專利名稱：用于移除蝕刻后殘余物的水性清潔劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于自微電子器件移除蝕刻后殘余物(包括含鈦、含銅和/或含鎢蝕刻后殘余物)的組合物，及其制造及使用方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體電路中的互連電路是由經(jīng)絕緣介電材料包圍的導(dǎo)電金屬電路所組成。過去普遍使用自原硅酸四乙酯(TEOS)氣相沉積的硅酸鹽玻璃作為介電材料，同時(shí)將鋁合金用于金屬互連。對(duì)較高加工速度的需求導(dǎo)致電路組件的尺寸變小，及以較高性能材料替代TEOS及鋁合金。由于銅的較高傳導(dǎo)性，鋁合金已被銅或銅合金取代。TEOS及氟化硅酸鹽玻璃(FSG)已被所謂的低k介電質(zhì)(包括低極性材料諸如有機(jī)聚合物、雜合有機(jī)/無機(jī)材料、有機(jī)硅酸鹽玻璃(OSG)、及摻碳氧化物(CDO)玻璃)取代。將孔隙度(即填充空氣的孔隙)并入此等材料中進(jìn)一步降低材料的介電常數(shù)。于集成電路的雙重金屬鑲嵌(dual-damascene)加工期間，使用微影術(shù)(photolithography)于將圖案成像于器件晶圓上。微影技術(shù)包括涂布、曝光、及顯影的步驟。將晶圓涂布正或負(fù)型光阻物質(zhì)，及隨后覆蓋界定要在后續(xù)制程中保留或移除的圖案的掩膜。在將掩膜適當(dāng)定位后，將單色輻射(諸如紫外(UV)光或深UV(DUV)光(約250納米或193納米))的光束導(dǎo)引穿過掩膜，以使經(jīng)曝光的光阻材料更可溶于或更不可溶于選定的漂洗溶液中?？扇艿墓庾璨牧想S后經(jīng)移除或「顯影」，而留下與掩膜相同的圖案。其后使用氣相等離子體蝕刻將經(jīng)顯影的光阻涂層的圖案轉(zhuǎn)移至下方層，該下方層可包括硬掩膜、層間介電質(zhì)(ILD)、和/或蝕刻終止層。等離子體蝕刻后殘余物一般會(huì)沉積于后段制程(back-end-of-the-line, BE0L)結(jié)構(gòu)上,若未將其移除,貝U其會(huì)干擾隨后的娃化或接點(diǎn)形成。等離子體蝕刻后殘余物一般包括存在于基板上及等離子體氣體中的化學(xué)元素。舉例來說，如使用TiN硬掩膜(例如，作為ILD上的覆蓋層)，則等離子體蝕刻后殘余物包括含鈦物質(zhì)，其難以使用常規(guī)的濕式清潔化學(xué)品移除。此外，常規(guī)的清潔化學(xué)品通常會(huì)損壞ILD，吸收至ILD的孔隙中，因而增加介電常數(shù)、和/或腐蝕金屬結(jié)構(gòu)。舉例來說，以經(jīng)緩沖氟化物及溶劑為主的化學(xué)品無法完全移除含Ti殘余物，而含羥胺及氨-過氧化物化學(xué)品則會(huì)腐蝕銅。除了含鈦等離子體蝕刻后殘余物的期望移除外，還優(yōu)選將在等離子體蝕刻后制程期間沉積的額外材料(諸如在圖案化器件的側(cè)壁上的聚合物性殘余物、在器件的敞開信道結(jié)構(gòu)中的含銅殘余物、及含鎢殘余物)移除。迄今為止，尚無單一的濕式清潔組合物可成功地移除所有殘余材料，同時(shí)仍可與ILD、其它低k介電材料、及金屬互連材料相容。將新材料(諸如低k介電質(zhì))整合至微電子器件中對(duì)清潔效能產(chǎn)生新的需求。同時(shí)，減小的器件尺寸使對(duì)臨界尺寸變化及器件組件損傷的耐受度減小?？尚薷奈g刻條件以滿足新材料的需求。同樣地，必需修改等離子體蝕刻后清潔組合物。清潔劑不應(yīng)損傷下層介電材料或腐蝕器件上的金屬互連材料(例如，銅、鎢 、鈷、鋁、釕、鈦及其氮化物和硅化物)。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的為提供用于自微電子器件有效移除等離子體蝕刻后殘余物(包括，但不限于，含鈦殘余物、聚合物性側(cè)壁殘余物、含銅通道殘余物、含鎢殘余物、和/或含鈷殘余物)的改良組合物，該等組合物可與ILD、金屬互連材料、和/或覆蓋層相容。發(fā)明概述本發(fā)明大致上涉及清潔組合物及其制造與使用方法。本發(fā)明的一個(gè)方面涉及一種用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物，同時(shí)不會(huì)損害微電子器件表面上的金屬及ILD材料的組合物及方法。在一個(gè)方面中，描述一種水性清潔組合物，該組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、任選的至少一種螯合劑、任選的至少一種蝕刻劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合劑。該水性清潔組合物適 用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物。在另一個(gè)方面中，描述一種水性清潔組合物，該組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種蝕刻劑、至少一種鈍化劑、任選的至少一種螯合劑、及任選的至少一種復(fù)合劑。