專利名稱：光電子器件的制作方法
光電子器件技術領域
本發(fā)明提出一種光電子器件。
背景技術：
文獻W02004/077558A1說明了一種光電子器件。發(fā)明內容
待實現(xiàn)的目的在于，提出一種光電子器件，所述光電子器件是尤其緊湊的。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，所述光電子器件包括電路板。所述電路板例如包括用電絕緣的材料制成的基體。帶狀導線和電連接部位在基體上和/或在基體中結構化，所述帶狀導線和電連接部位用于電接觸光電子器件的施加到電路板上的組件。
電路板例如包括用塑料材料制成的基體。在此，基體能夠由塑料材料制成。電路板例如是一種印刷電路板(PCB-Printed Circuit Board)。
電路板包括例如由電路板的第一主面構成的上側。此外，電路板包括背離于上側的下側。電路板在其上側處具有芯片連接區(qū)域。芯片連接區(qū)域例如為電路板的金屬化區(qū)域， 在所述金屬化區(qū)域上例如固定有光電子半導體芯片，并且能夠將其導電地連接。在此，電路板在其上側處也能夠具有兩個或多個同類地構造的芯片連接區(qū)域。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，光電子器件包括光電子半導體芯片，所述光電子半導體芯片固定在芯片連接區(qū)域上。光電子半導體芯片例如能夠焊接或粘貼在芯片連接區(qū)域上。所述光電子半導體芯片例如為接收輻射的光電子半導體芯片或者為發(fā)射輻射的光電子半導體芯片。所述光電子半導體芯片例如為發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片在工作時適用于產生來自紅外區(qū)域、用于可見光的光譜區(qū)域和/或UV輻射的光譜區(qū)域的電磁輻射。器件也能夠包括兩個或多個光電子半導體芯片，其中，每個光電子半導體芯片固定在芯片連接區(qū)域上。
光電子半導體芯片優(yōu)選為表面福射器。也就是說，光電子半導體芯片將發(fā)射的電磁輻射絕大部分地或完全地通過主面例如在光電子半導體芯片的上側處發(fā)出。那么，通過光電子半導體芯片的側面幾乎或完全不發(fā)射電磁輻射。為此，光電子半導體芯片優(yōu)選構成為薄膜發(fā)光二極管芯片。
薄膜發(fā)光二極管芯片的特征優(yōu)選在于下述特性特征中的至少一個
-在產生輻射的尤其是外延層序列的半導體層序列的朝向特別是支承襯底的支承元件的主面上施加或構造有反射層，所述反射層將在半導體層序列中產生的電磁輻射中的至少一部分反射回所述半導體層序列中。
-薄膜發(fā)光二極管芯片具有支承元件，所述支承元件不是外延生長有半導體層序列的生長襯底，而是事后固定在半導體層序列上的、單獨的支承元件；
-半導體層序列具有在20μπι或更小的范圍內的、尤其在ΙΟμπι或更小的范圍內的厚度。
-半導體層序列不具有生長襯底。當前，“不具有生長襯底”意味著在必要時將用于生長的生長襯底從半導體層序列移除，或至少使其變得很薄。尤其是使其變薄到使得生長襯底自身或連同外延層序列一起不能單獨自承。變得很薄的生長襯底的殘留的剩余部分自身尤其不適于生長襯底的功能；以及
-半導體層序列包括至少一個半導體層，所述半導體層具有至少一個面，所述面具有在理想情況下造成光在半導體層序列中的近似遍歷分布的混合結構，也就是說，所述混合結構具有盡可能遍歷地隨機的散射特性。
薄膜發(fā)光二極管芯片非常近似于朗伯特(Lambet’sch)表面輻射器，并且因此例如良好的適用于應用在前照燈、例如汽車前照燈中。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，器件包括殼體，所述殼體在電路板上的上側處固定在電路板上。殼體例如能夠借助于膠粘劑在電路板的上側處固定在電路板上。此外，可能的是，將殼體不利用粘合劑固定在電路板上。為此，殼體例如能夠借助于注塑法或壓鑄法噴射到或擠壓到電路板的上側處。例如能夠在殼體的材料硬化時進行在殼體和電路板之間的機械連接。
