專利名稱：液處理裝置和液處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及將藥液從噴嘴供給至基板的表面進行處理的液處理裝置和液處理方法。
背景技術：
在半導體制造工序中，存在將藥液供給至基板的表面進行處理的工序。例如設置于用于抗蝕劑圖案形成的涂敷、顯影裝置的顯影處理裝置構成為，在設置于形成處理區(qū)域的杯(cup)內(nèi)的基板保持部上水平地保持基板，并從噴嘴供給作為藥液的顯影液。將顯影液供給至基板之后，為了利用顯影液使抗蝕劑膜的溶解性部位溶解，靜止所需的時間，例如數(shù)十秒。
作為將顯影液涂敷在基板的表面的方法，已知以下方法等
(I)使噴嘴沿著基板的表面進行掃描的方法，上述噴嘴具有跨基板的有效區(qū)域的寬度以上的長度而形成的排出口；
(2)在使基板旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，一邊從具有由長度尺寸為數(shù)厘米左右的狹縫(slit) 構成的排出口的噴嘴排出顯影液，一邊使該噴嘴從基板的一周邊緣部移動至中央部的方法。
但是,逐漸要求涂敷、顯影裝置具有更高的吞吐量(throughput,生產(chǎn)量),例如一個小時處理240個。而且，還要求防止基板的污染，抑制部件數(shù)以使裝置簡化等。
在此，專利文獻I中記載有，左右排列有兩個杯，在這些杯的排列的兩側(cè)設置有待機容器(pot)，通過一個顯影液噴嘴對被搬入至兩個杯的基板供給顯影液的裝置。另外該裝置中，對每個杯配置有洗滌用的純水噴嘴，該純水噴嘴轉(zhuǎn)動自如。
另外，專利文獻2中記載有使顯影液嗔嘴在兩個杯的中央待機的構成。
但是，專利文獻1、2中都沒有考慮根據(jù)基板的類別(lot :批)，而藥液的供給方法不同的情況。另外，在如專利文獻I那樣的構成中，由于根據(jù)基板的搬入的時機(timing，定時)，顯影液噴嘴跨靜止顯影中的基板而移動，于是顯影液有可能從顯影液噴嘴滴流到該基板上引起顯影缺陷。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻I :日本特開2002-100556號公報圖I
專利文獻2 :日本特開平4-118074號公報第2圖發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
本發(fā)明是在這種背景下完成的，其目的在于，提供一種能夠抑制藥液用的噴嘴的數(shù)目并且以高的吞吐量進行處理的液處理裝置和液處理方法。
用于解決課題的技術方案
本發(fā)明的液處理裝置，其特征在于，包括
并排的第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域，用于水平配置各個基板并利用來自噴嘴的藥液進行處理；
第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴，分別對應于上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域單獨設置，將藥液供給至基板的整個表面；
第一單獨噴嘴搬送機構和第二單獨噴嘴搬送機構，用于在待機位置和各處理區(qū)域的藥液排出位置之間分別搬送上述第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴；
共用噴嘴，為了對上述基板供給藥液而被上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域共同使用；
共用噴嘴搬送機構，在待機位置、上述第一處理區(qū)域的藥液排出位置和上述第二處理區(qū)域的藥液排出位置之間搬送該共用噴嘴；和
控制部，控制第一單獨噴嘴搬送機構、第二單獨噴嘴搬送機構和共用噴嘴搬送機構，
上述控制部控制各噴嘴搬送機構，使得上述共用噴嘴被約束在各處理區(qū)域的時間比上述單獨噴嘴被約束在各處理區(qū)域的時間短。
本發(fā)明的液處理方法為用于在各個并排的第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中水平配置基板，并利用來自噴嘴的藥液進行處理的液處理方法，其特征在于，包括
