專利名稱：低帶隙有機(jī)半導(dǎo)體化合物、及包括其的晶體管和電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施方式涉及低帶隙有機(jī)半導(dǎo)體化合物、包括其的晶體管和/或包括其的電子器件。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)變得信息化，可需要開發(fā)克服傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)的缺點(diǎn)(例如，重量重和體積大)的新的圖像顯示裝置。因此，各種平板顯示器例如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器、等離子體顯示面板(TOP)、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射體顯示器(SED)等正引起關(guān)注。對(duì)于平板顯示器的開關(guān)器件，廣泛使用包括非晶硅作為半導(dǎo)體層的薄膜晶體管 (TFT)。由于非晶硅薄膜晶體管在摻雜狀態(tài)下可具有良好的均勻性和高的電性質(zhì)，而在非摻雜狀態(tài)下具有良好的絕緣性質(zhì)，其被廣泛使用。然而，為了在基底上沉積常規(guī)的非晶硅薄膜晶體管，沉積工藝可在約300°C的相對(duì)高溫下進(jìn)行。因此，該工藝難以應(yīng)用于低溫基底(例如，聚合物基底等)以實(shí)現(xiàn)柔性顯示器。已經(jīng)提出了使用有機(jī)半導(dǎo)體材料的有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)。所述有機(jī)薄膜晶體管通常包括基底、柵電極、絕緣層、源電極、漏電極和溝道區(qū)域。由于掩模沉積等，所述薄膜晶體管可分為其中在源電極和漏電極上形成溝道區(qū)域的底接觸(BC)型和其中在溝道區(qū)域之下形成金屬電極的頂接觸(TC)型。填充在有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)的溝道區(qū)域中的低分子或低聚物有機(jī)半導(dǎo)體材料可包括份菁、酞菁、二萘嵌苯、并五苯、C60、噻吩低聚物等。所述低分子或低聚物有機(jī)半導(dǎo)體材料可為主要根據(jù)真空工藝形成于溝道區(qū)域上的薄膜。另一方面，有機(jī)半導(dǎo)體聚合物材料具有以溶液方法例如印刷技術(shù)采用低成本的大面積加工的可加工性優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
至少一些示例性實(shí)施方式可提供使用溶液工藝制造的具有優(yōu)異和/或改善的電荷遷移率的有機(jī)半導(dǎo)體化合物。其它示例性實(shí)施方式可提供包含所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物的晶體管。進(jìn)一步的示例性實(shí)施方式可提供包含所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物的電子器件。根據(jù)一些示例性實(shí)施方式，有機(jī)半導(dǎo)體化合物包括由以下化學(xué)式I表示的結(jié)構(gòu)單
J Li ο[化學(xué)式I]
權(quán)利要求
1.有機(jī)半導(dǎo)體化合物，包含至少一個(gè)根據(jù)化學(xué)式I的結(jié)構(gòu)單元， [化學(xué)式I]
2.權(quán)利要求1的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物包含根據(jù)化學(xué)式2的結(jié)構(gòu)單元，[化學(xué)式2]
3.權(quán)利要求1
4.權(quán)利要求2 元選自根據(jù)化學(xué)式[化學(xué)式1A]
5.權(quán)利要求4的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，其中在化學(xué)式I和2中，-Z-結(jié)構(gòu)單元為根據(jù)化學(xué)式4的結(jié)構(gòu)單元的至少一種，
6.權(quán)利要求5的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，包含根據(jù)化學(xué)式5的結(jié)構(gòu)單元，[化學(xué)式5]
7.權(quán)利要求5的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，其中化學(xué)式1A的結(jié)構(gòu)單元為化學(xué)式3-1、3-4和 3-7的至少一種，和所述-Z-結(jié)構(gòu)單元為化學(xué)式 4-1、4-3、4-5、4-6、4-8、4-10、4-11 或 4_12 之一。
8.權(quán)利要求1的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，其中該包含根據(jù)化學(xué)式1的結(jié)構(gòu)單元的有機(jī)半導(dǎo) 體化合物包含根據(jù)化學(xué)式6的結(jié)構(gòu)單元的至少一種，[化學(xué)式6]
9.權(quán)利要求I的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物的數(shù)均分子量(Mn)為 5，000 200，000。
10.權(quán)利要求I的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物的重均分子量(Mw) 為 10，000 500，000。
11.權(quán)利要求I的有機(jī)半導(dǎo)體化合物，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物為P型。
12.晶體管，包含權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)的的有機(jī)半導(dǎo)體化合物。
13.權(quán)利要求12的晶體管，其中所述晶體管包括位于基底上的柵電極；彼此面對(duì)且限定溝道區(qū)域的源電極和漏電極；將所述源電極和所述漏電極與所述柵電極隔開的絕緣層；和在所述源電極和漏電極之間的溝道區(qū)域中的包括所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物的有源層。
14.電子器件，包含權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)的有機(jī)半導(dǎo)體化合物。
15.權(quán)利要求14的電子器件，其中所述電子器件為太陽(yáng)能電池。
全文摘要
本發(fā)明涉及低帶隙有機(jī)半導(dǎo)體化合物、及包括其的晶體管和電子器件。所述有機(jī)半導(dǎo)體化合物包含由化學(xué)式1表示的結(jié)構(gòu)單元。[化學(xué)式1]
文檔編號(hào)H01L51/30GK102585173SQ20121000115
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2012年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月4日
發(fā)明者樸正一, 李芳璘, 鄭鐘元 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社