殼體具有反射區(qū)域。反射區(qū)域設計為用于反射由光電子半導體芯片在工作時產生的電磁輻射或反射待由光電子半導體芯片在工作時探測到的電磁輻射。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，反射區(qū)域包括在殼體中的開口，在所述開口中設置有光電子半導體芯片。在此，開口優(yōu)選從殼體的背離電路板的上側延伸至殼體的朝向電路板的下側。這意味著，在開口中，具有芯片連接區(qū)域的電路板露出。以這種方式， 殼體至少局部地圍繞在開口的區(qū)域中的光電子半導體芯片。殼體的在開口中的朝向光電子半導體芯片的側面形成反射區(qū)域的反射輻射的面，即反射面，并且為此例如能夠適當?shù)乇桓矊?。如果器件具有兩個或多個光電子半導體芯片，那么在開口中能夠設置有兩個或多個光電子半導體芯片。因此此外還可能的是，反射區(qū)域包括兩個或多個開口，并且在每個開口中設置有剛好一個光電子半導體芯片。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，光電子半導體芯片嵌入澆注料中，所述澆注料顯現(xiàn)出白色、黑色或彩色，其中，光電子半導體芯片的背離芯片連接區(qū)域的表面至少局部不具有澆注料。澆注料尤其能夠具有殼體的外表面的顏色。
澆注料能夠構造為可被輻射穿透的。澆注料例如構造為反射的。為此，澆注料例如能夠包括由硅酮和/或環(huán)氧化物制成的基質材料，所述基質材料由反射顆粒、例如由氧化鈦構成的反射顆粒填充。
此外，可能的是，顆粒由ZrOjQ成或至少包含ZrO2。如果半導體芯片發(fā)射藍光或紫外光，那么ZrO2在這類波長范圍內具有特別小的吸收特性。換言之，在所述情況下，由澆注料反射更大部分的電磁輻射。
總體上可能的是，反射輻射的顆粒至少由材料Ti02、BaS04、Zn0、Alx0y、Zr02中的一種構成或包含上述材料中的一種。因此，澆注料例如顯現(xiàn)為白色。
此外可能的是，用吸收輻射的顆粒，例如由炭黑構成的顆粒填充澆注料，以至于澆注料顯現(xiàn)出黑色。
光電子半導體芯片優(yōu)選是表面發(fā)射器，所述表面發(fā)射器例如構成為薄膜發(fā)光二極管芯片。因此也就是說，光電子半導體芯片尤其不是體積發(fā)射器。也就是說，在這種情況下5幾乎不產生穿過半導體芯片的側面的電磁輻射。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，殼體由塑料材料制成。塑料材料優(yōu)選為特別熱穩(wěn)定的塑料材料，所述塑料材料優(yōu)選為可熔化加工的。為此，殼體例如由聚苯硫醚 (PPS)構成。因此，電路板的基體能夠由相同的塑料材料或由具有類似的熱膨脹系數(shù)的塑料材料制成。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，將殼體在反射區(qū)域中至少局部地金屬化。 也就是說，基體的例如在殼體中的開口中的部分至少局部地由金屬層覆蓋。反射區(qū)域的反射面例如能夠由殼體的金屬化區(qū)域構成。那么，將殼體例如僅在反射區(qū)域的開口中金屬化， 殼體的其他部分不具有金屬化部。然而，還可能的是，將殼體的整個暴露的外表面金屬化。 光電子器件的這樣的實施形式可特別簡單地制成。