將一個批次的多個基板一個一個地交替搬入至第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域；
將對應于上述第一處理區(qū)域單獨設置的第一單獨噴嘴從待機位置搬送至上述第一處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至上述一個批次的一個基板的整個表面來進行處理；
將對應于上述第二處理區(qū)域單獨設置的第二單獨噴嘴搬送至上述第二處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至上述一個批次的另外的基板的整個表面來進行處理；
將另一個批次的多個基板一個一個地交替搬入至上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域；
將上述第一處理區(qū)域和上述第二處理區(qū)域中共用的共用噴嘴從待機位置搬送至第一處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至上述另一個批次的一個基板；和
將上述共用噴嘴搬送至上述第二處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至上述另一個批次的另外的基板，
上述共用噴嘴被約束于各處理區(qū)域的時間比上述單獨噴嘴被約束于各處理區(qū)域的時間短。
發(fā)明效果
本發(fā)明中，使用分別對應于第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域設置的第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴將藥液供給至基板的整個表面來進行處理，另一方面，在進行被約束(占有) 在各處理區(qū)域的時間短于使用這些單獨噴嘴的情況的液處理的情況下，使用被第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域共用的共用噴嘴。從而能夠抑制藥液用的噴嘴的數(shù)目，并且能夠以高的吞吐量進行處理。


圖I是表示本發(fā)明的實施方式的液處理裝置的整體的平面簡圖。
圖2是表示上述實施方式的杯體的內(nèi)部的側(cè)視縱截面圖。
圖3是表示上述液處理裝置的一部分的平面圖。
圖4是表示單獨顯影噴嘴和共用顯影噴嘴的正視縱截面圖。
圖5是表示單獨顯影噴嘴的立體圖。
圖6是表示共用顯影噴嘴的縱截面圖。
圖7是表示共用顯影噴嘴的頂端部的平面圖。
圖8是表示將液處理裝置組裝在涂敷、顯影處理裝置的處理塊中的例子的平面圖。
圖9是表示本發(fā)明的實施方式的控制部的構成圖。
圖10是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖11是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖12是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖13是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖14是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖15是表示液處理裝置的作用的概略側(cè)視圖。
圖16是表示液處理裝置的作用的概略側(cè)視圖。
圖17是表示液處理裝置的作用的概略側(cè)視縱截面圖。
圖18是表示液處理裝置的作用的概略側(cè)視圖。
圖19是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖20是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖21是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖22是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖23是表示液處理裝置的作用的概略平面圖。
