專利名稱：用于對多個多層本體進(jìn)行熱處理的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于對多層本體進(jìn)行熱處理、尤其是用于對前驅(qū)層 (Vorlhferschicht)進(jìn)行回火以用于制造半導(dǎo)體層的裝置和方法，所述半導(dǎo)體層例如可以用作為薄層太陽能電池中的吸收體。
背景技術(shù)：
用于將太陽輻射直接轉(zhuǎn)換成電能的光伏層系統(tǒng)是充分公知的。層的材料和布置被協(xié)調(diào)為使得一個或多個半導(dǎo)性層的入射輻射以盡可能高的輻射產(chǎn)率被直接轉(zhuǎn)換成電流。光伏和扁平地伸展的層系統(tǒng)被稱為太陽能電池。
在所有情況下，太陽能電池都包含半導(dǎo)體材料。為了提供足夠的機(jī)械強(qiáng)度而需要載體襯底的太陽能電池被稱為薄層太陽能電池。由于物理特性和技術(shù)處理能力，具有非晶、 微晶或多晶硅、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)或硫硒化銅銦(鎵)(Cu(In，Ga) (S，Se)2)的薄層系統(tǒng)特別適用于太陽能電池。五元半導(dǎo)體Cu(In，Ga) (S，Se)2屬于黃銅礦半導(dǎo)體族，其常被被稱為CIS (硒化或硫化銅銦)或者CIGS (硒化銅銦鎵，硫化銅銦鎵或者硫硒化銅銦鎵)。 S可以在縮寫CIGS中代表硒、硫或者兩種硫族元素的混合物。
用于薄層太陽能電池的公知載體襯底包含無機(jī)玻璃、聚合物、金屬或金屬合金，并且可以根據(jù)層厚度和材料特性被構(gòu)造成剛性板材或可彎曲膜。由于廣泛可用的載體襯底和簡單的單片串聯(lián)，可以低成本地制造薄層太陽能電池的大面積的裝置。
但是與具有晶體硅或多晶硅的太陽能電池相比，薄層太陽能電池顯示出較小輻射產(chǎn)率和較小的電效率?；贑u(In，Ga) (S，Se)2的薄層太陽能電池顯示出與多晶硅太陽能電池近似相當(dāng)?shù)碾娦?。Cl (G) S薄層太陽能電池需要典型P導(dǎo)通的Cl (G)S吸收體與典型 η導(dǎo)通的前電極之間的緩沖層，該緩沖層通常包括氧化鋅(ΖηΟ)。緩沖層可以導(dǎo)致吸收體材料與前電極之間的電子匹配。緩沖層例如包含鎘硫化合物。例如具有鑰的背電極被直接沉積在載體襯底上。
多個太陽能電池的電路被稱為光伏模塊或太陽能模塊。太陽能電池的電路以公知的耐風(fēng)化的構(gòu)造持久地被保護(hù)免受環(huán)境影響。通常，缺鐵的鈉鈣玻璃和促進(jìn)粘接的聚合物膜與太陽能電池連接成耐風(fēng)化的光伏模塊。該光伏模塊可以通過連接插座綁定成多個光伏模塊的電路。光伏模塊的電路通過公知的功率電子器件與公共供電網(wǎng)絡(luò)或自給自足的供電源連接。
用于制造例如由Cu(In，Ga) (S，Se)2構(gòu)成的薄層半導(dǎo)體的可能方法由兩級工藝構(gòu)成。這樣的兩級方法例如由J. Palm等人的“CIS module pilot processing applying concurrent rapid selenization and sulfurization of large area thin film precursors” (Thin Solid Film 431-432，414-522 頁，2003)公知。在此，首先將由鉬組成的背電極施加到襯底、例如玻璃襯底上。鑰層例如用激光被結(jié)構(gòu)化。接著，例如通過磁控陰極濺射將由銅、銦和鎵組成的不同前驅(qū)層沉積到鑰層上。此外，通過熱蒸發(fā)將硒層和/或硫?qū)映练e在層序列上。這樣產(chǎn)生 的具有前驅(qū)層的多層本體在第二工藝中被熱處理。通過熱處理，進(jìn)行前驅(qū)層到實際半導(dǎo)體層的實際晶體形成和相轉(zhuǎn)換。
熱處理例如在管線式設(shè)備(In-Line-Anlage)中進(jìn)行，在該管線式設(shè)備中不同的工藝步驟在不同的室中進(jìn)行。不同的室在工藝流水線中被相繼地穿過。在簡化的構(gòu)造中，管線式設(shè)備由裝載站構(gòu)成，在該裝載站中該設(shè)備被裝載未經(jīng)處理的多層本體。接著，使多層本體通過引入室進(jìn)入管線式設(shè)備。在不同的加熱室中，多層本體以高達(dá)50°C /s的加熱速度非常迅速地升溫，并且經(jīng)歷特定的溫度變化曲線。該升溫例如通過電運(yùn)行的加熱輻射器進(jìn)行。用于將各個前驅(qū)層快速地?zé)崽幚沓砂雽?dǎo)體連接的方法通常被稱為快速熱處理(Rapid Thermal Processing (RTP))。接著，在冷卻室和/或冷卻路線中將多層本體冷卻并且將其從設(shè)備中引出。例如由EP O 662 247 BI公知用于對黃銅礦半導(dǎo)體進(jìn)行快速熱處理以用作為薄層太陽能電池中的吸收體的方法。
在薄層太陽能電池的制造中，多層本體的熱處理是成本密集的和高要求的工藝。 該工藝要求高溫和工藝氣氛的精確控制。
為了更好地控制熱處理工藝，多層本體周圍的工藝空間可以例如受到臨時工藝框的限制，這例如由DE 10 2008 022 784 Al公知。通過限制工藝空間，易失的硫族元素組分、 如硒或硫的分壓在熱處理期間保持基本恒定。此外，減少了工藝室與腐蝕性氣體的接觸。