殼體的金屬化部例如能夠借助于熱蒸發(fā)施加到殼體的塑料材料上。在此施加到殼體上的金屬根據(jù)由光電子半導體芯片在工作時探測到的或發(fā)射的電磁輻射選擇。例如，金適用于具有SOOnm或更長的波長的紅外輻射。具有銀或鋁的金屬化部尤其適用于可見范圍。金屬化部的金屬優(yōu)選直接施加到殼體上。在使用易于腐蝕和擴散的金屬時，將鈍化層在金屬化部的背離殼體的側上施加到金屬部上，所述鈍化層構造為可被輻射穿透的，并且優(yōu)選構造為對于待反射的輻射是透明的。鈍化層例如能夠由氧化硅和/或氮化硅構成。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，器件包括具有帶有芯片連接區(qū)域的上側的電路板、固定在芯片連接區(qū)域上的光電子半導體芯片、在電路板的上側處固定在電路板上的且具有反射區(qū)域的殼體，其中，反射區(qū)域包括在殼體中的開口，在所述開口中設置有光電子半導體芯片，并且殼體由塑料材料制成，所述塑料材料在反射區(qū)域中至少局部地被金屬化。
在此，這里說明的光電子器件還基于下述思想
在不超過光電子器件的預先給出的總厚度的情況下，使用例如為印刷電路板的薄的電路板能夠為相對厚的殼體基體留下空間。因此，在器件的結構聞度總體上不提聞太多的情況下，例如包括殼體基體中的完全穿過該殼體的開口的反射區(qū)域在光電子半導體芯片上方構造為特別地高。由此，由于最高20°的特別小的輻射角，能夠在盡管緊湊的結構中實現(xiàn)輻射錐。
通過反射區(qū)域的構造，也減少了相同的結構形式的相鄰的發(fā)射輻射的光電子器件的所謂“串擾”的問題，因為彼此相鄰地設置的光電子器件將輻射引導為，使得所述輻射不能夠射到相鄰地設置的光電子器件的半導體芯片上，并且進而也不能夠由所述器件吸收或散射。
使用由塑料材料構成的且能夠通過注塑法或壓鑄法制成的殼體允許反射區(qū)域的特別簡單的并且非常適合的制造。在此，反射區(qū)域，尤其是反射區(qū)域的開口，能夠構造為特別地小，以至于朝向光電子半導體芯片的反射開口的面積在光電子半導體芯片的外表面的面積的數(shù)量級內。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，電路板在其上側處具有與芯片連接區(qū)域間隔開的導線連接區(qū)域。也就是說，導線連接區(qū)域和芯片連接區(qū)域兩者都設置在電路板的上側處，例如借助于電路板的基體彼此電絕緣，并且彼此間隔開地設置在電路板的上側處。此外，殼體具有導線區(qū)域，所述導線區(qū)域包括在殼體中的開口。在此，導線區(qū)域與反射區(qū)域間隔開。也就是說，例如，反射區(qū)域和導線區(qū)域不包括在殼體中的相同的開口，而是在殼體中構造有完全穿過殼體的、至少兩個開口，其中，第一開口配屬于反射區(qū)域，并且第二開口配屬于導線區(qū)域。那么，在第二開口中，也就是說在導線區(qū)域中設置有電路板的導線連接區(qū)域。因此，開口構成在殼體中的缺口，在所述缺口處至少在電路板上側處的導線連接區(qū)域露出。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，光電子器件包括連接導線，所述連接導線固定在光電子半導體芯片上和導線連接區(qū)域上。通過連接導線，光電子半導體芯片例如在 η側電接觸。在此，連接導線通過凹槽在殼體中被引導，所述凹槽將反射區(qū)域和導線區(qū)域彼此連接。凹槽例如構成為殼體材料中的通道或溝槽，所述通道或溝槽從反射區(qū)域延伸至導線區(qū)域。在此，電路板在凹槽的底面上能夠局部地露出。在這種情況下，凹槽例如是在殼體中的缺口。但是還可能的是，不將在凹槽的區(qū)域中的殼體完全地移除，以至于凹槽的底面由殼體的材料構成。在任何情況下，連接導線通過凹槽在反射區(qū)域和導線區(qū)域之間被引導，使得連接導線不伸出殼體的背離電路板的上側。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，殼體在電路板的上側處完全覆蓋除了反射區(qū)域和如果存在的話除了導線區(qū)域和凹槽以外的電路板。也就是說，電路板的上側由殼體覆蓋，并且電路板除了上述區(qū)域以外不能從外部接近和/或不可見。