圖24是表示液處理裝置的作用的概略側(cè)視圖。
圖25是表示液處理裝置的作用的概略側(cè)視圖。
圖26是表示液處理裝置的作用的概略側(cè)視圖。
圖27表示本發(fā)明的其他實施方式的一個例子的平面圖。
圖28表示本發(fā)明的其他實施方式的一個例子的平面圖。
圖29表示本發(fā)明的其他實施方式的一個例子的平面圖。
具體實施方式
針對將本發(fā)明的液處理裝置適用于對曝光后的半導體晶片(以下稱為晶片)進行顯影處理的顯影處理裝置的實施方式進行說明。該顯影處理裝置中，在方形的箱體3內(nèi)，在 X方向并排配置有兩個杯體10和杯體20。圖I中為了方便，簡要地以一條線的圓表示這些杯體10、20，具體的詳細結(jié)構如圖2和圖3所示。杯體10、20與其周邊部件和周邊機構一起構成第一液處理模塊I和第二液處理模塊2。這些液處理模塊I、2各個都是相同的構成，因此針對其中之一的液處理模塊I進行說明。
圖2和圖3中，11是構成基板保持部的旋轉(zhuǎn)吸盤，其能夠水平地對基板例如晶片W進行真空吸著并保持。如圖2所示，該旋轉(zhuǎn)吸盤11經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸12與設置于下方的作為旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部的例如旋轉(zhuǎn)電機13連接，在保持晶片W的狀態(tài)下能夠圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)，而且能夠進行升降。
另外，顯影處理裝置中以包圍被保持在旋轉(zhuǎn)吸盤11上的晶片W的方式設置有杯體 10。該杯體10包括外杯IOa和內(nèi)杯10b，杯體10的上方側(cè)開口。如圖3所示，上述外杯IOa 的上部側(cè)為四邊形，下部側(cè)為圓筒狀。另外，如圖2所示，在外杯IOa的下端部形成有段部 (臺階部)。于是，上述外杯IOa能夠通過設置于下方的升降部IOc進行升降。上述內(nèi)杯IOb 為圓筒狀，上部側(cè)向內(nèi)側(cè)傾斜。另外，內(nèi)杯IOb通過其下端面在上述外杯IOa升降時與上述段部抵接，而被向上方推壓。另外，圖I中，為了避免附圖變復雜，省略了外杯IOa的圖示。 另外，包括載置晶片W的區(qū)域的杯體10、20的上部區(qū)域構成處理區(qū)域，第一液處理模塊I的處理區(qū)域和第二液處理模塊2的處理區(qū)域分別相當于第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域。
另外，在被保持在旋轉(zhuǎn)吸盤11上的晶片W的下方側(cè)設置有圓形板14，在該圓形板 14的外側(cè)設置有縱截面形狀為山形的傘形引導部件15。上述傘形引導部件15用于將從晶片W灑落的顯影液或洗凈液向液體接收部16引導。該液體接收部16，其縱截面形狀形成為凹形，在圓形板14的外緣下方遍及整個周圍設置為環(huán)形。在該液體接收部16的底面從下方連接有廢液管17。并且，雖沒有圖示，但廢液管17與廢液罐連接，在其中途設置有氣液分離器，進行排氣和廢液的分離。
另外，如圖2所示，在顯影處理裝置中，在圓形板14的下方例如設置有三個升降銷 18。該升降銷18通過與該升降銷18連接的升降銷升降機構19升降自如，在搬送晶片W時， 從下方貫通圓形板14而上升，在未圖示的基板搬送臂和旋轉(zhuǎn)吸盤11之間進行晶片W的交接。
另外，第一液處理模塊I具有單獨(專用)設置于該液處理模塊I的單獨顯影噴嘴 41和對于與該液處理模塊I鄰接的第二液處理模塊2被共用的共用顯影噴嘴5。單獨顯影噴嘴41和共用顯影噴嘴5分別相當于技術方案的范圍的單獨噴嘴和共用噴嘴。
