所述假電極與配置有所述多個元器件側電極端子的區(qū)域的中央部上的元器件側電極端子電連接。
8.按權利要求5所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極與電源端子連接。
9.按權利要求5所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極與散熱源連接。
10.按權利要求1所述的電子元器件安裝體，特征在于， 所述假電極形成于配置有所述多個元器件側電極端子的面上且具有起到位置校正用識別標記的作用的形狀。
11.一種電子元器件安裝體，在基板上安裝有包括多個元器件側電極端子的電子元器件，該基板包括與所述多個元器件側電極端子相對應的多個基板側電極端子，該電子元器件安裝體的特征在于，包括: 多個突起狀電極，該多個突起狀電極分別形成于所述基板的所述多個基板側電極端子上且與所述電子元器件及所述基板電連接；以及 假電極，該假電極形成于所述基板上且與所述多個基板側電極端子中的預定位置上的基板側電極端子電連接， 與所述假電極電連接的所述預定位置上的基板側電極端子上的所述突起狀電極比與所述預定位置不同的位置上的基板側電極端子上的所述突起狀電極更高。
12.按權利要求11所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極與所述多個基板側電極端子中的配置于與所述電子元器件的邊角部相對應的位置上的基板側電極端子電連接。
13.按權利要求11所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極包含面積互不相同的多種假電極， 進行電連接的假電極的面積越大，與所述假電極電連接的基板側電極端子上的所述突起狀電極的高度越高。
14.按權利要求13所述的電子元器件安裝體，其特征在于， 所述假電極包含: 第I假電極，該第I假電極與第I基板側電極端子電連接，該第I基板側電極端子配置在與所述電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及 第2假電極，該第2假電極的面積比所述第I假電極小，并且與第2基板側電極端子電連接，該第2基板側電極端子與所述第I基板側電極端子相鄰， 所述第I基板側電極端子上的所述突起狀電極比所述第2基板側電極端子上的所述突起狀電極更高。
15.一種電子元器件，其特征在于，包括: 多個元器件側電極端子； 假電極，該假電極與所述多個元器件側電極端子中的預定位置上的元器件側電極端子電連接；以及 多個突起狀電極，該多個突起狀電極分別形成于所述多個元器件側電極端子上， 與所述假電極電連接的所述預定位置上的元器件側電極端子上的所述突起狀電極比與所述預定位置不同的位置上的元器件側電極端子上的所述突起狀電極更高。
16.按權利要求15所述的電子元器件，其特征在于， 所述假電極與所述多個元器件側電極端子中的配置于與該電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。
17.按權利要求15所述的電子元器件，其特征在于， 所述假電極包含面積互不相同的多種假電極， 進行電連接的假電極的面積越大， 與所述假電極電連接的元器件側電極端子上的所述突起狀電極的高度越高。
18.按權利要求17所述的電子元器件，其特征在于， 所述假電極包含: 第I假電極，該第I假電極與第I元器件側電極端子電連接，該第I元器件側電極端子配置在與該電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及 第2假電極，該第2假電極的面積比所述第I假電極小，并且與第2元器件側電極端子電連接，該第2元器件側電極端子與所述第I元器件側電極端子相鄰， 所述第I元器件側電極端子上的所述突起狀電極比所述第2元器件側電極端子上的所述突起狀電極更高。
19.按權利要求15所述的電子元器件，其特征在于， 所述假電極形成于與配置有所述多個元器件側電極端子的面不同的面上。
20.按權利要求19所述的電子元器件，其特征在于， 所述假電極與所述多個元器件側電極端子中的配置于與該電子元器件的邊角部相對應的位置上的元器件側電極端子電連接。
21.按權利要求20所述的電子元器件，其特征在于， 所述多個元器件側電極端子配置成矩陣狀，所述假電極與配置有所述多個元器件側電極端子的區(qū)域的中央部上的元器件側電極端子電連接。
22.按權利要求15所述的電子元器件，其特征在于， 所述假電極形成于配置有所述多個元器件側電極端子的面上且具有起到位置校正用識別標記的作用的形狀。
23.一種基板，其特征在于，包括: 多個基板側電極端子； 假電極，該假電極與所述多個基板側電極端子中的預定位置上的基板側電極端子電連接；以及 多個突起狀電極，該多個突起狀電極分別形成于所述多個基板側電極端子上， 與所述假電極電連接的所述預定位置上的基板側電極端子上的所述突起狀電極比與所述預定位置不同的位置上的基板側電極端子上的所述突起狀電極更高。
24.按權利要求23所述的基板，其特征在于， 所述假電極與所述多個基板側電極端子中的配置于與在該基板上安裝著的電子元器件的邊角部相對應的位置上的基板側電極端子電連接。
25.按權利要求23所述的基板，其特征在于， 所述假電極包含面積互不相同的多種假電極， 進行電連接的假電極的面積越大，與所述假電極電連接的基板側電極端子上的所述突起狀電極的高度越高。
26.按權利要求25所述的基板，其特征在于， 所述假電極包含: 第I假電極，該第I假電極與第I基板側電極端子電連接，該第I基板側電極端子配置于與安裝在該基板上的電子元器件的邊角部相對應的位置上；以及 第2假電極，該第2假電極的面積比所述第I假電極小，并且與第2基板側電極端子電連接，該第2基板側電極端子與所述第I基板側電極端子相鄰，所述第I基板側電極端子上的所述突起狀電極比所述第2基板側電極端子上的所述突起狀電極更 高。
全文摘要
本發(fā)明提供的電子元器件安裝體，在基板(6)上安裝有包括多個元器件側電極端子(3a，3b)的電子元器件(1)，該基板包括與多個元器件側電極端子(3a，3b)相對應的多個基板側電極端子(7a，7b)，其特征在于，包括多個突起狀電極(5a，5b)，該突起狀電極分別形成于電子元器件(1)的多個元器件側電極端子(3a，3b)上且與電子元器件(1)及基板(6)電連接；假電極(3c)，該假電極形成于電子元器件(1)上且與多個元器件側電極端子(3a，3b)中的預定位置上的元器件側電極端子(3a)電連接，與假電極(3c)電連接的預定位置上的元器件側電極端子(3a)上的突起狀電極(5a)比與上述預定位置不同的位置上的元器件側電極端子(3b)上的突起狀電極(5b)更高。
文檔編號H01L23/12GK103098191SQ20118002914
公開日2013年5月8日 申請日期2011年9月22日 優(yōu)先權日2010年12月1日
發(fā)明者櫻井大輔, 后川和也 申請人:松下電器產業(yè)株式會社