專利名稱：光伏發(fā)電裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，隨著能源消耗的增加，已經(jīng)研制出了將太陽光轉(zhuǎn)換為電能的太陽能電池。具體地，已廣泛使用基于CIGS的太陽能電池設(shè)備，所述電池設(shè)備是具有包括玻璃襯底、金屬后電極層、基于P型CIGS的光吸收層、高阻緩沖層和N型窗口層的襯底結(jié)構(gòu)的PN異質(zhì)結(jié)設(shè)備。已經(jīng)進(jìn)行了各種學(xué)習(xí)和研究來提高太陽能電池設(shè)備的電特性，諸如低電阻和高透射率。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明提供一種太陽能電池設(shè)備及其制造方法，所述太陽能電池設(shè)備能夠表現(xiàn)提高的發(fā)電效率。技術(shù)方案根據(jù)實施例，提供一種太陽能電池設(shè)備，包括:襯底；在所述襯底上的后電極層；在所述后電極層上的光吸收層；在所述光吸收層上的窗口層；以及設(shè)置在所述光吸收層旁邊的母線，所述母線與所述后電極層連接。根據(jù)實施例，提供一種太陽能電池設(shè)備，包括:包括有源區(qū)和圍繞所述有源區(qū)的非有源區(qū)的襯底；在所述非有源區(qū)中的第一母線；在所述有源區(qū)中的第一電池；以及將所述第一電池與所述第一母線連接的第一連接電極，其中，所述第一電池包括:在所述襯底上的第一后電極；在所述第一后電極上的第一光吸收部；以及在所述第一光吸收部上的第一窗口，并且其中，所述第一連接電極從所述第一后電極延伸到所述非有源區(qū)。根據(jù)實施例，提供一種太陽能電池設(shè)備的制造方法，所述方法包括:在襯底上形成后電極層；在所述后電極層上形成母線；在所述后電極層上并在所述母線旁邊形成光吸收層；以及在所述光吸收層上形成窗口層。有益效果根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備包括與后電極層連接的母線。因此，可以減小后電極層和母線之間的接觸電阻。因此，可以減小后電極層和母線之間的電損耗，并且根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備可以表現(xiàn)提高的電性能。此外，由于母線與包括金屬的后電極層耦接，因此即使母線的寬度窄，也不會降低母線和后電極層之間的耦接特性。因此，可以減小母線的寬度。此外，母線位于光吸收層旁邊，S卩，位于非有源區(qū)中。因此，可以增大根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備的有效面積，并且根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備可以表現(xiàn)提高的發(fā)電效率。


圖1是示出根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備的平面圖；圖2是沿圖1的線A-A’線截取的剖視圖；以及圖3至10是示出根據(jù)其它實施例的太陽能電池設(shè)備制造方法的視圖。
具體實施例方式在實施例的描述中，應(yīng)該理解，當(dāng)襯底、層、膜或電極被表述為在另一個襯底、另一個層、另一個膜或另一個電極“上”或“下”時，它可以“直接地”或“間接地”在另一個板、另一個母線、另一個框架、另一個襯底、另一個槽、另一個膜上，或者也可以存在一個或多個中間層。參照附圖描述了層的這種位置關(guān)系。為了解釋起見，可以夸大附圖中示出的元件的尺寸，并且元件的尺寸不完全反映實際尺寸。圖1是示出根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備的平面圖。圖2是沿圖1的線A-A’線截取的剖視圖。參照圖1和2，根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備包括支撐襯底100、后電極層200、第一母線11、第二母線12、光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500、窗口層600。支撐襯底100具有板形形狀并且支撐后電極層200、第一母線11、第二母線12、光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600。支撐襯底100可以是絕緣體。支撐襯底100可以是玻璃襯底或金屬襯底。詳細(xì)地，支撐襯底100可以是鈉鈣玻璃襯底。支撐襯底100可以是透明的。支撐襯底100可以是剛性或撓性的。支撐襯底100包括有源區(qū)AR和非有源區(qū)NAR。換言之，支撐襯底100被劃分為有源區(qū)AR和非有源區(qū)NAR。有源區(qū)AR被限定在支撐襯底100的中心部分處。有源區(qū)AR占據(jù)支撐襯底100的大部分面積。