專利名稱：貼片熱敏電阻及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種小尺寸的貼片熱敏電阻及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子類商品的日益小型化和功能多樣化，要求電子元器件也應(yīng)具有更小的尺寸和一定的精度，負溫度系數(shù)(Negative Temperature Coefficient，縮略詞為NTC)熱敏電阻的復(fù)合電阻值R=P*L/S，其中，L為物體長度，S為物體的橫截面積，比例系數(shù)P為電阻的電阻系數(shù)或稱電阻率，它與電阻的材料有關(guān)?，F(xiàn)有方案所造成的尺寸及產(chǎn)品阻值精度偏差在小尺寸NTC產(chǎn)品上異常明顯，已知的0603規(guī)格(0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm)的NTC產(chǎn)品的精度遠達不到實際要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的就是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具有高阻值精度的小尺寸貼片熱敏電阻。本發(fā)明的另一目的是提供一種貼片熱敏電阻制造方法，能夠大大提升高精度小尺寸貼片熱敏電阻產(chǎn)品的合格率。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種貼片熱敏電阻，包括熱敏電阻芯片、所述芯片兩端的金屬電極及包裹芯片的玻璃封裝層，其特征在于，形成所述芯片的材料包括氧化物混合粉料，所述氧化物混合粉料包括3(T50wt%的氧化錳Mnh、4(T60wt%的氧化鈷Co304、廣10wt%的氧化鋁Al2O3和廣12wt%的氧化銅CuO。本發(fā)明中，wt%表示重量百分比數(shù)。優(yōu)選地，所述氧化物混合粉料還包括0. 5^1wt%的氧化鉍Bi203。優(yōu)選地，所述氧化物混合粉料包括的氧化錳MnA ,44wt%的氧化鈷Co304、10wt%的氧化鋁Al2O3U lwt%的氧化銅CuO和lwt%的氧化鉍Bi203。優(yōu)選地，形成所述芯片的材料還包括有機溶劑、粘合劑、分散劑及增塑劑。優(yōu)選地，所述芯片的尺寸為0.58mmX0.27 mmXO. 27 mm，加上所述玻璃封裝層和所述金屬電極后的尺寸為0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm。一種貼片熱敏電阻的制造方法，其特征在于，包括以下步驟
使用含有30 50wt%的氧化錳MnA、40 60wt%的氧化鈷Co304、廣10wt%的氧化鋁A1203、l-12wt%的氧化銅CuO的氧化物混合粉料配制成漿料，再經(jīng)流延、疊層、排膠、燒結(jié)、環(huán)氧樹脂印刷、劃片、玻封和制電極以制作所述貼片熱敏電阻。
優(yōu)選地，所述氧化物混合粉料還包括0. 5^1wt%的氧化鉍Bi203。優(yōu)選地，所述燒結(jié)包括在110(Γ1300 下使用氧化鋁基板夾燒經(jīng)所述疊層和所述排膠后獲得的生坯。優(yōu)選地，所述環(huán)氧樹脂印刷包括在所述燒結(jié)后獲得的瓷片的上下兩面印刷80^100 μ m的環(huán)氧樹脂，并將印刷的環(huán)氧樹脂在100°C下經(jīng)4小時固化。
優(yōu)選地，所述波封包括在經(jīng)所述劃切后獲得的芯片上涂覆一層玻璃層，并將該玻璃層在80(T90(rC下燒結(jié)。本發(fā)明在以下方面具有優(yōu)勢