根據(jù)殼體的至少一個實施形式，殼體的至少一個側面至少局部地與電路板的至少一個側面齊平。例如可能的是，殼體的和電路板的所有側面彼此齊平。
根據(jù)至少一個實施形式，殼體的基面具有與電路板的基面相同的形狀，和/或殼體的基面具有與電路板的基面相同的尺寸。如果電路板例如構造為矩形或正方形，那么殼體是直角平行六面體。因此，電路板的和殼體的側面能夠彼此齊平。因此，光電子器件總體上具有直角平行六面體的形狀，其中，下側由電路板構成。在直角平行六面體的背離下側的上側處存在有至少一個在反射區(qū)域中的開口。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，反射區(qū)域包括靠近芯片的反射開口和遠離芯片的反射開口。在此，例如配屬于反射區(qū)域的開口從遠離芯片的反射開口朝向靠近芯片的反射開口逐漸變窄。尤其也就是說，遠離芯片的反射開口具有比靠近芯片的反射開口更大的面積。反射區(qū)域的至少一個反射面將靠近芯片的反射開口和遠離芯片的反射開口彼此連接。反射面例如由在開口內的光電子器件的金屬化的殼體構成。也就是說，反射面由殼體的至少局部金屬化的部分構成。在此，尤其可能的是，殼體僅在反射面的區(qū)域中被金屬化， 以至于需要特別少的用于形成金屬化部的金屬。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，靠近芯片的反射開口具有的面積最大為光電子半導體芯片的背離電路板的主面的面積的四倍。半導體芯片的主面例如為其覆蓋面。 因此，在發(fā)射輻射的光電子半導體芯片中的輻射發(fā)射例如能夠絕大部分地穿過所述主面進行。通過光電子器件的導線連接區(qū)域與芯片連接區(qū)域間隔開地設置并且進而殼體的導線區(qū)域與反射開口間隔開地設置，能夠實現(xiàn)這樣的特別小的靠近芯片的反射開口。以這種方式， 反射開口能夠選擇為特別小的，并且必須僅根據(jù)其光學的特性確定尺寸。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，電路板具有背離上側的下側，其中，在電路板的下側處構造有器件連接區(qū)域。通過所述器件連接區(qū)域能夠對光電子器件進行表面裝配。
根據(jù)光電子器件的至少一個實施形式，光電子器件具有最高1_的厚度，其中，電路板具有最高O. 35mm的厚度，并且殼體具有最高O. 65mm的厚度。光電子器件的這樣小的厚度尤其能夠通過使用具有由塑料制成的基體和能夠借助于注塑法或壓鑄法制造的殼體的電路板實現(xiàn)。使用具有由塑料制成的基體的電路板能夠實現(xiàn)特別薄的電路板。所述制造方法允許殼體的和尤其是反射區(qū)域的尤其合適的制造。


下面借助于實施例和相應的附圖詳細闡述在此說明的光電子器件。
圖1A、1B、1C、1D、1E、1F和IG在此示出這里說明的光電子器件的實施例的不同的示意圖。
圖2示出由器件在工作時射出的電磁輻射的相對強度E相關于輻射半角α的圖解視圖。
在附圖中，相同的、同類的或起相同作用的元件設有相同的附圖標記。在附圖中示出的元件彼此間的附圖和尺寸關系不視為是合乎比例的。相反，為了更好的示出和/或更好的理解可以夸大地示出各個元件。
具體實施方式
圖IA示出在此說明的光電子器件的實施例的示意立體圖。光電子器件包括電路板1，所述電路板當前例如具有基體11 (對此例如參見圖1C)，所述基體由塑料制成。在電路板I的上側Ia處設置有殼體3。電路板I的側面Ic和殼體3的側面3c分別彼此齊平。
電路板I和殼體3具有相同形狀的和相同尺寸的矩形基面。光電子器件總體上具有直角平行六面體形狀，其中，直角平行六面體的下側由電路板I構成。