根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備在有源區(qū)AR處將太陽光轉(zhuǎn)換為電能。非有源區(qū)NAR圍繞有源區(qū)AR。非有源區(qū)NAR對應(yīng)于支撐襯底100的外緣部分。非有源區(qū)NAR可以具有比有源區(qū)AR的面積窄很多的面積。非有源區(qū)NAR是不發(fā)電的區(qū)域。后電極層200設(shè)置在支撐襯底100上。后電極層200是導(dǎo)電層。后電極層200可以包括諸如鑰(Mo)的金屬。后電極層200形成在有源區(qū)AR和非有源區(qū)NAR中。后電極層200可以包括至少兩層。在此情形中，所述多個層可以包括相同金屬或不同金屬。后電極層200中設(shè)置有第一通孔THl。第一通孔THl是露出支撐襯底100的上表面的開口區(qū)域。當(dāng)俯視時，第一通孔THl可以具有沿一個方向延伸的形狀。第一通孔THl的寬度可以在約80 iim至約200 iim的范圍內(nèi)。后電極層200被第一通孔THl劃分為多個后電極201、202和230以及兩個連接電極210和220。第一通孔THl限定多個后電極201、202和230以及兩個連接電極210和220。后電極層200包括后電極201,202和230以及第一連接電極210和第二連接電極220。后電極201、202和230設(shè)置在有源區(qū)AR中。后電極201、202和230設(shè)置為互相平行。后電極201、202和230通過第一通孔THl彼此分隔開。后電極201、202和230設(shè)置為條狀形式?；蛘撸箅姌O201、202和230可以設(shè)置為矩陣形式。在此情形中，當(dāng)俯視時，第一通孔THl可以形成為網(wǎng)格形式。第一連接電極210和第二連接電極220設(shè)置在非有源區(qū)NAR中。換言之，第一連接電極210和第二連接電極220從有源區(qū)AR延伸到非有源區(qū)NAR。更詳細(xì)地，第一連接電極210與第一電池Cl的窗口連接。此外，第二連接電極220從第二電池C2的后電極延伸到非有源區(qū)NAR。換言之，第二連接電極220可以與第二電池C2的后電極202 —體形成。第一母線11設(shè)置在非有源區(qū)NAR中。第一母線11設(shè)置在后電極層200上。更詳細(xì)地，第一母線11設(shè)置在第一連接電極210上。第一母線11可以與第一連接電極210的上表面直接接觸。第一母線11與第一電池Cl平行地延伸。第一母線11可以通過形成在支撐襯底100中的孔延伸到支撐襯底100的下表面。第一母線11連接到第一電池Cl。更詳細(xì)地，第一母線11通過第一連接電極210連接到第一電池Cl。第二母線12設(shè)置在非有源區(qū)NAR中。第二母線12設(shè)置在后電極層200上。更詳細(xì)地，母線12設(shè)置在第二連接電極220上。第二母線12可以與第二連接電極220直接接觸。第二母線12與第二電池C2平行地延伸。第二母線12可以通過形成在支撐襯底100中的孔延伸到支撐襯底100的下表面。第二母線12連接到第二電池C2。更詳細(xì)地，第二母線12通過第二連接電極220連接到第二電池C2。第一母線11和第二母線12互相面對。此外，第一母線11與第二母線12對稱。第一母線11和第二母線12包括導(dǎo)體。第一母線11和第二母線12可以包括表現(xiàn)高導(dǎo)電率的金屬，諸如銀(Ag)。第一母線11和第二母線12可以通過額外的電線來電連接到相鄰太陽能電池模塊或蓄電池。光吸收層300設(shè)置在后電極層200上。此外，構(gòu)成光吸收層300的材料填充在第一通孔THl中。光吸收層300設(shè)置在有源區(qū)AR中。更詳細(xì)地，光吸收層300的外緣部分可以對應(yīng)于有源區(qū)AR的外緣部分。光吸收層300包括1-1I1-VI族化合物。例如，光吸收層300可以具有Cu (In，Ga)Se2 (CIGS)晶體結(jié)構(gòu)、Cu (In) Se2晶體結(jié)構(gòu)或Cu (Ga) Se2晶體結(jié)構(gòu)。光吸收層300的能帶隙在約IeV至約1.8eV的范圍內(nèi)。緩沖層400設(shè)置在光吸收層300上。此外，緩沖層400設(shè)置在有源區(qū)AR中。緩沖層400包括CdS，并且緩沖層400的能帶隙在約2.2eV至約2.4eV的范圍內(nèi)。高阻緩沖層500設(shè)置在緩沖層400上。此外，高阻緩沖層500設(shè)置在有源區(qū)AR中。高阻緩沖層500可以包括1-ZnO，其為未摻雜雜質(zhì)的氧化鋅。高阻緩沖層500的能帶隙在約
3.1eV至約3.3eV的范圍內(nèi)。光吸收層300、緩沖層400和高阻緩沖層500中形成有第二通孔TH2。第二通孔TH2形成為穿過光吸收層300。此外，第二通孔TH2是露出后電極層200的上表面的開口區(qū)域。
