專利名稱：發(fā)光二極管芯片的制作方法
發(fā)光二極管芯片 詳細(xì)說明了一種發(fā)光二極管芯片。文獻(xiàn)US2007/0290215A1描述了一種發(fā)光二極管芯片。要實(shí)現(xiàn)的一個(gè)目的在于詳細(xì)說明一種發(fā)光二極管芯片，其在老化方面尤其穩(wěn)定。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述發(fā)光二極管芯片包括n型導(dǎo)電區(qū)、P型導(dǎo)電區(qū)和布置在所述n型導(dǎo)電區(qū)和p型導(dǎo)電區(qū)之間的作用區(qū)。例如通過相應(yīng)地?fù)诫s的半導(dǎo)體區(qū)來形成所述n型導(dǎo)電區(qū)和p型導(dǎo)電區(qū)。所述作用區(qū)提供為用于在所述發(fā)光二極管芯片的操作中產(chǎn)生例如從紅外輻射至UV輻射的波長范圍的電磁輻射。為此目的，所述作用區(qū)可包括例如Pn結(jié)、單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，所述作用區(qū)可能包括多個(gè)輻射產(chǎn)生層。所述發(fā)光二極管芯片，即，例如所述n型導(dǎo)電區(qū)、p型導(dǎo)電區(qū)和/或所述作用區(qū)，以例如氮化物半導(dǎo)體為基礎(chǔ)。其意味著所述區(qū)或至少部分所述區(qū)包括氮化物化合物半導(dǎo)體材料(例如AlnGamIn1^mN)或由所述材料組成,其中適用如下:0: n ^ 1,0: m ^ I且n+m^ 10在此情況下，所述材料無需一定具有根據(jù)上式的數(shù)學(xué)上精確的組分。相反，其可包括例如一種或多種摻雜劑以及額外組成部分。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述發(fā)光二極管芯片包括鏡層，其被布置在所述P型導(dǎo)電區(qū)的遠(yuǎn)離所述作用區(qū)的一側(cè)處。所述鏡層可例如直接地鄰接所述P型導(dǎo)電區(qū)。所述鏡層被提供用于在所述n型導(dǎo)電區(qū)的方向上反射在所述發(fā)光二極管芯片的操作期間在所述作用區(qū)中產(chǎn)生的電磁輻射。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述發(fā)光二極管芯片包括布置在所述鏡層的遠(yuǎn)離所述P型導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)處的封裝層。所述封裝層可直接接觸所述鏡層。所述封裝層充當(dāng)用于所述鏡層的屏障且抑制或防止例如濕氣穿透到所述鏡層中。例如，替代地或附加地，所述封裝層可適合于防止將形成所述鏡層的材料擴(kuò)散到所述P型導(dǎo)電區(qū)中。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述發(fā)光二極管芯片包括接觸層，其被布置在所述封裝層的遠(yuǎn)離所述鏡層的一側(cè)處。所述接觸層可例如直接接觸所述封裝層。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述封裝層沿著所述鏡層的遠(yuǎn)離所述P型導(dǎo)電區(qū)的底部區(qū)域和所述鏡層的相對(duì)于所述底部區(qū)域橫向地(例如垂直地)伸展的側(cè)面區(qū)域進(jìn)行延伸。在此情況下，所述封裝層可直接接觸所述鏡層。特別地，在所述側(cè)面區(qū)域的區(qū)域中，所述封裝層可完全地覆蓋所述鏡層。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述接觸層從其面對(duì)所述n型導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)在適當(dāng)位置可自由地到達(dá)。換而言之，特別地，所述封裝層在適當(dāng)位置不覆蓋所述接觸層，使得所述接觸層可從所述發(fā)光二極管芯片的外部直接地被電接觸連接。所述接觸連接可從所述n型導(dǎo)電區(qū)的方向?qū)崿F(xiàn)，例如，借助于接觸連接線，其可被固定至所述接觸層。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述發(fā)光二極管芯片包括n型導(dǎo)電區(qū)、P型導(dǎo)電區(qū)和布置在所述n型導(dǎo)電區(qū)和p型導(dǎo)電區(qū)之間的作用區(qū)。