在殼體3的上側3a處，朝向電路板I構造有兩個開口 31、33和凹槽34。
反射區(qū)域30包括第一開口 31。第一開口 31從殼體3的上側3a延伸至電路板I 的上側la，以至于電路板I的上側Ia在開口 31的區(qū)域中局部地露出。在那里，電路板I包括芯片連接區(qū)域10。光電子半導體芯片2，例如發(fā)光二極管芯片，固定并且電連接在芯片連接區(qū)域10上。
反射面30c圍繞光電子半導體芯片2延伸。反射面例如由在開口 31的區(qū)域中的殼體3構成，所述殼體在那里至少用金屬層5 (對此例如參見圖IC的剖視圖)覆層。如果需要，能夠將金屬層5的背離殼體3的側用鈍化層6覆蓋，所述鈍化層構造為可被輻射穿透的，優(yōu)選為透明的。
在傾斜于電路板I的上側Ia延伸的反射面30c上能夠連接有環(huán)狀部30d，所述環(huán)狀部在電路板上側Ia上垂直于或基本上垂直于電路板I延伸(對此參見圖IE的示意的、立體剖視圖)。在所述環(huán)狀部的區(qū)域中，基體3能夠不具有金屬層5。例如可能的是，為了調節(jié)輻射特性，基體3構造為在所述區(qū)域中可吸收由光電子半導體芯片在工作時產生的電磁輻射。然而還可能的是，在環(huán)狀部的區(qū)域中，將金屬層5施加到基體3上。環(huán)狀部30d具有最大為與光電子半導體芯片的高度相當?shù)母叨取?br> 殼體3具有第二開口 33，所述第二開口由導線區(qū)域32包括。在開口 33中，電路板 I的具有導線連接區(qū)域的上側Ia露出。
連接導線4從光電子半導體芯片2引導至導線連接區(qū)域12，并且固定在光電子半導體芯片2和導線連接區(qū)域12上，以用于將光電子半導體芯片2電接觸。
在此，連接導線4通過凹槽34被引導，在所述凹槽中反射面30c局部地貫通。在凹槽34的底面34a (參見圖IB的示意俯視圖)上，電路板I的上側Ia能夠露出。在此，可能的是，電路板I在其上側Ia處，在導線區(qū)域34中和在凹槽34的底面34a的區(qū)域中構造為吸收輻射的，例如構造為黑色的，以便避免在上述區(qū)域中的干擾的反射。相反，電路板I 能夠在其上側Ia處在反射區(qū)域30中反射地被覆層。例如在那里能夠引入用氧化鈦填充的硅酮澆注料，所述硅酮澆注料也能夠覆蓋環(huán)狀部30d。
由反射區(qū)域30包括的開口 31能夠用可被輻射穿透的澆注材料填充，所述澆注材料直至基體3的上側3a或超出基體3的上側3a。凹槽34和由導線區(qū)域32包括的開口 33 能夠用澆注材料覆蓋，所述澆注材料例如具有與基體3的上側3a相同的顏色，以至于導線區(qū)域32不能從外部識別。此外可能的是，澆注料構造為黑色的，并且進而例如適用于吸收散射光。
圖IB示出光電子器件的實施例的示意俯視圖。光電子器件的寬度b優(yōu)選為最高 2mm,例如I. 7mm。光電子器件I的長度優(yōu)選為最高3mm,例如2. 75mm。
圖IC示出光電子器件的實施例的示意剖視圖。光電子器件的總厚度d優(yōu)選為最高 Imm,例如O. 9mm。電路板I的厚度dl優(yōu)選為最高40mm,例如O. 3mm,并且基體3的厚度dg 優(yōu)選為最高O. 65mm，例如O. 6mm?？傮w上以這種方式實現(xiàn)了特別緊湊的光電子器件，其中由于電路板I的小的厚度，在反射區(qū)域30中的反射器能夠構造為相對高的，即至少O. 6mm高。
圖ID的示意剖視圖示出，光電子半導體芯片2的主面2a的面積為靠近芯片的反射開口 30a的數(shù)量級。結合反射器的相對大的高度可能的是，達到最高為20°，例如為13° 的輻射半角α (對此參見圖2的圖示)。因此，在使用發(fā)射輻射的光電子半導體芯片的情況下的輻射強度例如能夠在以70mA通電的情況下為每球面度(sr) 80mW。