第二通孔TH2與第一通孔THl相鄰。換言之，當(dāng)俯視時，第二通孔TH2的一些部分形成在第一通孔THl旁邊。每個第二通孔TH2的寬度可以在約80 ii m至約200 U m的范圍內(nèi)。此外，在光吸收層300中通過第二通孔TH2限定多個光吸收部。換言之，光吸收層300被第二通孔TH2劃分為多個光吸收部。此外，緩沖層400被第二通孔TH2劃分為多個緩沖區(qū)。類似地，高阻緩沖層500被第二通孔TH2劃分為多個高阻緩沖區(qū)。窗口層600設(shè)置在高阻緩沖層500上。窗口層600設(shè)置在有源區(qū)AR中。窗口層600是透明的，并且是導(dǎo)電層。此外，窗口層600的電阻大于后電極層200的電阻。例如，窗口層600的電阻是后電極層200的電阻的約100倍至200倍。窗口層600包括氧化物。例如，窗口層600可以包括氧化鋅、氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外，氧化物可以包括導(dǎo)電雜質(zhì)，諸如鋁(Al)、氧化鋁(Al2O3)^M(Mg)或鎵(Ga)。換言之，窗口層600可以包括摻雜Al的ZnO (AZO)或摻雜Ga的氧化鋅(GZ0)。窗口層600的厚度可以在約800nm至約1200nm的范圍內(nèi)。光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600中形成有第三通孔TH3。第三通孔TH3是露出后電極層200的上表面的開口區(qū)域。例如，第三通孔TH3的寬度可以在約80 ii m至約200 u m的范圍內(nèi)。第三通孔TH3與第二通孔TH2相鄰。更詳細(xì)地，第三通孔TH3形成在第二通孔TH2旁邊。換言之，當(dāng)俯視 時，第三通孔TH3形成在第二通孔TH2旁邊。窗口層600被第三通孔TH3劃分為多個窗口。換言之，通過第三通孔TH3限定多個窗口。窗口 600的形狀與后電極201、202和230的形狀相對應(yīng)。換言之，窗口被布置為條狀形式。此外，窗口 600可以被布置為矩陣形式。窗口層600包括通過在第二通孔TH2中填充透明導(dǎo)電材料而形成的多個連接部700。此外，通過第三通孔TH3限定第一電池Cl、第二電池C2和多個第三電池C3。更詳細(xì)地，通過第二通孔TH2和第三通孔TH3限定第一電池Cl、第二電池C2和第三電池C3。換言之，根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備包括設(shè)置在支撐襯底100上的第一電池Cl、第二電池C2和第三電池C3。第三電池C3插置在第一電池Cl和第二電池C2之間。第一電池Cl、第二電池C2和第三電池C3互相串聯(lián)連接。第一電池Cl可以包括依次層疊在支撐襯底100上的后電極201、光吸收部301、緩沖區(qū)、高阻緩沖區(qū)和窗口 601。在此情形中，第一電池Cl的窗口 601通過連接部701和第一連接電極210與第一母線11連接。就是說，第一母線11通過第一連接電極210與第一電池Cl連接。詳細(xì)地，第一母線11通過第一連接電極210與第一電池Cl的窗口 601連接。第二電池C2包括依次層疊在支撐襯底100上的后電極202、光吸收部302、緩沖區(qū)、高阻緩沖區(qū)和窗口 602。在此情形中，第二電池C2的后電極202通過第二連接電極220與第二母線12連接。就是說，第二母線12通過第二連接電極220與第二電池C2連接。詳細(xì)地，第二母線12通過第二連接電極220與第二電池C2的后電極202連接。在此情形中，第二電池C2的后電極220可以與第二連接電極220 —體形成。連接部700設(shè)置在第二通孔TH2內(nèi)。連接部700從窗口層600向下延伸，從而使得連接部700與后電極層200連接。因此，連接部700將相鄰電池互相連接。更詳細(xì)地，連接部700將構(gòu)成相鄰電池的窗口和后電極互相連接。光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600的外緣部分可以基本互相匹配。換言之，光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600的外緣部分可以互相對應(yīng)。在此情形中，光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600的外緣部分可以與有源區(qū)AR和非有源區(qū)NAR之間的邊界相匹配。因此，第一母線11和第二母線12設(shè)置在光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600旁邊。換言之，第一母線11和第二母線12可以圍繞光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600的側(cè)面。換言之，第一母線11和第二母線12圍繞第一電池Cl、第二電池C2和第三電池C3。