專利名稱：鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器及其制備方法
鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器及其制備方法。
背景技術(shù)：
隨著紫外探測技術(shù)的發(fā)展，價格便宜、性能穩(wěn)定可靠的紫外探測器件逐漸成為研究的熱點之一，尤其是工作于地球表面日盲區(qū)(波長為240-280nm)范圍內(nèi)的紫外光探測器。日盲區(qū)紫外探測器可應(yīng)用于導(dǎo)彈尾焰探測、化學(xué)火焰探測以及短波長光通訊等軍事、民用領(lǐng)域。目前，常見的紫外探測器有AlGaN體系和MgZnO體系，但AlGaN體系制備工藝復(fù)雜， 成本較高，缺少晶格匹配的襯底，使薄膜中存在大量缺陷；由于Al原子和( 原子的遷移率不同，隨Al組分增加，使得組分不均一，這些因素嚴(yán)重制約著AKiaN體系器件性能。MgZnO 體系雖然在一定程度上調(diào)節(jié)了其禁帶寬度，但是由于ZnO與MgO晶體結(jié)構(gòu)上的差異，兩者的固溶度有限，薄膜禁帶寬度只能在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，其光譜響應(yīng)仍不能被調(diào)節(jié)到日盲光譜范圍內(nèi)。對于MgxNihO合金，當(dāng)χ取值在0. 2^0. 3之間時，合金薄膜的吸收截止波長為 276nm^253nm,剛好處于日盲區(qū)范圍O40nml80nm)，非常適合用于日盲區(qū)紫外探測器。
目前，MgxNihO基紫外探測器的相關(guān)研究還處于起步階段Z. G. Ji等(Z. G. Ji, Z. P. He, Synthesis of MgxNi1^O thin films with a band-gap in the solar-blind region, Journal of Crystal Growth, 2005 (2733) : 446-450)用溶膠-凝膠法在石英襯底上制備了 MgxMhO薄膜并經(jīng)過高溫退火處理后初步實現(xiàn)薄膜禁帶寬度的調(diào)節(jié)，但薄膜的結(jié)晶質(zhì)量較差，有較高的晶界密度和晶內(nèi)缺陷及無定形相，在禁帶中引入深能級作為載流子的陷阱或復(fù)合中心，嚴(yán)重限制其紫外響應(yīng)特性；Y. M. ^iao等(Y. M. Zhao, J. Y. Zhang et al, MgxNij^O-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector J. Phys. D: App 1. Phys, 2009(42) : 092007)用電子束蒸發(fā)技術(shù)在石英襯底上制備了 MgxNihO薄膜，由于Mg原子遷移率低導(dǎo)致薄膜產(chǎn)生微區(qū)不均勻，很難得到組分均勻的固溶體，薄膜禁帶寬度未能達到預(yù)期調(diào)制結(jié)果，其光響應(yīng)截止波長未能進入日盲區(qū)；中國專利 CN102157598報道了基于鎂鎳氧化物薄膜的太陽盲探測器及其制備方法，但是由于是單層 MgxNihO薄膜構(gòu)成的金屬-半導(dǎo)體-金屬型(MSM)型紫外探測器，該探測器只能探測曰盲區(qū)中單波段紫外線。至今為止，基于鎂鎳氧基的日盲區(qū)紫外探測器只是用于單波段探測，未見可調(diào)節(jié)的多波段日盲區(qū)紫外探測器。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，設(shè)計一種可調(diào)節(jié)的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，該多波段探測器體積小、工作電壓低、靈敏度高、可用于多波段日盲區(qū)紫外探測。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，其特征在于包括沿垂直方向依次設(shè)置的襯底，底層NiO薄膜，多層鎂鎳氧薄膜，帽層NiO薄膜，所述探測器還設(shè)有第一金屬電極和第二金屬電極，第一金屬電極設(shè)置在底層NiO薄膜上，第二金屬電極設(shè)置在帽層NiO薄膜上。
