專利名稱：半導(dǎo)體器件和用于制造半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種半導(dǎo)體器件以及ー種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。相關(guān)申請的交叉參引本申請要求德國專利申請102010031945. 7的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容在此通過引用并入本文。
背景技術(shù)：
在輻射發(fā)射的半導(dǎo)體器件中，例如在具有用于產(chǎn)生輻射的發(fā)光二極管芯片的器件中，例如在燈売上散射回的輻射部分能夠在器件中被吸收，由此，輻射產(chǎn)生的效率總體上下降。尤其在半導(dǎo)體芯片直接安裝到平的載體上的器件中，由于載體的吸收能夠?qū)е潞艽髶p耗。

發(fā)明內(nèi)容
目的是提出一種半導(dǎo)體器件，在所述半導(dǎo)體器件中降低了吸收損耗。此外應(yīng)提出一種用于制造這種半導(dǎo)體器件的方法，通過所述方法能夠低成本地并且可靠地制造有效率的半導(dǎo)體器件。所述目的通過根據(jù)獨立權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件以及方法來實現(xiàn)。設(shè)計方案和改進形式是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)ー個實施形式，半導(dǎo)體器件具有至少ー個光電子半導(dǎo)體芯片和帶有連接面的連接載體，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述連接面上。在連接載體上構(gòu)成反射層。此外，在連接載體上構(gòu)成限界結(jié)構(gòu)，所述限界結(jié)構(gòu)在橫向方向上至少局部地環(huán)繞半導(dǎo)體芯片。反射層在橫向方向上至少局部地在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和限界結(jié)構(gòu)之間延伸。橫向方向在本文中理解成沿著連接載體的主延伸平面延伸的方向。借助于限界結(jié)構(gòu)至少局部地限界反射層的橫向擴展。在制造中，限界結(jié)構(gòu)設(shè)為用于在橫向方向上阻止反射層的材料的伸展或者至少使反射層的材料的伸展變難。因此，借助于限界結(jié)構(gòu)能夠?qū)⒎瓷鋵釉谥皽蚀_限定出的區(qū)域中施加到連接載體上。在半導(dǎo)體器件的俯視圖中，限界結(jié)構(gòu)優(yōu)選完全地環(huán)繞半導(dǎo)體芯片。因此，限界結(jié)構(gòu)能夠具有自封閉的結(jié)構(gòu)。例如，限界結(jié)構(gòu)能夠在半導(dǎo)體器件的俯視圖中框架型地構(gòu)成。半導(dǎo)體芯片在背離連接載體的側(cè)上優(yōu)選地具有輻射穿透面。輻射穿透面適當?shù)刂辽倬植康貨]有反射層。尤其地，輻射穿透面能夠構(gòu)成為完全沒有反射層材料。半導(dǎo)體芯片優(yōu)選直接地、也就是不封裝地設(shè)置在連接載體上并且此外優(yōu)選地固定在連接載體上。因此，半導(dǎo)體器件能夠在豎直方向上、也就是垂直于連接載體的主延伸平面地極其緊湊地構(gòu)成。連接載體優(yōu)選地平地構(gòu)造。此外優(yōu)選地，半導(dǎo)體芯片平坦地并且優(yōu)選直接地安裝在連接載體上。也就是說，連接載體沒有反射器型地形成的設(shè)有半導(dǎo)體芯片的腔。在一個優(yōu)選的設(shè)計方案中，反射層至少局部地覆蓋半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。因此，借助于反射層能夠避免輻射例如在半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生并且在側(cè)向方向上射出的輻射部分或在背向反射之后又進入到半導(dǎo)體芯片中的輻射部分在側(cè)向方向上從半導(dǎo)體芯片射出。