專利名稱：制造三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造存儲(chǔ)元件的方法和裝置，更詳細(xì)地，涉及一種制造三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的方法和裝置。
背景技術(shù)：
對(duì)于電子產(chǎn)品而言，在要求體積變得越來越小的同時(shí)，還要求高容量數(shù)據(jù)的處理。因此，需要減小這種電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)元件體積的同時(shí)提高其集成度，在這一點(diǎn)上，考慮具有三維結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)元件來代替現(xiàn)有平面型結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠降低存儲(chǔ)元件體積的存儲(chǔ)元件的制造方法及裝置。本發(fā)明的其他目的在于，提供一種能夠有效制造三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的方法及裝置。本發(fā)明的另外其他目的在于，提供一種能夠防止在蒸鍍多個(gè)薄膜的工序中由薄膜的應(yīng)力差引起的基底基底變形的存儲(chǔ)元件的制造方法及裝置。通過詳細(xì)的說明和添加的附圖，能夠進(jìn)一步明確本發(fā)明的一些其他目的。解決課題的方法根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法包括:在基底上交替層疊一個(gè)以上絕緣層和一個(gè)以上犧牲層的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟；形成填充所述貫通孔的圖形的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟，其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl群中的一種以上氣體而蒸鍍氧化硅膜的步驟，所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4H10,SiCl2H2群中的氣體和基于氨的氣體而蒸鍍氮化膜的步驟。所述絕緣層和所述犧牲層對(duì)所述蝕刻劑具有刻蝕選擇比(etch selectivity),所述犧牲層的蝕刻率為所述絕緣層的蝕刻率的五倍至三百倍以上。所述蝕刻劑選自h3po4、hf、boe中的一種以上。所述層疊絕緣層的步驟進(jìn)一步包括供給基于乙基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO。 (Silicon Carbon Oxide)。所述層疊絕緣層的步驟進(jìn)一步包括供給基于甲基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO (Silicon Carbon Oxide)。所述基于氨的氣體可以是NH3。所述基底的溫度可以保持在300至790度，所述基底的加工壓力可以保持在IOmTorr 至 250Torr。
所述氧化硅膜和所述氮化膜具有互相不同的厚度。所述交替層疊絕緣層和犧牲層的步驟進(jìn)一步包括通過環(huán)形邊對(duì)所述基底的邊緣部施壓的步驟。所述基底的邊緣部相當(dāng)于從所述基底的邊緣向所述基底的內(nèi)側(cè)0.5mm-3mm的范圍。所述環(huán)形邊可以是陶瓷材料。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，一種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法包括:在基底上交替層疊一個(gè)以上絕緣層和一個(gè)以上犧牲層的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟；形成填充所述貫通孔的圖形的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟，其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl群中的一種以上氣體而蒸鍍第一氧化硅膜的步驟，所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8,Si4Hltl、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和基于氨的氣體、以及選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而蒸鍍注入有硼或者磷的氮化膜的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造裝置包括:用于實(shí)行基底加工的腔室；基底支撐臺(tái)，其設(shè)置于所述腔室內(nèi)并用于放置所述基底，并通過升降而轉(zhuǎn)換至所述基底出入于所述腔室內(nèi)部的解除位置和對(duì)所述基底進(jìn)行加工的加工位置；環(huán)形邊，當(dāng)所述基底支撐臺(tái)處于所述解除位置時(shí)，所述環(huán)形邊位于所述基底的上部，并且所述環(huán)形邊具有當(dāng)所述基底支撐臺(tái)轉(zhuǎn)換至所述加工位置時(shí)，對(duì)位于所述基底支撐臺(tái)上部的所述基底的邊緣部施壓的施壓面。