該水性清潔組合物適用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物。在又一個(gè)方面中，描述一種套組(kit)，該套組包括存于一個(gè)或多個(gè)容器中的用于形成水性清潔組合物的一種或多種下列試劑，該一種或多種試劑選自由至少一種腐蝕抑制齊U、水、任選的至少一種螯合劑、任選的至少一種蝕刻劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合劑所組成的組，且其中該套組適于形成適用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物的水性清潔組合物。在又一個(gè)方面中，描述一種自其上具有材料的微電子器件移除該材料的方法，該方法包括使微電子器件與水性清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以自微電子器件至少部分移除該材料，其中該水性清潔組合物包括至少一種腐蝕抑制劑、水、任選的至少一種螯合劑、任選的至少一種蝕刻劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合劑。在另一個(gè)方面中，描述一種自其上具有材料的微電子器件移除該材料的方法，該方法包括使微電子器件與水性清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以自微電子器件至少部分移除該材料，其中該水性清潔組合物包括至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種蝕刻劑、至少一種鈍化劑、任選的至少一種螯合劑、及任選的至少一種復(fù)合劑。本發(fā)明的其他方面、特征及優(yōu)點(diǎn)將可自隨后的公開及權(quán)利要求書而更加完全明白。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明大致涉及用于自其上具有殘余物(優(yōu)選蝕刻后殘余物，更優(yōu)選含鈦蝕刻后殘余物、聚合物性側(cè)壁殘余物、含銅通道及線路殘余物和/或含鎢蝕刻后殘余物)的微電子器件移除該殘余物的組合物，該等組合物優(yōu)選可與微電子器件表面上的超低k(ULK) ILD材料(諸如OSG及多孔CD0)、金屬互連材料(例如，銅及鎢)、掩膜覆蓋層(例如，TiN)、及鈷覆蓋層(例如，CoWP)兼容。此外，本發(fā)明大致涉及使用組合物自其上具有殘余物(優(yōu)選蝕刻后殘余物，更優(yōu)選含鈦蝕刻后殘余物、聚合物性側(cè)壁殘余物、含銅通道及線路殘余物、含鎢蝕刻后殘余物、和/或含鈷蝕刻后殘余物)的微電子器件移除該殘余物的方法，該等組合物優(yōu)選可與微電子器件表面上的超低k(ULK) ILD材料、金屬互連材料、及覆蓋層相容。為容易參考起見，“微電子器件”相當(dāng)于經(jīng)制造用于微電子、集成電路、能量收集、或計(jì)算機(jī)芯片應(yīng)用中的半導(dǎo)體基板、平板顯示器、相變記憶裝置、太陽(yáng)能面板及包括太陽(yáng)能電池裝置、光伏打組件、及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的其它產(chǎn)品。應(yīng)明了術(shù)語(yǔ)“微電子器件”并不具任何限制意味，且其包括任何最終將成為微電子器件或微電子組件的基板或結(jié)構(gòu)。值得注意地，微電子器件基板可為圖案化、毯覆式和/或測(cè)試基板。如本文所用的“蝕刻后殘余物”及“等離子體蝕刻后殘余物”相當(dāng)于在氣相等離子體蝕刻制程(例如，BEOL雙重金屬鑲嵌加工)后殘留的材料。蝕刻后殘余物的性質(zhì)可為有機(jī)的、有機(jī)金屬的、有機(jī)娃的、或無機(jī)的，例如，含娃材料、含鈦材料、含氮材料、含氧材料、聚合殘余材料、含銅殘余材料(包括氧化銅殘余物)、含鎢殘余材料、含鈷殘余材料、蝕刻氣體殘余物諸如氯及氟、及其組合。 如本文所定義的“低k介電材料”及ULK相當(dāng)于任何在層狀微電子器 件中使用作為介電材料的材料，其中該材料具有小于約3. 5的介電常數(shù)。低k介電材料優(yōu)選包括低極性材料諸如含硅有機(jī)聚合物、含硅的有機(jī)/無機(jī)雜合材料、有機(jī)硅酸鹽玻璃(OSG)、TE0S、氟化硅酸鹽玻璃(FSG)、二氧化硅、及摻碳氧化物(CDO)玻璃。低k介電材料最優(yōu)選使用有機(jī)硅烷和/或有機(jī)硅氧烷前體沉積。應(yīng)明了低k介電材料可具有不同密度及不同孔隙度。如本文所定義的術(shù)語(yǔ)“聚合物性側(cè)壁殘余物”相當(dāng)于在等離子體蝕刻后制程之后殘留于圖案化器件的側(cè)壁上的殘余物。該殘余物的性質(zhì)實(shí)質(zhì)上為聚合物性，然而，應(yīng)明了無機(jī)物質(zhì)(例如，含鈦、硅、鎢、鈷和/或銅的物質(zhì))亦可能存在于側(cè)壁殘余物中。