此外，第一母線11和第二母線12的下表面與光吸收層300的下表面設(shè)置在相同的平面上。換言之，第一母線11和第二母線12的下表面與后電極層200的上表面接觸，并且甚至光吸收層300的下表面也與后電極層200的上表面接觸。第一母線11和第二母線12可以與后電極層200連接，同時與后電極層200直接接觸。在此情形中，第一母線11和第二母線12包括諸如銀(Ag)的金屬。類似地，后電極層200可以包括諸如鑰(Mo)的金屬。就是說，第一母線11和第二母線12包括金屬，并且后電極層200包括金屬。因此，在第一母線11和后電極層200之間以及第二母線12和后電極層200之間獲得金屬與金屬耦接特性。因此，改進(jìn)第一母線11和后電極層200之間以及第二母線12和后電極層200之間的接觸特性。因此，減小第一母線11和后電極層200之間的接觸電阻以及第二母線12和后電極層200之間的接觸電阻，從而根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備可以表現(xiàn)改進(jìn)的電特性。此外，由于第一母線11和后電極層200具有高接觸特性，并且第二母線12和后電極層200具有高接觸特性，因此第一母線11和第二母線12可以具有較窄的面積。換言之，即使第一母線11和后電極層200彼此以小接觸面積相接觸，第一母線11也有效地連接到后電極層200。類似地，即使第二母線12和后電極層200彼此以小接觸面積相接觸，第二母線12也有效地連接到后電極層200。實際上，第一母線11和第二母線12對太陽能電池設(shè)備沒有貢獻(xiàn)。如上所述，根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備，可以減小第一母線11和第二母線12的面積，即對太陽能發(fā)電沒有貢獻(xiàn)的面積。此外，第一母線11和第二母線12設(shè)置在非有源區(qū)NAR中。因此，與母線11和12被設(shè)置在有源區(qū)中的情形相比，根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備可以更有效地接收陽光。因此，根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備可以將更大量的陽光轉(zhuǎn)化為電能。圖3至10是示出根據(jù)其它實施例的太陽能電池設(shè)備制造方法的視圖。在下面的描述中，將參照關(guān)于太陽能電池設(shè)備的描述來描述根據(jù)本實施例的太陽能電池設(shè)備制造方法。換言之，太陽能電池設(shè)備的以上描述可以合并在根據(jù)本實施例的太陽能電池設(shè)備制造方法的描述中。參照圖3，后電極層200形成在支撐襯底100上，并且通過圖案化后電極層200形成第一通孔TH1。因此，在支撐襯底100上形成后電極201、202和230以及第一連接電極210和第二連接電極220。后電極層200是被激光圖案化的。第一通孔THl可以露出支撐襯底100的上表面，并且寬度可以在約80iim至約200iim的范圍內(nèi)。此外，可以在支撐襯底100和后電極層200之間插置諸如防擴(kuò)散層的額外層。在此情形中，第一通孔THl露出該額外層的上表面。參照圖4和5，在后電極層200上形成第一母線11和第二母線12。第一母線11和第二母線12沿支撐襯底100的外緣部分形成。第一母線11和第二母線12分別部分地形成在第一連接電極210和第二連接電極220上。為了形成第一母線11和第二母線12，在第一連接電極210、第二連接電極220和支撐襯底100上印刷導(dǎo)電膠。詳細(xì)地，即使在形成在支撐襯底100中的通孔101中也印刷導(dǎo)電膠。之后，對印刷的導(dǎo)電膠進(jìn)行熱處理，并且形成第一母線11和第二母線12。此外，可以通過真空沉積方法形成第一母線11和第二母線12。在支撐襯底100上設(shè)置包括與第一母線11和第二母線12相對應(yīng)的透射部分的沉積掩膜20。通過沉積掩膜20，在后電極層200和支撐襯底100上沉積導(dǎo)電材料。由此可以形成第一母線11和第二母線12。之后，參照圖6和7，在支撐襯底100上設(shè)置掩膜20以覆蓋第一母線11和第二母線12。掩膜20覆蓋支撐襯底100的外緣部分。當(dāng)俯視時，掩膜20可以具有環(huán)形形狀。掩膜20包括形成在支撐襯底100的中心部分的透射區(qū)域。盡管附圖中掩膜20與支撐襯底100分隔開，但是實施例不限于此。換言之，掩膜20可以附接到支撐襯底100。通過掩膜20限定有源區(qū)AR和非有源區(qū)NAR。換言之，掩膜20的對應(yīng)于透射區(qū)域的部分與有源區(qū)AR相對應(yīng)，并且具有環(huán)形形狀的非透射區(qū)域與非有源區(qū)域NAR相對應(yīng)。參照圖8，在后電極200上形成光吸收層300、緩沖層400和高阻緩沖層500。光吸收層300、緩沖層400和高阻緩沖層500是利用掩膜50通過沉積過程形成的。