此外，所述發(fā)光二極管芯片包括在所述P型導(dǎo)電區(qū)的遠(yuǎn)離所述作用區(qū)的一側(cè)處的鏡層、在所述鏡層的遠(yuǎn)離所述P型導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)處的封裝層、以及在所述封裝層的遠(yuǎn)離所述鏡層的一側(cè)處的接觸層。在此情況下，所述封裝層沿著所述鏡層的遠(yuǎn)離所述P型導(dǎo)電區(qū)的底部區(qū)域和所述鏡層的相對(duì)于所述底部區(qū)域橫向地伸展的側(cè)面區(qū)域進(jìn)行延伸，且所述接觸層從其面對(duì)所述n型導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)在適當(dāng)位置可自由地到達(dá)。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述發(fā)光二極管芯片包括貫穿所述n型導(dǎo)電區(qū)、所述p型導(dǎo)電區(qū)、所述作用區(qū)、所述鏡層和所述封裝層直至所述接觸層的開口。在此情況下，例如，所述開口可借助于蝕刻來被引入到所述區(qū)和層中。所述開口從所述n型導(dǎo)電區(qū)行進(jìn)直至所述接觸層完全地穿透所述發(fā)光二極管芯片。借助于所述開口，所述接觸層未被覆蓋且由此從其面對(duì)所述n型導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)在適當(dāng)位置可自由地到達(dá)。在此情況下，所述開口可位于所述發(fā)光二極管芯片的邊緣區(qū)域中，使得其在側(cè)向上不完全地由所述n型導(dǎo)電區(qū)、所述p型導(dǎo)電區(qū)、所述作用區(qū)、所述鏡層和所述封裝層所界定。在此情況下，所述側(cè)向是與所述發(fā)光二極管芯片的主延伸面平行伸展的方向。然而，開口也可能被布置在所述發(fā)光二極管芯片的中央?yún)^(qū)域中，使得所述開口在側(cè)向上在所有側(cè)面上被所述n型導(dǎo)電區(qū)、所述p型導(dǎo)電區(qū)、所述作用區(qū)、所述鏡層和所述封裝層包圍。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，面對(duì)所述開口的所述鏡層的所述側(cè)面區(qū)域被所述封裝層完全地覆蓋。如果所述封裝層未沿所述側(cè)面區(qū)域延伸，則穿過也貫穿所述鏡層的所述開口，所述鏡層的側(cè)面區(qū)域在所述開口內(nèi)將未被覆蓋。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述p型導(dǎo)電層在側(cè)向上在所述開口的區(qū)域中伸出所述鏡層外。換而言之，例如在所述開口中，所述鏡層并未與所述P型導(dǎo)電層平齊終止，而是相比于所述所述P型導(dǎo)電層被縮回。由此產(chǎn)生的腔體(例如空槽，其是由于超出所述鏡層的所述P型導(dǎo)電層的懸垂而建立的)優(yōu)選地用所述封裝層的材料完全地填充。因此，在所述懸垂的區(qū)域中，所述封裝層可直接地鄰接所述P型導(dǎo)電區(qū)的面對(duì)所述接觸層的底部區(qū)域。例如，在所述開口中的所述封裝層在側(cè)向上伸出所述P型導(dǎo)電層外。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述接觸層在所述開口的區(qū)域中的適當(dāng)位置是可線接觸連接的。換而言之，所述開口以這樣的尺寸被體現(xiàn)，使得到所述接觸層的線接觸連接可借助于例如“絲焊”來在所述開口中實(shí)現(xiàn)。所述接觸層由可線接觸連接材料形成。為此目的，例如，所述接觸層包含或由以下材料之一組成:鋁(Al)、金(Au)。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述發(fā)光二極管芯片包括輻射通道區(qū)域，其通過所述n型導(dǎo)電區(qū)的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)的外部區(qū)域形成在適當(dāng)位置。在操作期間由所述發(fā)光二極管芯片發(fā)出的電磁輻射的至少一部分在其從所述發(fā)光二極管芯片出現(xiàn)前或在其從所述發(fā)光二極管芯片出現(xiàn)期間穿過所述輻射通道區(qū)域。