可替代地，多層本體的熱處理可以在批量運(yùn)行中在堆疊爐中進(jìn)行。由WO 01/29902 A2公知了這樣的堆疊爐。堆疊爐用于同時使多個多層本體在單個室中同時升溫并稍后冷卻。與管線式設(shè)備相比，這提高了設(shè)備節(jié)拍時間并且由此減小了設(shè)備吞吐量，其中在管線式設(shè)備中，加熱和冷卻在不同的室中實現(xiàn)。具有爐壁和爐內(nèi)置裝置的整個堆疊爐被寄生地加熱并且在冷卻工藝期間被再次冷卻。因此，與具有壁和內(nèi)置裝置的加熱室和冷卻室在連續(xù)運(yùn)行中經(jīng)歷明顯更小的溫度變化的管線式設(shè)備相比，在堆疊爐的情況下產(chǎn)生更高的能量成本。在通常基于管線式原理的大型技術(shù)制造中，堆疊爐的不連續(xù)的批量運(yùn)行僅能較差地集成在太陽能電池或太陽能模塊的整個制造工藝中。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)在于，有利地改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)中公知的用于對多層本體進(jìn)行熱處理的裝置。尤其是將提供低成本和節(jié)能的裝置，其中設(shè)備吞吐量至少加倍并且僅僅輕微地提高投資成本和運(yùn)行成本。
所述任務(wù)和另外的任務(wù)通過根據(jù)并列權(quán)利要求所述的用于對至少兩個多層本體進(jìn)行連續(xù)熱處理的裝置來解決。優(yōu)選的實施方式由從屬權(quán)利要求得出。
用語“多層本體”在本發(fā)明的意義上描述至少一個上面施加有多個相同或不同層的襯底。
根據(jù)本發(fā)明的用于對至少兩個多層本體進(jìn)行連續(xù)熱處理的裝置包括相繼布置的至少一個加熱室和至少一個冷卻室。加熱室和冷卻室優(yōu)選地被閘門隔開。根據(jù)本發(fā)明的裝置具有傳輸裝置以用于將多層本體傳輸?shù)郊訜崾抑?、從加熱室傳輸?shù)嚼鋮s室中以及從冷卻室中傳輸出來。 在根據(jù)本發(fā)明的裝置中，多層本體位于兩個尤其是彼此相疊或彼此上下布置的工藝層面上。在加熱室中，多層本體通過吸收來自電磁輻射的能量、優(yōu)選地通過吸收紅外輻射、特別優(yōu)選地通過吸收在I μ m至2 μ m的波長下具有強(qiáng)度最大值的電磁輻射而被加熱。
加熱室包括至少一個第一輻射器陣列以用于加熱第一多層本體。例如在第一輻射器陣列之下布置有用于容納針對至少一個第一多層本體的第一工藝框的第一工藝層面。例如在第一工藝層面之下布置有用于加熱至少一個第一多層本體以及第二工藝層面中的至少一個第二多層本體的第二輻射器陣列。在第二輻射器陣列之下布置有用于容納針對至少第二多層本體的第二工藝框的第二工藝層面。在第二工藝層面之下布置有用于加熱第二多層本體的第三輻射器陣列。因此，該裝置包括第一工藝層面，其具有用于至少一個第一多層本體的第一工藝框，所述第一工藝框位于第一輻射器陣列與第二輻射器陣列之間，所述輻射器陣列具有用于加熱第一多層本體的加熱輻射器；以及第二工藝層面，其具有用于至少一個第二多層本體的第二工藝框，所述第二工藝框位于第二輻射器陣列與第三輻射器陣列之間，所述輻射器陣列具有用于加熱第二多層本體的加熱輻射器。
通過用語“第一”、“第二”和“第三”來說明輻射器陣列與這兩個工藝層面的相對位置，其中第一輻射器陣列位于一個工藝層面的一側(cè)并且第二輻射器陣列位于該工藝層面的另一側(cè)。另一方面，第二輻射器陣列位于另一工藝層面的一側(cè)，并且第三輻射器陣列位于該另一工藝層面的另一側(cè)。能夠理解，在具有兩個以上工藝層面的裝置中，以相應(yīng)方式與最外面的兩個工藝層面相鄰地布置第一或第三輻射器陣列，其中分別有一個第二輻射器陣列位于兩個相鄰的工藝層面之間。
第一工藝層面的兩個輻射器陣列和第二工藝層面的兩個輻射器陣列有利地被構(gòu)造為，分別用不同的輻射強(qiáng)度照射第一工藝層面和/或第二工藝層面。這意味著，第一和第二輻射器陣列被構(gòu)造為使得它們能夠輸出彼此不同的輻射強(qiáng)度來加熱第一工藝層面。第一工藝層面因此可以在上面布置有輻射器陣列的兩側(cè)、例如在其上側(cè)和下側(cè)以不同的輻射強(qiáng)度被加熱。在此，第一輻射器陣列在第一工藝層面的一側(cè)的輻射強(qiáng)度不同于第二輻射器陣列在第一工藝層面的另一側(cè)的輻射強(qiáng)度。相應(yīng)地，第二輻射器陣列和第三輻射器陣列可替代地或附加地被構(gòu)造為使得它們能夠輸出彼此不同的輻射強(qiáng)度來加熱第二工藝層面。第二工藝層面因此可以在上面布置有輻射器陣列的兩側(cè)、例如在其上側(cè)和下側(cè)以不同的輻射強(qiáng)度被加熱。在此，第二輻射器陣列在第二工藝層面的一側(cè)的輻射強(qiáng)度不同于第三輻射器陣列在第二工藝層面的另一側(cè)的輻射強(qiáng)度。
如發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的那樣，位于工藝框中的多層本體的熱導(dǎo)入在該多層本體的上側(cè)和下側(cè)通常是不同的。其原因是多層本體與工藝框之間的不同熱耦合，這例如由于下列原因造成由于鋪設(shè)在工藝框中，工藝框與多層本體的下側(cè)之間的熱傳導(dǎo)；或者在多層本體與工藝框的蓋板或底板之間，在多層本體的上側(cè)和下側(cè)的氣體氣氛的不同高度。另一原因可能是由加熱輻射器造成的對工藝框的蓋板或底板的不同升溫。此外，襯底的層構(gòu)造可能具有到工藝框和/或加熱輻射器的與襯底不同的熱連接。
一般而言，期望多層本體內(nèi)的盡可能均勻的熱分布，以例如用于經(jīng)控制地將前驅(qū)材料轉(zhuǎn)換到薄層半導(dǎo)體中的吸收體。但是所述效應(yīng)導(dǎo)致多層本體的熱分布方面的不期望的不均勻性。通過本發(fā)明，可以有利地通過與相同工藝層面相鄰的輻射器陣列的不同輻射強(qiáng)度來實現(xiàn)該工藝層面中包含的多層本體中的熱分布的均勻化。本發(fā)明由此首次致力于多個工藝層面上的多層本體中的不均勻熱分布這一問題，其方式是將第一工藝層面的兩個輻射器陣列和第二工藝層面的兩個輻射器陣列構(gòu)造為分別用不同的輻射強(qiáng)度照射第一工藝層面和/或第二工藝層面，使得實現(xiàn)要工藝處理的多層本體中的均勻熱分布。