通過采用本發(fā)明的配方，形成與小尺寸貼片熱敏電阻相適應(yīng)的電性參數(shù)的熱敏材料，成功地實現(xiàn)了與以往的NTC熱敏電阻產(chǎn)品(如1005、1608等型號)不同的小尺寸高精度貼片熱敏電阻。根據(jù)本發(fā)明提供的小尺寸高精度貼片熱敏電阻，以及由本發(fā)明的方法所制作的小尺寸高精度貼片熱敏電阻，有效克服了傳統(tǒng)材料和工藝造成的阻值精度低的缺點，大幅提升了小尺寸貼片熱敏電阻產(chǎn)品的合格率，實現(xiàn)了 NTC電阻產(chǎn)品的高品質(zhì)，且提高了生產(chǎn)效率，在實現(xiàn)高合格率的基礎(chǔ)上降低了產(chǎn)品制造成本。優(yōu)選的實施方案下，采用氧化鋁基板夾燒生坯，可避免了燒結(jié)時的瓷體變形。優(yōu)選的實施方案下，采用在瓷體燒結(jié)后實施劃片，可避免因燒結(jié)收縮率差異造成的產(chǎn)品精度偏低的情況，且由于劃片的精度高于一般切割的精度，可使所制備的產(chǎn)品精度大幅提高，從而使產(chǎn)品合格率大幅提升。


圖1為根據(jù)本發(fā)明貼片熱敏電阻一個實施例的剖面圖2為根據(jù)本發(fā)明貼片熱敏電阻制造方法一個實施例的流程圖。
具體實施例方式以下通過實施例結(jié)合附圖對本發(fā)明進行進一步的詳細說明。請參閱圖1，根據(jù)一個實施例，一種小尺寸貼片NTC熱敏電阻，包括熱敏電阻芯片1、芯片兩端的金屬電極2及包裹芯片的玻璃封裝層3。小尺寸貼片NTC熱敏電阻的一種示范性尺寸為0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm。其中，所述芯片1的尺寸為0. 58mmX0. 27 mmXO. 27 mm，而加上所述玻璃封裝層3和所述金屬電極2后的尺寸為 0. 6mmXO. 3mmXO. 3mm。根據(jù)本發(fā)明的實施例，形成所述芯片的材料包括氧化物混合粉料，所述氧化物混合粉料包括30 50wt%的氧化錳MnA、40 60wt%的氧化鈷Co304、廣10wt%的氧化鋁Al2O3和ri2wt%的氧化銅CuO。在一些實施例中，所述氧化物混合粉料還包括燒結(jié)助劑，例如氧化鉍Bi203。優(yōu)選地，所述氧化物混合粉料包括0. 5^1wt%的氧化鉍Bi203。在優(yōu)選的實施例中，所述氧化物混合粉料包括的氧化錳MnA ,44wt%的氧化鈷Co304、10wt%的氧化鋁A1203、llwt%的氧化銅CuO和lwt%的氧化鉍Bi203。在一些的實施例中，形成所述芯片的材料還包括有機溶劑、粘合劑、分散劑及增塑劑。在另一方面，本發(fā)明還提供一種貼片熱敏電阻的制造方法。如圖2所示，根據(jù)一個實施例，該方法包括以下步驟使用含有3(T50wt%的氧化錳MnA、4(T60wt%的氧化鈷Co3O4、廣10wt%的氧化鋁Al2O3、廣12wt%的氧化銅CuO的氧化物混合粉料配制成漿料，再經(jīng)流延、疊層、排膠、燒結(jié)、環(huán)氧樹脂印刷、劃片、玻封和制電極以制作所述貼片熱敏電阻。優(yōu)選地，氧化物混合粉料包含0. 5^1wt%的氧化鉍Bi2O3作為燒結(jié)助劑。
以制備一種0603尺寸(0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm)的貼片NTC熱敏電阻為例進行進
一步說明。具體的工藝流程如下
a.將如下各原料按以下優(yōu)選配比進行混合，并可按適當(dāng)?shù)呐浔燃尤胗袡C溶劑、粘合劑、分散劑及增塑劑等，采用球磨工藝配制成漿料。34wt% 的氧化錳 MnA ；44wt%的氧化鈷Co3O4 ；10wt%的氧化鋁Al2O3 ；llwt%的氧化銅CuO ；lwt%的氧化鉍Bi203。b.以上漿料經(jīng)流延烘干制成生胚膜片，該膜片厚3(Γ50 μ m。按照相關(guān)參數(shù)疊層，經(jīng)等靜壓制成生坯即Bar塊。優(yōu)選地，可將生胚膜片裁切成60mmX 60mm小片，該膜片厚30 μ m。每Bar疊沈?qū)樱褥o壓后厚度為670 μ m。c.以上Bar塊在380°C下排膠6小時，而后在110(Tl300°C下，優(yōu)選在1150°C下，使用氧化鋁基板夾燒，燒結(jié)為50mmX 50mmX 0. 58mm瓷片。其厚度方向應(yīng)為最終產(chǎn)品的長度方向。d.在燒結(jié)后的瓷片的上下兩面分別印刷環(huán)氧樹脂，并在100°C下固化4小時。優(yōu)選地，在燒結(jié)后的50mmX 50mm瓷片上下兩面印刷8(Γ 00 μ m的環(huán)氧樹脂。