在此情況下，用于在所述發(fā)光二極管芯片的操作期間激勵(lì)所述作用區(qū)的電流分布在所述輻射通道區(qū)域下方被實(shí)現(xiàn)。也就是說，換而言之，沒有用于在所述n型導(dǎo)電區(qū)上盡可能一致地分布電流的電流分布軌跡位于所述輻射通道區(qū)域上，即位于n型導(dǎo)電區(qū)的外部區(qū)域處。相反，在目前的情況下，這樣的電流分布結(jié)構(gòu)被形成在所述輻射通道區(qū)域的下方，使得沒有輻射吸收、電流分布結(jié)構(gòu)被布置在所述輻射通道區(qū)域上。因此，所述發(fā)光二極管芯片由于改善的效率而是出眾的。此外，例如，也有這樣的情況，即，沒有用于所述發(fā)光二極管芯片的接觸連接的焊盤被布置在所述輻射通道區(qū)域；而是，所述焊盤位于所述接觸層處的開口中，即位于所述輻射通道區(qū)域下方。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述封裝層包括以下材料的至少一種，即所述封裝層可由以下材料的一種組成，包含以下材料的一種或包含以下材料的至少兩種的組合或由以下材料的至少兩種的組合組成:TiN、TiWN、Pt、W、PtTiWN、Ti。舉例來說，所述封裝層也可能以多層的方式來體現(xiàn)，例如，其中所述封裝層具有由TiWN形成的至少一個(gè)下層和由TiN形成的至少一個(gè)下層。舉例來說，多個(gè)所述下層可以在彼此之上以交替次序進(jìn)行布置。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述封裝層的外部區(qū)域在適當(dāng)位置具有蝕刻方法的跡線。即，所述封裝層的該部分在開口中借助于蝕刻過程而被去除。這也是涉及產(chǎn)品(發(fā)光二極管芯片)的特征，因?yàn)樗鑫g刻方法可借助于作為所述蝕刻方法在所述封裝層處的特性的跡線而被檢測。根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的至少一個(gè)實(shí)施例，所述鏡層包含銀或由銀組成。銀對(duì)濕氣特別敏感；此外，在所述發(fā)光二極管芯片的操作期間出現(xiàn)的電場中，帶正電荷的銀離子趨于遷移到所述發(fā)光二極管芯片的其它區(qū)域中，在那里它們可能導(dǎo)致?lián)p壞，例如，低電流缺陷或短路。因此，這里描述的封裝層(例如，也金屬地封裝所述鏡層的側(cè)面區(qū)域)證明是特別地有利的。進(jìn)一步，詳細(xì)描述了一種用于產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片的方法。舉例來說，此處描述的發(fā)光二極管芯片可借助于所述方法而被產(chǎn)生。即，針對(duì)所述發(fā)光二極管芯片而公開的特征也針對(duì)所述方法而被公開，反之亦然。例如，所述方法具有以下步驟，其中，所述步驟的指定順序在此情況下是有利的:首先，提供p型導(dǎo)電區(qū)。所述P型導(dǎo)電區(qū)可例如外延地生長在生長襯底上，例如按照以下的層順序:生長襯底、n型導(dǎo)電區(qū)、作用區(qū)、p型導(dǎo)電區(qū)。在隨后的方法步驟中，施加鏡層至所述p型導(dǎo)電區(qū)的外部區(qū)域，例如，施加在所述P型導(dǎo)電區(qū)的遠(yuǎn)離所述作用區(qū)的一側(cè)處。在施加所述鏡層之后或在施加所述鏡層期間借助于掩模技術(shù)，在所述鏡層中產(chǎn)生開口，其延伸直至所述P型導(dǎo)電區(qū)。即，在所述開口的區(qū)域中去除所述鏡層，使得布置在所述鏡層下方的所述P型導(dǎo)電區(qū)未被覆蓋。之后，施加封裝層至所述鏡層遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)的底部區(qū)域，且將所述封裝層引入到所述開口中。結(jié)果，所述鏡層的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)的隨后的底部區(qū)域以及所述鏡層的側(cè)面區(qū)域被所述封裝層所覆蓋。 之后，施加接觸層至所述封裝層遠(yuǎn)離所述鏡層的一側(cè)。最后，從所述p型導(dǎo)電區(qū)遠(yuǎn)離在所述鏡層的所述開口的區(qū)域中的所述接觸層的一偵牝接觸層未被覆蓋。為此目的，舉例來說，所述n型導(dǎo)電區(qū)、所述作用區(qū)、所述p型導(dǎo)電區(qū)、所述鏡層和所述封裝層的材料在適當(dāng)位置可被去除。在此情況下，在所述鏡層的所述開口的區(qū)域中以所述封裝層的部分仍然存在于所述鏡層的所述側(cè)面區(qū)域處的方式來產(chǎn)生所述未覆蓋，使得所述鏡層的所述側(cè)面區(qū)域仍然被所述封裝層的所述材料完全覆蓋。
