專利名稱：發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明具體涉及一種發(fā)光二極管裝置。
背景技術：
光通量是LED產(chǎn)品的重要性能指標之一。影響光通量的因素主要包括以下幾個方面支架，發(fā)光二極管芯片，硅膠、樹脂等透明封裝材料，熒光粉；以及支架結構、反射率等。對于通過反射層來提高LED產(chǎn)品的光通量設計，傳統(tǒng)設計中一般是通過提高支架表面的平整度的方式來間接提高LED產(chǎn)品的反射率，以減少光的吸收，從而實現(xiàn)提高光通量的目的。但是這種設計對產(chǎn)品光通量的改善有限，通常情況下僅能夠達到80-90%左右， 并且綜合考慮成本及材料等局限性因素，通過傳統(tǒng)方法來提升LED產(chǎn)品的光通量并沒有太大的空間，并且實際生產(chǎn)過程中工藝較為復雜。因此，有必要提供一種提高LED光通量的發(fā)光二極管裝置，以避免上述缺陷。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種高光通量的發(fā)光二極管裝置，可以提高 LED產(chǎn)品的光通量，同時簡化產(chǎn)品的設計工藝。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了以下技術方案—種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設置有絕緣層以及設置在所述絕緣層上的導電層；支架，所述支架形成內凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設置在所述基板上并電連接所述導電層；并且所述投光口的內壁上設置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。作為一種優(yōu)選的技術方案，所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。作為一種優(yōu)選的技術方案，所述第一反射層電連接所述導電層，所述發(fā)光二極管芯片通過所述第一反射層電連接所述導電層。作為一種優(yōu)選的技術方案，所述第二反射層的反射率大于所述第一反射層的反射率。由于采用了上述技術方案一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設置有絕緣層以及設置在所述絕緣層上的導電層；支架，所述支架形成內凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設置在所述基板上并電連接所述導電層；并且所述投光口的內壁上設置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。相比于現(xiàn)有技術，由于在所述投光口的內壁上設置有反射層，并且所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設置有絕緣部，提高了 LED產(chǎn)品的光通量，并且第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側面對產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價格的材料；并且簡化了產(chǎn)品的設計工藝。


圖1為本發(fā)明具體實施方式
發(fā)光二極管裝置的剖視圖；圖2為本發(fā)明具體實施方式
發(fā)光二極管裝置的俯視圖。
具體實施例方式下面根據(jù)附圖，對本發(fā)明具體實施方式
進行說明圖1為本發(fā)明具體實施方式
發(fā)光二極管裝置的剖視圖；圖2為本發(fā)明具體實施方式
發(fā)光二極管裝置的俯視圖。請參閱圖1和圖2所示，一種發(fā)光二極管裝置，包括基板1 以及依次設置的絕緣層2和導電層3 ；支架9，支架9形成內凹開口并與基板1配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口 ；發(fā)光二極管芯片8，發(fā)光二極管芯片8設置在所述基板1 上，并且電連接導電層3。在本實施過程中，所述投光口投光口的內壁上設置有反射層，其中反射層包括第一反射層71和第二反射層72，第一反射層72設置在所述投光口底部，第二反射層71設置在投光口的側壁，在第一反射層71和第二反射層的72的鄰接處還設置有絕緣部5。本實施過程的這種設計，由于在所述投光口的內壁上設置有反射層，并且所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設置有絕緣部，提高了 LED產(chǎn)品的光通量，并且第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側面對產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價格的材料；簡化了產(chǎn)品的設計工藝。作為優(yōu)選的方案，本實施過程中的第一反射層71電連接導電層3，發(fā)光二極管芯片8通過第一反射層71電連接所述導電層3，這種設計除了實現(xiàn)本發(fā)明創(chuàng)造的技術效果外， 產(chǎn)品的電路連接等產(chǎn)品設計更為簡單。進一步，優(yōu)選的方案是，本實施過程中的第一導電層71為金屬鍍層，第一反射層7 的材料可以為鍍金層等金屬。第一導電層71可以通過電鍍等工藝設置在發(fā)光二極管裝置上，工藝更為簡單。作為優(yōu)選的方案，本實施過程中第一反射層71和導電層3之間設置有電鍍第一導電層71的基底層4。設置基底層4可以便于采用電鍍等工藝形成第一導電層71在工藝上的簡化和便于制作，基底層4可以選擇鎳等金屬。作為優(yōu)選的方案，第二反射層72的反射率大于第一反射層71的反射率。第二反射層72的反射率大于第一反射層71的反射率，可以根據(jù)產(chǎn)品的光線分布來實現(xiàn)產(chǎn)品更高的光通量。另外，在本實施過程中，基板1是由剛性并且良好散熱性的材料如鋁、鎳、玻璃環(huán)氧樹脂等構成；導電層3包括陰極和陽極兩個電極，兩個電極之間通過絕緣層6電絕緣；在導電層3上還設有基底層4 ；另外，在第一反射層71上搭載有發(fā)光二極管芯片8，發(fā)光二極管芯片8可以為藍色氮化鎵系半導體，其上面上的兩個電極分別通過第一反射層71電連接至_導電層3上的兩個電極。此外，在基板1和支架9形成的碗杯狀投光口中，還填充有高透光性的硅膠或者環(huán)氧樹脂等熱硬化透明的密封樹脂層6，在密封樹脂層6內可以根據(jù)需要添加所需重量百分比的熒光粉。以上僅為本發(fā)明實施案例而已，并不用于限制本發(fā)明，但凡本領域普通技術人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內容所作的等效修飾或變化，皆應納入權利要求書中記載的保護范圍內。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設置有絕緣層以及設置在所述絕緣層上的導電層； 支架，所述支架形成內凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設置在所述基板上并電連接所述導電層； 其特征在于所述投光口的內壁上設置有反射層，所述反射層包括位于所述投光口底部的第一反射層和所述投光口側壁的第二反射層，所述第一反射層和所述第二反射層的鄰接處設置有絕緣部；所述反射層光反射率高于所述支架的光反射率。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述第一反射層電連接所述導電層，所述發(fā)光二極管芯片通過所述第一反射層電連接所述導電層。
3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于 所述第一導電層為金屬鍍層。
4.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述第一鍍層和所述導電層之間設置有電鍍所述第一導電層的基底層。
5.根據(jù)權利要求1至4任一權利要求所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于 所述第二反射層的反射率大于所述第一反射層的反射率。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，基板上設置有絕緣層以及設置在絕緣層上的導電層；支架，支架形成內凹開口并與基板配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口；發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片設置在基板上并電連接導電層；并且投光口的內壁上設置有反射層，反射層包括位于投光口底部的第一反射層和投光口側壁的第二反射層，第一反射層和第二反射層的鄰接處設置有絕緣部；反射層光反射率高于支架的光反射率。這種設計第一反射層和第二反射層鍍層材料選擇的靈活，可以視底部與側面對產(chǎn)品出光的影響，分別選用不同折射率或價格的材料；并且簡化了產(chǎn)品的設計工藝。
文檔編號H01L33/60GK102544318SQ20121000042
公開日2012年7月4日 申請日期2012年1月4日 優(yōu)先權日2012年1月4日
發(fā)明者安國順, 陳柏仁 申請人:歌爾聲學股份有限公司