結合圖IF的電路板I的下側Ib的俯視圖可看出，在電路板I的下側Ib上設置有器件連接區(qū)域13，所述器件連接區(qū)域與芯片連接區(qū)域10或導線連接區(qū)域12導電地連接，并且用于光電子器件的表面裝配。
圖IG示出光電子器件的實施例的示意剖視圖。從圖IG中可見，光電子半導體芯片 2具有最高O. 20mm,例如O. 15mm的高度dc。反射面30c的高度dr例如為至少O. 4mm,例如為O. 47mm。第一開口 31的在殼體3的上側3a處的直徑例如為至少O. 6mm和最高I. Imm, 例如為1mm。
此外，在圖IG中示出，光電子半導體芯片2在環(huán)狀部30d的區(qū)域中能夠由澆注料 35圍繞。在此，澆注料35能夠直至半導體芯片2的上側，并且與半導體芯片2的上側齊平。
澆注料35能夠構造為可被輻射穿透的。澆注料例如構造為反射的。為此，澆注料 35例如能夠包含由硅酮和/或環(huán)氧化物構成的基質材料，所述基質材料用反射顆粒，例如由氧化鈦構成的反射顆粒填充。因此，澆注料顯現(xiàn)為白色。
此外可能的是，顆粒由ZrO2構成或至少包含Zr02。如果半導體芯片2發(fā)射藍光或紫外光，那么ZrO2在這類波長范圍內具有特別低的吸收特性。換言之，在這種情況下，大部分的電磁輻射由澆注料反射。
總體上可能的是，反射輻射的顆粒至少由材料Ti02、BaS04、Zn0、Alx0y、Zr02中的一種構成，或包含上述材料中的一種。
此外，可能的是，澆注料35用例如由炭黑構成的吸收輻射的顆粒來填充，以至于澆注料35顯現(xiàn)出黑色。光電子半導體芯片2優(yōu)選為一種表面發(fā)射器，其例如構成為薄膜發(fā)光二極管芯片。因此也就是說，光電子半導體芯片尤其不是體積發(fā)射器。
本發(fā)明不局限于借助于實施例的說明。更確切地說，本發(fā)明包括每個新的特征以及特征的每個組合，這特別是包括在權利要求中的特征的每個組合，即使所述特征或所述組合本身在權利要求中或實施例中沒有明確的說明。
本專利申請要求德國專利申請102010023955. O的優(yōu)先權，其公開內容以參引的方式并入本文。
權利要求
1.光電子器件，具有-電路板(I )，所述電路板具有帶有芯片連接區(qū)域(10)的上側(Ia)；-光電子半導體芯片(2)，所述光電子半導體芯片固定在所述芯片連接區(qū)域(10)上； -殼體(3)，所述殼體在所述電路板(I)的所述上側(Ia)處固定在所述電路板(I)上， 并且所述殼體具有反射區(qū)域(30)，其中-所述反射區(qū)域(30)包括在所述殼體(3)中的開口(31)，在所述開口中設置有所述光電子半導體芯片(2)，并且-所述殼體(3)由塑料材料制成，所述塑料材料在反射區(qū)域(30)中至少局部地被金屬化。
2.根據(jù)前一項權利要求所述的光電子器件，其中所述光電子半導體芯片(2)嵌入澆注料(35)中，所述澆注料顯現(xiàn)成白色、黑色或彩色，其中，所述光電子半導體芯片(2)的背離所述芯片連接區(qū)域(10)的上表面不具有所述澆注料(35)。
3.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中所述電路板(I)具有基體(11)，所述基體由塑料制成，尤其由聚苯硫醚制成。
4.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中-所述電路板(I)在其上側(Ia)處具有導線連接區(qū)域(12)，所述導線連接區(qū)域與所述芯片連接區(qū)域(10)間隔開，并且-所述殼體(3)具有導線區(qū)域(32)，所述導線區(qū)域包括在所述殼體(3)中的開口(33)， 在所述開口中設置有所述導線連接區(qū)域(32)，其中-所述導線區(qū)域(32)與所述反射區(qū)域(30)間隔開。