因此提高了整體上通過輻射穿透面射出的輻射功率。在另ー個優(yōu)選的設(shè)計方案中，反射層至少局部地直接鄰接于半導(dǎo)體芯片。尤其地，反射層能夠在制造中成形到半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上。因此，反射層的側(cè)面在其形狀方面遵循光電子半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。在另ー個優(yōu)選的設(shè)計方案中，反射層構(gòu)成為是電絕緣的。因此減小了電短路的危險。此外優(yōu)選地，反射層構(gòu)成為是漫反射的。反射層例如能夠包含聚合物材料并且構(gòu) 成為對在光電子半導(dǎo)體芯片中要產(chǎn)生的或要接收的輻射是反射的。例如，反射層能夠設(shè)有用于提高反射率的顆粒。在另ー個優(yōu)選的設(shè)計方案中，反射層在半導(dǎo)體器件的俯視圖中完全地設(shè)置在限界結(jié)構(gòu)之內(nèi)。因此，限界結(jié)構(gòu)確定了反射層的橫向擴展。因此，通過限界結(jié)構(gòu)阻止了在制造中反射層的材料的側(cè)向伸展或者至少使反射層的材料的側(cè)向伸展變難。在另ー個優(yōu)選的設(shè)計方案中，半導(dǎo)體芯片在豎直方向上高于限界結(jié)構(gòu)。因此，半導(dǎo)體器件的特征能夠在于極其小的厚度。在另ー個優(yōu)選的設(shè)計方案中，借助于連接面層形成連接面。連接面層適當?shù)貥?gòu)成為是導(dǎo)電的。例如，適合于連接面層的是包含金屬或金屬合金的層。在一個設(shè)計方案變型形式中，限界結(jié)構(gòu)借助于連接面層的與連接面隔開的子區(qū)域形成。因此，限界結(jié)構(gòu)的至少一部分和連接面能夠在制造中由共同的層得出。在另ー個設(shè)計方案變型形式中，限界結(jié)構(gòu)借助于連接載體上的凸部形成。凸部能夠直接施加在連接載體上。與之不同地，尤其為凸部的限界結(jié)構(gòu)能夠是預(yù)先制造的并且借助于連接層固定在連接載體上。在另ー個設(shè)計方案變型形式中，限界結(jié)構(gòu)借助于連接載體中的凹部形成。在制造半導(dǎo)體器件時，凹部和反射層優(yōu)選地相互協(xié)調(diào)，使得反射層的材料的表面應(yīng)カ抵抗或優(yōu)選地至少盡可能地阻止所述材料侵入到凹部中。在另ー個設(shè)計方案中，限界結(jié)構(gòu)借助于連接載體的下述區(qū)域形成，所述區(qū)域?qū)τ诜瓷鋵拥牟牧隙跃哂信c在連接載體的面向反射層的側(cè)上鄰接于反射層的材料相比較低的潤濕性。連接載體的具有較低的潤濕性的區(qū)域能夠通過連接載體的表面自身地或通過施加到連接載體上的層形成。連接載體的具有降低的潤濕性的區(qū)域能夠直接鄰接于連接面。此外，連接面和低潤濕性的區(qū)域能夠具有相同的厚度，使得連接面和所述區(qū)域共同形成ー個平坦的面。換言之，限界結(jié)構(gòu)和具有較低的潤濕性的區(qū)域能夠在豎直方向上彼此齊平。限界結(jié)構(gòu)也能夠環(huán)繞多于ー個光電子半導(dǎo)體芯片。此外，在限界結(jié)構(gòu)之內(nèi)除光電子半導(dǎo)體芯片之外也能夠設(shè)有另外的電子部件，所述另外的電子部件不設(shè)置用于產(chǎn)生或接收福射。例如，所述另外的部件能夠設(shè)置成用于抵御靜電放電(Electrostatic Discharge,ESD)的半導(dǎo)體芯片。
