專利名稱:切割/芯片接合薄膜以及半導(dǎo)體裝置制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及芯片接合薄膜與切割薄膜層疊而成的切割/芯片接合薄膜。另外,本發(fā)明涉及使用該切割/芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置制造方法。
背景技術(shù):
以往,在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中,在引線框或電極構(gòu)件上固定半導(dǎo)體芯片時(shí)采用銀漿。所述固定處理通過(guò)在引線框的芯片焊盤等上涂布漿狀膠粘劑,在其上搭載半導(dǎo)體芯片并使?jié){狀膠粘劑層固化來(lái)進(jìn)行。但是,漿狀膠粘劑由于其粘度行為或劣化等而在涂布量或涂布形狀等方面產(chǎn)生大的偏差。結(jié)果,形成的漿狀膠粘劑厚度不均勻,因此半導(dǎo)體芯片的固定強(qiáng)度缺乏可靠性。即,在漿狀膠粘劑的涂布量不足時(shí),半導(dǎo)體芯片與電極構(gòu)件之間的固定強(qiáng)度降低,從而在后續(xù)的絲焊工序中半導(dǎo)體芯片剝離。另一方面,在漿狀膠粘劑的涂布量過(guò)多時(shí),漿狀膠粘劑會(huì)流延到半導(dǎo)體芯片上而產(chǎn)生特性不良,從而成品率和可靠性下降。這樣的固定處理中的問(wèn)題,伴隨半導(dǎo)體芯片的大型化變得特別顯著。因此,需要頻繁地進(jìn)行漿狀膠粘劑的涂布量控制,從而給作業(yè)性或生產(chǎn)率帶來(lái)問(wèn)題。在該漿狀膠粘劑的涂布工序中,有將漿狀膠粘劑分別涂布到引線框和形成的芯片上的方法。但是,在該方法中,漿狀膠粘劑層難以均勻化,并且漿狀膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長(zhǎng)時(shí)間。因此,提出了切割薄膜,其在切割工序中膠粘保持半導(dǎo)體芯片,并且也提供安裝工序所需的芯片固定用膠粘劑層(例如,參考專利文獻(xiàn)I)。該切割薄膜中,在支撐基材上以可剝離的方式設(shè)置有膠粘劑層,在該膠粘劑層的保持下對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割后,拉伸支撐基材將形成的芯片與膠粘劑層一起剝離,將其分別回收,并通過(guò)該膠粘劑層將其固定到引線框等被粘物上。使用在切割薄膜上層疊有芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜,在芯片接合薄膜的保持下切割半導(dǎo)體晶片時(shí),需要將該芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶片同時(shí)切割。不過(guò),在使用金剛石刀片的一般的切割方法中,擔(dān)心由于切割時(shí)產(chǎn)生的熱的影響而造成芯片接合薄膜與切割薄膜的粘附、由于切削屑的產(chǎn)生而造成半導(dǎo)體芯片相互之間的固著、切削屑在半導(dǎo)體芯片側(cè)面上的附著等,因此需要降低切割速度,從而導(dǎo)致成本上升。因此,近年來(lái),提出了如下方法:在半導(dǎo)體晶片的表面形成溝,然后進(jìn)行背面磨削,由此得到各個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法(例如,參考專利文獻(xiàn)2,以下也稱為“DBG (研磨前切割)法”);對(duì)半導(dǎo)體晶片上的預(yù)定分割線照射激光而形成改性區(qū)域,由此可以容易地利用預(yù)定分割線將半導(dǎo)體晶片分割,然后通過(guò)施加拉伸張力而將該半導(dǎo)體晶片斷裂,從而得到各個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法(例如,參考專利文獻(xiàn)3、專利4,以下也稱為“隱形切割(mm
)(注冊(cè)商標(biāo))”)。通過(guò)這些方法,特別是在半導(dǎo)體晶片的厚度薄的情況下,可以減少碎片等不良的產(chǎn)生,并且與以往相比可以減小切口寬度,因此可以提高半導(dǎo)體芯片的收率。為了在芯片接合薄膜的保持下通過(guò)上述方法得到帶有芯片接合薄膜的各個(gè)半導(dǎo)體芯片,需要利用拉伸張力使芯片接合薄膜斷裂。
在專利文獻(xiàn)5中,公開(kāi)了一種在DBG法或隱形切割中使用的膠粘片,其中,在25°C下的斷裂強(qiáng)度為0.1MPa以上且IOMPa以下,并且斷裂伸長(zhǎng)率為1%以上且40%以下。但是,專利文獻(xiàn)5的膠粘片的斷裂伸長(zhǎng)率為40%以下,因此例如在用于隱形切割時(shí),在施加拉伸張力時(shí)有時(shí)比半導(dǎo)體芯片先斷裂,從而有可能在與預(yù)定分割線不同的線上分割。在專利文獻(xiàn)6中,公開(kāi)了一種在隱形切割中使用的切割帶,其中,帶伸長(zhǎng)率10%下的拉伸負(fù)荷為15N以上。但是,對(duì)于專利文獻(xiàn)6的切割帶而言,當(dāng)切割帶自身的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度小時(shí),在擴(kuò)晶工序中,有時(shí)切割帶發(fā)生塑性變形或斷裂,從而不能進(jìn)行正常的切割。另外,在專利文獻(xiàn)7中,公開(kāi)了一種在DBG法或隱形切割中使用的切割帶一體型膠粘片,其具有在拉伸變形時(shí)不顯示屈服點(diǎn)的切割帶和斷裂伸長(zhǎng)大于40%且為400%以下的膠粘帶。但是,對(duì)于專利文獻(xiàn)7的切割帶一體型膠粘片而言,當(dāng)切割帶的斷裂伸長(zhǎng)度過(guò)小時(shí),在擴(kuò)晶工序中,有時(shí)I父粘片先斷裂?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)昭60-57642號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2003-007649號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2002-192370號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)2003-338467號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5:國(guó)際公開(kāi)第2004/109786號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6:日本特開(kāi)2007-53325號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7:日本特開(kāi)2009-283925號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述課題而創(chuàng)立,其目的在于提供防止切割薄膜屈服、斷裂并且可以利用拉伸張力將芯片接合薄膜適當(dāng)?shù)財(cái)嗔训那懈?芯片接合薄膜。另外,本發(fā)明的另一目的在于提供可以防止切割薄膜屈服、斷裂并且可以利用拉伸張力將芯片接合薄膜適當(dāng)?shù)財(cái)嗔训陌雽?dǎo)體裝置制造方法。本發(fā)明人為了解決前述問(wèn)題對(duì)切割/芯片接合薄膜進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過(guò)將切割薄膜中上推夾具的外周所接觸的接觸部的拉伸強(qiáng)度和屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度設(shè)定在特定的范圍內(nèi),并且將所述接觸部的拉伸強(qiáng)度與用于粘貼半導(dǎo)體晶片的晶片粘貼部的拉伸強(qiáng)度之差設(shè)定在特定范圍內(nèi),并且將芯片接合薄膜的斷裂伸長(zhǎng)率設(shè)定在特定的范圍內(nèi),可以防止切割薄膜屈服、斷裂,并且可以通過(guò)拉伸張力將芯片接合薄膜適當(dāng)?shù)財(cái)嗔眩瑥亩瓿闪吮景l(fā)明。S卩,本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜,在切割薄膜上設(shè)置有芯片接合薄膜,其特征在于,該切割/芯片接合薄膜用于如下方法:在對(duì)半導(dǎo)體晶片照射激光而形成改性區(qū)域后,利用所述改性區(qū)域?qū)⑺霭雽?dǎo)體晶片斷裂,由此從半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體元件的方法;或者在半導(dǎo)體晶片的表面形成未到達(dá)背面的溝后,進(jìn)行所述半導(dǎo)體晶片的背面磨削,從所述背面使所述溝露出,由此從半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體元件的方法,所述切割薄膜在外周部分具有用于粘貼切割環(huán)的環(huán)粘貼部,并且在相比于所述環(huán)粘貼部靠?jī)?nèi)側(cè)處具有用于粘貼半導(dǎo)體晶片的晶片粘貼部,并且在所述環(huán)粘貼部與所述晶片粘貼部之間具有上推夾具的外周所接觸的接觸部,所述切割薄膜的所述接觸部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為15N以上且80N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為80%以上,所述切割薄膜的所述晶片粘貼部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為ION以上且70N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為30%以上,[(所述接觸部的拉伸強(qiáng)度)_(所述晶片粘貼部的拉伸強(qiáng)度)]為ON以上且60N以下,所述芯片接合薄膜在25°C下的斷裂伸長(zhǎng)率大于40%且為500%以下。在通過(guò)隱形切割或DBG法從半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體元件(例如半導(dǎo)體芯片)時(shí),需要對(duì)切割薄膜和芯片接合薄膜施加拉伸張力,并在不使切割薄膜斷裂的狀態(tài)下使芯片接合薄膜斷裂。因此,施加拉伸張力時(shí),需要上推夾具所接觸的接觸部與上推夾具不接觸的晶片粘貼部相比,拉伸強(qiáng)度至少相同或者更強(qiáng)。另外,晶片粘貼部需要在被施加拉伸張力時(shí)擴(kuò)張。根據(jù)所述構(gòu)成,[(所述接觸部的拉伸強(qiáng)度)_(所述晶片粘貼部的拉伸強(qiáng)度)]為ON以上且60N以下。而且,在所述條件下,切割薄膜的接觸部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為15N以上,因此可以防止在施加拉伸張力時(shí)切割薄膜在接觸部斷裂或者塑性變形,可以將拉伸應(yīng)力傳遞到芯片接合薄膜。結(jié)果,可以將芯片接合薄膜正常地?cái)嗔选A硗?,所述拉伸?qiáng)度為80N以下,因此可以在不對(duì)施加拉伸張力的裝置施加過(guò)度的負(fù)荷的情況下將芯片接合薄膜斷裂。另外,切割薄膜的接觸部在25°C下的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為80%以上,因此可以在抑制切割薄膜的塑性變形的同時(shí)進(jìn)行擴(kuò)張。另外,晶片粘貼部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為ION以上,因此可以將拉伸應(yīng)力良好地傳遞給芯片接合薄膜。另外,晶片粘貼部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為70N以下,因此在施加拉伸張力時(shí),可以在晶片粘貼部產(chǎn)生適度的擴(kuò)張,從而將芯片接合薄膜斷裂。另外,晶片粘貼部的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為30%以上,因此在施加拉伸張力時(shí),可以在晶片粘貼部產(chǎn)生適度的擴(kuò)張,從而將芯片接合薄膜斷裂。另外,芯片接合薄膜的斷裂伸長(zhǎng)率大于40%,因此可以防止容易地?cái)嗔?,可以提高操作性。另外,所述斷裂伸長(zhǎng)率為50%以下,因此可以防止擴(kuò)張時(shí)過(guò)度伸長(zhǎng),可以適當(dāng)?shù)財(cái)嗔选卩,通過(guò)所述構(gòu)成,切割薄膜的接觸部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為15N以上且80N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為80%以上,所述切割薄膜的所述晶片粘貼部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為ION以上且70N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為30%以上,[(所述接觸部的拉伸強(qiáng)度)_(所述晶片粘貼部的拉伸強(qiáng)度)]為ON以上且60N以下,因此通過(guò)施加拉伸張力,可以在不使切割薄膜斷裂的情況下進(jìn)行擴(kuò)張,并且可以使芯片接合薄膜斷裂。所述構(gòu)成中,優(yōu)選所述切割薄膜至少在所述接觸部具有基材與增強(qiáng)構(gòu)件層疊而成的結(jié)構(gòu)。切割薄膜至少在所述接觸部具有基材與增強(qiáng)構(gòu)件層疊而成的結(jié)構(gòu),由此在施加拉伸張力時(shí)可以增加接觸部的拉伸張力,可以將芯片接合薄膜正常地?cái)嗔?。所述?gòu)成中,優(yōu)選所述切割薄膜的所述接觸部的動(dòng)摩擦系數(shù)為O 0.02。所述切割薄膜的所述接觸部的動(dòng)摩擦系數(shù)為0.2以下時(shí),可以減少施加拉伸張力時(shí)與上推夾具的摩擦,可以將芯片接合薄膜正常地?cái)嗔选K鰳?gòu)成中,優(yōu)選所述接觸部的表面粗糙度Ra為0.03 μ m以上且1.5 μ m以下,或者所述接觸部經(jīng)過(guò)潤(rùn)滑劑處理。所述接觸部的表面粗糙度Ra為0.03 y m以上或者所述接觸部經(jīng)過(guò)潤(rùn)滑劑處理時(shí),可以更適當(dāng)?shù)亟档驮谑┘永鞆埩r(shí)與上推夾具的摩擦,可以將芯片接合薄膜正常地?cái)嗔选?br>