印刷的環(huán)氧樹脂于100°C經(jīng)4小時固化。e.而后采用金剛石劃片機將燒結(jié)后的瓷片劃切成0.58 mmXO. 27 mmXO. 27 mm的芯片。f.可以采用噴涂的方式，在以上芯片上制成一層玻璃涂保護層，將該玻璃層在80(T90(rC 下燒結(jié)。g.在以上半成品兩端沾銀，燒銀，而后電鍍制成端電極，即實現(xiàn)0603小尺寸貼片NTC熱敏電阻。通過上述實施例，可制得例如阻值為IOKΩ，B值為3380，阻值精度在廣3%的小尺寸貼片熱敏電阻。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種貼片熱敏電阻，包括熱敏電阻芯片、所述芯片兩端的金屬電極及包裹芯片的玻璃封裝層，其特征在于，形成所述芯片的材料包括氧化物混合粉料，所述氧化物混合粉料包括3(T50wt%的氧化錳MnA、4(T60wt%的氧化鈷Co304、廣10wt%的氧化鋁Al2O3和廣12wt%的氧化銅CuO。
2.如權(quán)利要求1所述的貼片熱敏電阻，其特征在于，所述氧化物混合粉料還包括0. 5 lwt%的氧化鉍Bi203。
3.如權(quán)利要求2所述的貼片熱敏電阻，其特征在于，所述氧化物混合粉料包括的氧化錳MnO2、Mwt%的氧化鈷Co304、10wt%的氧化鋁A1203、1 lwt%的氧化銅CuO和lwt%的氧化鉍Bi203。
4.如權(quán)利要求1至3任一項所述的貼片熱敏電阻，其特征在于，形成所述芯片的材料還包括有機溶劑、粘合劑、分散劑及增塑劑。
5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的貼片熱敏電阻，其特征在于，所述芯片的尺寸為0. 58mmX0. 27 mmXO. 27 mm，加上所述玻璃封裝層和所述金屬電極后的尺寸為0. 6mm X 0. 3mm X 0. 3mm。
6.一種貼片熱敏電阻的制造方法，其特征在于，包括以下步驟使用含有30 50wt%的氧化錳MnA、40 60wt%的氧化鈷Co304、廣10wt%的氧化鋁A1203、l-12wt%的氧化銅CuO的氧化物混合粉料配制成漿料，再經(jīng)流延、疊層、排膠、燒結(jié)、環(huán)氧樹脂印刷、劃片、玻封和制電極以制作所述貼片熱敏電阻。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物混合粉料還包括0.5 lwt%的氧化鉍Bi203。
8.如權(quán)利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述燒結(jié)包括在110(Tl3(KrC下使用氧化鋁基板夾燒經(jīng)所述疊層和所述排膠后獲得的生坯。
9.如權(quán)利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂印刷包括在所述燒結(jié)后獲得的瓷片的上下兩面印刷8(Γ 00μπι的環(huán)氧樹脂，并將印刷的環(huán)氧樹脂在100°C下經(jīng)4小時固化。
10.如權(quán)利要求6至9任一項所述的制造方法，其特征在于，所述波封包括在經(jīng)所述劃切后獲得的芯片上涂覆一層玻璃層，并將所述玻璃層在80(T90(rc下燒結(jié)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種貼片熱敏電阻，包括熱敏電阻芯片、所述芯片兩端的金屬電極及包裹芯片的玻璃封裝層，其特征在于,形成所述芯片的材料包括氧化物混合粉料，所述氧化物混合粉料包括30~50wt%的氧化錳MnO2、40~60wt%的氧化鈷Co3O4、1~10wt%的氧化鋁Al2O3和1~12wt%的氧化銅CuO。在此還公開了相應(yīng)的貼片熱敏電阻制造方法。本發(fā)明能實現(xiàn)具有高阻值精度的小尺寸貼片熱敏電阻。
文檔編號H01C17/00GK102568722SQ20121000191
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月5日
發(fā)明者嚴友蘭, 劉傳東, 包漢青, 潘士賓, 程健 申請人:深圳順絡(luò)電子股份有限公司