如本文所使用的“約”意指相當(dāng)于所述值的±5%。如本文所使用的“適用”于自其上具有蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物相當(dāng)于自微電子器件至少部分移除該殘余物。優(yōu)選自微電子器件移除至少約90%的一種或多種待移除材料，更優(yōu)選移除至少95%的一種或多種待移除材料，及最優(yōu)選移除至少99%的一種或多種待移除材料。如本文所使用的“覆蓋層”相當(dāng)于沉積于介電材料和/或金屬材料上，以在等離子體蝕刻步驟期間對(duì)其提供保護(hù)的材料(例如，鈷)。硬掩膜覆蓋層傳統(tǒng)上為硅、氮化硅、氧氮化娃、氮化鈦、氧氮化鈦、鈦、鉭、氮化鉭、鑰、鶴、其組合、及其它類似化合物。鈷覆蓋層包括CoffP及其它含鈷材料或含鎢材料。“實(shí)質(zhì)上不含”在本文被定義為小于2重量％,優(yōu)選小于I重量％，更優(yōu)選小于O. 5
重量％，及最優(yōu)選小于O.1重量％。如本文所使用的術(shù)語(yǔ)“半水性”是指水與有機(jī)組分的混合物。如本文所定義的“復(fù)合劑”包括本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的復(fù)合劑、螯合劑、封鎖劑(sequestering agent)、及其組合的該化合物。復(fù)合劑將與待使用本文所述的組合物移除的金屬原子和/或金屬離子化學(xué)結(jié)合或以物理方式將其固持住。如本文所定義的“強(qiáng)堿”包括堿金屬及堿土金屬的氫氧化物鹽諸如LiOH、NaOH,KOH、RbOH, CsOH, Mg (OH) 2、Ca (OH) 2、Sr (OH) 2 及 Ba (OH) 2，以及式 NR1R2R3R4OH 所示的四級(jí)銨氫氧化物，其中R1H及R4彼此相同或不同且選自由C1-C6烷基、C6-Cltl芳基、及其組合組成的組。本發(fā)明的組合物可以如更完整說明于下文的相當(dāng)多樣的特定調(diào)配物具體實(shí)施。在所有這些組合物中，當(dāng)參照包括零下限的重量百分比范圍論述組合物的特定組分時(shí)，當(dāng)明了在組合物的各種特定實(shí)施方案中可存在或不存在這些組分，且在存在這些組分的情況中，其可以基于其中使用這些組分的組合物的總重量計(jì)低至O. OOl重量百分比的濃度存在。常規(guī)含鈦蝕刻后殘余材料難以使用現(xiàn)有技術(shù)的含氨組合物移除。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)一種實(shí)質(zhì)上不含氨和/或強(qiáng)堿(例如，Na0H、K0H等等)，且優(yōu)選實(shí)質(zhì)上不含氧化劑的清潔組合物，其可有效及選擇性地自其上具有含鈦殘余物的微電子器件的表面將其移除。此外，該組合物將實(shí)質(zhì)上地移除聚合物性側(cè)壁殘余物、含銅殘余物、含鈷殘余物、和/或含鎢殘余物，而不會(huì)實(shí)質(zhì)上地?fù)p壞下方的ILD、金屬互連材料(例如，Cu、Al、Co及W)、和/或覆蓋層。此夕卜，不管是溝槽或通道先蝕刻(即先溝槽或先通道方案)，皆可使用該組合物。此外，可調(diào)配該組合物，以自其上具有TiN層的微電子器件的表面將其實(shí)質(zhì)上地移除。在第一個(gè)方面中，文中所述的清潔組合物是水性或半水性的且包含至少一種腐蝕抑制劑、水、任選的至少一種蝕刻劑來源、任選的至少一種金屬螯合劑、任選的至少一種復(fù)合劑、及任選的至少一種鈍化劑，以用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件的表面將其移除，其中該等離子體蝕刻后殘余物包含選自由含鈦殘余物、聚合物性殘余物、含銅殘余物、含鎢殘余物、含鈷殘余物、及其組合所組成的組的物質(zhì)。在另一實(shí)施方案中，文 中所述的清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種蝕刻劑來源、任選的至少一種金屬螯合劑、任選的至少一種復(fù)合劑、及任選的至少一種鈍化劑。在又一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種金屬螯合劑、任選的至少一種蝕刻劑來源、任選的至少一種復(fù)合劑、及任選的至少一種鈍化劑。在又一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種復(fù)合劑、任選的至少一種蝕刻劑來源、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種金屬螯合劑。在另一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種鈍化劑、任選的至少一種金屬螯合劑、任選的至少一種復(fù)合劑、及任選的至少一種蝕刻劑來源。