因此，光吸收層300、緩沖層400和高阻緩沖層500形成在有源區(qū)AR中。在掩膜20安裝在支撐襯底100上的狀態(tài)下，光吸收層300可以通過濺射過程或蒸發(fā)方法形成。例如，為了形成光吸收層300,通過同時或單獨蒸發(fā)Cu、In、Ga和Se形成基于Cu (In，Ga) Se2 (CIGS)的光吸收層300的方法，以及在形成金屬前驅(qū)膜之后執(zhí)行硒化過程的方法已經(jīng)廣為應(yīng)用。關(guān)于形成金屬前驅(qū)層之后的硒化過程的細(xì)節(jié)，通過利用Cu靶、In靶或Ga靶的濺射過程在后電極200上形成金屬前驅(qū)層。之后，金屬前驅(qū)層經(jīng)歷硒化過程，從而形成基于Cu (In, Ga) Se2 (CIGS)的光吸收層300。
此外，可以同時執(zhí)行利用Cu靶、In靶和Ga靶的濺射過程和硒化過程。此外，可以通過僅利用Cu靶和In靶或僅利用Cu靶和Ga靶的濺射過程以及硒化過程形成CIS或CIG光吸收層300。之后，在安裝了掩膜20的狀態(tài)下，在通過濺射過程或CBD (化學(xué)浴沉積)方法沉積CdS之后，可以形成緩沖層400。接著，在安裝了掩膜20的狀態(tài)下，通過經(jīng)由濺射過程在緩沖層400上沉積氧化鋅來形成高阻緩沖層500。以小厚度沉積緩沖層400和高阻緩沖層500。例如，緩沖層400和高阻緩沖層500的厚度可以在約Inm至約80nm的范圍內(nèi)。之后，通過部分去除光吸收層300、緩沖層400和高阻緩沖層500形成第二通孔TH2?？梢酝ㄟ^諸如尖頭工具(tip)的機(jī)械裝置或激光裝置形成第二通孔TH2。例如，可以利用寬度為約40 ii m至約180 U m的尖頭工具圖案化光吸收層300和緩沖層400。此外,可以通過波長為約200nm至約600nm的激光形成第二通孔TH2。在此情形中，第二通孔TH2的寬度可以在約IOOiim至約200 ilm的范圍內(nèi)。此外，第二通孔TH2形成為部分地露出后電極層200的上表面。參照圖9，在安裝了掩膜20的狀態(tài)下，在光吸收層300上和第二通孔TH2內(nèi)形成窗口層600。換言之，通過在高阻緩沖層500上和第二通孔TH2內(nèi)沉積透明導(dǎo)電材料形成窗口層 600。在此情形中，當(dāng)在第二通孔TH2內(nèi)填充透明導(dǎo)電材料之后，窗口層600與后電極層200直接接觸。參照圖10，去除掩膜20，通過去除光吸收層300、緩沖層400、高阻緩沖層500和窗口層600的一些部分而形成第三通孔TH3。因此，窗口層600被圖案化，以限定多個窗口、第一電池Cl、第二電池C2和第三電池C3。第三通孔TH3的寬度可以在約80 ii m至約200 u m的范圍內(nèi)。如上所述，形成根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備。在形成光吸收層300之前形成第一母線11和第二母線12，從而使得第一母線11和第二母線12與后電極層200連接。因此，根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備可以表現(xiàn)高光電轉(zhuǎn)換效率和改進(jìn)的電特性。本說明書中涉及的“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”等，表示結(jié)合實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。在說明書中不同位置的這些詞語的出現(xiàn)不必要都指代同一實施例。此外，當(dāng)結(jié)合任意實施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為結(jié)合其它實施例實現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi)。盡管已參照本發(fā)明的若干示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以推導(dǎo)出的許多其它改進(jìn)和實施例都將落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)可以對所討論的組合排列的組成部件和/或排列方式進(jìn)行各種變型和改進(jìn)。除了對組成部件和/或排列方式進(jìn)行變型和改進(jìn)之外，替換使用對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是顯而易見的。工業(yè)實用性