所述基底支撐臺(tái)具有位于所述基底外側(cè)的環(huán)狀邊緣部，所述環(huán)形邊具備:位于所述基底支撐臺(tái)的邊緣部上部的支撐部；從所述支撐部向所述基底的邊緣部延伸且具有所述施壓面的施壓部；水平支撐部，其從所述支撐部向所述腔室的側(cè)壁延伸，當(dāng)所述基底支撐臺(tái)處于解除位置時(shí)，所述水平支撐部置在設(shè)置于所述腔室側(cè)壁的固定突起的上面；以及垂直支撐部，其從所述支撐部向所述下部延伸，當(dāng)所述基底支撐臺(tái)處于解除位置時(shí)，與設(shè)置于所述腔室側(cè)壁的固定突起的側(cè)面相接觸。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，通過將存儲(chǔ)元件形成為三維結(jié)構(gòu)，能夠降低存儲(chǔ)元件的體積。并且，在基底基底上交替層疊形成絕緣層和犧牲層之后，在通過如多晶硅薄膜等圖形來支撐絕緣層的狀態(tài)下，能夠有效地去除犧牲層，該圖形作為半導(dǎo)體晶體管通道而使用。而且，能夠防止在蒸鍍多個(gè)薄膜的工序中由薄膜的應(yīng)力差引起的基底基底變形。


圖1至圖6是概略性地表示本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)元件的制造方法的剖面圖。圖7是表示基于乙基的氣體的供給量和蒸鍍的薄膜的蝕刻率的關(guān)系的圖表。圖8是概略性地表示本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)元件制造裝置的圖。圖9是概略性地表示本發(fā)明其他實(shí)施例的存儲(chǔ)元件制造裝置的圖。圖10是概略性地表示圖9所示的環(huán)形邊的立體圖。圖11和圖12是表示圖9所示的環(huán)形邊的動(dòng)作的圖。
具體實(shí)施例方式圖1至圖6是概略性地表示本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)元件的制造方法的剖面圖。以下，參考圖1至圖6說明存儲(chǔ)元件的制造方法。首先，如圖1所不，可以提供基底基底105?；谆?05可以包含半導(dǎo)體物質(zhì),如IV族半導(dǎo)體、II1-V族化合物半導(dǎo)體或者I1-VI族氧化物半導(dǎo)體。例如，IV族半導(dǎo)體可以包含硅、鍺或者硅鍺?；谆?05可以作為塊晶(bulk wafer)或者外延層被提供。其次，可以在基底105的上部注入雜質(zhì)，由此限定雜質(zhì)區(qū)域110。接著，可以在基底105上交替層疊絕緣層115和犧牲層120。絕緣層115和犧牲層120可以形成為8X8或18X18、或者nXn的多層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，先層疊絕緣層115，最后層疊犧牲層120，但是根據(jù)需要可以改變絕緣層115和犧牲層120的層疊順序。絕緣層115可以是娃氧化膜(Silicon Dioxide, SiO2),其可以通過使供給在基底105上的硅烷(SiH4)和氧化氮(N2O)反應(yīng)而形成?？梢杂肧i2H6、Si3H8、Si4Hltl等來代替硅烷(SiH4)0另外，犧牲層120可以是氮化膜(Silicon Nitride, Si3NH4),其可以通過使供給在基底105上的硅烷和基于氨的氣體反應(yīng)來形成。一方面，可以用Si2H6、Si3H8、Si4H1(l、SiCl2H2等來代替硅烷，基于氨的氣體可以是NH3。此外，與本實(shí)施例不同地，犧牲層120可以是向基底105上提供選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1Q、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體、和基于氨的氣體以及選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而形成的硅氧化膜。在該情況下，可以向氮化膜上注入硼(boron)或者磷(phosphorus)(可以同時(shí)注入硼和磷)。接著，如圖2所示，可以通過蝕刻絕緣層115和犧牲層120來形成多個(gè)貫通孔125，貫通孔125貫通絕緣層115和犧牲層120。貫通孔125可以使用公知的光刻和蝕刻技術(shù)來形成。然后，通過公知的用于形成半導(dǎo)體晶體管的通道的形成工序(或者形成多晶硅薄膜的工序)來形成圖形130，以填充貫通孔125。此時(shí)，圖形130可以是中空的圓筒形狀，同樣，圖形130貫通絕緣層115和犧牲層120。例如，圖形130可以形成為多晶結(jié)構(gòu)，或者也可以是單晶結(jié)構(gòu)的外延層等薄膜形狀。