冷卻室包括至少第一工藝層面和第二工藝層面，該第二工藝層面例如布置在第一工藝層面之下。此外，冷卻室包括用于使第一工藝層面和/或第二工藝層面冷卻的冷卻裝置。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個有利的擴(kuò)展方案中，冷卻裝置包括至少三個冷卻板。 冷卻室包括至少一個第一冷卻板以用于使第一多層本體冷卻。例如在第一冷卻板之下布置第一工藝層面。例如在第一工藝層面之下布置第二冷卻板以用于使第一和第二多層本體冷卻。例如在第二冷卻板之下布置第二工藝層面并且在第二工藝層面之下布置第三冷卻板以用于冷卻第二多層本體。因此，第一工藝層面位于第一冷卻板與第二冷卻板之間，并且第二工藝層面位于第二冷卻板與第三冷卻板之間。
多層本體上的冷卻速度以及溫度均勻性受到冷卻板與多層本體相距的間隔、冷卻板表面的吸收特性、以及冷卻板的溫度的影響。中間的冷卻板例如可以由兩個元件構(gòu)成，所述元件與第一和第二多層本體相距不一樣大的間隔并且以不同的強(qiáng)度冷卻這些多層本體。 冷卻板通常在其內(nèi)部具有管道系統(tǒng)，并且被諸如油或水之類的熱載體介質(zhì)流經(jīng)。熱載體介質(zhì)在該裝置之外通過冷卻機(jī)組被冷卻。冷卻板例如包含貴金屬或銅。
具有兩個彼此相疊布置的工藝層面的裝置是特別有利的，因為可以特別有效地利用處于其間的第二輻射器陣列的輻射能量。由第二輻射器陣列發(fā)射的電磁輻射直接加熱第一和第二工藝層面上的第一和第二多層本體。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個有利的擴(kuò)展方案中，輻射器陣列和工藝層面彼此平行布置。在根據(jù)本發(fā)明的裝置的另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，冷卻板和工藝層面彼此平行布置。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的有利的擴(kuò)展方案中，輻射器陣列、工藝層面和冷卻板垂直或水平地布置。在本發(fā)明的意義上的垂直布置是指，輻射器陣列、工藝層面和冷卻板與設(shè)備基面近似平行地布置。對于加熱室，垂直布置是指第一工藝層面布置在第一輻射器陣列之下并且第二輻射器陣列布置在第一工藝層面之下。此外，至少一個第二工藝層面布置在第二輻射器陣列之下并且至少一個第三工藝層面布置在第二工藝層面之下。在冷卻室中，冷卻板和工藝層面相應(yīng)地彼此相疊布置。通過垂直布置，根據(jù)本發(fā)明的裝置與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的裝置占據(jù)大致相同的設(shè)備基面。利用根據(jù)本發(fā)明的裝置，可以同時熱處理在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的裝置的情況下至少兩倍那樣多的多層本體。在水平布置中，輻射器陣列、工藝層面和冷卻板與設(shè)備基面近似正交地布置。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在加熱室和/或冷卻室中，將至少兩個多層本體、優(yōu)選三個多層本體在傳輸方向上并排地布置在至少一個工藝層面上。并排布置的多層本體優(yōu)選地以相同的節(jié)拍經(jīng)過加熱室和冷卻室被傳輸并在那里被工藝處理。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在工藝框中布置至少一個多層本體、優(yōu)選兩個多層本體。工藝框用于限制工藝空間。
工藝框可以被構(gòu)造成具有底板、蓋板和側(cè)壁的箱。底板、蓋板和側(cè)壁可以包含金屬、玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷或石墨。底板、蓋板和側(cè)壁可以尤其對輻射器陣列的電磁輻射是透明的、部分透明或者不可透過的。底板、蓋板和側(cè)壁可以吸收輻射器陣列的電磁輻射并且自己被加熱。被加熱的底板、蓋板和側(cè)壁于是可以用作次級熱源以用于加熱多層本體。
工藝框可以構(gòu) 造為準(zhǔn)氣密或開放的。工藝框優(yōu)選地可以具有自己的氣體連接端并且在特定的工藝步驟期間配備特定的氣體氣氛。該氣體氣氛例如可以包含反應(yīng)氣體，如H2S, H2Se, S蒸汽、Se蒸汽或者H2以及惰性氣體，如N2、H6或Ar。
工藝框可以被構(gòu)造為具有由吸收輻射器陣列的電磁輻射的材料制成、例如由石墨制成的蓋板和/或底板。通過加熱底板和蓋板產(chǎn)生次級熱源，這可導(dǎo)致熱分布的均勻化。
在本發(fā)明的意義上，準(zhǔn)氣密是指，直到工藝框的內(nèi)部空間與工藝室之間的所定義的最大壓力差為止工藝框都是氣密的。在超過所定義的最大壓力差的情況下，導(dǎo)致工藝框的內(nèi)部空間與工藝室之間的壓力平衡。在對此合適的擴(kuò)展方案中，蓋板松動地鋪設(shè)到工藝框的框架上。根據(jù)工藝框的緊密性，可以在準(zhǔn)氣密的工藝框的情況下保持工藝框的內(nèi)部空間與工藝室之間的壓力差。工藝氣體的自由交換保持為有限的并且形成工藝氣體的分壓降。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，給工藝框分別裝載兩個多層本體。用于制造薄層太陽能電池的半導(dǎo)體層的多層本體通常由玻璃襯底和前驅(qū)層序列構(gòu)成。 為了在工藝框中工藝處理兩個多層本體，可以將兩個玻璃襯底并排布置得使得兩個前驅(qū)層指向外部。可替代地，兩個前驅(qū)層可以朝向彼此。在朝向彼此的情況下，兩個前驅(qū)層優(yōu)選地被間隔器彼此隔開。通過所產(chǎn)生的空間，可以向前驅(qū)層輸送工藝氣體。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置中，多層本體或被裝載多層本體的工藝框通過傳輸機(jī)構(gòu)經(jīng)過該裝置。