在示例性實(shí)施例和附圖的基礎(chǔ)上，下面更詳細(xì)地解釋此處描述的發(fā)光二極管芯片以及此處描述的用于產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片的方法。

圖1P在示意性截面圖示的基礎(chǔ)上示出此處描述的發(fā)光二極管芯片的示例性實(shí)施例。在參考圖1A-1P的示意性截面圖示的基礎(chǔ)上，更詳細(xì)地解釋了此處描述的用于產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片的方法。在附圖中，具有相同類型或相同地作用的相同元件具備同樣的參考符號(hào)。這些圖和在圖中圖示的元件彼此間的尺寸關(guān)系不應(yīng)被認(rèn)為是按比例的。相反，各個(gè)元件可以用放大的尺寸進(jìn)行圖示以便能夠進(jìn)行更好的圖示和/或以便提供更好的理解。圖1P在示意性截面圖示的基礎(chǔ)上示出此處描述的發(fā)光二極管芯片的示例性實(shí)施例。所述發(fā)光二極管芯片包括載體12。所述載體12起到機(jī)械地穩(wěn)定對(duì)其施加的發(fā)光二極管芯片的層的作用。在目前的情況下，將所述載體以導(dǎo)電方式進(jìn)行體現(xiàn)。所述載體12可用例如半導(dǎo)體材料或金屬來形成。舉例來說，所述載體12包含或由以下材料的一種組成:鍺、硅、銅、鎳、鑰。所述載體12之后是接觸層11。所述接觸層11包含例如金。封裝層10被布置在所述接觸層11遠(yuǎn)離所述載體12的一側(cè)處，所述封裝層包含例如鈦、鎢和/或氮化物，例如所述材料的氮化物。所述金屬層9被形成在所述封裝層10遠(yuǎn)離所述接觸層11的一側(cè)處，例如，所述金屬層包括以下金屬中的一種或由以下金屬中的一種組成:銀、金。在此情況下，在所述載體12和所述金屬層9之間的所述接觸層11和所述封裝層10可能通過例如以下的層順序而被形成:Ti/TiWN/TiPtAu。在此情況下，所述鈦層面對(duì)所述金屬層9且證明是特別地有利，尤其在金屬層9由銀構(gòu)成的情況下。根據(jù)圖1P的所述發(fā)光二極管芯片此外包括n型導(dǎo)電區(qū)1、p型導(dǎo)電區(qū)2以及形成在n型導(dǎo)電區(qū)I和p型導(dǎo)電區(qū)2之間的作用區(qū)3。所述作用區(qū)3起到在所述發(fā)光二極管芯片的操作期間生成電磁輻射的作用。所述鏡層4被布置在所述p型導(dǎo)電區(qū)2遠(yuǎn)離所述n型導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)處。所述鏡層4在其遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)2的底部區(qū)域43處以及在所述開口 13中未被覆蓋的其側(cè)面區(qū)域42處由封裝層5所覆蓋。例如，由半導(dǎo)體材料形成的所述區(qū)域1、2和3基于上面更詳細(xì)地描述的氮化物化合物半導(dǎo)體材料。所述鏡層4例如由銀形成；所述封裝層5包含或由以下材料或材料組合的至少一種組成:TiN、TiWN、Pt、W、PtTiWN、TCO (透明導(dǎo)電氧化物)材料(如ITO或ZnO)。所述接觸層6鄰接所述封裝層5的遠(yuǎn)離所述鏡層的一側(cè)，在目前的情況下，所述接觸層由例如鋁或金形成。在所述發(fā)光二極管芯片中的所述開口 13被形成到半導(dǎo)體主體中，穿過所述區(qū)域
1、2和3且穿過所述鏡層4和所述封裝層5而被形成，且所述接觸層6在其底部區(qū)域處未被覆蓋?？稍谀抢锝柚诶缃佑|線來構(gòu)成與所述發(fā)光二極管芯片的接觸。所述發(fā)光二極管芯片借助于例如接觸線來在P側(cè)上被連接。所述發(fā)光二極管芯片可具有另外的開口(未示出)，從該另外開口，所述發(fā)光二極管芯片可在n側(cè)上被導(dǎo)電連接。
然而，在目前的情況下，通過所述載體12構(gòu)成與所述發(fā)光二極管芯片的接觸。為了此目的，形成接觸區(qū)8，金屬層9在其中導(dǎo)電接觸所述發(fā)光二極管芯片的所述n型導(dǎo)電區(qū)