其次，如圖3所示，通過蝕刻圖形130之間的絕緣層115和犧牲層120來形成開口135。開口 135可以使用光刻和蝕刻技術(shù)來形成。而后，如圖4所示，可以去除犧牲層120。如上所述，絕緣層115可以是硅氧化膜。犧牲層120可以是氮化膜；或可以是供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1Q、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而形成的注入有硼(boron)或者磷(phosphorusX可以同時(shí)注入硼和磷)的氮化膜。犧牲層120相對(duì)絕緣層115具有刻蝕選擇比(etch selectivity),犧牲層120的蝕刻率可以是絕緣層115的蝕刻率的五倍至三百倍以上的大小。由此，當(dāng)絕緣層115和犧牲層120以相同的時(shí)間露出于蝕刻劑時(shí)，已蝕刻的犧牲層120的大小可以是已蝕刻的絕緣層115的大小的五倍至三百倍以上，絕緣層115被蝕刻的程度非常小?？梢岳萌缟纤龅脑砣コ隣奚鼘?20。通過等向性蝕刻可以將蝕刻劑從開口135滲透至絕緣層115之間，等向性蝕刻可以包括濕法蝕刻或者化學(xué)干法蝕刻(chemicaldry etch)。蝕刻劑可以包含Η3Ρ04、HF、BOE (緩沖氧化蝕刻劑:buffered oxide etch)中的任意一個(gè)。由此去除絕緣層115之間的犧牲層120，從而可以形成與開口 135相連接的隧道140。圖形130的側(cè)壁通過隧道140露出。然后，如圖5所示，在通過開口(圖8的135)和隧道(圖8的140)而露出的絕緣層115和圖形130側(cè)壁上，形成存儲(chǔ)介質(zhì)150。就存儲(chǔ)介質(zhì)150而言，可以依次形成隧道絕緣層142、電荷存儲(chǔ)層144和屏蔽絕緣層146。接著，可以在存儲(chǔ)介質(zhì)150上形成導(dǎo)電層155。例如，存儲(chǔ)介質(zhì)150和導(dǎo)電層155可以通過邊角涂覆性高的化學(xué)氣相沉積或者鍍金法而形成。之后，如圖6所示，選擇性地對(duì)通過開口(圖4的135)露出的導(dǎo)電層(圖5的155)進(jìn)行蝕刻，由此可以形成接地選擇柵電極(ground select gate electrode) 162、控制柵電極(control gate electrode) 164 以及線選擇柵電極(string select gate electrode)166?！矫?與本實(shí)施例不同地,可以與娃燒(SiH4) —起供給基于乙基的氣體(例如，C2H4)或者基于甲基的氣體(例如，CH3),由此，絕緣層115可以是SiCO (氧化碳硅:SiliconCarbon Oxide)薄膜。由SiCO薄膜形成的絕緣層115與如上所述的犧牲層120相比具有更大的刻蝕選擇比，因此在去除犧牲層120的同時(shí)可以使受損傷的絕緣層115的量達(dá)到最小。圖7是表示基于乙基的氣體的供給量和蒸鍍的薄膜的、蝕刻率關(guān)系的圖表。如圖7所示，隨著基于乙基的氣體的供給，蒸鍍的薄膜的蝕刻率減小，由此可以根據(jù)需求調(diào)整相對(duì)犧牲層120的刻蝕選擇比。圖8是概略性地表示本發(fā)明一實(shí)施例的存儲(chǔ)元件制造裝置的圖。如圖8所示，存儲(chǔ)元件制造裝置10具有用于導(dǎo)入源氣體或者反應(yīng)氣體的導(dǎo)入部12，源氣體或者反應(yīng)氣體通過導(dǎo)入部12而被導(dǎo)入，并通過噴頭13向腔室11內(nèi)部噴射。在進(jìn)行加工時(shí)，硅烷可以以1-1OOOsccm供給，反應(yīng)氣體(例如，N20或者NH3)可以以100-50000sccm供給。一方面，如上所述，當(dāng)供給基于乙基的氣體(例如，C2H4)或者基于甲基的氣體(例如，CH3)時(shí)，可以以50至lOOOOsccm 供給。作為加工對(duì)象的基底15被置于基底支撐臺(tái)14的上部，基底支撐臺(tái)14被支撐臺(tái)16支撐。進(jìn)行加工的過程中，加熱器14能夠?qū)⒒椎臏囟缺３衷?00至790度，此時(shí)腔室11內(nèi)部的壓力可以保持在IOmTorr至250Torr。完成加工的基底15通過排出部17被排出于外部。圖9是概略性地表示本發(fā)明其他實(shí)施例的存儲(chǔ)元件制造裝置的圖，圖10是概略性地表示圖9所示的環(huán)形邊的立體圖。以下僅對(duì)與圖8不同的部分進(jìn)行說明，可以用圖8的說明代替省略的說明。如圖9所示，存儲(chǔ)元件制造裝置210具備設(shè)置于腔室211的內(nèi)部的基底支撐臺(tái)214，基底支撐臺(tái)214由支撐臺(tái)216支撐。如后文所述，基底支撐臺(tái)214通過另行設(shè)置的驅(qū)動(dòng)部(未圖示)與支撐臺(tái)216 —起升降，由此，轉(zhuǎn)換至基底215可以出入于腔室211內(nèi)部的解除位置(參照?qǐng)D9)和對(duì)基底215進(jìn)行加工的加工位置(參照?qǐng)D11)?；?15通過形成于腔室211的側(cè)壁的排出部217出入于腔室211的內(nèi)部，通過排出部217向腔室211內(nèi)部移動(dòng)的基底215位于基底支撐臺(tái)214的上部。