該傳輸機(jī)構(gòu)例如可以包括傳送帶、傳送鏈或者滑車。傳輸機(jī)構(gòu)可以優(yōu)選地包含輥， 所述輥特別優(yōu)選地通過三角皮帶或鏈條驅(qū)動優(yōu)選地與處于工藝室之外的驅(qū)動單元同步地被驅(qū)動。傳輸機(jī)構(gòu)優(yōu)選地包含連續(xù)的石英棍或短棍(Stummelro 11 e ),它們布置在多層本體或工藝框之下。短輥可以布置在一個或多個輻射器陣列之內(nèi)或之外，并且相應(yīng)地或多或少地被加熱。短輥優(yōu)選地包含耐高溫的陶瓷，如Si3N4和BN或者氧化物陶瓷，如Zr02。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置 的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在加熱室和/或冷卻室中，將至少兩個工藝框、優(yōu)選三個工藝框在傳輸方向上并排地布置在至少一個工藝層面上。并排布置的工藝框優(yōu)選地以相同節(jié)拍被傳輸經(jīng)過加熱室和冷卻室并且在那里被工藝處理。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，冷卻室具有對流冷卻或強(qiáng)制冷卻。在強(qiáng)制冷卻的情況下，優(yōu)選地通過冷卻室循環(huán)氣流、特別優(yōu)選地惰性氣體的氣流。該氣流在冷卻板或合適的冷卻體處被冷卻。接著，加熱的多層本體或工藝框被該氣流冷卻。該氣體優(yōu)選地通過通風(fēng)設(shè)備或風(fēng)扇被移動。在對流冷卻的情況下，通過經(jīng)升溫空氣的上升和冷卻空氣的下降產(chǎn)生循環(huán)的氣流。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，加熱室具有兩個反射器。第一反射器布置在第一輻射器陣列的背向第一工藝層面的側(cè)。第二反射器布置在第三輻射器陣列的背向第二工藝層面的側(cè)。所述反射器優(yōu)選地包含具有或不具有涂層的基本體，其中所述反射器在輻射器陣列的電磁輻射的波長范圍中和/或從加熱的多層本體或工藝框中發(fā)出的電磁輻射的波長范圍中具有高反射率。該基本體例如包含陶瓷、石英玻璃、金屬、或者類似的適用于高溫的材料。反射器的涂層優(yōu)選地包含諸如下列金屬金、銀、鑰、鋁、陶瓷化合物，如 Al (MgF2)> Al (SiO)、MgF2、Si02、A1203、或者石英納米顆粒。
在沒有反射器的情況下，從外部輻射器陣列發(fā)射到背向工藝層面的方向上的電磁輻射落到該設(shè)備的外壁上。該輻射對多層本體的加熱僅僅作出一小部分的貢獻(xiàn)。反射器將該輻射的大部分反射回該設(shè)備中并由此反射到多層本體上。輻射器陣列的效率通過反射器得到提高并且能量需求被降低。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，加熱室和/或冷卻室具有用于生成真空和/或氣體氣氛的設(shè)備。該氣體氣氛優(yōu)選地包含工藝氣體或惰性氣體。通過多次將工藝室抽真空以及用純凈氣體填充工藝室，可以生成所定義的氣體氣氛。加熱室和冷卻室優(yōu)選地通過閘門或活門、特別優(yōu)選地通過真空密閉的和/或氣密的閘門對外封閉并彼此隔開。
根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案具有被多層本體相繼穿過的多個加熱室和/或冷卻室。根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個特別優(yōu)選的擴(kuò)展方案具有2至6個加熱室和2 至6個冷卻室。不同的加熱室和冷卻室可以具有不同的溫度和不同的加熱或冷卻功率。多個單個的冷卻室也可以部分或完全地在一個冷卻路段中實現(xiàn)，該冷卻路段的長度高于單個冷卻室的長度。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，輻射器陣列包含本身公知的線形輻射器、尤其是電驅(qū)動的棒狀紅外輻射器和/或由本身公知的點輻射源構(gòu)成的矩陣。線形輻射器優(yōu)選平行地并排放置。線形輻射器和點輻射源適于在熱輻射區(qū)域中發(fā)出幾乎均勻的平面電磁輻射。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，每個輻射器陣列都向兩側(cè)發(fā)射相同強(qiáng)度的電磁輻射。在根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，輻射器陣列尤其是在工藝層面的方向上具有取決于方向的輻射特性。為此例如使用如下的線形輻射器其具有例如由陶瓷、金屬或納米孔不透明石英玻璃制成的一側(cè)反射的涂層，如從DE 10 2005 058819 Al中公知的那樣。通過該措施，可以以簡單方式在多層本體中的熱分布的均勻化方面有針對性地改變輻射器陣列的輻射強(qiáng)度。第二輻射器陣列的加熱輻射器尤其是可以分別具有單側(cè)的反射器，使得這些加熱輻射器被構(gòu)造為照射第一工藝層面或第二工藝層面。用于照射第一或第二工藝層面的加熱輻射器例如以交替的順序布置。
通過具有取決于方向的輻射特性的輻射器陣列，尤其是可以以不同的熱輸入加熱多層本體的兩側(cè)。相應(yīng)的情況適用于具有不同輻射功率的輻射器陣列，這例如可以通過輻射陣列中的不同數(shù)目的加熱輻射器來實現(xiàn)。同樣可以設(shè)想，給不同輻射器陣列或同一輻射器陣列的加熱輻射器施加不同的電功率，以便為了使多層本體中的熱分布均勻化而實現(xiàn)同一輻射器陣列的加熱輻射器的不同輻射強(qiáng)度或者不同輻射器陣列的輻射強(qiáng)度。