圖1 (a)是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖視圖,(b)是其俯視圖。圖2是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖視圖。圖3(a)、(b)是表示另一實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖視圖。圖4是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。圖5是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。圖6(a)、(b)是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。圖7是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。圖8(a)和(b)是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的另一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。圖9是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的另一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。圖10是用于說(shuō)明動(dòng)摩擦系數(shù)的測(cè)定方法的圖。圖11是示意地表示測(cè)定動(dòng)摩擦系數(shù)時(shí)拉伸距離與摩擦力的關(guān)系的圖。圖12是示意地表示測(cè)定動(dòng)摩擦系數(shù)時(shí)垂直效力與動(dòng)摩擦力的關(guān)系的圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明I 基材2 粘合劑層3 芯片接合薄膜4 半導(dǎo)體晶片5 半導(dǎo)體芯片6 被粘物7 焊線8 密封樹(shù)脂10、12、20、21切割/芯片接合薄膜11、18、19切割薄膜13 環(huán)粘貼部
14 接觸部15 晶片粘貼部31 切割環(huán)33 上推夾具
具體實(shí)施例方式(切割/芯片接合薄膜)以下對(duì)本實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜進(jìn)行說(shuō)明。圖1 (a)是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖視圖,圖1 (b)是其俯視圖。圖2是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖視圖。切割/芯片接合薄膜10具有在切割薄膜11上層疊有芯片接合薄膜3的構(gòu)成。切割薄膜11通過(guò)在基材I上層疊粘合層2而構(gòu)成,芯片接合薄膜3設(shè)置在該粘合劑層2上。芯片接合薄膜3僅在粘合劑層2與半導(dǎo)體晶片粘貼部分對(duì)應(yīng)的部分2a形成。另外,本發(fā)明中,也可以是象圖2所示的切割/芯片接合薄膜12這樣在切割薄膜11的整個(gè)表面上形成芯片接合薄膜3’的構(gòu)成。如圖1 (a)、圖1 (b)所示,切割薄膜11在外周部分具有用于粘貼切割環(huán)31的環(huán)粘貼部13并且在相比于環(huán)粘貼部13靠?jī)?nèi)側(cè)處具有用于粘貼半導(dǎo)體晶片4的晶片粘貼部15。另外,在環(huán)粘貼部13與晶片粘貼部15之間具有上推夾具33的外周所接觸的接觸部14。切割薄膜11中,[(接觸部14的拉伸強(qiáng)度)_(晶片粘貼部15的拉伸強(qiáng)度)]為ON以上且60N以下,優(yōu)選ON以上且58N以下,更優(yōu)選ON以上且55N以下。切割薄膜11的接觸部14在25°C的條件下的拉伸強(qiáng)度為15N以上且80N以下,優(yōu)選20N以上且75N以下,更優(yōu)選25N以上且70N以下。切割薄膜11的接觸部14在25°C的條件下的拉伸強(qiáng)度為15N以上,因此可以防止在施加拉伸張力時(shí)切割薄膜11在接觸部14斷裂或者塑性變形,可以將芯片接合薄膜3正常地?cái)嗔选A硗?,所述拉伸?qiáng)度為80N以下,因此可以在不對(duì)施加拉伸張力的裝置施加過(guò)度的負(fù)荷的情況下將芯片接合薄膜3斷裂。切割薄膜11的接觸部14在25°C下的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為80%以上,優(yōu)選85%以上,更優(yōu)選90%以上。另外,切割薄膜11的接觸部14在25°C下的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度越大越好,例如可以設(shè)定為330%以下、300%以下、290%以下、260%以下、250%以下等。切割薄膜11的接觸部14在25°C下的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為80%以上,因此可以抑制切割薄膜的塑性變形,可以防止切割薄膜的斷裂。切割薄膜11的晶片粘貼部15在25°C下的拉伸強(qiáng)度為ION以上且70N以下,優(yōu)選IlN以上且50N以下,更優(yōu)選12N以上且40N以下。晶片粘貼部15在25°C下的拉伸強(qiáng)度為ION以上,因此可以將拉伸應(yīng)力良好地傳遞給芯片接合薄膜。另外,晶片粘貼15在25°C下的拉伸強(qiáng)度為70N以下,因此在施加拉伸張力時(shí),可以在晶片粘貼部15產(chǎn)生適度的擴(kuò)張,從而將芯片接合薄膜3斷裂。切割薄膜11的晶片粘貼部15在25°C下的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為30%以上,更優(yōu)選為35%以上。另外,切割薄膜11的晶片粘貼部15在25°C下的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度越大越好,例如可以設(shè)定為330%以下、300%以下、290%以下、260%以下、250%以下等。晶片粘貼部15在25°C下的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為30%以上,因此在施加拉伸張力時(shí),可以在晶片粘貼部15上產(chǎn)生適度的擴(kuò)張,從而將芯片接合薄膜3斷裂。所述拉伸強(qiáng)度為在試樣寬度25mm、夾盤間距100mm、拉伸速度300mm/分鐘條件下延伸10%時(shí)的強(qiáng)度。另外,所述屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為在25°C的條件下在試樣寬度10mm、夾盤間距50mm、拉伸速度300mm/分鐘條件下測(cè)定時(shí)得到的應(yīng)力-應(yīng)變曲線的屈服點(diǎn)處的伸長(zhǎng)率。另外,本發(fā)明中,對(duì)于不具有屈服點(diǎn)的切割薄膜,將斷裂伸長(zhǎng)度設(shè)定為屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度。具有屈服點(diǎn)的切割薄膜是指在25°C的條件下在試樣寬度10mm、夾盤間距50mm、拉伸速度300mm/分鐘條件下進(jìn)行拉伸試驗(yàn),并以應(yīng)變?yōu)閄軸、應(yīng)力為I軸進(jìn)行作圖時(shí),斜率dy/dx從正值變?yōu)镺或負(fù)值的薄膜。所述基材I優(yōu)選具有紫外線透射性,并且作為切割/芯片接合薄膜的強(qiáng)度母體。例如可以列舉:聚烯烴如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無(wú)規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等;乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹(shù)脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無(wú)規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹(shù)脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹(shù)脂、聚硅氧烷樹(shù)脂、金屬(箔)、紙等。另外,作為基材I的材料,可以列舉所述樹(shù)脂的交聯(lián)物等聚合物。所述塑料薄膜可以未拉伸使用,也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用通過(guò)拉伸處理而具有熱收縮性的樹(shù)脂片,切割后通過(guò)使其基材I熱收縮而使粘合劑層2與芯片接合薄膜3、3’的膠粘面積降低,從而可以容易地回收半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)。為了提高與鄰接層的粘附性和保持性等,基材I的表面可以進(jìn)行慣用的表面處理,例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電壓暴露、電離輻射處理等化學(xué)或物理處理、底涂劑(例如,后述的粘合物質(zhì))的涂布處理等。所述基材1,可以適當(dāng)選擇使用同種或異種材料,根據(jù)需要也可以將多種混合使用。另外,為了使基材I具有防靜電性能,可以在所述基材I上設(shè)置包含金屬、合金、它們的氧化物等且厚度約30 約500A的導(dǎo)電物質(zhì)的蒸鍍層?;腎可以是單層也可以是2種以上的多層?;腎的厚度沒(méi)有特別限制,可以適當(dāng)設(shè)定,一般為約5 約200 u m?;腎過(guò)厚時(shí)存在拾取性變差的情況。切割薄膜11可以至少在接觸部14具有基材I與增強(qiáng)構(gòu)件層疊而成的結(jié)構(gòu)。以下對(duì)該情況進(jìn)行說(shuō)明。圖3(a)是表示另一實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖視圖。圖3(a)所示的切割/芯片接合薄膜20中,切割薄膜18具有在基材I上層疊有粘合劑層2,再在其上層疊有增強(qiáng)構(gòu)件16a的結(jié)構(gòu)。增強(qiáng)構(gòu)件16a在不與晶片粘貼部15相對(duì)的范圍內(nèi)設(shè)置在膠粘劑層2上,并以包含接觸部14和環(huán)粘貼部13雙方的方式設(shè)置。另外,增強(qiáng)構(gòu)件16a也可以以僅包含接觸部14的方式設(shè)置。增強(qiáng)構(gòu)件16a設(shè)置在膠粘劑層2上的構(gòu)成的情況下,可以如圖3(a)所示設(shè)定為在增強(qiáng)構(gòu)件16a上設(shè)置有用于粘貼切割環(huán)的膠粘劑層17a的構(gòu)成。圖3(b)是表示另一實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖視圖。圖3(b)所示的切割/芯片接合薄膜21中,切割薄膜19具有在基材I上層疊有粘合劑層2,并在基材I的背面層疊有增強(qiáng)構(gòu)件16b的結(jié)構(gòu)。增強(qiáng)構(gòu)件16b在不與晶片粘貼部15相對(duì)的范圍內(nèi)設(shè)置在基材I的背面,以包含接觸部14和環(huán)粘貼部13雙方的方式設(shè)置。另外,增強(qiáng)構(gòu)件16b也可以以僅包含接觸部14的方式設(shè)置。增強(qiáng)構(gòu)件16b設(shè)置在基材I的背面的構(gòu)成的情況下,可以如圖3(b)所示設(shè)定為設(shè)置有用于將增強(qiáng)構(gòu)件16b粘貼到基材I的背面的膠粘劑層17b的構(gòu)成。作為增強(qiáng)構(gòu)件16 (增強(qiáng)構(gòu)件16a、增強(qiáng)構(gòu)件16b)的材質(zhì),可以使用與基材I同樣的材料。增強(qiáng)構(gòu)件16的厚度沒(méi)有特別限制,可以適當(dāng)確定,優(yōu)選5 70 ym,更優(yōu)選8 40 u m,進(jìn)一步優(yōu)選10 20 u m。