在另一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種蝕刻劑來源、至少一種金屬螯合劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合齊U。在又一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種蝕刻劑來源、至少一種復(fù)合劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種金屬螯合劑。在另一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種復(fù)合劑、至少一種金屬螯合劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種蝕刻劑來源。在另一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種蝕刻劑來源、至少一種鈍化劑、任選的至少一種復(fù)合劑、及任選的至少一種金屬螯合劑。在又一實(shí)施方案中，清潔組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、至少一種復(fù)合劑、至少一種金屬螯合劑、及至少一種蝕刻劑來源。優(yōu)選地，基于組合物的總重量，水的存在量在約50重量％至約99重量％的范圍內(nèi)。在各實(shí)施方案中，可添加至少一種表面活性劑、二氧化硅來源、和/或至少一種有機(jī)溶劑。在一實(shí)施方案中，用于清潔選自由含鈦殘余物、聚合物性殘余物、含銅殘余物、含鎢殘余物、含鈷殘余物、及其組合所組成的組的等離子體蝕刻后殘余物的水性組合物包含至少一種腐蝕抑制劑、水、任選的至少一種蝕刻劑、任選的至少一種金屬螯合劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合劑，其基于組合物的總重量以下列范圍存在。
權(quán)利要求
1.水性清潔組合物，其包含至少一種腐蝕抑制劑、水、任選的至少一種螯合劑、任選的至少一種蝕刻劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合劑，其中，該水性清潔組合物適用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物。
2.權(quán)利要求1的清潔組合物,其中，該等離子體蝕刻后殘余物包含選自由含鈦化合物、 聚合物性化合物、含銅化合物、含鎢化合物、含鈷化合物、及其組合所組成的組的殘余物。
3.權(quán)利要求1或2的清潔組合物，其包含該至少一種蝕刻劑。
4.權(quán)利要求3的清潔組合物，其中，該至少一種蝕刻劑包含選自由下列所組成的組的氟化物物質(zhì)氫氟酸、氟硼酸、六氟磷酸四甲銨、氟化銨鹽、氟化氫銨鹽、四氟硼酸四丁銨、四氟硼酸四甲銨、四氟硼酸四乙銨、四氟硼酸四丙銨、四氟硼酸四丁銨、丙二醇/ HF、丙二醇/ 氟化四烷基銨、丙二醇/氟化芐基三甲銨、及其組合。
5.權(quán)利要求3的清潔組合物，其中，該至少一種蝕刻劑包含選自由氟化氫銨、四氟硼酸四丁銨、及其組合所組成的組的氟化物。
6.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其包含該至少一種鈍化劑。
7.權(quán)利要求6的清潔組合物，其中，該至少一種鈍化劑包含選自由硼酸、3-羥基-2-萘甲酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、及其混合物所組成的組的物質(zhì)。
8.權(quán)利要求6的清潔組合物，其中，該至少一種鈍化劑包含硼酸。
9.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其中，該至少一種金屬腐蝕抑制劑包含選自由下列所組成的組的物質(zhì)苯并三唑(BTA)、1，2，4-三唑(TAZ)、5_氨基四唑(ATA)、1-羥基苯并三唑、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、3-氨基-1H-1，2，4-三唑、3，5-二氨基-1，2，4-三唑、甲苯基三唑、5-苯基苯并三唑、5-硝基苯并三唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑、1-氨基-1，2，4-三唑、2- (5-氨基戊基)-苯并三唑、1-氨基-1，2，3-三唑、1-氨基-5-甲基-1，2，3-三唑、3-巰基-1，2，4-三唑、3-異丙基-1，2，4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵基苯并三唑(鹵基=F、Cl、Br、I)、萘并三唑、IH-四唑-5-乙酸、2-巰基苯并噻唑(2-MBT)、1-苯基-2-四唑啉-5-硫酮、2-巰基苯并咪唑(2-MBI)、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、2，4- 