5.根據(jù)前一權利要求所述的光電子器件，具有-連接導線(4)，所述連接導線固定在所述光電子半導體芯片(2)上和所述導線連接區(qū)域(12)上，其中-所述連接導線(4)通過凹槽(34)在所述殼體(3)中被引導，所述凹槽將所述反射區(qū)域(30)與所述導線區(qū)域(32)彼此連接。
6.根據(jù)前一權利要求所述的光電子器件，其中所述電路板(I)在所述凹槽的底面 (34a)上局部地露出。
7.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中除了所述反射區(qū)域(30)和必要時所述導線區(qū)域(32)和所述凹槽(34)以外，所述殼體(3)在所述電路板(I)的所述上側(Ia) 上完全地覆蓋所述電路板(I)。
8.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中所述殼體(3)的側面(3c)至少局部地與所述電路板(I)的側面(Ic)齊平。
9.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中所述殼體(3)的基面具有與所述電路板(I)的基面相同的形狀。
10.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中所述殼體(3)的基面具有與所述電路板(I)的基面相同的尺寸。
11.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中-所述反射區(qū)域(30)包括靠近芯片的反射開口(30a)和遠離芯片的反射開口(30b)，-所述反射區(qū)域(30)的開口(31)從所述遠離芯片的反射開口(30b)朝向所述靠近芯片的反射開口( 30a)逐漸變窄，并且-所述反射區(qū)域的至少一個反射面(30c)將所述靠近芯片的反射開口(30a)和所述遠離芯片的反射開口(30b)彼此連接，其中-所述反射面(30c)由所述殼體(3)的至少局部地金屬化的部分構成。
12.根據(jù)前一權利要求所述的光電子器件，其中所述殼體(3)僅在所述反射面(30c)的區(qū)域中被金屬化。
13.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中所述靠近芯片的反射開口(30a) 具有的面積最大為所述光電子半導體芯片(2)的主面(2a)的面積的四倍。
14.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，其中所述電路板(I)具有背離所述上側(Ia)的下側(lb)，其中，在所述下側(Ib)上構造有用于表面裝配的器件連接區(qū)域(13)。
15.根據(jù)前述權利要求之一所述的光電子器件，具有最高為I.Omm的厚度(d)，其中，所述電路板(I)具有最高為O. 35mm的厚度(dl),并且所述殼體(3)具有最高為O. 65mm的厚度(dg)。
全文摘要
本發(fā)明提出一種光電子器件，其具有電路板(1)，所述電路板具有帶有芯片連接區(qū)域(10)的上側(1a)；光電子半導體芯片(2)，所述光電子半導體芯片固定在芯片連接區(qū)域(10)上；殼體(3)，所述殼體在電路板(1)的上側(1a)處固定在電路板(1)上；以及反射區(qū)域(30)，其中反射區(qū)域(30)包括在殼體(3)中的開口(31)，在所述開口中設置有光電子半導體芯片(2)，并且殼體(3)由塑料材料制成，所述塑料材料在反射區(qū)域(30)中至少局部地被金屬化。
文檔編號H01L33/48GK102939670SQ201180029799
公開日2013年2月20日 申請日期2011年5月24日 優(yōu)先權日2010年6月16日
發(fā)明者大衛(wèi)·歐布里安, 梅爾廷·豪沙爾特, 馬庫斯·弗爾斯特, 弗蘭克·默爾梅爾 申請人:歐司朗光電半導體有限公司