另外,增強(qiáng)構(gòu)件16的拉伸強(qiáng)度優(yōu)選為15N以上且80N以下,更優(yōu)選20N以上且60N以下,進(jìn)一步優(yōu)選25N以上且50N以下。增強(qiáng)構(gòu)件16的拉伸強(qiáng)度可以通過(guò)與切割薄膜11同樣的方法測(cè)定。接觸部14的動(dòng)摩擦系數(shù)優(yōu)選為O 0.02,更優(yōu)選O 0.019,進(jìn)一步優(yōu)選O 0.018。接觸部14的動(dòng)摩擦系數(shù)為0.02以下時(shí),可以降低在施加拉伸張力時(shí)與上推夾具的摩擦,可以將芯片接合薄膜11正常地?cái)嗔?。另外,如圖3(a)所示基材I與上推夾具33接觸時(shí),基材I的接觸部14的動(dòng)摩擦系數(shù)優(yōu)選為上述數(shù)值范圍。另外,如圖3(b)所示,增強(qiáng)構(gòu)件16b與上推夾具33接觸時(shí),增強(qiáng)構(gòu)件16b的接觸部14的動(dòng)摩擦系數(shù)優(yōu)選為上述數(shù)值范圍。接觸部14的表面粗糙度Ra優(yōu)選為0.03 μ m以上且1.5 μ m以下,更優(yōu)選0.05 μ m以上且1.4 μ m以下。接觸部14的表面粗糙度Ra為0.03 μ m以上時(shí),可以更適當(dāng)?shù)亟档褪┘永鞆埩r(shí)與上推夾具33的摩擦,可以將芯片接合薄膜11正常地?cái)嗔选K霰砻娲植诙萊a可以通過(guò)壓花處理來(lái)控制。另外,如圖1 (b)、圖3 (a)所示,基材I與上推夾具33接觸時(shí),基材I的接觸部14的表面粗糙度Ra優(yōu)選為上述數(shù)值范圍。另外,如圖3(b)所示,增強(qiáng)構(gòu)件16b與上推夾具33時(shí),增強(qiáng)構(gòu)件16b的接觸部14的表面粗糙度Ra優(yōu)選為上述數(shù)值范圍。接觸部14優(yōu)選經(jīng)潤(rùn)滑劑處理。作為潤(rùn)滑劑,可以采用現(xiàn)有公知的潤(rùn)滑劑,可以列舉例如聚硅氧烷類、含氟型的潤(rùn)滑劑。接觸部14經(jīng)潤(rùn)滑劑處理后,可以更適當(dāng)?shù)亟档褪┘永鞆埩r(shí)與上推夾具33的摩擦,可以將芯片接合薄膜正常地?cái)嗔??;腎中,可以將與接觸部14相應(yīng)的部分和與晶片粘貼部15相應(yīng)的部分由不同的材料構(gòu)成。由此,可以在接觸部14與晶片粘貼部15的拉伸強(qiáng)度、屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度方面設(shè)置差異。作為與接觸部14相應(yīng)的部分和與晶片粘貼部15相應(yīng)的部分由不同的材料構(gòu)成的基材I的制造方法,可以列舉例如:在將與晶片粘貼部15相應(yīng)的部分切除后的基材上嵌入拉伸強(qiáng)度和/或屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度不同的基材的方法。另外,作為另一方法,可以列舉在將基材I制膜時(shí),預(yù)先分別涂布與接觸部14相應(yīng)的部分和晶片粘貼部15的方法。作為粘合劑層2的形成中使用的粘合劑,沒(méi)有特別限制,例如,可以使用丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏粘合劑。作為所述壓敏粘合劑,從半導(dǎo)體芯片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機(jī)溶劑的清潔洗滌性等方面考慮優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物,例如可以列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如,甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)I 30、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如,環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外,(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯,本發(fā)明的“(甲基)”全部具有同樣的含義。為了改善凝聚力和耐熱性等,所述丙烯酸類聚合物中根據(jù)需要可以含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對(duì)應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分,可以列舉例如:含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等;酸酐單體如馬來(lái)酸酐、衣康酸酐等;含羥基單體如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等;含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等;含磷酸基單體如丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等;丙烯酰胺;丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的40重量%以下。另外,所述丙烯酸類聚合物為了進(jìn)行交聯(lián)根據(jù)需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體,可以列舉例如:己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或者兩種以上。多官能單體的使用量從粘合特性等觀點(diǎn)考慮優(yōu)選為全部單體成分的30重量%以下。所述丙烯酸類聚合物可以通過(guò)將單一單體或者兩種以上單體的混合物聚合而得至IJ。聚合可以通過(guò)溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進(jìn)行。從防止污染潔凈的被粘物的方面考慮,優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小的聚合物。從該觀點(diǎn)考慮,丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為約30萬(wàn)以上,更優(yōu)選約40萬(wàn)至約300萬(wàn)。另外,為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量,所述粘合劑中可以適當(dāng)使用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段,可以列舉:添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺型交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑進(jìn)行反應(yīng)的方法。使用外部交聯(lián)劑的情況下,其使用量根據(jù)與欲交聯(lián)基礎(chǔ)聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途進(jìn)行適當(dāng)確定。一般相對(duì)于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份優(yōu)選配合約5重量份以下,更優(yōu)選配合0.1 5重量份。另外,粘合劑中根據(jù)需要除所述成分之外還可以使用以往公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。所述粘合劑層2可以由紫外線固化型粘合劑形成。對(duì)于紫外線固化型粘合劑而言,通過(guò)紫外線照射使其交聯(lián)度增大,可以容易地使其粘合力下降,通過(guò)僅對(duì)圖1所示的粘合劑層2的與半導(dǎo)體晶片粘貼部分對(duì)應(yīng)的部分2a照射紫外線,可以設(shè)置與其它部分2b的粘合力差。另外,通過(guò)按照?qǐng)D1所示的芯片接合薄膜3使紫外線固化型粘合劑層2固化,可以容易地形成粘合力顯著下降的前述部分2a。在固化而粘合力下降的所述部分2a上粘貼有芯片接合薄膜3,因此粘合劑層2的所述部分2a與芯片接合薄膜3的界面具有在拾取時(shí)容易剝離的性質(zhì)。另一方面,未照射紫外線的部分具有充分的粘合力,形成所述部分2b。在圖2所示的切割/芯片接合薄膜12中,由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜3’粘合,從而能夠確保切割時(shí)的保持力。這樣,紫外線固化型粘合劑可以以良好的膠粘/剝離平衡支撐用于將半導(dǎo)體芯片芯片接合到襯底等被粘物上的芯片接合薄膜3’。關(guān)于圖1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2,所述部分2b可以固定貼片環(huán)(々二)。
所述紫外線固化型粘合劑可以沒(méi)有特別限制地使用具有碳碳雙鍵等紫外線固化性官能團(tuán)、并且顯示粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑,例如,可以例示在丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏粘合劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型粘合劑。作為所述壓敏膠粘劑,從半導(dǎo)體芯片或玻璃等避忌污染的電子部件的超純水或醇等有機(jī)溶劑的清潔洗滌性等方面考慮,優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物,例如可以列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如,甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)I 30、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環(huán)烷酯(例如,環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外,(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯,本發(fā)明的“(甲基)”全部具有同樣的含義。所述丙烯酸類聚合物中,為了改善凝聚力和耐熱性等,根據(jù)需要可以含有與能夠與所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對(duì)應(yīng)的單元。作為這樣的單體成分,可以列舉例如:含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸、巴豆酸等;酸酐單體如馬來(lái)酸酐、衣康酸酐等;含羥基單體如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等;含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等;含磷酸基單體如丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等;丙烯酰胺;丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量?jī)?yōu)選為全部單體成分的40重量%以下。另外,所述丙烯酸類聚合物為了進(jìn)行交聯(lián)根據(jù)需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體,可以列舉例如:己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或者兩種以上。多官能單體的使用量從粘合特性等觀點(diǎn)考慮優(yōu)選為全部單體成分的30%重量以下。所述丙烯酸類聚合物可以通過(guò)將單一單體或者兩種以上單體的混合物聚合而得至IJ。聚合可以通過(guò)溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進(jìn)行。從防止污染潔凈的被粘物的方面考慮,優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小的聚合物。從該觀點(diǎn)考慮,丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量?jī)?yōu)選為約30萬(wàn)以上,更優(yōu)選約40萬(wàn)至約300萬(wàn)。另外,為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量,所述粘合劑中可以適當(dāng)使用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段,可以列舉:添加多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺型交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑進(jìn)行反應(yīng)的方法。使用外部交聯(lián)劑的情況下,其使用量根據(jù)與欲交聯(lián)基礎(chǔ)聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途進(jìn)行適當(dāng)確定。一般相對(duì)于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份優(yōu)選5重量份以下。另外,下限值優(yōu)選為0.1重量份以上。另外,粘合劑根據(jù)需要除所述成分之外還可以使用各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。作為用于配合的所述紫外線固化性單體成分,可以列舉例如:氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外,紫外線固化性低聚物成分可以列舉聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物,其分子量在約100至約30000的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)摹W贤饩€固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當(dāng)確定能夠使粘合劑層的粘合力下降的量。一般而言,相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份,例如為約5至約500重量份、優(yōu)選約70至約150重量份。另外,作為紫外線固化型粘合劑,除前面說(shuō)明過(guò)的添加型紫外線固化型粘合劑以夕卜,還可以列舉:使用在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑不需要含有或者不大量含有作為低分子量成分的低聚物成分等,因此低聚物成分等不會(huì)隨時(shí)間推移在粘合劑中移動(dòng),可以形成穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)的粘合劑層,因此優(yōu)選。所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物,可以沒(méi)有特別限制地使用具有碳碳雙鍵并且具有粘合性的基礎(chǔ)聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物,優(yōu)選以丙烯酸類聚合物為基本骨架的基礎(chǔ)聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架,可以列舉前面例示的丙烯酸類聚合物。在所述丙烯酸類聚合物中引入碳碳雙鍵的方法沒(méi)有特別限制,可以采用各種方法,從分子設(shè)計(jì)方面而言在聚合物側(cè)鏈引入碳碳雙鍵是比較容易的。