在根據(jù)本發(fā)明的裝置的另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，位于兩個工藝層面之間的輻射器陣列包括兩個例如相疊布置的線形輻射器或點輻射源的層面。在兩個層面之間優(yōu)選布置另一反射器。兩個層面可以彼此隔開地加熱。不同的工藝層面可以這樣被加熱到不同溫度。
在另一優(yōu)選的實施方式中，要工藝處理的多層本體包含具有厚度為Imm至4mm、 優(yōu)選2mm至3_的玻璃襯底。在一個襯底側(cè)施加由多個薄層構(gòu)成的層序列、例如氮化娃/ 鑰/銅銦鎵/硒的序列層。氮化硅層具有例如50nm至300nm的厚度，鑰層具有例如200nm 至700nm的厚度，銅銦鎵層具有例如300nm至IOOOnm的厚度，并且硒層具有例如500nm至 2000nm的厚度。
此外，本發(fā)明的任務(wù)通過一種用于對至少兩個工藝層面上的至少兩個多層本體進(jìn)行連續(xù)熱處理的方法來解決，其中在第一步驟中，使第一工藝層面上的第一多層本體和第二工藝層面上的第二多層本體進(jìn)入至少一個加熱室，并且借助于輻射器陣列將其以0°c至 500C /s的加熱速度加熱到350°C至800°C、優(yōu) 選450°C至550°C的溫度，所述輻射器陣列例如布置在工藝層面之上和/或之下。因此，第一工藝層面位于第一輻射器陣列與第二輻射器陣列之間，并且第二工藝層面位于第二輻射器陣列與第三輻射器陣列之間。有利地分別用不同的輻射強(qiáng)度照射第一和/或第二工藝層面，使得在多層本體中實現(xiàn)均勻的熱分布。 因此，由第一輻射器陣列以與第二輻射器陣列不同的輻射強(qiáng)度照射第一工藝層面，和/或由第二輻射器陣列以與第三輻射器陣列不同的輻射強(qiáng)度照射第二工藝層面。
在第二步驟中，使第一多層本體和第二多層本體進(jìn)入冷卻室，并且借助于冷卻板將其以(TC至50°C /s的冷卻速度冷卻到10°C至350°C、優(yōu)選10°C至250°C的溫度、特別優(yōu)選冷卻到15°C至50°C的溫度，所述冷卻板布置在工藝層面之上和/或之下?？商娲兀隼鋮s可以借助于對流冷卻和/或強(qiáng)制冷卻進(jìn)行。接著使多層本體離開冷卻室。
根據(jù)本發(fā)明的方法例如可以在上述用于熱處理至少兩個多層本體的裝置中實施。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選的實施方式中，兩個工藝層面具有相同的溫度。 在根據(jù)本發(fā)明的方法的一個可替代的實施方式中，例如通過使用具有取決于方向的輻射特性的輻射器陣列，兩個工藝層面具有不同的溫度。
在根據(jù)本發(fā)明的方法的一個優(yōu)選的實施方式中，多層本體的熱處理在至少一個另外的加熱室和/或至少一個另外的冷卻室中進(jìn)行、特別優(yōu)選地在I至5個另外的加熱室和 /或I至5個另外的冷卻室中進(jìn)行。這使得能夠精確控制多層本體中的工藝。尤其是在每個加熱室或冷卻室中進(jìn)行多層本體的部分工藝處理直到特定的工藝處理階段。于是，多層本體在從一個室過渡到下一個室時未被完全工藝處理。
此外，本發(fā)明包括對用于對至少兩個相疊布置的工藝層面上的至少兩個多層本體進(jìn)行連續(xù)熱處理的裝置的應(yīng)用。
根據(jù)本發(fā)明的裝置的一種優(yōu)選應(yīng)用是將前驅(qū)層轉(zhuǎn)換成半導(dǎo)體層。所述半導(dǎo)體層優(yōu)選地用作薄層太陽能電池中的吸收體。
前驅(qū)層優(yōu)選地由銅、銦、鎵和硒構(gòu)成，并且在含硫的氣氛中通過快速熱處理(RTP) 被轉(zhuǎn)換成Cu (In, Ga) (S，Se)2半導(dǎo)體層。


接下來根據(jù)附圖和流程圖進(jìn)一步闡述本發(fā)明。所述附圖示出純粹示意性的圖示并且不是比例正確的。所述附圖不以任何方式限制本發(fā)明。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖，該裝置用于熱處理兩個相疊布置的工藝層面上的兩個多層本體；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置的加熱室的截面圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的加熱室的另一擴(kuò)展方案的截面圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的加熱室的另一擴(kuò)展方案的截面圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的加熱室的另一擴(kuò)展方案的截面圖；圖6示出了具有兩個加熱室和兩個冷卻室的另一根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；圖7根據(jù)流程圖示出了根據(jù)本發(fā)明的方法步 驟的實施例。
具體實施方式
圖1以用于通過快速熱處理(RTP)對前驅(qū)層進(jìn)行硒化的管線式設(shè)備(I)為例示出了根據(jù)本發(fā)明的用于對多層本體進(jìn)行熱處理的裝置。管線式設(shè)備(I)具有在傳輸方向(11) 上相繼布置的加熱室(HKl)和冷卻室(KK1)。管線式設(shè)備(I)具有兩個工藝層面(3.1)和 (3.2)，這兩個工藝層面垂直地相疊布置。根據(jù)本發(fā)明同樣設(shè)置了水平構(gòu)造。在加熱室(HKl) 中，在上部工藝層面(3.1)之上布置輻射器陣列(2.1)并且在下部工藝層面(3.2)之下布置輻射器陣列(2. 3)。此外，在工藝層面(3.1)與(3. 2)之間布置了輻射器陣列(2. 2)。
在冷卻室(KKl)中，在上部工藝層面(3.1)之上布置冷卻板(7.1)，并且在下部工藝層面(3. 2)之下布置冷卻板(7. 3)。此外，在工藝層面(3.1)與(3. 2)之間布置冷卻板 (7. 2)。冷卻板(7.1, 7. 2，7. 3)例如包括貴金屬并且在其內(nèi)部具有用于熱載體介質(zhì)的分布系統(tǒng)。該分布系統(tǒng)例如被作為熱載體介質(zhì)的油或水流經(jīng)。熱載體介質(zhì)在管線式設(shè)備(I)之外在冷卻機(jī)組中被冷卻。