如圖I和圖3所示，單獨顯影噴嘴41被沿Y方向延伸的噴嘴臂42保持。噴嘴臂 42構成為通過噴嘴搬送機構43能夠在X方向移動，并且如圖I和圖3所示，在設定于杯體 10的右側(cè)附近位置的待機位置和對旋轉(zhuǎn)吸盤11上的晶片W供給顯影液的顯影液排出位置之間搬送單獨顯影噴嘴41。噴嘴搬送機構43包括在X方向延伸的引導部件44和用于沿該引導部件44使單獨顯影噴嘴41移動的例如滾珠絲桿機構等驅(qū)動機構。
如圖I和圖3所示，共用顯影噴嘴5被沿Y方向延伸的噴嘴臂52保持。噴嘴臂52 構成為通過噴嘴搬送機構53能夠在X方向移動，如圖I和圖3所示，在設定于杯體10和杯體20的中間位置的待機位置和對旋轉(zhuǎn)吸盤11上的晶片W供給顯影液的顯影液排出位置之間搬送共用顯影噴嘴5。噴嘴搬送機構53包括在X方向延伸的引導部件54和用于沿該引導部件54使共用顯影噴嘴5移動的例如滾珠絲桿機構等驅(qū)動機構。
這些顯影噴嘴41、5例如分別被保持在噴嘴臂42、52的下方側(cè)，但是為了便于說明在圖I和圖3中描繪為分別位于噴嘴臂42、52的頂端部。另外，如圖2所示，顯影噴嘴41、 5分別經(jīng)由柔軟(易彎曲的、flexible)的配管45、55與顯影液供給系統(tǒng)46、56連接。顯影液供給系統(tǒng)46、(56)包括顯影液儲存罐、泵和閥門等供給控制儀器等。
另外,如圖4所不,噴嘴搬送機構43、53具有一邊被引導部件44、54引導一邊移動的支柱48、58，該支柱48、58上設置有通過未圖示的升降機構能夠進行升降的噴嘴臂42、 52。并且，共用顯影噴嘴5的噴嘴臂52為能夠設定于高于單獨顯影噴嘴41的噴嘴臂42的位置，因此，共用顯影噴嘴5能夠越過單獨顯影噴嘴41水平移動。
如圖5所示，單獨顯影噴嘴41，向其頂端部去圖5的Y方向的寬度依次減小，在其下端面(頂端面)設置有例如長LI為8 15mm、寬L2為O. flmm的帶狀的排出口 402。
如圖6和圖7所不，共用顯影嗔嘴5具有比晶片W的直徑長的嗔嘴王體501、以連通至該噴嘴主體501內(nèi)的通液室的方式設置于該噴嘴主體501的下面?zhèn)鹊呐懦隹?502、和收納于該排出口 502內(nèi)的緩沖棒503。在圖7中排出口 502描繪為狹縫(slit)狀，但是也可以為在噴嘴主體501的長度方向隔開間隔排列有多個孔的結(jié)構。排出口 502設定為覆蓋晶片W的有效區(qū)域(器件形成區(qū)域)的長度尺寸。
單獨顯影噴嘴41和共用顯影噴嘴5，作為藥液的顯影液的供給方式相互不同，比較對一枚晶片W進行顯影處理中被約束(占有)在處理區(qū)域的時間(使用的時間)時，單獨顯影噴嘴41比共用顯影噴嘴5長。說明兩個噴嘴41、5的顯影方式的概要，單獨顯影噴嘴41 一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)一邊從晶片W的周緣遍及中心部地移動，來以渦旋狀涂敷作為藥液的顯影液，接著在晶片W的中心部繼續(xù)進行規(guī)定時間的顯影液排出。共用顯影噴嘴5 —邊從晶片W的一端遍及另一端地進行掃描，一邊將作為藥液的顯影液供給至晶片W上盛放。
圖I中，6為洗凈噴嘴，其用于對被供給了顯影液的晶片W供給例如由純水構成的洗凈液，進行洗凈。如圖I和圖3所示，洗凈噴嘴6被沿Y方向延伸的噴嘴臂62保持。噴嘴臂62構成為通過噴嘴搬送機構63能夠在X方向移動，如圖I和圖3所示，在設定于杯體的左側(cè)附近位置的待機位置和對旋轉(zhuǎn)吸盤上的晶片W供給洗凈液的洗凈液排出位置之間搬送洗凈噴嘴6。噴嘴搬送機構63兼用上述引導部件44，包括用于沿該引導部件44使洗凈噴嘴6移動的例如滾珠絲桿機構等驅(qū)動機構。另外，如圖2所示，洗凈噴嘴6分別經(jīng)由柔軟的配管65與洗凈液供給系統(tǒng)66連接。另外，為了良好地進行晶片W上的顯影液的洗凈處理，也可以單獨在液處理模塊1、2中設置對晶片W上噴射例如氮氣等氣體的氣體噴嘴。
噴嘴搬送機構63也被設置為相對于支柱68噴嘴臂62通過未圖示的升降機構能夠升降，共用顯影噴嘴5的噴嘴臂52能夠越過洗凈噴嘴6的噴嘴臂62移動。
在各噴嘴41、5和6的待機位置中，嵌合各噴嘴41、5和6的頂端部,設置有具備排液口的噴嘴座(nozzle base) 47、57 和 67。