例如可以列舉:預(yù)先將具有官能團(tuán)的單體與丙烯酸類聚合物共聚后,使具有能夠與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)及碳碳雙鍵的化合物在保持碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物縮合或加成反應(yīng)的方法。作為這些官能團(tuán)的組合例,可以列舉羧基與環(huán)氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團(tuán)的組合中,從容易跟蹤反應(yīng)的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的組合。另外,只要是通過(guò)這些官能團(tuán)的組合生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合,則官能團(tuán)可以在丙烯酸類聚合物和所述化合物的任意一個(gè)上,在所述優(yōu)選組合中,丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況是適合的。此時(shí),作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物,可以列舉例如:甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-a,a-二甲基芐基異氰酸酯等。另外,作為丙烯酸類聚合物,可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。所述內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑,可以單獨(dú)使用所述具有碳碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物),也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合前述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分通常相對(duì)于基礎(chǔ)聚合物100重量份在約30重量份的范圍內(nèi),優(yōu)選0 10重量份的范圍。
所述紫外線固化型粘合劑中在通過(guò)紫外線等進(jìn)行固化的情況下含有光聚合引發(fā)齊U。作為光聚合引發(fā)劑,可以列舉例如:α -酮醇類化合物如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、0-輕基-0,0 二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等;苯乙酮類化合物如甲氧基苯乙酮、2,2’-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等;苯偶姻醚類化合物如苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻等;縮酮類化合物如聯(lián)苯酰二甲基縮酮等;芳香族磺酰氯類化合物如2-萘磺酰氯等;光活性肟類化合物如1-苯基-1,2-丙二酮-2- (O-乙氧基羰基)肟等;二苯甲酮類化合物如二苯甲酮、苯甲?;郊姿?、3,3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等;噻噸酮類化合物如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4- 二氯噻噸酮、2,4- 二乙基噻噸酮、2,4- 二異丙基噻噸酮等;樟腦醌;鹵代酮;酰基氧化膦;酰基膦酸酯等。光聚合引發(fā)劑的配合量相對(duì)于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份例如為約0.05至約20重量份。另外,作為紫外線固化型粘合劑,可以列舉例如:日本特開(kāi)昭60-196956號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的、包含具有兩個(gè)以上不飽合鍵的加聚性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物和羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過(guò)氧化物、胺德鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。作為在所述粘合劑層2中形成所述部分2a的方法,可以列舉在基材I上形成紫外線固化型粘合劑層2后,對(duì)所述部分2a局部地照射紫外線而使其固化的方法。局部的紫外線照射可以通過(guò)形成有與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a以外的部分3b等對(duì)應(yīng)的圖案的光掩模來(lái)進(jìn)行。另外,可以列舉點(diǎn)狀照射紫外線而固化的方法。紫外線固化型粘合劑層2的形成可以通過(guò)將設(shè)置在隔片上的粘合劑層轉(zhuǎn)印到基材I上來(lái)進(jìn)行。局部的紫外線照射也可以對(duì)在隔片上設(shè)置的紫外線固化型粘合劑層2進(jìn)行。在切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中,對(duì)粘合劑層2的一部分進(jìn)行紫外線照射使得(所述部分2a的粘合力)〈(其它部分2b的粘合力)。即,使用基材I的至少單面的、與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的部分以外的部分的全部或者一部分被遮光的基材,在其上形成紫外線固化型粘合劑層2后進(jìn)行紫外線照射,使與半導(dǎo)體晶片粘貼部分3a對(duì)應(yīng)的部分固化,從而可以形成使粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料,可以通過(guò)印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上制作能夠成為光掩模的遮光材料。由此,可以高效地制造本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜12。粘合劑層2的厚度沒(méi)有特別限制,從防止芯片切割面的缺損和膠粘層的固定保持的兼具性等方面考慮,優(yōu)選為約I μ m至約50 μ m,更優(yōu)選2 μ m 30 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選5 μ m 25 μ m0粘合劑層2在-10°C 30°C下的拉伸儲(chǔ)能模量?jī)?yōu)選為lX104 lX101QPa。粘合劑層2的所述拉伸儲(chǔ)能模量在所述數(shù)值范圍內(nèi)時(shí),可以防止晶片斷裂時(shí)碎片的產(chǎn)生,并且可防止拾取帶有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片時(shí)芯片飛散或產(chǎn)生偏移。芯片接合薄膜3、3’熱固化前在25°C下的斷裂伸長(zhǎng)率大于40%且為500%以下。由于所述斷裂伸長(zhǎng)率大于40%且為500%以下,因此在通過(guò)對(duì)切割/芯片接合薄膜10、12、20、21施加拉伸張力將芯片接合薄膜3、3’斷裂的工序(后述的芯片形成工序)中,可以通過(guò)拉伸張力將芯片接合薄膜3、3’適當(dāng)?shù)財(cái)嗔选L貏e是由于芯片接合薄膜3、3’熱固化前在25°C下的斷裂伸長(zhǎng)率大于40%,因此在通過(guò)隱形切割由半導(dǎo)體晶片4得到半導(dǎo)體芯片5時(shí),對(duì)切割/芯片接合薄膜12施加拉伸張力時(shí),可以將芯片接合薄膜3、3’與半導(dǎo)體晶片4同時(shí)斷裂,可以利用預(yù)定分割線4L將芯片接合薄膜3、3’和半導(dǎo)體晶片4可靠地?cái)嗔选K鰯嗔焉扉L(zhǎng)率優(yōu)選大于43%且為500%以下,更優(yōu)選大于60%且為450%以下。另外,芯片接合薄膜
3、3’的尺寸長(zhǎng)的情況下,所述斷裂伸長(zhǎng)率只要在長(zhǎng)度方向(MD)或?qū)挾确较?TD)的至少一個(gè)方向滿足上述數(shù)值范圍即可。切割薄膜11的粘合劑層2與芯片接合薄膜3的剝離強(qiáng)度(23°C、剝離角度180度、剝離速度300mm/分鐘)優(yōu)選為0.02N/20mm 0.2N/20mm的范圍,更優(yōu)選0.03N/20mm 0.15N/20mm的范圍,進(jìn)一步優(yōu)選0.04N/20mm 0.lN/20mm的范圍。通過(guò)使所述剝離強(qiáng)度為0.02N/20mm以上,可以防止在施加拉伸張力時(shí)芯片接合薄膜3從切割薄膜11上剝離。另一方面,通過(guò)使所述剝離強(qiáng)度為0.2N/20mm以下,可以防止在拾取半導(dǎo)體元件時(shí)該半導(dǎo)體元件難以剝離或者產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面,芯片接合薄膜3與半導(dǎo)體芯片的剝離強(qiáng)度(23°C、剝離角度180度、剝離速度300mm/分鐘)優(yōu)選為0.02N/20mm 0.5N/20mm的范圍,更優(yōu)選0.03N/20mm
0.3N/20mm的范圍,進(jìn)一步優(yōu)選0.04N/20mm 0.2N/20mm的范圍。另外,芯片接合薄膜3、3’在_20°C 30°C下的拉伸儲(chǔ)能模量?jī)?yōu)選為0.1GPa以上且IOGPa以下,更優(yōu)選0.2GPa以上且9.5GPa,進(jìn)一步優(yōu)選0.5GPa以上且9GPa。通過(guò)將_20°C 30°C下的拉伸儲(chǔ)能模量設(shè)定為0.1GPa以上,可以提高擴(kuò)張時(shí)的芯片接合薄膜3、3’的斷裂性。另一方面,通過(guò)將所述拉伸儲(chǔ)能模量設(shè)定為IOGPa以下,可以提高芯片接合薄膜3、3’在半導(dǎo)體晶片上的層疊性。芯片接合薄膜的層壓結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別限制,例如,可以列舉如芯片接合薄膜3、3’ (參考圖1 圖3)僅由膠粘劑層單層構(gòu)成的芯片接合薄膜,或者在芯材的單面或雙面形成有膠粘劑層的多層結(jié)構(gòu)的芯片接合薄膜。作為所述芯材,可以列舉薄膜(例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無(wú)紡纖維增強(qiáng)的樹(shù)脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。芯片接合薄膜為多層結(jié)構(gòu)的情況下,多層結(jié)構(gòu)的芯片接合薄膜整體的所述斷裂伸長(zhǎng)率、所述拉伸儲(chǔ)能模量以及所述損耗模量等在所述數(shù)值范圍內(nèi)即可。作為構(gòu)成所述芯片接合薄膜3、3’的膠粘劑組合物,可以列舉組合使用熱塑性樹(shù)脂與熱固性樹(shù)脂的組合物。作為所述熱固性樹(shù)脂,可以列舉酚醛樹(shù)脂、氨基樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚硅氧烷樹(shù)脂或熱固性聚酰亞胺樹(shù)脂等。這些樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。特別優(yōu)選腐蝕半導(dǎo)體元件的離子性雜質(zhì)等的含量少的環(huán)氧樹(shù)脂。另外,作為環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑,優(yōu)選酚醛樹(shù)脂。作為所述環(huán)氧樹(shù)脂,只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環(huán)氧樹(shù)脂則沒(méi)有特別限制,可以使用例如:雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四(羥苯基)乙烷型等雙官能環(huán)氧樹(shù)脂或多官能環(huán)氧樹(shù)脂、或者乙內(nèi)酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環(huán)氧樹(shù)脂。這些環(huán)氧樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹(shù)脂中,特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹(shù)脂、三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹(shù)脂或四(羥苯基)乙烷型環(huán)氧樹(shù)脂。這是因?yàn)?這些環(huán)氧樹(shù)脂與作為固化劑的酚醛樹(shù)脂的反應(yīng)性好,并且耐熱性等優(yōu)良。另外,所述酚醛樹(shù)脂作為所述環(huán)氧樹(shù)脂的固化劑發(fā)揮作用,可以列舉例如:苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂、甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、壬基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂等酚醛清漆型酚醛樹(shù)脂、甲階酚醛樹(shù)脂型酚醛樹(shù)脂、聚對(duì)羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹(shù)脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、苯酚芳烷基樹(shù)脂等。這是因?yàn)榭梢蕴岣甙雽?dǎo)體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹(shù)脂與酚醛樹(shù)脂的配合比例,例如相對(duì)于所述環(huán)氧樹(shù)脂成分中的環(huán)氧基I當(dāng)量以酚醛樹(shù)脂中的羥基為0.5 2.0當(dāng)量的方式進(jìn)行配合是適當(dāng)?shù)?。