這種半導(dǎo)體芯片能夠由反射層完全覆蓋，使得盡可能地降低在所述另外的半導(dǎo)體芯片中吸收光的危險。 在用于制造半導(dǎo)體器件的方法中，根據(jù)ー個實施形式提供具有連接面的連接載體。將限界結(jié)構(gòu)設(shè)置在連接載體上。將半導(dǎo)體芯片設(shè)置在連接面上。構(gòu)成至少局部地在半導(dǎo)體芯片和限界結(jié)構(gòu)之間延伸的反射層限界結(jié)構(gòu)。制造方法不必一定以上面列舉的順序執(zhí)行。例如，連接面和限界結(jié)構(gòu)能夠在同一制造步驟中由共同的連接面層構(gòu)成。此外也能夠考慮，在已經(jīng)將半導(dǎo)體芯片設(shè)置在連接面上之后，才將限界結(jié)構(gòu)設(shè)置在連接載體上。限界結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成在連接載體上，例如借助于分配器、借助于壓印、借助于例如為絲網(wǎng)印刷的印刷、借助于鑄造法或借助于光刻結(jié)構(gòu)化。替選地或補充地，限界結(jié)構(gòu)能夠通過局部地降低潤濕性構(gòu)成。這例如能夠通過等離子處理或通過覆層實現(xiàn)。這種覆層優(yōu)選地包含具有極其低的潤濕性的材料，例如為氟化的聚合物材料，例如聚四氟こ烯(PTFE )。對留在半導(dǎo)體器件中的限界結(jié)構(gòu)替選地，限界結(jié)構(gòu)也能夠在構(gòu)成反射層之后被去除。例如，作為尤其能夠再次使用的、預(yù)先制造的結(jié)構(gòu)的限界結(jié)構(gòu)能夠為了構(gòu)成反射層而臨時地安放。對預(yù)先制造的設(shè)計方案替選地，限界結(jié)構(gòu)能夠構(gòu)成在連接載體上并且隨后被去除。在一個優(yōu)選的設(shè)計方案中，借助于分配器施加反射層。這種方法尤其適合低成本地并且準確配量地施加聚合物材料。所描述的方法尤其適合于制造更上面描述的半導(dǎo)體器件。因此，結(jié)合方法描述的特征也能夠用于半導(dǎo)體器件，并且反之亦然。其他的特征、設(shè)計方案和適當方案從結(jié)合附圖對實施例的下述描述中得出。


附圖示出圖1至7分別示出半導(dǎo)體器件的實施例的示意剖面圖；和圖8A至8C按照分別以示意剖面圖示出的中間步驟示出方法的實施例。
具體實施例方式
相同的、相同類型的或起相同作用的元件在圖中設(shè)有相同的附圖標記。圖和在圖中示出的元件彼此間的大小比例不能夠視作是按照比例的。相反地，為了更好的可視性和/或為了更好的理解，能夠夸大地示出各個元件、尤其是層厚度。在圖1中示意地以剖面圖示出半導(dǎo)體器件的第一實施例。半導(dǎo)體器件I具有半導(dǎo)體芯片2，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置在連接載體5的連接面53上。半導(dǎo)體芯片借助于連接層6固定在連接面上。因此，半導(dǎo)體芯片以平的布置方式不封裝地固定在平坦的連接載體上。半導(dǎo)體芯片2構(gòu)造成發(fā)光二極管半導(dǎo)體芯片，其中設(shè)有用于產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體芯片的有源區(qū)域23。但是與之不同地，也能夠使用設(shè)置用于接收輻射的光電子半導(dǎo)體芯片。在橫向方向上，半導(dǎo)體芯片2通過側(cè)面21限界。
連接載體5在豎直方向上在面向半導(dǎo)體芯片的第一主面51和背離半導(dǎo)體芯片2的第二主面52之間延伸。在第一主面51上構(gòu)成連接面層530，所述連接面層在半導(dǎo)體芯片2的范圍中形成連接面53。連接面層530的與連接面53隔開的子區(qū)域531形成限界結(jié)構(gòu)3。那么，在制造中限界結(jié)構(gòu)能夠從共同的層中得出限界結(jié)構(gòu)和連接面。適合于連接面層530的尤其是導(dǎo)電材料,例如金屬或金屬合金。在連接載體5上構(gòu)成反射層4，所述反射層在橫向方向上從半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面21朝向限界結(jié)構(gòu)3延伸。限界結(jié)構(gòu)3因此在橫向方向上限界了反射層4的擴展。借助于覆蓋側(cè)面21的反射層4避免了，在半導(dǎo)體器件工作時在有源區(qū)域23中產(chǎn)生的輻射通過側(cè)面21從半導(dǎo)體芯片2射出。因此提高了通過半導(dǎo)體芯片2的在背離連接載體5的側(cè)上構(gòu)成的輻射穿透面20總共射出的輻射功率。此外，能夠借助于反射層4避免，已經(jīng)從半導(dǎo)體器件I射出的輻射在往回散射后射到連接載體5上并且在所述連接載體上至少部分地被吸收。總共能夠使用的輻射功率因此 盡可能地提聞。因此，反射層4阻止了輻射射到連接載體5上。因此，所述連接載體能夠與其光學特性無關(guān)地選擇或構(gòu)成。例如，適合于連接載體的是電路板例如為印刷電路板(PrintedCircuit Board，PCB)。電路板能夠剛性地或柔性地構(gòu)成。為了提高導(dǎo)熱性，電路板能夠設(shè)