回到圖I和圖2，在箱體3的側(cè)面設置有通過外部搬送臂對各液體處理模塊1、2進行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口 31，還設置有開閉各搬入搬出口 31的開閉器(shutter) (未圖示)。
在此，圖8表示包括液處理裝置的、涂敷、顯影裝置的一部分的構成例。在此例中， 設置有包括沿主搬送路301移動的移動體302的晶片搬送機構303，該晶片搬送機構303構成為圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，升降自如以及進退自如。并且，沿主搬送路301 —列地配置有四個液處理模塊1、2、1’和2’。液處理模塊I’和2’與液處理模塊1、2相同構成。另外，在主搬送路301的與液處理模塊1、2、1’和2’的相反側(cè)，沿主搬送路301配置有多個本例中為 6個加熱模塊304。該加熱模塊304的群包括對曝光后、顯影前的晶片W進行加熱的加熱模塊和對顯影后的晶片W進行加熱的加熱模塊。晶片搬送機構303對液處理模塊1、2、1’、2’ 以及加熱模塊304進行晶片W的交接。305是用于與其他的處理塊進行晶片W的交接的交接平臺(stage)。
圖9表示用于控制顯影處理裝置的各部的控制部7。該控制部7為例如由CPU71、 存儲于程序存儲部72的程序72a、數(shù)據(jù)總線73等構成的計算機。上述程序72a基于程序方案(process recipe)控制單獨顯影噴嘴的顯影液供給系統(tǒng)46、共用顯影噴嘴的顯影液供給系統(tǒng)56、洗凈噴嘴的洗凈液供給系統(tǒng)66、單獨顯影噴嘴的搬送機構43、共用顯影噴嘴的搬送機構、洗凈噴嘴的搬送機構63以及旋轉(zhuǎn)電機13。
接著，參照圖10至圖26說明上述的實施方式的作用?；诳刂撇?所具有的程序進行以下的各動作。現(xiàn)在，圖10表示通過外部的晶片搬送機構例如圖8所示的晶片搬送機構303將某批次的作為基板的晶片W搬入至第一處理模塊I的旋轉(zhuǎn)吸盤11的狀態(tài)。通過晶片搬送機構303和升降銷18的協(xié)同動作作用，進行晶片W的搬入動作。并且，利用噴嘴搬送機構53，共用顯影噴嘴5從待機位置移動至晶片W的一端側(cè)，一邊從排出口 502排出顯影液一邊從晶片W的一端側(cè)移動至另一端側(cè)，對晶片W的表面整體進行顯影液的盛放。 圖15和圖16表示該掃描涂敷的狀況，另外圖11表示共用顯影噴嘴5通過晶片W的中央部的狀態(tài)。圖15和圖16中D是顯影液。
盛放有液體的晶片W以原樣保持靜置直到僅經(jīng)過設定時間(例如30秒至40秒)， 并且如圖12所示共用顯影噴嘴5回到待機位置。并且，經(jīng)過設定時間之后，如圖13所示噴嘴搬送機構63使洗凈噴嘴6從待機位置移動至晶片W的中心部的上方位置，排出純水并且由旋轉(zhuǎn)電機使晶片W旋轉(zhuǎn)，利用離心力使純水擴散將顯影液從晶片W上除去(參照圖17和圖18)。該情況下，也可以使來自洗凈噴嘴6的純水的排出位置從晶片W的中心部向周緣移動，并且在該排出位置的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)從氣體噴嘴噴射氣體，提高洗凈效果。之后使晶片 W高速旋轉(zhuǎn)，甩落洗凈液而使其干燥(旋轉(zhuǎn)干燥)。
另外，在第一液處理模塊I中對晶片W進行洗凈的期間，如圖13所示，后續(xù)的晶片 W被搬入第二液處理模塊2的旋轉(zhuǎn)吸盤，由共用顯影噴嘴5同樣地進行顯影液的盛放。進而在第二液處理模塊2中，盛放顯影液之后經(jīng)過所謂的靜止顯影所需的設定時間時，如圖 14所示由單獨設置于該液處理模塊2的洗凈噴嘴6同樣地進行基板表面的洗凈。其中，在該時刻，第一液處理模塊I中的晶片W的洗凈已結(jié)束，被搬出至外部。根據(jù)液處理模塊的數(shù)量、其他的處理模塊的處理時間、裝置的布局等，晶片的搬入間隔改變，但是在此例中，共用顯影噴嘴5從待機位置移動至晶片W上進行顯影液的掃描涂敷，直到回到原來的待機位置的一系列的時間，也就是還包括待機位置與晶片W上之間的搬送時間的、被約束在第一液處理模塊I的時間，比基于晶片搬送機構的晶片W的搬入間隔短。