基底支撐臺(tái)214具有大于基底215的直徑，基底215位于基底支撐臺(tái)214的中央。此時(shí)，基底215由貫通基底支撐臺(tái)214的頂桿(lift pin) 220支撐，由此保持從基底支撐臺(tái)214上升分離的狀態(tài)。并且，噴頭213設(shè)置于基底支撐臺(tái)214的上部，源氣體或者反應(yīng)氣體通過噴頭213向腔室211的內(nèi)部噴射。一方面,腔室211進(jìn)一步包括真空導(dǎo)向部(vacuum guide) 212和環(huán)形邊230。真空導(dǎo)向部212呈圓筒狀，其設(shè)置于腔室211的內(nèi)部。如圖10所示，環(huán)形邊230呈與腔室211的內(nèi)部形狀相對(duì)應(yīng)的環(huán)狀，環(huán)形邊230具備支撐部232、水平支撐部234、垂直支撐部236、以及具有施壓面238a的施壓部238。環(huán)形邊230位于基底支撐臺(tái)214和噴頭213之間并置于從真空導(dǎo)向部212的內(nèi)側(cè)壁突出的固定突起212a上。如圖9所示，當(dāng)基底支撐臺(tái)214處于解除位置時(shí)，環(huán)形邊230位于固定突起212a上，如下文所述，當(dāng)基底支撐臺(tái)214轉(zhuǎn)換至加工位置時(shí)，環(huán)形邊230離開固定突起212a而置于基底支撐臺(tái)214的上部。圖11和圖12是表示圖9所示的環(huán)形邊的動(dòng)作的圖。如上所述，基底支撐臺(tái)214通過驅(qū)動(dòng)部(未圖示)與支撐臺(tái)216 —起升降，由此，可以轉(zhuǎn)換至解除位置和加工位置。如圖12所示，水平支撐部234從支撐部232向腔室211的側(cè)壁延伸，垂直支撐部236從支撐部232向下部延伸。施壓部238從支撐部232向腔室211的內(nèi)側(cè)向下傾斜延伸。如圖9所示，當(dāng)基底支撐臺(tái)214處于解除位置時(shí)，可以通過水平支撐部234和垂直支撐部236使環(huán)形邊230位于固定突起212a上，水平支撐部234與固定突起212a的上面相接觸，垂直支撐部236與固定突起212a的側(cè)面相接觸。此時(shí)，支撐部232和施壓部238保持向腔室211的內(nèi)側(cè)突出的狀態(tài)。如圖11所示，當(dāng)基底支撐臺(tái)214轉(zhuǎn)換至加工位置時(shí)，基底支撐臺(tái)214通過位于基底215外側(cè)的環(huán)狀邊緣部來提升環(huán)形邊230，由此，環(huán)形邊230離開固定突起212a而上升。此時(shí)，如圖12所示，支撐部232鄰接于基底支撐臺(tái)214的邊緣部，施壓部238與置于基底支撐臺(tái)214的基底215的邊緣部相接觸，從而對(duì)基底215的邊緣部施壓。即，環(huán)形邊230在置于基底支撐臺(tái)214的狀態(tài)下，通過自身重量對(duì)基底215的邊緣部施壓，施壓部238具有與基底215的邊緣部相接觸的施壓面238a。如先前通過圖1進(jìn)行的說明，當(dāng)在基底上交替層疊氧化硅和氮化膜時(shí)，由加工導(dǎo)致在氧化硅膜的應(yīng)力和氮化膜的應(yīng)力之間產(chǎn)生應(yīng)力差，由此，引發(fā)基底變形(warpage，彎曲或者扭曲)。這種基底變形導(dǎo)致基底的邊緣部從基底支撐臺(tái)離開，從而基底變形成基底中心部凹陷的“U”字形。這將影響基底內(nèi)的溫度分布(基底中心與邊緣之間)等，因此對(duì)加工均勻度(例如，蒸鍍率)產(chǎn)生較大影響。實(shí)際可知:在完成如上所述的加工后，在基底邊緣部測(cè)量的蒸鍍率明顯低于在基底中心部測(cè)量的蒸鍍率。因此，為防止基底邊緣部從基底支撐臺(tái)離開而導(dǎo)致基底變形的現(xiàn)象，可以通過環(huán)形邊230的施壓部238對(duì)基底215的邊緣部施壓。另一方面，如圖12所示，被環(huán)形邊230的施壓部238施壓的基底215的邊緣部的寬度(w)可以是，從基底215的邊緣向該基底215內(nèi)側(cè)約0.5mm至3mm的距離，由于該部分在實(shí)際半導(dǎo)體加工中并非是用于半導(dǎo)體器件的部分，因此不會(huì)影響半導(dǎo)體器件的收益率。另夕卜，先前說明的施壓面238a可以具有與邊緣部相對(duì)應(yīng)的寬度(W)。如圖12所示，環(huán)形邊230可以只通過施壓部238來保持被支撐在基底支撐臺(tái)214上的狀態(tài)，并且支撐部232可以保持從基底支撐臺(tái)214的邊緣部離開的狀態(tài)(d)。在該情況下，環(huán)形邊230的整體重量通過施壓部238的施壓面238a傳遞至基底215的邊緣部，因此可以使環(huán)形邊230的重量達(dá)到最小的同時(shí)將高的壓力傳遞至基底215的邊緣部。該原理可通過壓力大小與接觸面積的大小成反比的事實(shí)來理解。產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明可應(yīng)用于各種形狀的存儲(chǔ)元件的制造方法和裝置。