其中，所述的多層鎂鎳氧薄膜(3)由沿垂直方向?qū)ΨQ分布的M^dNih1CK Mgx2Ni1^x2O,Mgx3Ni1^x3O......MgxmNihmCKMgOJgxmNi1-J)......Mgx3Ni1^x3O >Mgx2Ni1^2O,MgxlNi1^xlO薄膜構(gòu)成，其中，O < Xl < x2 < x3 <……< xm < 1，MgO薄膜為中間層，多層鎂鎳氧薄膜中的其余薄膜相對于中間層沿垂直方向?qū)ΨQ分布；優(yōu)選的，所述的多層鎂鎳氧薄膜分別與底層MO薄膜和帽層MO薄膜具有晶格匹配性， 并且每層鎂鎳氧薄膜的厚度為5nm 300nm ； 所述的襯底為硅、石英玻璃或玻璃襯底；所述的第一金屬電極由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)大于底層NiO薄膜的功函數(shù)，所述第一金屬電極和底層NiO薄膜形成歐姆接觸，所述第一金屬電極的厚度為IOnm 400nm ；所述的第二金屬電極由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)小于帽層NiO薄膜的功函數(shù)，所述的第二金屬電極和帽層NiO薄膜形成肖特基接觸，所述的第二金屬電極的厚度為IOnm 400nm。
本發(fā)明的第二個目的是提供該鎂鎳氧基可調(diào)節(jié)多波段日盲區(qū)紫外探測器的制備方法，包括如下步驟1)清洗襯底；2)在襯底上生長底層NiO薄膜；3)在上述底層NiO薄膜表面生長多層鎂鎳氧薄膜，并在底層NiO薄膜表面預(yù)留生長第一金屬電極的面積；4)在多層鎂鎳氧薄膜表面生長帽層NiO薄膜；5)在底層NiO薄膜上生長第一金屬電極，在帽層NiO薄膜上生長第二金屬電極。
其中，所述的襯底為硅、石英玻璃或玻璃襯底；所述的步驟2、至步驟幻中的生長工藝采用脈沖激光沉積法、磁控濺射法、電子束蒸發(fā)法或分子束外延法；所述的第一金屬電極由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)大于底層NiO薄膜的功函數(shù)，所述第一金屬電極和底層NiO薄膜形成歐姆接觸，所述第一金屬電極的厚度為IOnm 400nm ；所述的第二金屬電極由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)小于帽層NiO薄膜的功函數(shù)，所述的第二金屬電極和帽層NiO薄膜形成肖特基接觸，所述的第二金屬電極的厚度為IOnm 400nm。
本發(fā)明具有以下主要優(yōu)點(1)本發(fā)明的探測器含有兩層以上的多層鎂鎳氧薄膜，可以通過外加偏壓變化，使得探測器中多層鎂鎳氧薄膜中每層薄膜的導(dǎo)帶底和價帶頂會發(fā)生變化，禁帶寬度發(fā)生變化，不同的禁帶寬度就可以探測不同波長的紫外線，這樣可應(yīng)用于多波段的日盲區(qū)紫外探測，進而可以實現(xiàn)器件的集成，單個探測器即可實現(xiàn)多個日盲區(qū)波段的探測，相對于分立器件具有低成本，工藝簡單，易于實現(xiàn)等優(yōu)點；(2)本發(fā)明的探測器是通過采用多層鎂鎳氧薄膜和帽層NiO薄膜之間的肖特基接觸的結(jié)型探測器，外加電場主要加在結(jié)區(qū)，時間常數(shù)相應(yīng)較小，響應(yīng)速度快；(3)本發(fā)明制備的多層鎂鎳氧薄膜、NiO薄膜晶格取向單一，結(jié)晶性好，表面平整，鎂鎳氧薄膜和NiO薄膜之間晶格匹配很好，附著力強，薄膜質(zhì)量好，重復(fù)性好，附著力強，薄膜質(zhì)量好，重復(fù)性好；(4)本發(fā)明制備探測器的方法采用的均為物理氣相沉積法，適用范圍廣，技術(shù)設(shè)備簡單，易控制，生長速快，沉積參數(shù)易調(diào)，沉積薄膜質(zhì)量好。


圖1是本發(fā)明的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中所示1為襯底，2為底層NiO薄膜，3為多層鎂鎳氧薄膜，4為帽層NiO薄膜，5 為第一金屬電極，6為第二金屬電極；圖2是圖1中多層鎂鎳氧薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中所示3-1為MgxlNi1^xlO薄膜，3-2為Mgx2Ni1^2O薄膜，3-m+l為MgO薄膜。