上面的說明是使用共用顯影噴嘴5進行處理的情況，接著說明通過單獨顯影噴嘴 41對與上述的批次不同的其他批次的基板進行顯影處理的情況。
現(xiàn)在，圖19表示通過外部的晶片搬送機構將作為上述其他批次的基板的晶片W搬入第一處理模塊I的旋轉(zhuǎn)吸盤11上的狀態(tài)。單獨顯影噴嘴41被噴嘴搬送機構43從待機位置移動至晶片W的一端側(cè)，使旋轉(zhuǎn)吸盤11例如以500rpm旋轉(zhuǎn)。該噴嘴41的水平方向上的朝向預先設定為狹縫狀的排出口 402的長度方向與連接晶片W的周緣部和中心部的線一致。一邊從單獨顯影噴嘴4排出顯影液，一邊使其排出位置從晶片W的周緣移動至中心部， 以帶狀供給顯影液，以渦旋狀進行顯影液的盛放。圖24表示該處理的情況，另外圖20表示單獨顯影噴嘴41到達晶片W的中心部上的狀態(tài)。
之后，將晶片W的旋轉(zhuǎn)數(shù)例如降至lOOrpm，以使顯影液緩慢地向周緣擴散，在該狀態(tài)下接著通過單獨顯影噴嘴41將顯影液供給至晶片W的中心部(圖25)。之后，一邊繼續(xù)供給顯影液，一邊使晶片的旋轉(zhuǎn)數(shù)例如上升至2000rpm，之后停止顯影液的供給并且使晶片 W的旋轉(zhuǎn)數(shù)降至顯影液不會由于表面張力而從晶片W的周緣部被拉回且保持顯影液的盛放的程度的低的旋轉(zhuǎn)數(shù)，維持該狀態(tài)例如40s左右(圖26)。
另一方面，在第一液處理模塊I中進行顯影處理的期間，后續(xù)的晶片W被搬入至第二液處理模塊2的旋轉(zhuǎn)吸盤上，如圖21所示該模塊I中的單獨顯影噴嘴41通過噴嘴搬送機構43從待機位置被搬送至晶片W的一端側(cè)。在第二液處理模塊2中，也對該晶片W進行與在第一液處理模塊I中說明的顯影處理同樣的處理。此時，第一液處理模塊I中，已經(jīng)經(jīng)過供給顯影液之后的靜置時間，如圖22所示由洗凈噴嘴6，與上述的基于共用顯影噴嘴5的顯影處理后的洗凈處理同樣地去除洗凈晶片W上的顯影液，進而進行旋轉(zhuǎn)干燥。
在第一液處理模塊I中晶片W的一系列的處理結(jié)束時，該晶片W就被搬出，另一方面在第二液處理模塊2顯影處理結(jié)束之后，由洗凈噴嘴6對晶片W進行洗凈，進而進行旋轉(zhuǎn)干燥(圖23)。
如上所述，在該實施方式中，能夠?qū)嵤┦褂霉灿蔑@影噴嘴5進行顯影處理的方式和使用單獨顯影噴嘴41進行顯影處理的方式，但是使用單獨顯影噴嘴41的方式具有即使在抗蝕劑膜的防水性高的情況下也能夠進行均勻的顯影的優(yōu)點。因而，具有在抗蝕劑膜的防水性低的情況下顯影液的使用量少于使用單獨顯影噴嘴41的情況這個優(yōu)點，但是到底選擇哪一種方式，要根據(jù)處理時間、抗蝕劑膜的類別、顯影液的成本等決定。
根據(jù)上述的實施方式，備有兩個種類的顯影噴嘴以能夠應對兩個種類的顯影處理方式，但是對于兩個方式當中噴嘴的約束時間較長的方式所使用的顯影噴嘴，對各第一液處理模塊1、2單獨設置，另外對于噴嘴的約束時間較短的方式所使用的顯影噴嘴，對第一液處理模塊1、2共用化。從而，能夠從噴嘴的共用化的角度，抑制噴嘴的數(shù)目，并且使約束時間較長的噴嘴個別化，因此當將晶片W依次搬入至第一液處理模塊I和第二液處理模塊 2時，即使搬入間隔短，也能夠?qū)Π崛氲木琖立刻開始處理，因此能夠維持高的吞吐量。
下面列舉并記載本發(fā)明的變形例。
作為顯影方式，并不限于上述的方式，例如也可以為如下的方式，S卩，將共用顯影噴嘴5設定于靠近晶片W的表面的位置，例如離表面Imm左右的位置且晶片W的直徑上，并且一邊排出顯影液一邊使晶片W旋轉(zhuǎn)180度進行液體盛放。
另外，在上述的實施方式中，共用顯影噴嘴5和單獨顯影噴嘴41不限定于全都用于供給顯影液，也可以共用顯影噴嘴5用于對晶片W的表面供給信那水(稀薄劑)(有機溶劑)，單獨顯影噴嘴41用于對晶片W供給顯影液。該情況下，使晶片W的整個表面處于被信那水預先浸潤的狀態(tài)，發(fā)揮顯影液易于擴散的作用。并且，作為單獨顯影噴嘴41，也可以與上述的實施方式的單獨顯影噴嘴41相同，但也可以與上述實施方式的共用顯影噴嘴5相同。另外，作為單獨顯影噴嘴，也可以以能夠應對之前的兩種顯影方式的方式設置兩個顯影噴嘴。