加熱室(HKl)和冷卻室(KKl)被構(gòu)造為真空密閉和氣密的，并且與真空泵和用于供應(yīng)氣體的裝置連接。加熱室(HKl)和冷卻室(KKl)被閘門(8)彼此隔開。
多層本體(4.1)和(4. 2)位于工藝層面(3.1)和(3. 2)上。多層本體(4.1)和(4. 2) 例如包含具有鑰電極的玻璃襯底以及包含銅、銦、鎵、硫和硒的前驅(qū)層的堆疊序列。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置的加熱室(HKl)的示例性構(gòu)造的示意圖。多層本體 (4.1)和(4. 2)分別布置在工藝框(5.1)和(5. 2)中。工藝框(5. 1，5. 2)包含由玻璃陶瓷制成的底板和蓋板以及由石墨制成的側(cè)壁。該玻璃陶瓷對于輻射器陣列(2.1, 2. 2，2. 3)的電磁輻射是可透過的。工藝框(5. 1，5. 2)被實施為部分氣密的，使得可以進(jìn)行工藝框(5. 1,5.2) 的內(nèi)部與加熱室(HKl)的氣氛之間的壓力平衡。部分氣密是指，蓋板松動地鋪設(shè)到側(cè)壁上， 并且不進(jìn)行另外的用于密封的措施。工藝框(5.1，5. 2)也可以具有連接推桿。通過該連接推桿，可以有針對性地向工藝框(5.1, 5. 2)輸送工藝氣體或惰性氣體。
工藝框(5.1, 5. 2)的傳輸通過由短輥構(gòu)成的系統(tǒng)進(jìn)行。短輥在其長側(cè)的外邊緣之下支承工藝框(5. 1，5. 2)。這些短輥例如包含耐高溫的陶瓷。兩個相鄰室之間的傳輸速度通常為聞達(dá)lm/s。
在第一輻射器陣列(2.1)之上并且在第三輻射器陣列(2. 3)之下布置第一反射器 (6.1)和第二反射器(6. 2)。第一反射器(6.1)將第一福射器陣列(2.1)的向上定向的電磁輻射朝向第一工藝層面(3.1)的方向反射。第二反射器(6. 2)將第三輻射器陣列(2. 3)的向下定向的電磁輻射朝向第二工藝層面(3. 2)的方向反射。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的加熱室(HKl)的另一擴(kuò)展方案。第二輻射器陣列(2. 2) 由線形輻射器的兩個層面(9.1)和(9. 2)構(gòu)成，這兩個層面被反射器(6. 3)彼此隔開。通過層面(9.1)中的與層面(9. 2)相比不同數(shù)目的線形輻射器(9)、通過層面(9.1)和(9. 2)中的線形輻射器(9)的不同接線、和/或通過層面(9.1)和(9. 2)中不同的取決于時間的功率調(diào)節(jié)，實現(xiàn)第二輻射器陣列(2. 2)的取決于方向的輻射特性。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的加熱室(HKl)的另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案。第二輻射器陣列 (2. 2)的線形輻射器(9)在其上側(cè)和其下側(cè)交替地涂層有反射器層(10)。反射器 層(10)可以包含不透明的納米孔石英層，所述石英層直接施加在線形輻射器(9)上。可替代地，反射器層(10)可以包含由陶瓷制成的半外殼。在上側(cè)具有反射器層(10)的線形輻射器(9)和在下側(cè)具有反射器層(10)的線形輻射器(9)可以被加熱到不同溫度。
通過輻射器陣列(2.1, 2. 2，2. 3)的不同的輻射功率和取決于方向的輻射特性，可以將多層本體(4. 1，4. 2)的不同側(cè)加熱到不同溫度。因此，例如可以將多層本體(4. 1,4.2) 的一個襯底側(cè)加熱到比具有前驅(qū)層的側(cè)低的溫度，所述前驅(qū)層應(yīng)被轉(zhuǎn)換成半導(dǎo)體層。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的加熱室(HKl)的另一優(yōu)選擴(kuò)展方案。第一輻射器陣列 (2.1)的線形輻射器(9)在上側(cè)并且第三輻射器陣列(2. 3)的線形輻射器(9)在下側(cè)被涂層有反射器層(10)。通過第一輻射器陣列(2.1)和第三輻射器陣列(2. 3)的取決于方向的輻射特性，可以放棄附加的反射器。在第一輻射器陣列(2.1)之上以及在輻射器陣列(2. 3) 之下使用附加的反射器可以提高取決于方向的輻射特性的效率。
圖6示出了具有兩個加熱室(HKl)和(HK2)以及兩個冷卻室(KKl)和(KK2)的本發(fā)明裝置的另一有利擴(kuò)展方案。多層本體(4.1)和(4. 2)在傳輸方向(11)上穿過加熱室 (HKl)和(HK2)以及冷卻室(KKl)和(KK2)。加熱室(HKl)和(HK2)以及冷卻室(KKl)和 (KK2)可以具有不同的加熱和冷卻功率以及不同的溫度譜。這實現(xiàn)了特別精確的工藝控制。 因此，例如第一加熱室(HKl)可以具有比第二加熱室(HK2)高的加熱功率。在加熱室(HKl) 和(HK2)以及冷卻室(KKl)和(KK2)中，多層本體(4.1)和(4. 2)經(jīng)歷所期望的溫度變化曲線和所期望的工藝氣氛。不同的加熱室和冷卻室可以具有不同的工藝氣氛。在根據(jù)本發(fā)明的裝置的另一擴(kuò)展方案中，可以相繼布置另外的加熱室和冷卻室。如果需要工藝引導(dǎo)，則可以交替地布置加熱室和冷卻室，也就是說，在冷卻室后可以例如又跟隨加熱室。