更?yōu)選0.8 1.2當(dāng)量。即,這是因?yàn)?兩者的配合比例如果在所述范圍以外,則固化反應(yīng)不充分,環(huán)氧樹(shù)脂固化物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹(shù)脂,可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、熱塑性聚酰亞胺樹(shù)脂、尼龍6或尼龍6,6等聚酰胺樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸類樹(shù)脂、PET或PBT等飽和聚酯樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、或者含氟樹(shù)脂等。這些熱塑性樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹(shù)脂中,特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性高、能夠確保半導(dǎo)體元件的可靠性的丙烯酸類樹(shù)脂。作為所述丙烯酸類樹(shù)脂,沒(méi)有特別限制,可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸的酯為成分的聚合物(丙烯酸類聚合物)等。作為所述烷基,可以列舉例如:甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者_(dá)■十燒基等。上述丙烯酸類樹(shù)脂中,為了提高凝聚力,特別優(yōu)選丙烯酸類共聚物。作為上述丙烯酸類共聚物,可以列舉例如:丙烯酸乙酯與甲基丙烯酸甲酯的共聚物、丙烯酸與丙烯腈的共聚物、丙烯酸丁酯與丙烯腈的共聚物等。另外,作為形成所述聚合物的其它單體,沒(méi)有特別限制,可以列舉例如:含羧基單體如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來(lái)酸、富馬酸或巴豆酸等;酸酐單體如馬來(lái)酸酐或衣康酸酐等;含羥基單體如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基十二烷酯或(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等;含磺酸基單體如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等;或者含磷酸基單體如丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等。所述熱固性樹(shù)脂的配合比例,只要是在規(guī)定條件下加熱時(shí)芯片接合薄膜3、3’發(fā)揮作為熱固型的功能的程度 即可,沒(méi)有特別限制,優(yōu)選在5 60重量%的范圍內(nèi),更優(yōu)選在10 50重量%的范圍內(nèi)。所述芯片接合薄膜3、3’熱固化前的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)優(yōu)選為25 60°C,更優(yōu)選25 55°C,進(jìn)一步優(yōu)選25 50°C。通過(guò)將熱固化前的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度設(shè)定為25°C 60°C,可以良好地層疊晶片。另外,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是,使用動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定裝置,在頻率IOHz、升溫速度5°C /分鐘的條件下測(cè)定-30 280°C下的損耗角正切(tan S ),并由此時(shí)的tan 6的峰值得到值。 為了使芯片接合薄膜3、3’熱固化前的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為25 60°C,例如,可以通過(guò)使所述環(huán)氧樹(shù)脂和所述酚醛樹(shù)脂中的至少一方含有一種以上熔點(diǎn)50°C以上的樹(shù)脂來(lái)實(shí)現(xiàn)。作為熔點(diǎn)50°C以上的環(huán)氧樹(shù)脂,可以列舉:AER-8039(旭化成環(huán)氧制,熔點(diǎn)78°C )、BREN-105 (日本化藥制,熔點(diǎn)640C )、BREN_S(日本化藥制,熔點(diǎn)83 °C )、CER_3000L(日本化藥制,熔點(diǎn)90°C )、EHPE-3150(大賽璐化學(xué)制,熔點(diǎn)80°C )、EPPN-501HY(日本化藥制,熔點(diǎn)60°C )、ESN-165M(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)76 °C )、ESN_175L(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)90°C )、ESN-175S(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)67°C )、ESN-355 (新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)55°C )、ESN-375(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)75 0C )、ESPD_295 (住友化學(xué)制,熔點(diǎn)69 °C )、EXA_7335(大日本油墨制,熔點(diǎn)99°C )、EXA-7337(大日本油墨制,熔點(diǎn)70°C )、HP-7200H(大日本油墨制,熔點(diǎn)820C )、TEPIC-SS (日產(chǎn)化學(xué)制,熔點(diǎn)1080C )、YDC-1312 (東都化成制,熔點(diǎn)141。。)、YDC-1500(東都化成制,熔點(diǎn) 101 °C )、YL-6121HN(JER 制,熔點(diǎn) 130°C )、YSLV_120TE (東都化成制,熔點(diǎn) 113。。)、YSLV-80XY (東都化成制,熔點(diǎn) 80°C )、YX_4000H(JER 制,熔點(diǎn) 105°C )、YX-4000K(JER 制,熔點(diǎn) 107 V )、ZX-650 (東都化成制,熔點(diǎn) 85。。)、EpicoatlOOl (JER制,熔點(diǎn) 64 °C )、Epicoatl002 (JER 制,熔點(diǎn) 78 °C )、Epicoatl003 (JER 制,熔點(diǎn) 89 °C )、Epicoatl004(JER 制,熔點(diǎn) 97 °C )、Epicoatl006FS (JER 制,熔點(diǎn) 112 °C )。其中,優(yōu)選AER-8039(旭化成環(huán)氧制,熔點(diǎn)780C )、BREN-105 (日本化藥制,熔點(diǎn)64°C )、BREN-S (日本化藥制,熔點(diǎn)83 0C )、CER-3000L(日本化藥制,熔點(diǎn)90 °C )、EHPE-3150 (大賽璐化學(xué)制,熔點(diǎn)800C )、EPPN-501HY(日本化藥制,熔點(diǎn)60°C )、ESN_165M(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)76°C )、ESN-175L(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)900C )、ESN_175S(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)67V )、ESN_355(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)55°C )、ESN-375(新日鐵化學(xué)制,熔點(diǎn)75°C )、ESPD-295 (住友化學(xué)制,熔點(diǎn)69°C )、EXA-7335(大日本油墨制,熔點(diǎn)99°C )、EXA-7337(大日本油墨制,熔點(diǎn)70V )、HP-7200H(大日本油墨制,熔點(diǎn)82°C )、YSLV_80XY(東都化成制,熔點(diǎn)80°C )、ZX-650 (東都化成制,熔點(diǎn) 85 °C )、EpicoatlOOl (JER 制,熔點(diǎn) 64 °C )、Epicoatl002 (JER 制,熔點(diǎn)78 0C ) > Epicoatl003(JER 制,熔點(diǎn) 89 °C )、Epicoatl004 (JER 制,熔點(diǎn) 97°C )。由于這些環(huán)氧樹(shù)脂的熔點(diǎn)不過(guò)高(低于100°C ),因此用于芯片接合薄膜時(shí)的晶片層疊性良好。作為熔點(diǎn)50°C以上的酚醛樹(shù)脂,可以列舉DL-65(明和化成制,熔點(diǎn)65°C )、DL-92(明和化成制,熔點(diǎn)92°C )、DPP-L(日本石油制,熔點(diǎn)100°C )、GS-180(群榮化學(xué)制,熔點(diǎn)83°C )、GS-200(群榮化學(xué)制,熔點(diǎn)100°C )、H-1 (明和化成制,熔點(diǎn)79°C )、H-4(明和化成制,熔點(diǎn)71°C )、HE-100C-15(住友化學(xué)制,熔點(diǎn)73°C )、HE-510-05(住友化學(xué)制,熔點(diǎn)75°C )、HF-1 (明和化成制,熔點(diǎn)840C )、HF-3(明和化成制,熔點(diǎn)96°C )、MEH-7500 (明和化成制,熔點(diǎn)Ill0C )、MEH-7500-3S(明和化成制,熔點(diǎn)83°C )、MEH-7800_3L(明和化成制,熔點(diǎn)72 °C )、MEH-7851 (明和化成制,熔點(diǎn)78 °C )、MEH-7851-3H (明和化成制,熔點(diǎn)105 °C )、MEH-7851-4H(明和化成制,熔點(diǎn)130。。)、MEH_7851S(明和化成制,熔點(diǎn)73°C )、P_1000 (荒川化學(xué)制,熔點(diǎn)63°C )、P_180(荒川化學(xué)制,熔點(diǎn)83°C )、P_200(荒川化學(xué)制,熔點(diǎn)100°C )、VR-8210(三井化學(xué)制,熔點(diǎn)60°C )、XLC-3L(三井化學(xué)制,熔點(diǎn)70°C )、XLC-4L(三井化學(xué)制,熔點(diǎn)62°C )、XLC-LL(三井化學(xué)制,熔點(diǎn)75°C )。其中,優(yōu)選DL_65(明和化成制,熔點(diǎn)65°C )、DL-92(明和化成制,熔點(diǎn)92°C )、GS-180(群榮化學(xué)制,熔點(diǎn)83°C )、H-1 (明和化成制,熔點(diǎn)79V )、H-4(明和化成制,熔點(diǎn)7VC)、HE-100C-15(住友化學(xué)制,熔點(diǎn)73°C )、HE-510-05 (住友化學(xué)制,熔點(diǎn)75°C )、HF_1 (明和化成制,熔點(diǎn)84°C )、HF_3 (明和化成制,熔點(diǎn)960C )、MEH-7500-3S(明和化成制,熔點(diǎn)83°C )、MEH-7800_3L (明和化成制,熔點(diǎn)72°C )、MEH-7851 (明和化成制,熔點(diǎn)78°C )、MEH-7851S(明和化成制,熔點(diǎn)73°C )、P-1000 (荒川化學(xué)制,熔點(diǎn)630C )、P_180(荒川化學(xué)制,熔點(diǎn)830C )、VR-8210 (三井化學(xué)制,熔點(diǎn)60。。)、XLC-3L (三井化學(xué)制,熔點(diǎn)70°C )、XLC-4L (三井化學(xué)制,熔點(diǎn)62°C )、XLC-LL (三井化學(xué)制,熔點(diǎn)75°C )。這是因?yàn)檫@些酚醛樹(shù)脂的熔點(diǎn)不過(guò)高(低于100°C ),因此用于芯片接合薄膜時(shí)的晶片層置性良好。所述芯片接合薄膜3、3’中,含有環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂及丙烯酸類樹(shù)脂,設(shè)所述環(huán)氧樹(shù)脂與所述酚醛樹(shù)脂的合計(jì)重量為X、所述丙烯酸類樹(shù)脂的重量為Y時(shí),X/(X+Y)優(yōu)選為0.3以上且小于0.9,更優(yōu)選0.35以上且小于0.85,進(jìn)一步優(yōu)選0.4以上且小于0.8。隨著環(huán)氧樹(shù)脂和酚醛樹(shù)脂的含量增加,變得容易斷裂,另一方面,在半導(dǎo)體晶片4上的膠粘性下降。另外,隨著丙烯酸類樹(shù)脂的含量增加在粘貼時(shí)或操作時(shí)芯片接合薄膜3、3’難以破裂,從而作業(yè)性良好,另一方面,難以斷裂。因此,通過(guò)將Χ/(Χ+Υ)設(shè)定為0.3以上,在通過(guò)隱形切割由半導(dǎo)體晶片4得到半導(dǎo)體元件5時(shí),可以更容易地將芯片接合薄膜3、3’與半導(dǎo)體晶片4同時(shí)斷裂。另外,通過(guò)將Χ/(Χ+Υ)設(shè)定為小于0.9,可以使作業(yè)性良好。預(yù)先使本發(fā)明的芯片接合薄膜3、3’進(jìn)行某種程度地交聯(lián)的情況下,在制作時(shí),可以添加與聚合物的分子末端的官能團(tuán)等反應(yīng)的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此,可以提高高溫下的膠粘特性,改善耐熱性。作為所述交聯(lián)劑,可以使用現(xiàn)有公知的交聯(lián)劑。特別地更優(yōu)選甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對(duì)苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成產(chǎn)物等多異氰酸酯化合物。交聯(lián)劑的添加量相對(duì)于前述聚合物100重量份通常優(yōu)選設(shè)定為0.05 7重量份。