具體實施方式
以下僅是本發(fā)明的具體實施方式
，對發(fā)明的保護范圍不構(gòu)成任何限制。凡采用等同變化或者等效替換而形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明權(quán)利保護范圍內(nèi)。
本發(fā)明的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的結(jié)構(gòu)示意圖見圖1，其中的多層鎂鎳氧薄膜3的結(jié)構(gòu)示意圖見圖2。
本發(fā)明的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的包括沿垂直方向依次設(shè)置的 襯底1，該襯底1為硅、石英玻璃或玻璃襯底；底層NiO薄膜2 ；多層鎂鎳氧薄膜3，該多層鎂鎳氧薄膜3由沿垂直方向?qū)ΨQ分布的M^Mh1CK Mgx2Ni1^x2O,Mgx3Ni1^x3O......MgxmNihmCKMgOJgxmNi1-J)......Mgx3Ni1^x3O >Mgx2Ni1^2O,MgxlNi1^xlO薄膜構(gòu)成，其中，0 < Xl < x2 < x3 <……< xm < l，MgO薄膜為中間層，多層鎂鎳氧薄膜3 中的其余薄膜相對于中間層沿垂直方向?qū)ΨQ分布；優(yōu)選的，該多層鎂鎳氧薄膜3分別與底層NiO薄膜2和帽層NiO薄膜4具有晶格匹配性，并且每層鎂鎳氧薄膜的厚度為5nm 300nm ； 帽層NiO薄膜4 ；第一金屬電極5，該電極由一種或多種的金屬材料組成，所述金屬材料的功函數(shù)大于的底層NiO薄膜2的功函數(shù)，所述的第一金屬電極5和底層NiO薄膜2形成歐姆接觸，所述的第一金屬電極5的厚度為IOnm 400nm ；第二金屬電極6，該電極由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)小于的帽層NiO薄膜4的功函數(shù)，所述的第二金屬電極6和帽層NiO薄膜4形成肖特基接觸，所述的第二金屬電極6的厚度為IOnm 400nm。
再結(jié)合附圖1，詳細說明本發(fā)明的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的的制備方法。
實施例1 以脈沖激光沉積方法制備鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器原型器件為例，包括以下步驟1)清洗襯底1 將2英寸的石英玻璃作為襯底1，依次在丙酮、乙醇、去離子水中分別超聲清洗301^11，用隊吹干。
2)采用脈沖激光沉積法生長底層NiO薄膜2 先將脈沖激光沉積系統(tǒng)真空度抽至 3.0\10_節(jié)￡1，然后將襯底1溫度升至300 °C，氧壓調(diào)至10 Pa，設(shè)定激光參數(shù)為300 mJ、5Hz， 以純NiO陶瓷靶材作為濺射靶材，襯底與靶材間距5 cm，沉積1個小時，沉積了一層300nm 厚度的NiO薄膜，即得底層NiO薄膜2 ；3)采用脈沖激光沉積法生長多層鎂鎳氧薄膜3把脈沖激光沉積系統(tǒng)以10°C /s的速率降溫到30°C，取出已經(jīng)長有底層NiO薄膜2的襯底1，用錫箔遮擋住底層NiO薄膜2的 1/4，然后將系統(tǒng)真空度抽至3.0 X 10_3Pa，然后將襯底溫度升至300 °C，氧壓調(diào)至10 Pa，設(shè)定激光參數(shù)為300 mj、5Hz，依次以M^1.2Ni0.80陶瓷靶材，M^1.4Ni0.60陶瓷靶材，MgO陶瓷靶材， Mg0.4Ni0.60陶瓷靶材，Mg0.2Ni0.80陶瓷靶材作為濺射靶材，襯底與靶材間距5cm，分別沉積1 小時，生長 300nm 的 Mg0.2Ni0.80 薄膜，300nm 的 Mg0.4Ni0.60 薄膜，300nm 的 MgO 薄膜，300nm 的 Mg0.4Ni0.60薄膜，300nm的M^2Nia8O薄膜，即得多層鎂鎳氧薄膜3 ；4)采用脈沖激光沉積法生長帽層NiO薄膜4在步驟幻的基礎(chǔ)上，脈沖激光沉積系統(tǒng)的參數(shù)不變，以純NiO陶瓷靶材作為濺射靶材，沉積1個小時，沉積了一層300nm厚度的MO 薄膜，即得帽層NiO薄膜4;5)采用電子束蒸發(fā)法生長第一金屬電極5將底層NiO薄膜2用面積0. 