權(quán)利要求
1.一種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于， 所述方法包括: 在基底上交替層疊一個(gè)以上絕緣層和一個(gè)以上犧牲層的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟； 形成填充所述貫通孔的圖形的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及 通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟， 其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體而蒸鍍氧化硅膜的步驟， 所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4H10, SiCl2H2群中的氣體和基于氨的氣體而蒸鍍氮化膜的步驟。
2.權(quán)利要求1所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述絕緣層和所述犧牲層對(duì)所述蝕刻劑具有刻蝕選擇比，所述犧牲層的蝕刻率為所述絕緣層的蝕刻率的五倍至三百倍以上。
3.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述蝕刻劑選自H3PO4、HF、BOE中的一種以上。
4.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述層疊絕緣層的步驟進(jìn)一步包括供給基于乙基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO。
5.權(quán)利要求1或2所 述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述層疊絕緣層的步驟進(jìn)一步包括供給基于甲基的氣體的步驟，所述氧化硅膜為SiCO。
6.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述基于氨的氣體為NH3。
7.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述基底的溫度保持在300至790度，所述基底的加工壓力保持在IOmTorr至250Torr。
8.權(quán)利要求1或2所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述氧化硅膜和所述氮化膜具有互相不同的厚度。
9.權(quán)利要求1所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述交替層疊絕緣層和犧牲層的步驟進(jìn)一步包括通過環(huán)形邊對(duì)所述基底的邊緣部施壓的步驟。
10.權(quán)利要求9所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述基底的邊緣部相當(dāng)于從所述基底的邊緣向所述基底的內(nèi)側(cè)0.5mm-3mm的范圍。
11.權(quán)利要求9或10所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于，所述環(huán)形邊為陶瓷材料。
12.—種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法，其特征在于， 所述方法包括: 在基底上交替層疊一個(gè)以上絕緣層和一個(gè)以上犧牲層的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟； 形成填充所述貫通孔的圖形的步驟； 形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及 通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟，其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體而蒸鍍第一氧化硅膜的步驟， 所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和基于氨的氣體、以及選自B2H6、PH3群中的一種以上氣體而蒸鍍注入有硼或者磷的氮化膜的步驟。
13.—種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造裝置，其特征在于，所述裝置包括: 用于實(shí)行基底加工的腔室； 基底支撐臺(tái)，其設(shè)置于所述腔室內(nèi)并用于放置所述基底，并通過升降而轉(zhuǎn)換至所述基底出入于所述腔室內(nèi)部的解除位置和對(duì)所述基底進(jìn)行加工的加工位置； 環(huán)形邊，當(dāng)所述基底支撐臺(tái)處于所述解除位置時(shí)，所述環(huán)形邊位于所述基底的上部，并且所述環(huán)形邊具有當(dāng)所述基底支撐臺(tái)轉(zhuǎn)換至所述加工位置時(shí)，對(duì)位于所述基底支撐臺(tái)上部的所述基底的邊緣部施壓的施壓面。