交聯(lián)劑的量超過(guò)7重量份時(shí),膠粘力下降,因此不優(yōu)選。另一方面,低于0.05重量份時(shí),凝聚力不足,因此不優(yōu)選。另外,根據(jù)需要可以與這樣的多異氰酸酯化合物一起含有環(huán)氧樹(shù)脂等其它多官能化合物。另外,芯片接合薄膜3、3’中根據(jù)其用途可以適當(dāng)配合填料。配合填料可以賦予導(dǎo)電性或提高導(dǎo)熱性、調(diào)節(jié)彈性模量等。作為所述填料,可以列舉無(wú)機(jī)填料和有機(jī)填料,從提高操作性、提高導(dǎo)熱性、調(diào)節(jié)熔融粘度、賦予觸變性等特性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選無(wú)機(jī)填料。作為所述無(wú)機(jī)填料,沒(méi)有特別限制,可以列舉例如:氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。這些填料可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。從提高導(dǎo)熱性的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅。另外,從上述各特性的平衡好的觀點(diǎn)考慮,優(yōu)選結(jié)晶二氧化硅或者非晶二氧化硅。另外,為了賦予導(dǎo)電性、提高熱電導(dǎo)性等,可以使用導(dǎo)電物質(zhì)(導(dǎo)電填料)作為無(wú)機(jī)填料。作為導(dǎo)電填料,可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電合金等的球形、針形、片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無(wú)定形炭黑、石墨等。所述填料的平均粒徑優(yōu)選為0.005 10 μ m,更優(yōu)選0.005 I μ m。通過(guò)將所述填料的平均粒徑設(shè)定為0.005 μ m以上,可以使對(duì)被粘物的潤(rùn)濕性以及膠粘性良好。另外,通過(guò)設(shè)定為IOum以下,可以充分地發(fā)揮為了賦予上述各特性而添加的填料的效果,同時(shí)可以確保耐熱性。另外,填料的平均粒徑是利用例如光度式粒度分布計(jì)(HORIBA制,裝置名:LA-910)求得的值。在所述膠粘劑層中,設(shè)所述環(huán)氧樹(shù)脂、所述酚醛樹(shù)脂和所述丙烯酸類樹(shù)脂的合計(jì)重量為A,所述填料的重量為B時(shí),B/(A+B)優(yōu)選為0.1以上且0.7以下,更優(yōu)選0.1以上且
0.65以下,進(jìn)一步優(yōu)選0.1以上且0.6以下。通過(guò)將上述值設(shè)定為0.7以下,可以防止拉伸儲(chǔ)能模量變高,并且可以使對(duì)被粘物的潤(rùn)濕性以及膠粘性良好。另外,通過(guò)將上述值設(shè)定為
0.1以上,可以利用拉伸張力適當(dāng)?shù)貙⑿酒雍媳∧嗔选A硗?,所述芯片接合薄?、3’中除了前述填料以外根據(jù)需要可以適當(dāng)配合其它添加劑。作為其它添加劑,可以列舉例如:阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑,可以列舉例如:三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹(shù)脂等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑,可以列舉例如:¢-(3, 4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基娃燒、Y _環(huán)氧丙氧基丙基二甲氧基娃燒、Y-環(huán)氧丙氧基甲基二乙氧基娃燒等。這些化合物可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑,可以列舉例如:水滑石類、氫氧化鉍等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜3、3’的厚度(層壓體的情況下為總厚度)沒(méi)有特別限制,例如可以從I U m至200 V- m的范圍內(nèi)選擇,優(yōu)選5 y m至100 u m,更優(yōu)選10 y m至80 y m。所述切割/芯片接合薄膜10、12的芯片接合薄膜3、3’優(yōu)選由隔片保護(hù)(未圖示)。隔片具有在供給實(shí)際應(yīng)用之前作為保護(hù)芯片接合薄膜3、3’的保護(hù)材料的功能。另外,隔片還可以作為向粘合劑層2上轉(zhuǎn)印芯片接合薄膜3、3’時(shí)的支撐基材使用。隔片在向切割/芯片接合薄膜的芯片接合薄膜3、3’上粘貼工件時(shí)剝離。作為隔片,可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯,也可以使用由含氟剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂敷的塑料薄膜或紙等。本實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜10、12例如如下制作。首先,基材I可以通過(guò)以往公知的制膜方法制成膜。作為該制膜方法,可以列舉例如:壓延制膜法、有機(jī)溶劑中的流延法、密閉體系中的吹塑法、T形模頭擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后,在基材I上涂布粘合劑組合物溶液形成涂膜后,在預(yù)定條件下使該涂膜干燥(根據(jù)需要進(jìn)行加熱交聯(lián)),形成粘合劑層2。作為涂布方法,沒(méi)有特別限制,可以列舉例如:輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外,作為干燥條件,例如,在干燥溫度80 150°C、干燥時(shí)間0.5 5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外,將粘合劑組合物涂布到隔片上形成涂膜后,在所述干燥條件下將涂膜干燥可以形成粘合劑層2。之后,將粘合劑層2與隔片一起粘貼到基材I上。由此,制作切割薄膜11。芯片接合薄膜3、3’例如如下制作。首先,制作作為芯片接合薄膜3、3’的形成材料的膠粘劑組合物溶液。在該膠粘劑組合物溶液中,如前所述,配合所述膠粘劑組合物、填料、其它各種添加劑等。然后,在基材隔片上以達(dá)到預(yù)定厚度的方式涂布膠粘劑組合物溶液形成涂膜后,在預(yù)定條件下使該涂膜干燥形成膠粘劑層。作為涂布方法,沒(méi)有特別限制,可以列舉例如:輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外,作為干燥條件,例如在干燥溫度70 160°C、干燥時(shí)間I 5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外,將粘合劑組合物涂布到隔片上形成涂膜后,在所述干燥條件下將涂膜干燥可以形成膠粘劑層。之后,將膠粘劑層與隔片一起粘貼到基材隔片上。接著,分別從切割薄膜11和膠粘劑層上將隔片剝離,以膠粘劑層與粘合劑層成為粘貼面的方式將兩者粘貼。粘貼例如可以通過(guò)壓接來(lái)進(jìn)行。此時(shí),層壓溫度沒(méi)有特別限制,例如,優(yōu)選30 50°C,更優(yōu)選35 45°C。另外,線壓沒(méi)有特別限制,例如,優(yōu)選0.1 20kgf/cm,更優(yōu)選I lOkgf/cm。然后,將膠粘劑層上的基材隔片剝離,得到本實(shí)施方式的切割/芯片接合薄膜。(半導(dǎo)體裝置制造方法)以下,參考圖4 圖9對(duì)使用切割/芯片接合薄膜10制造半導(dǎo)體裝置的方法進(jìn)行說(shuō)明。圖4 圖7是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。首先,對(duì)半導(dǎo)體晶片4的預(yù)定分割線4L照射激光以在預(yù)定分割線4L上形成改性區(qū)域。本方法是將聚焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片的內(nèi)部,沿格子狀的預(yù)定分割線照射激光,從而利用多光子吸收的燒蝕在半導(dǎo)體晶片內(nèi)部形成改性區(qū)域的方法。作為激光照射條件,可以在以下條件的范圍內(nèi)適當(dāng)調(diào)節(jié)?!醇す庹丈錀l 件〉⑷激光激光源半導(dǎo)體激光激發(fā)Nd: YAG激光器波長(zhǎng)1064nm激光光點(diǎn)截面積3.14X IO-8Cm2振蕩模式Q開(kāi)關(guān)脈沖重復(fù)頻率IOOkHz以下脈沖寬度Iys以下輸出功率ImJ以下激光品質(zhì)TEMOO偏振特性線性偏振(B)聚焦用透鏡倍數(shù)100倍以下NA0.55對(duì)激光波長(zhǎng)的透射率100%以下(C)載置有半導(dǎo)體襯底的載置臺(tái)的移動(dòng)速度280mm/秒以下另外,關(guān)于照射激光在預(yù)定分割線4L上形成改性區(qū)域的方法,如日本專利第3408805號(hào)公報(bào)或日本特開(kāi)2003-338567號(hào)公報(bào)所詳述,在此省略詳細(xì)說(shuō)明。然后,如圖5所示,將改性區(qū)域形成后的半導(dǎo)體晶片4壓接在芯片接合薄膜上將其膠粘保持而固定(安裝工序)。本工序通過(guò)壓接輥等按壓工具進(jìn)行按壓的同時(shí)進(jìn)行。安裝時(shí)的粘貼溫度沒(méi)有特別限制,優(yōu)選在40 80°C的范圍內(nèi)。這是因?yàn)?可以有效防止半導(dǎo)體晶片4的翹曲并且可以減少切割/芯片接合薄膜的伸縮的影響。然后,通過(guò)對(duì)切割/芯片接合薄膜10施加拉伸張力,利用預(yù)定分割線4L將半導(dǎo)體晶片4和芯片接合薄膜3斷裂,從而形成半導(dǎo)體芯片5 (芯片形成工序)。本工序例如可以使用市售的擴(kuò)晶裝置來(lái)進(jìn)行。具體而言,如圖1(b)、圖6(a)所示,在粘貼有半導(dǎo)體晶片4的切割/芯片接合薄膜10的切割薄膜11的環(huán)粘貼部13處粘貼切割環(huán)31后,固定到擴(kuò)晶裝置32上。然后,如圖6 (b)所示,使上推夾具33上升,從而對(duì)切割/芯片接合薄膜10施加張力。該芯片形成工序可以在_50°C 10°C的條件下進(jìn)行,更優(yōu)選為_(kāi)20°C 30°C,進(jìn)一步優(yōu)選為-10°C 25°C。另外,在芯片形成工序中,擴(kuò)張速度(上推部上升的速度)優(yōu)選為100 400mm/秒,更優(yōu)選100 350mm/秒,進(jìn)一步優(yōu)選100 300mm/秒。通過(guò)將擴(kuò)張速度設(shè)定為IOOmm/秒以上,可以容易地將半導(dǎo)體晶片4和芯片接合薄膜3基本同時(shí)斷裂。另外,通過(guò)將擴(kuò)張速度設(shè)定為400_/秒以下,可以防止切割薄膜11斷裂。另外,在芯片形成工序中,擴(kuò)張量?jī)?yōu)選為6% 12%。所述擴(kuò)張量在所述數(shù)值范圍內(nèi)可以根據(jù)要形成的芯片尺寸適當(dāng)調(diào)節(jié)。另外,本發(fā)明中,擴(kuò)張量是將擴(kuò)張前的切割薄膜的表面積設(shè)為100%時(shí)通過(guò)擴(kuò)張而增加的表面積的值(%)。通過(guò)將擴(kuò)張量設(shè)定為6%以上,可以使半導(dǎo)體晶片4和芯片接合薄膜3容易地?cái)嗔?。另外,通過(guò)將擴(kuò)張量設(shè)定為12%以下,可以防止切割薄膜11斷裂。這樣,通過(guò)對(duì)切割/芯片接合薄膜10施加拉伸張力,以半導(dǎo)體晶片4的改性區(qū)域?yàn)槠瘘c(diǎn)沿半導(dǎo)體晶片4的厚度方向產(chǎn)生破裂,并且可以使與半導(dǎo)體晶片4粘附的芯片接合薄膜3斷裂,可以得到帶有芯片接合薄膜3的半導(dǎo)體芯片5。然后,為了將膠粘固定在切割/芯片接合薄膜10上的半導(dǎo)體芯片5剝離,進(jìn)行半導(dǎo)體芯片5的拾取(拾取工序)。拾取的方法沒(méi)有特別限制,可以使用現(xiàn)有公知的各種拾取方法。例如可以列舉:用針從切割/芯片接合薄膜10 —側(cè)將各個(gè)半導(dǎo)體芯片5向上推,并通過(guò)拾取裝置拾取被上推的半導(dǎo)體芯片5的方法等。在此,在粘合劑層2為紫外線固化型的情況下,在對(duì)該粘合劑層2照射紫外線后進(jìn)行拾取。由此,粘合劑層2對(duì)芯片接合薄膜3的粘合力下降,半導(dǎo)體芯片5容易剝離。結(jié)果,可以在不損傷半導(dǎo)體芯片5的情況下進(jìn)行拾取。紫外線照射時(shí)的照射強(qiáng)度、照射時(shí)間等條件沒(méi)有特別限制,可以根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定。另外,作為紫外線照射使用的光源,可以使用前述的光源。然后,如圖7所示,將拾取的半導(dǎo)體芯片5通過(guò)芯片接合薄膜3芯片接合到被粘物6上(暫時(shí)固定工序)。作為被粘物6,可以列舉:引線框、TAB薄膜、襯底或者另外制作的半導(dǎo)體芯片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物、也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo)體晶片等)。作為所述襯底,可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外,作為所述引線框,可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環(huán)氧、BT(雙馬來(lái)酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等制成的有機(jī)襯底。但是,本發(fā)明不限于這些,也包括膠粘固定半導(dǎo)體元件并與半導(dǎo)體元件電連接后可以使用的電路襯底。芯片接合薄膜3暫時(shí)固定時(shí)在25°C下的剪切膠粘力對(duì)于被粘物6優(yōu)選為0.2MPa以上,更優(yōu)選0.2 lOMPa。芯片接合薄膜3的剪切膠粘力為至少0.2MPa以上時(shí),在絲焊工序時(shí)受到該工序中的超聲波振動(dòng)或加熱而在芯片接合薄膜3與半導(dǎo)體芯片5或被粘物6的膠粘面處產(chǎn)生剪切變形的情況少。