1將所述接觸區(qū)8形成在穿過所述鈍化層7的穿孔中。所述鈍化層7包含例如二氧化硅，或由其組成。所述鈍化層7起到電氣隔離所述P側(cè)接觸層6與所述n側(cè)接觸層11的作用。 在目前的情況下，所述封裝層5在所述鏡層4的側(cè)面區(qū)域42處完全地覆蓋所述鏡層4，所述側(cè)面區(qū)域42以其它方式在所述開口 13中未被覆蓋。在此情況下，所述p型導(dǎo)電區(qū)在橫向I上在所述開口 13的所述區(qū)域中伸出所述鏡層4外。將由此產(chǎn)生的腔體用所述封裝層5填充。所述封裝層5從所述側(cè)面區(qū)域42沿著所述鏡層4的所述底部區(qū)域43延伸，且以這樣的方式提供對(duì)所述鏡層4的保護(hù)，例如防止穿透性濕氣。用于操作所述發(fā)光二極管芯片的電流分布被完全地形成在位于所述n型導(dǎo)電區(qū)I的遠(yuǎn)離所述載體12的一側(cè)處的所述輻射通道區(qū)域102的下方。至少所述發(fā)光二極管芯片的由半導(dǎo)體材料形成的區(qū)域可在其未覆蓋的外部區(qū)域處由例如由二氧化硅或氮化硅構(gòu)成的另外的鈍化層14所覆蓋，且可借助于CVD方法來施加。參考圖1A-1P更詳細(xì)地解釋了此處描述的用于產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片的方法。在圖1A中的方法步驟中，提供了 p型導(dǎo)電區(qū)2。舉例來說，所述p型導(dǎo)電區(qū)2被外延地形成。為此目的，舉例來說，n型導(dǎo)電區(qū)I可被沉積到例如由藍(lán)寶石構(gòu)成的生長襯底100上。所述作用區(qū)3被形成到所述n型導(dǎo)電區(qū)I的遠(yuǎn)離所述生長襯底100的外部區(qū)域上，所述作用區(qū)之后是所述P型導(dǎo)電區(qū)2。在圖1B中的方法步驟中，例如通過氣相沉積來將所述鏡層4在所述p型導(dǎo)電區(qū)2的外部區(qū)域21處施加至所述p型導(dǎo)電區(qū)2的遠(yuǎn)離所述生長襯底100的一側(cè)上。例如，所述鏡層4由銀組成。之后，在所述鏡層4中產(chǎn)生開口 41，例如借助于蝕刻來產(chǎn)生。鏡層4的一個(gè)或多個(gè)側(cè)面區(qū)域42以及所述p型導(dǎo)電區(qū)在所述開口 41之中或之處未被覆蓋。與所述p型導(dǎo)電區(qū)2相對(duì)的所述鏡層4的所述外部區(qū)域之后形成底部區(qū)域43 (圖1C)。之后，將例如以TiWN/TiN層順序形成的封裝層5施加至所述鏡層4，其中所述開口 41也被填充，使得所述鏡層4的所述側(cè)面區(qū)域42被所述封裝層5的所述材料完全地覆蓋(圖1D)。封裝層5遠(yuǎn)離鏡層4的一側(cè)之后是接觸層6，其例如與金一起，也可以包含Ti/Cr。在此情況下，接觸層6的厚度以這種方式被選擇以便確保隨后的發(fā)光二極管芯片中必要的電流傳播(圖1D)。隨后的方法步驟(圖1E)涉及圖案化所述封裝層5、所述接觸層6、所述鏡層4以及所述P型導(dǎo)電區(qū)2和所述作用區(qū)3。舉例來說，將所述層4、5、6濕化學(xué)地或借助背面濺射來圖案化。例如，為此目的使用照相技術(shù)(phototechnology)。在為此使用掩模(未示出)的情況下，所述未覆蓋的P型導(dǎo)電區(qū)2然后被中和或去除。例如，這可在將所述P型導(dǎo)電區(qū)2在適當(dāng)位置去除或不去除的情況下，借助于Ar背面濺射來實(shí)現(xiàn)。
如果所述層4、5、6被濕化學(xué)地圖案化，則剩余的圖案化的p型導(dǎo)電區(qū)2在側(cè)向I上伸出所述鏡層4外至少I微米，例如大約2微米。在后續(xù)的方法步驟中，將鈍化層7施加至遠(yuǎn)離所述生長襯底100的一側(cè)，該層具有例如至少400nm的厚度。例如，所述鈍化層7可借助于在CVD過程中使用的TEOS前驅(qū)體而被施加，以便改善在這方面的二次成形(overmolding)屬性,參見圖1F。之后，所述鈍化層7在適當(dāng)位置被開口且通過引入金屬來形成所述接觸區(qū)8。在完成的發(fā)光二極管芯片中，所述接觸區(qū)8形成n型接觸，其金屬地完全環(huán)繞封裝所述作用區(qū)