有金屬芯。借助于反射層4也為半導(dǎo)體芯片2把往回散射到連接載體5上的輻射的輻射吸收的危險最小化，其中所述半導(dǎo)體芯片直接地、也就是不封裝地和不帶有包圍半導(dǎo)體芯片2的腔地設(shè)置在連接載體5上。借助于限界結(jié)構(gòu)3能夠在制造時施加反射層的材料之前，以精確限定的方式確定反射層4的橫向擴展。符合目的地，輻射穿透面20沒有反射層4。因此，射到輻射穿透面20上的輻射在從半導(dǎo)體芯片2射出時沒有被反射層4阻礙。與示出的視圖不同的，然而，反射層4能夠在靠近側(cè)面21的區(qū)域中取決于制造地局部地設(shè)有反射層的材料。在半導(dǎo)體器件I的俯視圖中，限界結(jié)構(gòu)優(yōu)選地框架型地圍繞半導(dǎo)體芯片2構(gòu)成。優(yōu)選地，限界結(jié)構(gòu)全周地環(huán)繞半導(dǎo)體芯片。因此，以簡單的方式確保了在橫向平面中在各個方向上對反射層4進行限界。反射層4優(yōu)選地構(gòu)成為是漫反射的。例如，反射層能夠包含聚合物材料，例如為硅樹脂或者環(huán)氧化物或者由硅樹脂或環(huán)氧化物組成的混合物。為了提高反射率，聚合物材料能夠設(shè)有氧化鈦顆粒。替選地或補充地，也能夠使用氧化鋁或氧化鋯顆粒。依據(jù)顆粒的濃度，反射層的反射率能夠為85%或更高，優(yōu)選為90%或更高，例如為95%。此外，反射層4構(gòu)成為是電絕緣的。因此，與金屬的反射層相比減小了半導(dǎo)體芯片2在側(cè)面21的區(qū)域中通過反射層4短路的危險。在半導(dǎo)體器件I的俯視圖中，反射層局部地覆蓋連接面53。尤其地，反射層4在連接面的橫向超出半導(dǎo)體芯片2的部分中直接鄰接于連接面。因此，以簡單的方式避免了通過連接面的輻射吸收。半導(dǎo)體芯片2在豎直方向上高于限界結(jié)構(gòu)3。因此，半導(dǎo)體器件I的厚度基本上經(jīng)由連接載體5的厚度和半導(dǎo)體芯片2的厚度確定，使得半導(dǎo)體器件I能夠被極其緊湊地制造。
半導(dǎo)體芯片2，尤其是有源區(qū)域23優(yōu)選地包含II1-V族化合物半導(dǎo)體材料。II1-V族化合物半導(dǎo)體材料尤其適合于產(chǎn)生在紫外(AlxInyGanN)光譜范圍中經(jīng)過可見(AlxInyGa1IyN,尤其針對藍色的至綠色的輻射，或者AlxInyGa1^P,尤其針對黃色的至紅色的輻射)光譜范圍直到紅外(AlxInyGa1IyAs)光譜范圍的輻射。在此分別有0彡x彡1，0彡y彡I和x+y彡1、特別地X關(guān)l,y^ l,x關(guān)0和/或y關(guān)O。借助于尤其來自所述材料系統(tǒng)的II1-V族半導(dǎo)體材料，還能夠在輻射產(chǎn)生時實現(xiàn)高的內(nèi)部量子效率。在圖2中示意地以剖面圖示出的半導(dǎo)體器件I的第二實施例基本上符合結(jié)合圖1描述的第一實施例。與此不同的是，限界結(jié)構(gòu)3構(gòu)成為是多層的。限界結(jié)構(gòu)3在面向連接載體5的側(cè)上如在第一實施例中一祥借助于連接面層530形成。在連接面層530上，限界結(jié)構(gòu)3具有限界層31。通過限界層31的厚度能夠盡可能與連接面層530的厚度無關(guān)地調(diào)節(jié)限界結(jié)構(gòu)3的厚度。因此，對于限界結(jié)構(gòu)3的厚度的増加，不必增大連接面層530的厚度。因此能夠降低材料需求。限界結(jié)構(gòu)3越厚，那么反射層4的材料在制造半導(dǎo)體器件I時經(jīng)由限界結(jié)構(gòu)3伸 展出的危險就越小。