即,半導(dǎo)體元件受到絲焊時(shí)的超聲波振動(dòng)而活動(dòng)的情況少,由此可以防止絲焊的成功率下降。另外,芯片接合薄膜3’暫時(shí)固定時(shí)在175°C下的剪切膠粘力對(duì)于被粘物6優(yōu)選為0.0lMPa以上,更優(yōu)選0.01 5MPa。然后,進(jìn)行用焊線7將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的前端與半導(dǎo)體芯片5上的電極焊盤(未圖示)電連接的絲焊(絲焊工序)。作為所述焊線7,可以使用例如金線、鋁線或銅線等。絲焊在溫度為80 250°C的范圍,優(yōu)選80 220°C的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外,其加熱時(shí)間為幾秒 幾分鐘。接線在加熱達(dá)到所述溫度范圍的狀態(tài)下通過(guò)超聲波的振動(dòng)能與加壓的壓接能組合來(lái)進(jìn)行。本工序可以在不進(jìn)行芯片接合薄膜3的熱固化的情況下實(shí)施。另外,在本工序的過(guò)程中半導(dǎo)體芯片5和被粘物6不利用芯片接合薄膜3固定。然后,利用密封樹(shù)脂8將半導(dǎo)體芯片5密封(密封工序)。本工序?yàn)榱吮Wo(hù)在被粘物6上搭載的半導(dǎo)體芯片5或焊線7而進(jìn)行。本工序通過(guò)用模具將密封用樹(shù)脂成形來(lái)進(jìn)行。作為密封樹(shù)脂8,例如可以使用環(huán)氧類樹(shù)脂。樹(shù)脂密封時(shí)的加熱溫度通常為175°C并進(jìn)行60 90秒,但是,本發(fā)明不限于此,也可以例如在165 185°C下進(jìn)行幾分鐘固化。由此,將密封樹(shù)脂固化,并且通過(guò)芯片接合薄膜3將半導(dǎo)體芯片5與被粘物6固定。S卩,本發(fā)明中,即使在不進(jìn)行后述的后固化工序的情況下,也可以在本工序中利用芯片接合薄膜3進(jìn)行固定,從而可以有助于減少制造工序數(shù)以及縮短半導(dǎo)體裝置制造時(shí)間。所述后固化工序中,使在所述密封工序中固化不充分的密封樹(shù)脂8完全固化。即使在密封工序中芯片接合薄膜3未完全熱固化的情況下,在本工序中也可以與密封樹(shù)脂8一起進(jìn)行芯片接合薄膜3的完全熱固化。本工序中的加熱溫度根據(jù)密封樹(shù)脂的種類而不同,例如在165 185°C的范圍內(nèi),加熱時(shí)間為約0.5 約8小時(shí)。在上述實(shí)施方式中,對(duì)于將帶有芯片接合薄膜3的半導(dǎo)體芯片5暫時(shí)固定到被粘物6上后不使芯片接合薄膜3完全熱固化而進(jìn)行絲焊工序的情況進(jìn)行了說(shuō)明。但是,本發(fā)明中,也可以進(jìn)行將帶有芯片接合薄膜3的半導(dǎo)體芯片5暫時(shí)固定到被粘物6上后,使芯片接合薄膜3熱固化,之后進(jìn)行絲焊工序的通常的芯片接合工序。此時(shí),熱固化后的芯片接合薄膜3在175 °C下優(yōu)選具有0.0lMPa以上剪切膠粘力,更優(yōu)選0.01 5MPa。通過(guò)使熱固化后的1751:下的剪切膠粘力為0.0110^以上,可以防止絲焊工序時(shí)的超聲波振動(dòng)或加熱引起芯片接合薄膜3與半導(dǎo)體芯片5或被粘物6的膠粘面處產(chǎn)生剪切變形。以下,對(duì)于采用在半導(dǎo)體晶片的表面形成溝,然后進(jìn)行背面磨削的工序的半導(dǎo)體裝置制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖8和圖9是用于說(shuō)明本實(shí)施方式的另一半導(dǎo)體裝置制造方法的示意剖視圖。首先,如圖8 (a)所示,利用旋轉(zhuǎn)刀片41在半導(dǎo)體晶片4的表面4F上形成未到達(dá)背面4R的溝4S。另外,形成溝4S時(shí),半導(dǎo)體晶片4由未圖示的支撐基材支撐。溝4S的深度可以根據(jù)半導(dǎo)體晶片4的厚度或擴(kuò)張條件適當(dāng)設(shè)定。然后,如圖8(b)所示,以與表面4F接觸的方式將半導(dǎo)體芯片4支撐在保護(hù)基材42上。之后,利用磨削磨石45進(jìn)行背面磨削,使溝4S從背面4R露出。另外,在半導(dǎo)體晶片上粘貼保護(hù)基材42可以使用現(xiàn)有公知的粘貼裝置,背面磨削也可以使用現(xiàn)有公知的磨削裝置。然后,如圖9所示,在切割/芯片接合薄膜10上壓接溝4S露出后的半導(dǎo)體晶片4,將其膠粘保持而固定(暫時(shí)固定工序)。之后,將保護(hù)基材42剝離,使用擴(kuò)晶裝置32對(duì)切割/芯片接合薄膜10施加拉伸張力。由此,將芯片接合薄膜3斷裂,形成半導(dǎo)體芯片5 (芯片形成工序)。另外,芯片形成工序 中的溫度、擴(kuò)張速度、擴(kuò)張量,與通過(guò)照射激光而在預(yù)定分割線4L上形成改性區(qū)域的情況同樣。后面的工序也與通過(guò)照射激光而在預(yù)定分割線4L上形成改性區(qū)域的情況同樣,因此在此省略說(shuō)明。實(shí)施例以下,對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的例示說(shuō)明。但是,該實(shí)施例中所述的材料或配合量無(wú)意將本發(fā)明的要旨僅限于這些例子,除非具有特定的限定記載。首先,以下述方式制作芯片接合薄膜A F?!葱酒雍媳∧さ闹谱鳌?芯片接合薄膜A)使下述(a) ⑷溶解于甲乙酮中,得到濃度23.6重量%的膠粘劑組合物溶液。(a)環(huán)氧樹(shù)脂(JER株式會(huì)社制,Epicoatl004,熔點(diǎn)97V )11重量份(b)酚醛樹(shù)脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制,' V”卞XLC-4L,熔點(diǎn)62°C )13重量份(c)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(長(zhǎng)瀨精細(xì)化工株式會(huì)社制,WS-023)100重量份(d)球形二氧化娃(Admatechs株式會(huì)社制,S0-25R)1287 重量份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 Pm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上以后,在130°C干燥2分鐘。由此,制作厚度25 ii m的芯片接合薄膜A。(芯片接合薄膜B)使下述(a) ⑷溶解于甲乙酮中,得到濃度23.6重量%的膠粘劑組合物溶液。(a)環(huán)氧樹(shù)脂(JER株式會(huì)社制,Epicoatl004) 113重量份(b)酚醛樹(shù)脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制,' V”卞XLC-4L)121重量份(c)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(長(zhǎng)瀨精細(xì)化工株式會(huì)社制,WS-023) 100重量份(d)球形二氧化娃(Admatechs株式會(huì)社制,S0-25R)222重量份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 Pm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上以后,在130°C干燥2分鐘。由此,制作厚度25 ii m的芯片接合薄膜B。(芯片接合薄膜C)使下述(a) ⑷溶解于甲乙酮中,得到濃度23.6重量%的膠粘劑組合物溶液。(a)環(huán)氧樹(shù)脂(JER株式會(huì)社制,Epicoatl004) 113重量份(b)酚醛樹(shù)脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制,' V”卞XLC-4L)121重量份(c)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(長(zhǎng)瀨精細(xì)化工株式會(huì)社制,WS-023) 100重量份
(d)球形二氧化娃(Admatechs株式會(huì)社制,S0-25R)37重量份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上以后,在130°C干燥2分鐘。由此,制作厚度25 μ m的芯片接合薄膜C。(芯片接合薄膜D)使下述(a) ⑷溶解于甲乙酮中,得到濃度23.6重量%的膠粘劑組合物溶液。(a)環(huán)氧樹(shù)脂(JER株式會(huì)社制,EpicoatlOOl) 32重量份(b)酚醛樹(shù)脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制,MEH7851) 34重量份(c)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(長(zhǎng)瀨精細(xì)化工株式會(huì)社制,WS-023) 100重量份(d)球形二氧化娃(Admatechs株式會(huì)社制,S0-25R)110重量份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上以后,在130°C干燥2分鐘。由此,制作厚度25 μ m的芯片接合薄膜D。(芯片接合薄膜E)使下述(a) ⑷溶解于甲乙酮中,得到濃度23.6重量%的膠粘劑組合物溶液。(a)環(huán)氧樹(shù)脂(JER株式會(huì)社制,EpicoatlOOl) 32重量份(b)酚醛樹(shù)脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制,卞XLC-4L)34重量份(C)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(長(zhǎng)瀨精細(xì)化工株式會(huì)社制,WS-023) 100重量份(d)球形二氧化娃(Admatechs株式會(huì)社制,S0-25R)18重量份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上以后,在130°C干燥2分鐘。由此,制作厚度25 μ m的芯片接合薄膜E。(芯片接合薄膜F)使下述(a) ⑷溶解于甲乙酮中,得到濃度23.6重量%的膠粘劑組合物溶液。(a)環(huán)氧樹(shù)脂(JER株式會(huì)社制,Epicoat827) 11重量份(b)酚醛樹(shù)脂(三井化學(xué)株式會(huì)社制,卞XLC-4L) 13重量份(c)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主要成分的丙烯酸酯類聚合物(長(zhǎng)瀨精細(xì)化工株式會(huì)社制,WS-023) 100重量份(d)球形二氧化娃(Admatechs株式會(huì)社制,S0-25R) 7重量份將該膠粘劑組合物溶液涂布到由經(jīng)聚硅氧烷脫模處理后的厚度50 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜構(gòu)成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上以后,在130°C干燥2分鐘。由此,制作厚度25 μ m的芯片接合薄膜F。然后,以下述方式準(zhǔn)備切割薄膜用基材A J。
<切割薄膜用基材的準(zhǔn)備>(基材A)準(zhǔn)備將包含聚丙烯和乙烯-丙烯橡膠的混合樹(shù)脂的層(厚度SOym)和包含LLDPE (線性低密度聚乙烯)的層(厚度20i!m)層疊而成的烯烴類多層薄膜(厚度IOOy m,背面(LLDPE層側(cè))具有壓花處理)。在該烯烴類多層薄膜的與接觸部相應(yīng)的部分從表面粘貼生PET薄膜(帝人杜邦公司制造,制品名“亍4 巧卜口 > 7 4 A ”,厚度16 I; m)。(基材B) 準(zhǔn)備依次將包含SEBS (苯乙烯類彈性體)和MBS (包含甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯的共聚物樹(shù)脂)的層(厚度105 iim)、包含SEBS的層(厚度30 y m)和包含PE(聚乙烯)的層(厚度15 y m)層疊而成的多層薄膜(厚度150 u m,背面(PE層側(cè))具有壓花處理)。(基材C)準(zhǔn)備在氯乙烯薄膜(三菱樹(shù)脂公司制造,制品“ 7 >卜口 > #2800”,厚度100 U m)的背面進(jìn)行了壓花處理的基材。(基材D)準(zhǔn)備氯乙烯薄膜(三菱樹(shù)脂公司制造,制品“ 7 >卜口 >#2800”,厚度100 Pm)(未進(jìn)行壓花處理)。(基材E)準(zhǔn)備依次將包含SEBS (苯乙烯類彈性體)和MBS (包含甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯的共聚物樹(shù)脂)的層(厚度50 ii m)、包含SEBS的層(厚度85 y m)和包含PE (聚乙烯)的層(厚度15 y m)層疊而成的多層薄膜(厚度150 u m,背面(PE層側(cè))具有壓花處理)。(基材F)準(zhǔn)備LDPE (低密度聚乙烯)薄膜(日東電工株式會(huì)社制造,制品名“NO 7 ^ ^ ^ ",厚度120 ii m,背面具有壓花處理)。(基材G)準(zhǔn)備在氯乙烯薄膜(三菱樹(shù)脂公司制造,制品卜口 > #3300”,厚度IOOum)的背面進(jìn)行了壓花處理的基材。(基材H)準(zhǔn)備基材A (烯烴類多層薄膜)。在該烯烴類多層薄膜的與接觸部相應(yīng)的部分從背面粘貼生PET薄膜(日東電工株式會(huì)社制造,制品名“BT-315”,厚度70iim)。(基材I)準(zhǔn)備在氯乙烯薄膜(三菱樹(shù)脂公司制造,制品“ 7 >卜口 > #2800”,厚度100 U m)的背面進(jìn)行了壓花處理的基材。在該氯乙烯薄膜的與晶片粘貼部相應(yīng)的部分從背面粘貼生PET薄膜(日東電工株式會(huì)社制造,制品名“BT-315”,厚度70iim)。(基材J)準(zhǔn)備基材 A (烯烴類多層薄膜)。在該烯烴類多層薄膜的與接觸部相應(yīng)的部分從背面粘貼單面經(jīng)聚硅氧烷處理的PET薄膜(帝人杜邦公司制造,制品名4 f卜a > 7^ A ”,厚度16 Pm)使得聚硅氧烷處理面為背面。另外,在基材A的背面和PET薄膜的粘貼中,使用下述的粘合劑。