3。舉例來說，為此目的，可將銀引入到所述鈍化層7的所述開口中，參見圖1G。在圖1H中的方法步驟涉及施加包含例如銀的所述金屬層9，且其可借助于例如蒸發(fā)來被施加。所述金屬層9完全地覆蓋形成在遠(yuǎn)離所述生長襯底的一側(cè)上的結(jié)構(gòu)且因此也起平面化的作用。下一個(gè)方法步驟(圖1I)涉及施加另外的封裝層10和另外的接觸層11，如結(jié)合圖1P所描述的。之后，所述載體12被電解地結(jié)合或沉積(圖1J)。在隨后的方法步驟中(圖1K)，將所述生長襯底100例如借助于激光分離過程或化學(xué)機(jī)械地進(jìn)行剝離。為了改善來自所述發(fā)光二極管芯片的光的耦合輸出，所述n型導(dǎo)電區(qū)I可隨后在所述輻射通道區(qū)域102處被粗糙化。這借助于例如KOH蝕刻來完成(圖1L)。隨后的方法步驟(圖1M)涉及產(chǎn)生所述開口 13，其穿透所述n型導(dǎo)電區(qū)1、所述作用區(qū)3以及所述p型導(dǎo)電區(qū)2。在所述開口 13的底部區(qū)域處，所述封裝層5最初未被覆蓋。可借助于熱H3PO4來產(chǎn)生所述開口 13，熱H3PO4在所述鈍化層7和所述封裝層5上終止。此夕卜，可選地可實(shí)現(xiàn)臺(tái)面蝕刻，由所述n型導(dǎo)電區(qū)I的虛線區(qū)域所指示的。在接下來的方法步驟中(圖1N)，例如，借助于CVD來施加由二氧化硅組成的另外的鈍化層14。在圖10中的方法步驟中，所述封裝層5在開口 13中被蝕刻，使得接觸層6在開口13的底部區(qū)域處未被覆蓋。最后，借助于例如激光分離來實(shí)現(xiàn)將發(fā)光二極管芯片從單個(gè)分離成多個(gè)(圖1P)。本發(fā)明沒有被基于所述示例性實(shí)施例的描述限于示例性實(shí)施例。此外，本發(fā)明包含任何新的特征以及特征的任意組合，其特別地包括專利權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使此特征或此組合本身沒有在專利權(quán)利要求或示例性實(shí)施例中被明確地詳細(xì)描述。此專利申請(qǐng)要求德國專利申請(qǐng)102010033137.6的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容的公開通過引用被結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管芯片，包括 -n型導(dǎo)電區(qū)(I)； -P型導(dǎo)電區(qū)⑵； -作用區(qū)(3)，其在所述n型導(dǎo)電區(qū)(I)和p型導(dǎo)電區(qū)⑵之間； -鏡層(4)，其在所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)的遠(yuǎn)離所述作用區(qū)(3)的一側(cè)處； -封裝層(5)，其在所述鏡層(4)的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)的一側(cè)處；以及-接觸層￠)，其在所述封裝層(5)的遠(yuǎn)離所述鏡層(4)的一側(cè)處，其中-所述封裝層(5)沿著所述鏡層(4)的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)的底部區(qū)域(43)和所述鏡層⑷的相對(duì)于所述底部區(qū)域(43)橫向伸展的側(cè)面區(qū)域(42)進(jìn)行延伸，以及-所述接觸層(6)從其面對(duì)所述n型導(dǎo)電區(qū)(I)的側(cè)面在適當(dāng)位置可自由地到達(dá)。
2.根據(jù)前述權(quán)利要求的所述發(fā)光二極管芯片，其中開口(13)貫穿所述n型導(dǎo)電區(qū)(I)、所述P型導(dǎo)電區(qū)(2)、所述作用區(qū)(3)、所述鏡層(4)和所述封裝層(5)直至所述接觸層(6)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求的所述發(fā)光二極管芯片，其中所述鏡層(4)的面對(duì)所述開口(13)的側(cè)面區(qū)域(42)被所述封裝層(5)完全地覆蓋。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)的所述發(fā)光二極管芯片，其中所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)在側(cè)向上在所述開口(13)的區(qū)域中伸出所述鏡層(4)夕卜。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)的所述發(fā)光二極管芯片，其中所述接觸層(6)至少在所述開口(13)的區(qū)域中的適當(dāng)位置是可線接觸連接的。