二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪、噻唑、咪唑、苯并咪唑、三嗪、甲基四唑、鉍硫醇1、 1，3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二氨基甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-1，2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1，3，4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、 磷酸三甲苯酯、吲唑、腺嘌呤、胞嘧啶、鳥嘌呤、胸嘧啶、磷酸鹽抑制劑、胺、吡唑、丙硫醇、硅烷、仲胺、苯并異羥肟酸、雜環(huán)氮抑制劑、檸檬酸、抗壞血酸、硫脲、1，1，3，3-四甲基脲、脲、脲衍生物、尿酸、乙基黃原酸鉀、甘氨酸、十二烷基膦酸、亞氨基二乙酸、酸、硼酸、丙二酸、琥珀酸、次氮基三乙酸、環(huán)丁砜、2，3，5-三甲基吡嗪、2-乙基-3，5- 二甲基吡嗪、喹喔啉、乙?；量?、噠嗪、組氨酸、吡嗪、谷胱甘肽(還原型)、半胱氨酸、胱氨酸、噻吩、巰基吡啶N-氧化物、硫胺HC1、四乙基秋蘭姆二硫化物、2，5- 二巰基-1，3-噻二唑抗壞血酸、抗壞血酸、及其組合。
10.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其包含該至少一種蝕刻劑及該至少一種鈍化劑。
11.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其中，基于組合物的總重量，水的量在約50重量％至約99重量％的范圍內(nèi)。
12.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其中，pH在約O至約7的范圍內(nèi)。
13.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其中，該組合物實(shí)質(zhì)上不含研磨材料、氧化劑、 氨、強(qiáng)堿、及偕胺肟復(fù)合劑。
14.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其中，該組合物實(shí)質(zhì)上不含有機(jī)溶劑。
15.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其中，該組合物實(shí)質(zhì)上不含二氧化硅來源。
16.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的清潔組合物，其中，該組合物進(jìn)一步包含選自由含鈦殘余物、聚合物性殘余物、含銅殘余物、含鎢殘余物、含鈷殘余物、及其組合所組成的組的等離子體蝕刻后殘余物。
17.套組，其包括存于一個(gè)或多個(gè)容器中的用于形成水性清潔組合物的一種或多種下列試劑，該一種或多種試劑選自由至少一種腐蝕抑制劑、水、任選的至少一種螯合劑、任選的至少一種蝕刻劑、任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合劑所組成的組，且其中該套組適于形成適用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物的水性清潔組合物。
18.自其上具有材料的微電子器件移除該材料的方法，該方法包括使該微電子器件與水性清潔組合物接觸足夠的時(shí)間以自該微電子器件至少部分移除該材料，其中，該水性清潔組合物包括至少一種腐蝕抑制劑、水、任選的至少一種螯合劑、任選的至少一種蝕刻劑、 任選的至少一種鈍化劑、及任選的至少一種復(fù)合劑。
19.權(quán)利要求18的方法，其中，該材料包含等離子體蝕刻后殘余物，其包括選自由含鈦化合物、聚合物性化合物、含銅化合物、含鎢化合物、含鈷化合物、及其組合所組成的組的殘余物。
20.權(quán)利要求18或19的方法，其中，該接觸包括選自由下列所組成的組的條件約I分鐘至約30分鐘的時(shí)間；約40°C至約70°C范圍內(nèi)的溫度；及其組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于自其上具有等離子體蝕刻后殘余物的微電子器件清潔該殘余物的清潔組合物及方法。該組合物實(shí)現(xiàn)包括含鈦、含銅、含鎢、和/或含鈷蝕刻后殘余物的殘余材料自微電子器件的高度有效清潔，同時(shí)不會(huì)損壞層間介電質(zhì)、金屬互連材料、和/或覆蓋層。
文檔編號(hào)H01L21/302GK103003923SQ201180035063
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2011年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者杰弗里·巴恩斯, 斯蒂芬·里皮, 張鵬, 里卡·拉賈拉姆 申請(qǐng)人:高級(jí)技術(shù)材料公司