而且，另外共用顯影噴嘴5的待機位置若設定在第一液處理模塊I和第二液處理模塊2之間，則與位于這些液處理模塊1、2的排列的端側(cè)的情況相比，優(yōu)點在于，由于不會跨越顯影中的晶片W地移動，因此顯影液不會掉落在顯影中的晶片W，而且噴嘴41、5或噴嘴臂42、52也不會被來自杯體內(nèi)的氣氛污染。但是，也可以將共用顯影噴嘴5的待機位置設定于這種位置。另外，例如也可以代替使單獨顯影噴嘴41直線移動，使其在待機位置和處理位置之間旋轉(zhuǎn)移動。
進而，說明有關共用顯影噴嘴5的構成的其他的例子。圖27為設置有兩個共用顯影噴嘴5A、5B的例子，利用不同的引導部件54A、54B搬送分別保持有共用顯影噴嘴5A、5B 的噴嘴臂52A、52B。這些引導部件54A、54B相互平行地配置在第一液處理模塊I和第二液處理模塊2的排列的一側(cè)。53A、53B為噴嘴搬送機構，如圖4所示噴嘴搬送機構53A、53B分別在支柱58A、58B上設置有升降自如的噴嘴臂52A、52B。另外，噴嘴臂52B能夠移動至高于噴嘴臂52A的位置，在對第一液處理模塊I使用共用顯影噴嘴5B的情況下，共用顯影噴嘴 5B超越共用顯影噴嘴5A進行移動。另外，當對第二液處理模塊2使用共用顯影噴嘴5A時， 共用顯影噴嘴5B退避至位于第二液處理模塊2的右側(cè)的待機位置9 (退避位置)。圖27所示的共用顯影噴嘴5A、5B的位置為待機位置，雖然在圖中看不見，但是在顯影噴嘴5A、5B各自的下方設置有待機座。作為共用顯影噴嘴5A、5B的使用方法的例子，一方面為用于排出含有界面活性劑的顯影液的例子，另一方面為用于排出不含界面活性劑的顯影液的例子。
另外，圖28為在圖27的實施方式中使引導部件54A、54B隔著第一液處理模塊I 和第二液處理模塊2的排列相對配置的構成例。進而另外，圖29是使引導部件54B、54B共用化的構成例，8、9分別為共用顯影噴嘴5A、5B的退避位置。
以上的說明中，作為液處理裝置舉出的是顯影處理裝置，但是也可以應用于晶片W 等基板的單枚洗凈裝置。該情況下，可舉出，作為單獨藥液噴嘴采用排出藥液的濃度小的洗凈液的噴嘴，作為共用藥液噴嘴采用排出藥液的濃度大于上述濃度的洗凈液的噴嘴，從共用藥液噴嘴僅第一時間排出藥液洗凈基板的表面，接著從單獨藥液噴嘴僅短于第一時間的第二時間排出藥液洗凈基板的表面的情況等。
權利要求
1.一種液處理裝置，其特征在于，包括 并排的第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域，用于水平配置各個基板并利用來自噴嘴的藥液來進行處理； 第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴，分別對應于所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域單獨設置，將藥液供給至基板的整個表面； 第一單獨噴嘴搬送機構和第二單獨噴嘴搬送機構，用于在待機位置和各處理區(qū)域的藥液排出位置之間分別搬送所述第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴； 共用噴嘴，被所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域共同使用于將藥液供給至所述基板；共用噴嘴搬送機構，在待機位置、所述第一處理區(qū)域的藥液排出位置和所述第二區(qū)域的藥液排出位置之間搬送所述共用噴嘴；和 控制部，控制第一單獨噴嘴搬送機構、第二單獨噴嘴搬送機構和共用噴嘴搬送機構，所述控制部控制各噴嘴搬送機構，使得所述共用噴嘴被約束在各處理區(qū)域的時間比所述單獨噴嘴被約束在各處理區(qū)域的時間短。
2.如權利要求I所述的液處理裝置，其特征在于 所述共用噴嘴的待機位置在俯視的情況下被設置在所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域之間。