14.權(quán)利要求13所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造裝置，其特征在于，所述基底的邊緣部相當(dāng)于從所述基底的邊緣向所述基底的內(nèi)側(cè)0.5mm-3mm的范圍。
15.權(quán)利要求13或14所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造裝置，其特征在于，所述環(huán)形邊為陶瓷材料。
16.權(quán)利要求13或14所述的三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造裝置，其特征在于， 所述基底支撐臺(tái)具有位于所述基底外側(cè)的環(huán)狀邊緣部， 所述環(huán)形邊具備:位于所述基底支`撐臺(tái)的邊緣部上部的支撐部；從所述支撐部向所述基底的邊緣部延伸且具有所述施壓面的施壓部；水平支撐部，其從所述支撐部向所述腔室的側(cè)壁延伸，當(dāng)所述基底支撐臺(tái)處于解除位置時(shí)，所述水平支撐部置在設(shè)置于所述腔室側(cè)壁的固定突起的上面；以及垂直支撐部，其從所述支撐部向所述下部延伸，當(dāng)所述基底支撐臺(tái)處于解除位置時(shí)，與設(shè)置于所述腔室側(cè)壁的固定突起的側(cè)面相接觸。
17.—種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造裝置，其用于在基底上交替層疊一個(gè)以上絕緣層和一個(gè)以上犧牲層而制造三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件， 其特征在于，所述制造裝置包括: 用于實(shí)行基底加工的腔室； 設(shè)置于所述腔室內(nèi)并用于放置所述基底的基底支撐臺(tái)；以及 噴頭，當(dāng)在所述基底上層疊所述絕緣層時(shí)，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6,Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體，并且，當(dāng)在所述基底上層疊所述犧牲層時(shí)，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4H10, SiCl2H2群中的一種以上氣體和基于氨的氣體。
18.—種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造裝置，其用于在基底上交替層疊一個(gè)以上絕緣層和一個(gè)以上犧牲層而制造三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件， 其特征在于，所述制造裝置包括: 用于實(shí)行基底加工的腔室； 設(shè)置于所述腔室內(nèi)并用于放置所述基底的基底支撐臺(tái)；以及 噴頭，當(dāng)在所述基底上層疊所述絕緣層時(shí)，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6,Si3H8、Si4H1(l群中的一種以上氣體，并且，當(dāng)在所述基底上層疊所述犧牲層時(shí)，所述噴頭向所述基底供給選自SiH4、Si2H6, Si3H8, Si4Hltl、二氯硅烷(SiCl2H2)群中的一種以上氣體和基于氨的氣體以及選自b2h6、PH3群中的一種以上氣體。
全文摘要
一種三維結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)元件的制造方法包括在基底上交替層疊一個(gè)以上絕緣層和一個(gè)以上犧牲層的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的貫通孔的步驟；形成填充所述貫通孔的圖形的步驟；形成貫通所述絕緣層和所述犧牲層的開口的步驟；以及通過所述開口供給蝕刻劑而去除所述犧牲層的步驟。其中，所述層疊絕緣層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10群中的一種以上氣體而蒸鍍氧化硅膜的步驟，所述層疊犧牲層的步驟包括向所述基底供給選自SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10、SiCl2H2群中的氣體和基于氨的氣體而蒸鍍氮化膜的步驟。
文檔編號(hào)H01L27/115GK103155138SQ201180048972
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2011年10月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月14日
發(fā)明者趙星吉, 金海元, 禹相浩, 申承祐, 張吉淳, 吳完錫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Eugene科技