限界層31例如能夠構(gòu)成為電鍍加厚部。在圖3中示意地以剖面圖示出的第三實施例基本上符合結(jié)合圖1描述的第一實施例。此外不同的是，限界結(jié)構(gòu)3借助于凸部32形成。因此，在該情況下，限界結(jié)構(gòu)3能夠完全與連接面53無關(guān)地構(gòu)成。特別地，也能夠?qū)ο藿缃Y(jié)構(gòu)使用電絕緣的并且不適合于連接面53的材料。例如適合于凸部的是合成材料，例如為硅樹脂、環(huán)氧化物或漆。這種限界結(jié)構(gòu)3例如能夠借助于分配器、借助于壓印、借助于例如為注塑法或壓鑄法的鋳造法或借助于印刷施加到連接載體5上。在圖4中示出的半導(dǎo)體器件I的第四實施例基本上符合結(jié)合圖3描述的第三實施例。與此不同的是，限界結(jié)構(gòu)3借助于凸部32形成，所述凸部是預(yù)先制造的并且隨后固定在連接載體5上。固定借助于例如為粘接層的連接層35實現(xiàn)，所述連接層構(gòu)成在凸部32和連接載體的第一主面51之間。限界結(jié)構(gòu)的材料在該情況下能夠在大范圍中選擇。例如，能夠使用例如以沖壓的金屬板的形式的金屬、陶瓷或塑料。在圖5中示意地以剖面圖示出的半導(dǎo)體器件的第五實施例基本上符合結(jié)合圖3描述的第三實施例。與此不同的是，限界結(jié)構(gòu)3借助于覆層形成，所述覆層構(gòu)成在連接載體5上的區(qū)域33中。覆層構(gòu)成為使得反射層4的材料在其制造時不潤濕區(qū)域33或者至少與連接載體的未處理的露出的主面相比僅輕微地潤濕區(qū)域33。因此，區(qū)域33通過連接載體的覆層形成。覆層例如能夠包含底漆材料，所述底漆材料降低了連接載體的第一主面的潤濕性。例如為PTFE的氟化的聚合物材料例如適合用作具有低潤濕性的材料。對覆層而言，小的層厚已經(jīng)能夠是足夠的，例如在20nm (包括20nm)和200nm (包括200nm)之間的層厚。然而，層厚也能夠適當?shù)貫镮 Pm或更大。因此，在構(gòu)成反射層時，在該實施例中主要基于不同的潤濕性來控制反射層4的橫向擴展。也能夠除了結(jié)合其他的實施例描述的限界結(jié)構(gòu)之外使用這種覆層。例如限界結(jié)構(gòu)能夠是設(shè)有用于降低潤濕性的覆層的凸部。與示出的實施例不同地，區(qū)域33也能夠直接地構(gòu)成在連接載體5的第一主面51上。例如，能夠通過等離子處理在區(qū)域33中局部地對第一主面51進行改性，使得反射層4的材料的潤濕性降低。在圖6中示出的半導(dǎo)體器件的第六實施例基本上符合結(jié)合圖5描述的第五實施例。與此不同的是，區(qū)域33直接地鄰接于連接面53，其中通過區(qū)域33形成限界結(jié)構(gòu)3。因此，能夠借助于在區(qū)域33中的覆層使具有連接面53的連接載體5平整。連接面53和區(qū)域33中的覆層在豎直方向上相互齊平，使得出現(xiàn)平的表面。不同的潤濕性特性，也就是區(qū)域33中的較小的潤濕性導(dǎo)致了在制造時通過限界結(jié)構(gòu)3在橫向方向上限界反射層4的擴展。 結(jié)合圖7描述的第七實施例基本上符合結(jié)合圖3描述的第三實施例。與此不同的是，限界結(jié)構(gòu)3不是借助于凸部、而是借助于凹部34形成。凹部的擴展尺寸尤其關(guān)于其表面張カ而匹配于反射層4的材料，使得反射層4的材料在橫向方向上不經(jīng)由凹部34伸展出。凹部34例如能夠機械地例如借助于刮刻或鋸開或者借助于相干輻射引入。替選地，也能夠使用化學方法，例如濕化學法或干化學法。因此，與第三實施例不同地，限界結(jié)構(gòu)3能夠不帶有朝向輻射穿透面20的方向超出載體的第一主面51的凸部地構(gòu)成。在所描述的實施例中，僅為了簡化的表示分別示出僅一個單個的半導(dǎo)體芯片2，所述半導(dǎo)體芯片被限界結(jié)構(gòu)3包圍。但是與此不同的，也能夠在限界結(jié)構(gòu)之內(nèi)設(shè)置有多個半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片能夠是電子部件或設(shè)為用于產(chǎn)生或接收輻射的光電子半導(dǎo)體芯片。