專利名稱：一種增大芯片鍵合面積的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明專利涉及ー種用于増大芯片鍵合面積的方法
背景技術(shù)：
半導體照明產(chǎn)業(yè)在全球已經(jīng)興起，在國家中長期科技規(guī)劃戰(zhàn)略研討會上，已將“新世紀照明工程”推薦為重大項目，發(fā)展半導體照明工程已經(jīng)到了新時期。芯片鍵合技術(shù)是半導體光電子和電カ電子領(lǐng)域的重要技木，它是通過兩芯片之間添加某種粘合劑，隨后通過化學或物理方法將其鍵合在一起，成為新襯底片。目前，現(xiàn)有的芯片鍵合エ藝，芯片蒸發(fā)時采用背放式鍍鍋(如圖2所示)，邊緣處由于被蒸鍍蓋板(圖幻環(huán)遮擋，蒸發(fā)材料不能沉積在晶圓片邊緣處，從而導致鍵合面積小、鍵合區(qū)產(chǎn)生空洞、存在夾層，鍵合后襯底片邊緣有鍵合材料溢出，在后續(xù)加工エ藝中出現(xiàn)鍵合層脫落、電壓偏高、外觀不良等異常，致使大量的晶粒損失、良品率低、制造成本提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對上述缺點，本發(fā)明提出一種用于増大芯片鍵合面積的方法。該方法可以將待鍵合晶圓片的邊緣處均蒸發(fā)有鍵合材料，晶圓片可以很好的鍵合在一起，増大芯片鍵合的面積，提高鍵合率。本發(fā)明ー種增大芯片鍵合面積的方法，采用正放式的蒸鍍鍋將待鍵合的晶圓片放入晶圓墊片上，用彈簧夾將其固定進行鍵合材料的蒸發(fā)或沉積，隨后將蒸發(fā)有鍵合材料的晶圓片放置于鍵合機中進行鍵合作業(yè)，將晶圓片/晶圓片或晶圓片/硅片鍵合在一起。采用本發(fā)明方法，晶圓片邊緣處完全裸露在蒸鍍腔體中。在蒸發(fā)時，蒸發(fā)材料可以直接沉積在晶圓片的任何裸露部位。在鍵合時由于晶圓片邊緣處均有鍵合材料，致使鍵合面積增大、鍵合率提高。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點1、鍵合面積大。正放式鍍鍋蒸發(fā)時可以在晶圓片邊緣處沉積上蒸發(fā)材料。提高芯片邊緣處利用率、鍵合后的襯底片將邊緣0 5mm)處完美的鍵合在一起，可實現(xiàn)整個面積的鍵合，鍵合強度高。以及有利于后續(xù)エ藝的實施。2.鍵合率高，減少后續(xù)電極制作エ藝鍵合層脫落異常發(fā)生。3、エ藝簡單。在裝片或蒸發(fā)過程中晶圓片表面不需要進行專門的表面結(jié)合鍵增強處理，不僅省時、省力，而且可節(jié)省大量化學藥品及設(shè)備使用率。4、蒸發(fā)周期短。蒸發(fā)好的晶圓片即可快速地進行下一步エ藝，不需等待。5、對設(shè)備沒有額外要求，并且設(shè)備操作簡單方便。


圖1、正放式鍍鍋示意圖；圖2、背放式鍍鍋示意圖3、蒸鍍蓋板示意圖；圖4、晶圓片承載墊片示意圖；圖5、彈簧夾固定晶圓片示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明可采用以下實施方法實現(xiàn)(1)將晶圓片清洗干凈；(2)在鍍膜機中放入蒸鍍靶材，然后晶圓片放置在正放式的鍍鍋中，鍍鍋放入鍍膜機中；(3)抽真空4.5X10_4Pa，開始蒸發(fā)。(4)蒸發(fā)完成后，將晶圓片從正放式鍍鍋中取下，進行鍵合作業(yè)。
權(quán)利要求
1. 一種增大芯片鍵合面積的方法，其特征在于采用正放式的蒸鍍鍋將待鍵合的晶圓片放入晶圓墊片上，用彈簧夾將其固定進行鍵合材料的蒸發(fā)或沉積，隨后將蒸發(fā)有鍵合材料的晶圓片放置于鍵合機中進行鍵合作業(yè)，將晶圓片/晶圓片或晶圓片/硅片鍵合在一起。
全文摘要
一種增大芯片鍵合面積的方法，采用正放式的蒸鍍鍋將待鍵合的晶圓片放入晶圓墊片上，用彈簧夾將其固定進行鍵合材料的蒸發(fā)或沉積，隨后將蒸發(fā)有鍵合材料的晶圓片放置于鍵合機中進行鍵合作業(yè)，將晶圓片/晶圓片或晶圓片/硅片鍵合在一起。用這種方法進行晶圓片/硅片或晶圓片/晶圓片鍵合，鍵合后襯底片鍵合面積高達99.99％以上、無鍵合材料外溢、無空洞，鍵合強度高，鍵合率高達99％以上，其制得的襯底片不但鍵合區(qū)不存在污染層、多晶層、氧化層，而且提高后續(xù)工藝的成品率，降低生產(chǎn)成本。從而可使制得到的二極管發(fā)光器件性能得到大大的提高，可制備高效率、高亮度、低阻值、性能穩(wěn)定的LED發(fā)光二極管器件。
文檔編號H01L21/60GK102569109SQ20121000159
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月7日
發(fā)明者楊繼遠 申請人:楊繼遠