<切割薄膜用粘合劑層>在具有冷凝管、氮?dú)庖牍?、溫度?jì)和攪拌裝置的反應(yīng)容器中,投入88.8份丙烯酸-2-乙基己酯(以下也稱為“2EHA”)、11.2份丙烯酸-2-羥基乙酯(以下也稱為“HEA”)、0.2份過(guò)氧化苯甲酰和65份甲苯,在氮?dú)饬髦性?1°C進(jìn)行6小時(shí)聚合處理,得到重均分子量85萬(wàn)的丙烯酸類聚合物A。2EHA與HEA的摩爾比為100摩爾比20摩爾。在丙烯酸類聚合物A中加入12份(相對(duì)于HEA為80摩爾%) 2_甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯(以下也稱為“Μ0Ι”),在空氣氣流中在50°C進(jìn)行48小時(shí)加成反應(yīng)處理,得到丙烯酸類聚合物A’。然后,在丙烯酸類聚合物A’ 100份中加入8份多異氰酸酯化合物(商品名“ - 口才、一卜L”,日本聚氨酯株式會(huì)社制造)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名瓜力今二了 651”,汽巴精化公司制造),得到粘合劑組合物溶液A。將粘合劑組合物溶液A涂布到PET剝離襯墊的實(shí)施了聚硅氧烷處理的面上,在120°C加熱干燥2分鐘,形成厚度10 μ m的粘合劑層A。然后,在50°C加熱24小時(shí)。<實(shí)施例和比較例樣品的制作>將粘合劑層A分別粘貼到基材A 基材J上,從基材側(cè)利用紫外線照射裝置(日東精機(jī)制造,商品名“UM-810”)僅對(duì)晶片粘貼部照射300mJ/cm2的紫外線,得到切割薄膜。在該切割薄膜上粘貼芯片接合薄膜A F,得到切割/芯片接合薄膜?;腁 基材J與芯片接合薄膜A F的組合如下表I和表2所示。<芯片接合薄膜的斷裂伸長(zhǎng)率的測(cè)定>對(duì)于芯片接合薄膜A J,分別進(jìn)行切割而得到寬度10mm、長(zhǎng)度30mm、厚度40 μ m的條狀的測(cè)定片。然后,使用 拉伸試驗(yàn)機(jī)(f 口 >,島津制作所公司制造),在25°C的條件下,以拉伸速度0.5mm/分鐘、夾盤間距20mm進(jìn)行拉伸,通過(guò)下式得到斷裂伸長(zhǎng)率。結(jié)果如表I所示。斷裂伸長(zhǎng)率(%) = (((斷裂時(shí)的夾盤間長(zhǎng)度(mm) )-20)/20) XlOO(拉伸儲(chǔ)能模量的測(cè)定)對(duì)于芯片接合薄膜A J,分別制成厚度200 μ m、寬度IOmm的條狀。然后,使用固體粘彈性測(cè)定裝置(RSA(III),Rheometric Scientific公司制),在頻率1Hz、升溫速度IO0C /分鐘的條件下測(cè)定-50 300°C下的拉伸儲(chǔ)能模量。此時(shí)在25°C下的拉伸儲(chǔ)能模量如表I和表2所不。<切割薄膜的屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度的測(cè)定>將所得到的切割薄膜的晶片粘貼部和包含接觸部的部分分別制作寬度10mm、長(zhǎng)度60_的試樣。然后,對(duì)于這些試樣,使用拉伸試驗(yàn)機(jī)(^ π >,島津制作所公司制造),在25°C、拉伸速度300mm/分鐘、夾盤間距50mm的條件下測(cè)定應(yīng)力-應(yīng)變曲線,得到屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度。屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)率(%) = (((屈服時(shí)的夾盤間長(zhǎng)度(mm) )-50)/50) XlOO<切割薄膜的拉伸強(qiáng)度的測(cè)定>將所得到的切割薄膜的晶片粘貼部和包含接觸部的部分分別制作寬度25mm的試樣。然后,對(duì)于該試樣,使用拉伸試驗(yàn)機(jī)(^ 口 >,島津制作所公司制造),得到在25°C、夾盤間距100mm、拉伸速度300mm/分鐘下延伸10%時(shí)的拉伸強(qiáng)度。另外,測(cè)定的拉伸強(qiáng)度為MD(機(jī)器方向)的拉伸強(qiáng)度。結(jié)果如表1、表2所不?!蠢鞆?qiáng)度之差的計(jì)算〉計(jì)算[(接觸部的拉伸強(qiáng)度)_(晶片粘貼部的拉伸強(qiáng)度)]。結(jié)果如表1、表2所示。<動(dòng)摩擦系數(shù)的測(cè)定>測(cè)定所得到的切割薄膜的接觸部的動(dòng)摩擦系數(shù)。動(dòng)摩擦系數(shù)以下述方式測(cè)定。圖10是用于說(shuō)明動(dòng)摩擦系數(shù)的測(cè)定方法的圖。首先,如圖10所示,準(zhǔn)備200mmX500mm的不銹鋼制板100,將該板100與200mmX500mm的測(cè)定對(duì)象110(切割薄膜)以粘合劑層側(cè)為粘貼面進(jìn)行粘貼。另一方面,準(zhǔn)備在50mmX 50mm的重物101上粘貼有50mm X 50mm的滑動(dòng)片(+ ^>9片)102的物體。另外,對(duì)于重物101,在粘貼有滑動(dòng)片102的狀態(tài)下準(zhǔn)備100N、200N、300N三個(gè)。另外,作為滑動(dòng)片102,使用日東電工株式會(huì)社制造的制品名 “二卜 7 口 > N0.903UL”。然后,將帶有滑動(dòng)片102的重物101載置到測(cè)定對(duì)象110上,用拉伸試驗(yàn)機(jī)103拉伸,檢測(cè)拉伸試驗(yàn)機(jī)103的測(cè)壓元件上施加的力。此時(shí),不考慮靜摩擦力的峰,將接觸面間開(kāi)始相對(duì)偏移運(yùn)動(dòng)后的力作為動(dòng)摩擦力(N/50mm)(參考圖11)。拉伸試驗(yàn)機(jī)103使用島津制作所公司制造的制品名f 口 >,拉伸條件設(shè)定為:拉伸速度300mm/分鐘、拉伸移動(dòng)距離100mm。將上述的測(cè)定對(duì)100N、200N、300N的重物101進(jìn)行,使用的重物與測(cè)定的動(dòng)摩擦力的關(guān)系如圖12所示進(jìn)行作圖。而且,由繪制的三個(gè)點(diǎn)做成近似直線,將其斜率作為動(dòng)摩擦系數(shù)。結(jié)果如表1、表2所示。 <表面粗糙度Ra的測(cè)定>將所得到的切割 薄膜粘貼固定到平滑的鏡面晶片上,使用表面粗糙度測(cè)定機(jī)(三豐M 卜3 )公司制造,制品名“寸一 7 f ^卜”)沿MD方向測(cè)定求出接觸部的表面粗糙度Ra。結(jié)果如表1、表2所示。<芯片接合薄膜與切割薄膜的剝離強(qiáng)度的測(cè)定>將切割/芯片接合薄膜的晶片粘貼部切割為IOOmmX IOOmm的大小,在芯片接合薄膜的表面?zhèn)日迟NPET薄膜(日東電工株式會(huì)社制造,制品名“BT-315”,厚度70μπι)。然后,使用拉伸試驗(yàn)機(jī)(^ 口 >,島津制作所公司制造)從切割薄膜一側(cè)剝離,測(cè)定此時(shí)的剝離強(qiáng)度。而且,用所得到的值除以5,由此計(jì)算20mm寬度下的剝離強(qiáng)度。測(cè)定條件設(shè)定為:23°C、剝離角度180度、剝離速度300mm/分鐘。結(jié)果如表1、表2所示。(斷裂的確認(rèn))<采用通過(guò)照射激光而在預(yù)定分割線4L上形成改性區(qū)域的工序(工序I)的情況
>作為激光加工裝置,使用株式會(huì)社東京精密制造的ML300-1ntegration,將聚焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片內(nèi)部,沿格子狀(IOmmXlOmm)的預(yù)定分割線從半導(dǎo)體晶片的表面?zhèn)日丈浼す?,在半?dǎo)體晶片內(nèi)部形成改性區(qū)域。半導(dǎo)體晶片使用硅晶片(厚度50 μ m、外徑12英寸)。激光照射條件如下進(jìn)行。⑷激光激光源半導(dǎo)體激光激發(fā)Nd: YAG激光器波長(zhǎng)1064nm激光光點(diǎn)截面積3.14X IO-8Cm2
振蕩模式Q開(kāi)關(guān)脈沖重復(fù)頻率IOOkHz脈沖寬度30ns輸出功率20iiJ/脈沖激光品質(zhì)TEM0040偏振特性線性偏振(B)聚焦用透鏡倍數(shù)50倍NA0.55對(duì)激光波長(zhǎng)的透過(guò)率60%
(C)載置有半導(dǎo)體襯底的載置臺(tái)的移動(dòng)速度IOOmm/秒在芯片接合薄膜上分別粘貼進(jìn)行了激光預(yù)處理的半導(dǎo)體晶片后,進(jìn)行斷裂試驗(yàn)。斷裂試驗(yàn)的擴(kuò)張條件擴(kuò)張條件設(shè)定為:室溫(25°C )、擴(kuò)張速度400mm/秒、擴(kuò)張量20mm。關(guān)于斷裂試驗(yàn)的結(jié)果,將無(wú)斷裂不良部位的情況評(píng)價(jià)為〇,有斷裂不良的部位的情況評(píng)價(jià)為X。<采用在半導(dǎo)體晶片的表面形成溝,然后進(jìn)行背面磨削的工序(工序2)的情況>在半導(dǎo)體晶片(厚度500 u m)上通過(guò)刀片切割加工形成格子狀(IOmmX IOmm)的切溝。切溝的深度為250 ii m。然后,用保護(hù)膠帶保護(hù)該半導(dǎo)體晶片的表面,并進(jìn)行背面磨削直到厚度為50 ym,得到分割后的各個(gè)半導(dǎo)體芯片(IOmmX IOmmX 50 ym)。將其分別與實(shí)施例、比較例的切割/芯片接合薄膜粘貼后,進(jìn)行斷裂試驗(yàn)。斷裂試驗(yàn)的擴(kuò)張條件設(shè)定為:室溫(25°C )、擴(kuò)張速度400mm/秒、擴(kuò)張量20mm。關(guān)于斷裂試驗(yàn)的結(jié)果,與上述工序I的情況同樣,將無(wú)斷裂不良部位的情況評(píng)價(jià)為〇,有斷裂不良的部位的情況評(píng)價(jià)為X。結(jié)果如表1、表2所示。〈拾取性〉用針從切割薄膜側(cè)上推,將通過(guò)切割得到的半導(dǎo)體芯片與芯片接合薄膜一起從粘合劑層拾取。拾取條件如下所述。將可以通過(guò)下述條件拾取的情況評(píng)價(jià)為〇,將無(wú)法通過(guò)下述條件拾取的情況評(píng)價(jià)為X。結(jié)果如表1、表2所示。[拾取條件]拾取裝置:商品名“SPA-300”,株式會(huì)社新川制拾取針根數(shù):9根針上推速度:5mm/秒針上推量:600 U m拾取時(shí)間:1秒擴(kuò)張量:12.5_針型:F0.7*15deg*10I*350 U m夾頭(卜):MICRO-MECHANICS公司制造,制品名 “RUBBER TIP”,編號(hào)13-034-126表I
權(quán)利要求
1.一種切割/芯片接合薄膜,在切割薄膜上設(shè)置有芯片接合薄膜,其特征在于, 該切割/芯片接合薄膜用于如下方法:在對(duì)半導(dǎo)體晶片照射激光而形成改性區(qū)域后,利用所述改性區(qū)域?qū)⑺霭雽?dǎo)體晶片斷裂,由此從半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體元件的方法;或者在半導(dǎo)體晶片的表面形成未到達(dá)背面的溝后,進(jìn)行所述半導(dǎo)體晶片的背面磨削,從所述背面使所述溝露出,由此從半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體元件的方法, 所述切割薄膜在外周部分具有用于粘貼切割環(huán)的環(huán)粘貼部,并且在相比于所述環(huán)粘貼部靠?jī)?nèi)側(cè)處具有用于粘貼半導(dǎo)體晶片的晶片粘貼部,并且在所述環(huán)粘貼部與所述晶片粘貼部之間具有上推夾具的外周所接觸的接觸部, 所述切割薄膜的所述接觸部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為15N以上且80N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為80%以上, 所述切割薄膜的所述晶片粘貼部在25°C下的拉伸強(qiáng)度為ION以上且70N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為30%以上, [(所述接觸部的拉伸強(qiáng)度)_(所述晶片粘貼部的拉伸強(qiáng)度)]為ON以上且60N以下, 所述芯片接合薄膜在25°C下的斷裂伸長(zhǎng)率大于40%且為500%以下。
2.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜,其特征在于, 所述切割薄膜至少在所述接觸部具有基材與增強(qiáng)構(gòu)件層疊而成的結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜,其特征在于, 所述切割薄膜的所述接觸部的動(dòng)摩擦系數(shù)為0 0.02。
4.如權(quán)利要求3所述的切割/芯片接合薄膜,其特征在于, 所述接觸部的表面粗糙度Ra為0.03 y m以上且1.5 y m以下,或者所述接觸部經(jīng)過(guò)潤(rùn)滑劑處理。
全文摘要
本發(fā)明提供可以防止切割薄膜屈服、斷裂并且可以利用拉伸張力將芯片接合薄膜適當(dāng)?shù)財(cái)嗔训那懈?芯片接合薄膜。本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜中,切割薄膜的上推夾具的外周所接觸的接觸部在25℃下的拉伸強(qiáng)度為15N以上且80N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為80%以上,切割薄膜的晶片粘貼部在25℃下的拉伸強(qiáng)度為10N以上且70N以下,并且屈服點(diǎn)伸長(zhǎng)度為30%以上,[(接觸部的拉伸強(qiáng)度)-(晶片粘貼部的拉伸強(qiáng)度)]為0N以上且60N以下,芯片接合薄膜在25℃下的斷裂伸長(zhǎng)率大于40%且為500%以下。
文檔編號(hào)H01L21/301GK103140917SQ20118004774
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月1日
發(fā)明者田中俊平, 松村健 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社