在所述實施例中，第一輻射器陣列(2.1)和第二輻射器陣列(2.2)被構(gòu)造為，使得上部多層本體(4.1)的上側(cè)可以由第一輻射器陣列(2.1)以與上部多層本體(4.1)的下側(cè)可被第二輻射器陣列(2. 2)加熱的輻射強(qiáng)度不同的輻射強(qiáng)度加熱。相應(yīng)地，第二輻射器陣列(2. 2)和第三輻射器陣列(2. 3)被構(gòu)造為，使得下部多層本體(4. 2)的上側(cè)可以由第二輻射器陣列(2. 2)以與下部多層本體(4. 2)的下側(cè)可被第三輻射器陣列(2. 3)加熱的輻射強(qiáng)度不同的輻射強(qiáng)度加熱。通過這種方式，可以在兩個多層本體(4.1)和(4. 2)中的每個中實現(xiàn)均勻的熱分布。
圖7根據(jù)流程圖示出了根據(jù)本發(fā)明的方法步驟的實施例。首先，在裝載站中將多層本體(5.1)裝入到工藝框(5.1)中并且將多層本體(4. 2)裝入到工藝框(5. 2)中。接著， 將工藝框(5.1)和(5. 2)裝載到導(dǎo)入室中并且關(guān)閉該導(dǎo)入室。在導(dǎo)入室中，通過多次抽真空和填充惰性氣體調(diào)整所定義和所期望的工藝氣氛。接著，在方法步驟(a)使具有多層本體(4.1)的工藝框(5.1)進(jìn)入工藝層面(3.1)中并且使具有多層本體(4. 2)的工藝框(5. 2) 進(jìn)入工藝層面(3. 2)中。
在加熱室(HKl)和(HK2)中經(jīng)歷所期望的加熱譜(取決于工藝時間的溫度和工藝氣氛)在加熱室(HKl)中利用布置在工藝層面(3.1, 3. 2)之上和/或之下的輻射器陣列 (2. 1,2. 2，2. 3)加熱第一工藝層面(3.1)上的第一多層本體(4.1)和第二工藝層面(3. 2) 上的第二多層本體(4. 2)。優(yōu)選地借助于輻射器陣列(2. 1,2. 2，2. 3)將兩個多層本體(4.1) 和(4. 2)以1°C /s至50°C /s的加熱速度加熱到350°C至800°C的溫度。對多層本體(4.1) 和(4. 2)分別在其上側(cè)和下側(cè)以不同的輻射強(qiáng)度進(jìn)行加熱，以便實現(xiàn)每個多層本體中的均勻的熱分布。接著，在方法步驟(b)中，使多層本體(4.1)和(4. 2)進(jìn)入冷卻室 (HK1)。同時可以使新的多層本體進(jìn)入加熱室(HKl)。在冷卻室(KKl)和(KK2)中，熱的多層本體(4.1) 和(4. 2)以高達(dá)50°C /s被冷卻到工藝技術(shù)所需的溫度。兩個多層本體(4.1)和(4. 2)優(yōu)選地以0°C /s至50°C /s的冷卻速度被冷卻到10°C至350°C的溫度。由于多層本體(4.1)和(4. 2)的溫度與冷卻板(7. 1,7. 2，7.3)的溫度之間的變小的溫度差，多層本體(4.1)和 (4. 2)的冷卻速度變慢。這可以通過合適的措施來對抗，例如通過與時間有關(guān)的間隔方法來減小冷卻板與多層本體之間的間隔、或者匹配冷卻板的溫度。冷卻工藝可以附加地通過循環(huán)冷卻氣流來加速，例如空氣流、氬氣流或氮氣流?？商娲乜梢栽跊]有冷卻板的情況下通過對流或強(qiáng)制冷卻來實現(xiàn)冷卻。
接著使多層本體(4.1)和(4. 2)離開冷卻室(KKl)進(jìn)入導(dǎo)出室并且被輸送給另一處理。在導(dǎo)出室中，例如可以去除存在的有毒氣體。還可能的是，在導(dǎo)出室之后布置另一冷卻路段或另一冷卻室。在特定的實施方式中可以放棄導(dǎo)出室。
如以用 于制造黃銅礦半導(dǎo)體的管線式硒化設(shè)備為例從表I中可以得知的那樣，根據(jù)本發(fā)明的裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比提供了優(yōu)點。
表1:本發(fā)明潛力估計
權(quán)利要求
1.一種用于在至少一個加熱室(HKl)和至少一個冷卻室(KKl)中對至少兩個相疊布置的工藝層面(3.1, 3. 2)上的至少兩個多層本體(4.1, 4. 2)進(jìn)行熱處理的裝置，所述加熱室(HKl)和冷卻室(KKl)在傳輸方向上相繼布置，其中加熱室(HKl)包括 一第一工藝層面(3.1),其具有用于至少一個第一多層本體(4.1)的第一工藝框(5. 1)，所述第一工藝框(5.1)位于第一輻射器陣列(2.1)與第二輻射器陣列(2. 2)之間，所述輻射器陣列具有用于加熱第一多層本體(4.1)的加熱輻射器(9)， 一第二工藝層面(3. 1)，其具有用于至少一個第二多層本體(4.2)的第二工藝框(5. 2)，所述第二工藝框(5. 2)位于第二輻射器陣列(2. 2)與第三輻射器陣列(2. 3)之間，所述輻射器陣列具有用于加熱第二多層本體(4. 2)的加熱輻射器(9)， 其中第一輻射器陣列(2.1)和第二輻射器陣列(2. 2)被構(gòu)造為使得由第一輻射器陣列(2.1)以與第二輻射器陣列(2. 2)不同的輻射強(qiáng)度照射第一工藝層面(3. 1)，和/或其中第二輻射器陣列(2. 2)和第三輻射器陣列(2. 3)被構(gòu)造為使得由第二輻射器陣列(2. 2)以與第三輻射器陣列(2. 3)不同的輻射強(qiáng)度照射第二工藝層面(3. 2)，并且其中 冷卻室(KKl)包括 一冷卻裝置， 一第一工藝層面(3. 1)，其用于冷卻至少一個第一多層本體(4.1);以及第二工藝層面(3. 2)，其用于冷卻至少一個第二多層本體(4. 2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中輻射器陣列(2.1, 2. 2，2. 3)具有電磁輻射的取決于方向的輻射特性和/或不同的輻射功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中加熱輻射器(9)具有反射器層(10)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中布置在兩個工藝層面(3.1，3.2)之間的第二輻射器陣列(2. 2)的加熱輻射器(9)具有反射器層(10)，并且被構(gòu)造為要么照射第一工藝層面(3.1)要么照射第二工藝層面(3. 2)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中布置在兩個工藝層面(3.1,3. 