電子部件能夠為了避免輻射吸收而完全嵌入到反射層4中，使得部件的背離連接載體5的表面也能夠被反射層覆蓋。電子部件例如能夠構(gòu)成為用于光電子半導(dǎo)體芯片2的ESD防護ニ極管。在圖8A至SC中按照中間步驟示意地示出用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中僅示例性地為根據(jù)第二實施例(圖2)構(gòu)造的半導(dǎo)體器件示出所述方法。提供連接載體5，其中在連接載體5上構(gòu)成連接面層530。連接面層530劃分成兩個相互隔開的子區(qū)域，其中ー個子區(qū)域形成連接面53，并且環(huán)繞連接面53的另ー個子區(qū)域531設(shè)為用于構(gòu)成限界結(jié)構(gòu)(圖8A)。如同在圖SB中示出的，在子區(qū)域531上施加限界層31。這例如能夠借助于子區(qū)域531的電鍍加厚實現(xiàn)。替選地或補充地，能夠氣相噴鍍或濺鍍限界層。具有設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)域23的半導(dǎo)體芯片2借助于例如為焊料或?qū)щ娬辰觿┑倪B接層6固定在連接面53上。在固定光電子半導(dǎo)體芯片2之后，如同在圖8C中示出的，能夠施加反射層4，使得所述反射層在橫向方向上從半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面21朝向限界結(jié)構(gòu)3延伸。借助于限界結(jié)構(gòu)3能夠以簡單的和可靠的方式避免反射層4在制造時在橫向方向上伸展。因此，在反射層的材料量被預(yù)設(shè)的情況下，借助于限界結(jié)構(gòu)3不僅對反射層在橫向方向上的擴展、而且對反射層的厚度進行預(yù)設(shè)。反射層4因此能夠以極其簡單的和能夠再制的方式施加。反射層的施加例如能夠借助于分配器進行。與所描述的實施例不同地，限界結(jié)構(gòu)3也能夠在構(gòu)成反射層4之后被去除。例如，限界結(jié)構(gòu)3能夠構(gòu)成為預(yù)先制造的、臨時地安放到連接載體5上的結(jié)構(gòu)。這種限界結(jié)構(gòu)例如能夠構(gòu)成為用于絲網(wǎng)印刷法的結(jié)構(gòu)并且在制造時重復(fù)用于多個半導(dǎo)體器件。替選地，例如能夠化學地例如借助于刻蝕或借助于溶劑在去除時損壞臨時的限界結(jié)構(gòu)3。本發(fā)明不局限于根據(jù)實施例進行的描述。相反地，本發(fā)明包括每個新特征以及特 征的任意的組合，這尤其包含在權(quán)利要求中的特征的任意的組合，即使所述特征或所述組合自身沒有明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├姓f明時也如此。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體器件(1)，所述半導(dǎo)體器件具有至少一個光電子半導(dǎo)體芯片(2)和帶有連接面(53 )的連接載體(5 )，所述半導(dǎo)體芯片(2 )設(shè)置在所述連接面上，其中 -在所述連接載體(5)上構(gòu)成反射層(4)； -在所述連接載體(5)上構(gòu)成限界結(jié)構(gòu)(3)，所述限界結(jié)構(gòu)在橫向方向上至少局部地環(huán)繞所述半導(dǎo)體芯片(2);和 -所述反射層(4)在橫向方向上至少局部地在所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面(21)和所述限界結(jié)構(gòu)(3)之間伸展。