3.如權利要求I所述的液處理裝置，其特征在于 從共用噴嘴和單獨噴嘴排出的藥液為顯影液， 供給顯影液的方法在共用噴嘴和單獨噴嘴之間不同。
4.如權利要求3所述的液處理裝置，其特征在于 共用噴嘴具有跨覆蓋基板的寬度的長度而形成的排出口，該共用噴嘴一邊從基板的一端貫穿移動至另一端，一邊從所述排出口對基板供給顯影液。
5.如權利要求3所述的液處理裝置，其特征在于 所述單獨噴嘴用于一邊使基板旋轉(zhuǎn)一邊使藥液的排出位置從基板的周緣移動至中心部，之后將藥液供給至基板的中心部。
6.如權利要求I所述的液處理裝置，其特征在于 作為所述共用噴嘴，具有排出相互不同種類的藥液的多個共用噴嘴。
7.如權利要求I所述的液處理裝置，其特征在于 所述共用噴嘴、第一單獨噴嘴和第二單獨噴嘴能夠沿著第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的排列方向移動。
8.一種液處理方法，在并排的各個第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中水平配置基板，并利用來自噴嘴的藥液進行處理，所述液處理方法的特征在于，包括 將一個批次的多個基板一個一個交替地搬入至第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域； 將對應于所述第一處理區(qū)域單獨設置的第一單獨噴嘴從待機位置搬送至所述第一處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至所述一個批次的一個基板的整個表面來進行處理；將對應于所述第二處理區(qū)域單獨設置的第二單獨噴嘴搬送至所述第二處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至所述一個批次的另外的基板的整個表面來進行處理； 將另一個批次的多個基板一個一個交替地搬入至所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域；將被所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域共同使用的共用噴嘴從待機位置搬送至第一處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至所述另一個批次的一個基板；和 將所述共用噴嘴搬送至所述第二處理區(qū)域的藥液排出位置，將藥液供給至所述另一個批次的另外的基板， 所述共用噴嘴被約束在各處理區(qū)域的時間比所述單獨噴嘴被約束在各處理區(qū)域的時間短。
9.如權利要求8所述的液處理方法，其特征在于 所述共用噴嘴的待機位置在俯視的情況下被設置在所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域之間。
10.如權利要求8所述的液處理方法，其特征在于 從共用噴嘴和單獨噴嘴排出的藥液為顯影液， 供給顯影液的方法在共用噴嘴和單獨噴嘴之間不同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液處理裝置，當在杯體內(nèi)水平保持基板，供給藥液對基板進行液處理時，該液處理裝置能夠抑制藥液用的噴嘴的數(shù)目，并且以高的吞吐量進行處理。作為液處理列舉顯影處理時，準備兩種顯影噴嘴以能夠應對兩個種類的顯影處理方式，對于兩個方式當中噴嘴的約束時間較長的方式所使用的顯影噴嘴，對第一液處理模塊(1、2)單獨設置，對于噴嘴的約束時間較短的方式所使用的顯影噴嘴，對兩個模塊(1、2)共用化。并且共用化的顯影噴嘴在兩個模塊(1、2)的中間位置待機。
文檔編號H01L21/027GK102986003SQ20118003456
公開日2013年3月20日 申請日期2011年7月12日 優(yōu)先權日2010年7月23日
發(fā)明者瀧口靖史, 山本太郎, 山畑努, 藤本昭浩, 藤村浩二 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社