2)之間的第二輻射器陣列(2. 2 )具有帶有加熱輻射器(9 )的兩個加熱輻射器層面(9.1，9. 2 )，其中一個加熱輻射器層面(9.1)被構(gòu)造為照射第一工藝層面(3.1)并且另一加熱輻射器層面(9. 2)被構(gòu)造為照射第二工藝層面(3. 2)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中在兩個加熱輻射器層面(9.1，9.2)之間布置反射器(6. 3)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的裝置，其中加熱輻射器(6)能夠被選擇性地操控以生成可變的輻射強(qiáng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的裝置，其中輻射器陣列(2.1, 2. 2，2. 3)和工藝層面(3. 1,3. 2)彼此平行地布置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的裝置，其中冷卻裝置包括用于冷卻多層本體(4. 1,4.2)的第一冷卻板(7.1)、第二冷卻板(7. 2)、以及第三冷卻板(7. 3)，其中第一工藝層面(3.1)位于第一冷卻板(7.1)與第二冷卻板(7. 2)之間，并且第二工藝層面(3. 2)位于第二冷卻板(7. 2)與第三冷卻板(7. 3)之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的裝置，其中冷卻裝置具有經(jīng)引導(dǎo)的氣流。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10之一所述的裝置，其中在加熱室(HKl)與冷卻室(KKl)之間布置閘門(8)或活門。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11之一所述的裝置，其中在加熱室(HKl)中和/或在冷卻室(KKl)中，至少兩個多層本體(4.1, 4. 2)在傳輸方向上并排地布置在工藝層面(3.1, 3. 2)上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12之一所述的裝置，其中加熱室(HKl)包括至少一個第一反射器(6.1)和至少一個第二反射器(6. 2)，其中第一輻射器陣列(2.1)布置在第一反射器(6.1)與第一工藝層面(3.1)之間，并且第一反射器(6.1)被構(gòu)造為反射第一輻射器陣列(2.1)的電磁輻射，并且其中第三輻射器陣列(2. 3)布置在第二反射器(6. 2)與第二工藝層面(3. 2)之間，并且第二反射器(6. 2)被構(gòu)造為反射第三輻射器陣列(2. 3)的電磁輻射。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13之一所述的裝置，其中加熱室(HKl)和/或冷卻室(KKl)具有用于生成真空和/或氣體氣氛的設(shè)備，所述氣體氣氛優(yōu)選地包含工藝氣體或惰性氣體。
15.一種用于對至少兩個工藝層面(3. 1,3. 2)上的至少兩個多層本體(4. 1,4. 2)進(jìn)行連續(xù)熱處理的方法，其中 a.借助于輻射器陣列(2.1, 2. 2，2. 3)將至少一個加熱室(HKl)中的多層本體(4.1)和(4.2)以TC /s至50°C /s的加熱速度加熱到350°C至800°C的溫度，其中第一工藝層面(3.1)位于第一輻射器陣列(2.1)與第二輻射器陣列(2. 2)之間，并且第二工藝層面(3. 2)位于第二輻射器陣列(2. 2)與第三輻射器陣列(2. 3)之間，其中由第一輻射器陣列(2.1)以與第二輻射器陣列(2. 2)不同的輻射強(qiáng)度照射第一工藝層面(3. 1)，和/或其中由第二輻射器陣列(2. 2)以與第三輻射器陣列(2. 3)不同的輻射強(qiáng)度照射第二工藝層面(3. 2)，以及 b.將至少一個冷卻室(KKl)中的多層本體(4.1)和(4. 2)以0°C /s至50°C /s的冷卻速度冷卻到10°C至350°C的溫度。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于在至少一個加熱室和至少一個冷卻室中對至少兩個相疊布置的工藝層面上的至少兩個多層本體進(jìn)行連續(xù)熱處理的裝置，所述加熱室和冷卻室相繼布置，其中加熱室包括第一工藝層面(3.1)，其具有用于至少一個第一多層本體(4.1)的第一工藝框(5.1)，所述第一工藝框(5.1)位于第一輻射器陣列(2.1)與第二輻射器陣列(2.2)之間，所述輻射器陣列具有用于加熱第一多層本體(4.1)的加熱輻射器(9)；第二工藝層面(3.1)，其具有用于至少一個第二多層本體(4.2)的第二工藝框(5.2)，所述第二工藝框位(5.2)于第二輻射器陣列(4.2)與第三輻射器陣列(4.3)之間，所述輻射器陣列具有用于加熱第二多層本體(4.2)的加熱輻射器(9)；其中第一輻射器陣列(2.1)和第二輻射器陣列(2.2)被構(gòu)造為使得由第一輻射器陣列(2.1)以與第二輻射器陣列(2.2)不同的輻射強(qiáng)度照射第一工藝層面(2.1)，和/或其中第二輻射器陣列(2.2)和第三輻射器陣列(2.3)被構(gòu)造為使得由第二輻射器陣列(2.2)以與第三輻射器陣列(2.3)不同的輻射強(qiáng)度照射第二工藝層面(2.2)，并且其中冷卻室(KK1)包括冷卻裝置；第一工藝層面(3.1)，其用于冷卻至少一個第一多層本體(4.1)；以及第二工藝層面(3.2)，其用于冷卻至少一個第二多層本體(4.2)。
文檔編號H01L21/677GK103053008SQ201180041583
公開日2013年4月17日 申請日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月27日
發(fā)明者M.菲爾方格, S.約斯特 申請人:法國圣戈班玻璃廠