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述反射層至少局部地直接鄰接于所述半導(dǎo)體芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述反射層構(gòu)成為是電絕緣的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述反射層在所述半導(dǎo)體器件的俯視圖中完全地設(shè)置在所述限界結(jié)構(gòu)之內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述半導(dǎo)體芯片在豎直方向上高于所述限界結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述連接面借助于連接面層(530)形成，并且其中所述限界結(jié)構(gòu)借助于所述連接面層的與所述連接面隔開的子區(qū)域(531)形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述限界結(jié)構(gòu)借助于在所述連接載體上的凸部(32)形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述凸部借助于連接層(35)固定在所述連接載體上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述限界結(jié)構(gòu)借助于在所述連接載體中的凹部(34)形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述限界結(jié)構(gòu)借助于在所述連接載體上的如下區(qū)域(33)形成，對于所述反射層的材料來說，所述區(qū)域具有與在面向所述連接載體的側(cè)上鄰接于所述反射層的材料相比更低的潤濕性。
11.用于制造半導(dǎo)體器件(I)的方法，具有以下步驟 a)提供具有連接面(53)的連接載體(3)； b)將限界結(jié)構(gòu)(3)設(shè)置在所述連接載體上； c)將半導(dǎo)體芯片(2)設(shè)置在所述連接面(53)上；和 d)構(gòu)成反射層(4)，所述反射層至少局部地在所述半導(dǎo)體芯片(2)和所述限界結(jié)構(gòu)(3)之間伸展。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法， 其中所述反射層借助于分配器施加。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法， 其中所述限界結(jié)構(gòu)通過局部地降低潤濕性構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中在構(gòu)成所述反射層之后去除所述限界結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至13之一所述的方法，其中制造根據(jù)權(quán)利要求1至10之一所述的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
提出一種半導(dǎo)體器件(1)，所述半導(dǎo)體器件具有至少一個光電子半導(dǎo)體芯片(2)和帶有連接面(53)的連接載體(5)，半導(dǎo)體芯片(2)設(shè)置在所述連接面上。在連接載體(5)上構(gòu)成反射層(4)和限界結(jié)構(gòu)(3)，其中所述限界結(jié)構(gòu)(3)在橫向方向上至少局部地環(huán)繞半導(dǎo)體芯片(2)，并且所述反射層(4)在橫向方向上至少局部地在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面(21)和限界結(jié)構(gòu)(3)之間伸展。此外，提出一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
文檔編號H01L33/46GK103026513SQ201180035938
公開日2013年4月3日 申請日期2011年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月22日
發(fā)明者西蒙·耶雷比奇, 埃里克·海涅曼, 克里斯蒂安·蓋特納, 阿萊斯·馬爾基坦 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司