根據(jù)實施例的太陽能電池設(shè)備可應(yīng)用于太陽能電池發(fā)電領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池設(shè)備，包括: 襯底； 在所述襯底上的后電極層； 在所述后電極層上的光吸收層； 在所述光吸收層上的窗口層；以及 設(shè)置在所述光吸收層旁邊的母線，所述母線與所述后電極層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述襯底包括: 與所述襯底的外緣部分相對應(yīng)的非有源區(qū)；以及 在所述非有源區(qū)內(nèi)的有源區(qū)，并且 其中，所述母線設(shè)置在所述非有源區(qū)中，并且所述光吸收層和所述窗口層設(shè)置在所述有源區(qū)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述后電極層包括從所述有源區(qū)延伸到所述非有源區(qū)的連接電極，并且所述母線與所述連接電極直接接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述光吸收層的下表面與所述母線的下表面在同一平面上對齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述母線與所述后電極層直接接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述后電極層包括第一金屬，并且所述母線包括不同于所述第一金屬的第二金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述母線包括被設(shè)置為互相平行的第一母線和第二母線，并且 所述光吸收層和所述窗口層插置在所述第一母線和所述第二母線之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述母線設(shè)置在所述窗口層旁邊。
9.一種太陽能電池設(shè)備，包括: 襯底，包括有源區(qū)和圍繞所述有源區(qū)的非有源區(qū)； 在所述非有源區(qū)中的第一母線； 在所述有源區(qū)中的第一電池；以及 將所述第一電池與所述第一母線連接的第一連接電極， 其中，所述第一電池包括: 在所述襯底上的第一后電極； 在所述第一后電極上的第一光吸收部；以及 在所述第一光吸收部上的第一窗口，并且 其中，所述第一連接電極從所述第一后電極延伸到所述非有源區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池設(shè)備，進(jìn)一步包括: 在所述非有源區(qū)中的第二母線； 在所述有源區(qū)中的第二電池；以及 將所述第二電池與所述第二母線連接的第二連接電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述第二電池包括: 在所述襯底上的第二后電極； 在所述第二后電極上的第二光吸收部；以及在所述第二光吸收層上的第二窗口，并且 其中，所述第二連接電極與所述第二后電極設(shè)置在同一層上，并且所述第二連接電極與所述第二窗口連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池設(shè)備，進(jìn)一步包括在所述第一電池和所述第二電池之間的多個第三電池，并且 其中，所述第一電池、所述第二電池和第三電池彼此串聯(lián)連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽能電池設(shè)備，其中，所述第一后電極與所述第一連接電極一體形成。
14.一種太陽能電池設(shè)備的制造方法，所述方法包括: 在襯底上形成后電極層； 在所述后電極層上形成母線； 在所述后電極層上并在所述母線旁邊形成光吸收層；以及 在所述光吸收層上形成窗口層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述母線包括在所述后電極層上沉積導(dǎo)電材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述光吸收層包括: 設(shè)置掩膜覆蓋所述母線；以及 在安裝了所述掩膜的狀態(tài)下，在所述后電極層上沉積用于形成所述光吸收層的材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，形成所述窗口層包括在安裝了所述掩膜的狀態(tài)下，在所述光吸收層上沉積用于形成所述窗口層的材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光伏發(fā)電裝置。所述光伏發(fā)電裝置包括襯底；布置在所述襯底上的后表面電極層；布置在所述后表面電極層上的光吸收層；布置在所述光吸收層上的窗口層；以及布置在所述光吸收層旁邊并與所述后表面電極層連接的母線。
文檔編號H01L31/042GK103140938SQ201180047748
公開日2013年6月5日 申請日期2011年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者曹豪健 申請人:Lg伊諾特有限公司