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)的所述發(fā)光二極管芯片，其中所述接觸層(6)包含以下材料中的至少一種或由以下材料中的至少一種組成:Al、Au。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)的所述發(fā)光二極管芯片，包括 -輻射通道區(qū)域(102)，其通過所述n型導(dǎo)電區(qū)(I)的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)的外部區(qū)域而被形成在適當(dāng)位置，其中 -用于在所述發(fā)光二極管芯片的操作期間激勵(lì)所述作用區(qū)(3)的電流分布被實(shí)現(xiàn)在所述輻射通道區(qū)域(102)下方。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)的所述發(fā)光二極管芯片，其中所述封裝層(5)包含或由以下材料中的至少一種或以下材料中的至少兩種的組合組成:TiN、TiffN, Pt、W、PtTiffN0
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)的所述發(fā)光二極管芯片，其中所述封裝層(5)的外部區(qū)域(51)至少在適當(dāng)位置具有蝕刻方法的跡線。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任意一項(xiàng)的所述發(fā)光二極管芯片，其中所述鏡層(4)包含銀或由銀組成。
11.一種用于產(chǎn)生發(fā)光二極管芯片的方法，包括以下步驟: -提供P型導(dǎo)電層(2)， -將鏡層⑷施加至所述P型導(dǎo)電層⑵的外部區(qū)域(21)， -在所述鏡層(4)中產(chǎn)生開口(41)，其延伸直至所述p型導(dǎo)電層(2)， -將封裝層(5)施加至所述鏡層(4)的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電層(2)的底部區(qū)域(43)，且施加至所述開口(41)中，-將接觸層(6)施加至所述封裝層(5)的遠(yuǎn)離所述鏡層⑷的一側(cè)，以及-在所述鏡層⑷的所述開口(41)中從所述p型導(dǎo)電層⑵的遠(yuǎn)離所述接觸層(6)的一側(cè)不覆蓋所述接觸層(6)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求 的方法，其中產(chǎn)生根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任意一項(xiàng)的發(fā)光二極管芯片。
全文摘要
詳細(xì)說明了一種發(fā)光二極管芯片，包括-n型導(dǎo)電區(qū)(1)，-p型導(dǎo)電區(qū)(2)，-作用區(qū)(3)，其在所述n型導(dǎo)電區(qū)(1)和p型導(dǎo)電區(qū)(2)之間，鏡層(4)，其在所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)的遠(yuǎn)離所述作用區(qū)(3)的一側(cè)處，-封裝層(5)，其在所述鏡層(4)的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)的一側(cè)處，-接觸層(6)，其在所述封裝層(5)的遠(yuǎn)離所述鏡層(4)的一側(cè)處，其中-所述封裝層(5)沿著所述鏡層(4)的遠(yuǎn)離所述p型導(dǎo)電區(qū)(2)的底部區(qū)域(43)和所述鏡層(4)的相對(duì)于所述底部區(qū)域(43)橫向地伸展的側(cè)面區(qū)域(42)進(jìn)行延伸，以及-所述接觸層(6)從其面對(duì)所述n型導(dǎo)電區(qū)(1)的側(cè)面在適當(dāng)位置可自由地到達(dá)。
文檔編號(hào)H01L33/44GK103098242SQ201180038147
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月3日
發(fā)明者L·赫佩爾, K·恩格爾 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司