5mm2點狀電極掩膜板遮擋，另外部分用錫箔紙遮擋，放入電子束蒸發(fā)系統(tǒng)的腔體中，沉積條件為沉積壓強6X 10_4Pa，電流10(Tl50mA，首先采用純Ni靶材，以5A/s的速率沉積20s，生長IOnm的 Ni，接著采用純Au靶材，以4A/s的速率沉積1000s，生長400nm的Au，得到面積0. 5mm2點狀歐姆電極，即得第一金屬電極5 ；6)采用電子束蒸發(fā)法生長第二金屬電極6把步驟幻沉積好Ni/Au電極的樣品取出來，將沉積過的部分用錫箔遮擋，另外部分用面積0. 5mm2點狀電極掩膜板遮擋，放入電子束蒸發(fā)系統(tǒng)的腔體中，沉積條件為沉積壓強6X10_4Pa，電流10(Tl50mA，采用純Al靶材，以 5A/s的速率沉積100s，生長50nm的Al，得到面積0. 5mm2點狀肖特基電極，即得第二金屬電極6，完成了日盲區(qū)紫外探測器的制備過程。
上述步驟中，步驟5)和步驟6)順序可以互換。
對于制得的多波段的日盲區(qū)紫外探測器，當(dāng)外加偏壓在-5V到-IV之間變動時，禁帶寬度從4. 5eV波動到4. 8eV，可以探測波長為258ηπΓ275ηπι日盲區(qū)的紫外光。
實施例2:以磁控濺射法方法制備鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器原型器件為例，包括以下步驟1)清洗襯底1 將2英寸的P型硅片或玻璃作為襯底1，依次在丙酮、乙醇、去離子水中分別超聲清洗30min，用N2吹干。
2)采用磁控濺射法生長底層NiO薄膜2 先將脈沖激光沉積系統(tǒng)真空度抽至 2. OX 10_3Pa，然后將襯底溫度升至350°C，沉積壓強為0. 5Pa，Ar:&=47:3的氣氛，以純NiO 陶瓷靶材作為濺射靶材，襯底與靶材間距15 cm,沉積1個小時，沉積一層500nm厚度的底層 NiO薄膜2。
3)采用磁控濺射法生長多層鎂鎳氧薄膜3 把脈沖激光沉積系統(tǒng)以10°C /s的速7率降溫到40°C，取出已經(jīng)長有底層NiO薄膜2的襯底1，用錫箔遮擋住底層NiO薄膜2的 1/4，，將系統(tǒng)真空度抽至2. OX 10_3Pa，然后將襯底溫度升至600°C，沉積壓強為0. 66Pa，Ar 氣氛(80SCCm)，依次以Pia9O陶瓷靶、M^l2Nia8O陶瓷靶、M^l5Nia5O陶瓷靶、MgO陶瓷靶、 Mg0.5Ni0.50陶瓷靶、Mg0.2Ni0.80陶瓷靶、M^1Nia9O陶瓷靶作為濺射靶材，襯底與靶材間距15 cm,分別沉積 30s,生長 5nm 的 M^llNia9O 薄膜，5nm 的 Mg0.2Ni0.80 薄膜，5nm 的 Mg0.5Ni0.50 薄膜，5nm 的 MgO 薄膜，5nm 的 Mg0.5Ni0.50 薄膜，5nm 的 Mg0.2Ni0.80 薄膜，生長 5nm 的 Mg0. ^i0.90 薄膜，即得多層鎂鎳氧薄膜3;4)采用磁控濺射法生長帽層NiO薄膜4在步驟幻的基礎(chǔ)上，將襯底溫度調(diào)節(jié)至 350°C，沉積壓強調(diào)節(jié)為0. 5Pa ,Ar:02=47 : 3的氣氛，以純NiO陶瓷靶材作為濺射靶材，襯底與靶材間距15 cm，沉積0. 5個小時，沉積了一層250nm厚度的帽層NiO薄膜4 ；5)采用電子束蒸發(fā)法生長第一金屬電極5將第一層沉積的NiO薄膜2用面積0. 5mm2 點狀電極掩膜板遮擋，另外部分用錫箔紙遮擋，放入電子束蒸發(fā)系統(tǒng)的腔體中，沉積條件為沉積壓強6X 10_4Pa，電流10(Tl50mA。采用純Ni靶材，以5A/s的速率沉積200s，生長 IOOnm的Ni，得到面積0. 5mm2點狀歐姆電極，即得第一金屬電極5 ；6)采用電子束蒸發(fā)法生長第二金屬電極6把步驟5)沉積好Ni電極的樣品取出來，將沉積過的部分用錫箔遮擋，另外部分用面積0. 5mm2點狀電極掩膜板遮擋，放電子束蒸發(fā)系統(tǒng)的腔體中。沉積條件為沉積壓強6X 10_4Pa，電流10(Tl50mA。首先采用純Al靶材，以 5A/s的速率沉積30s，生長15nm的Al，接著采用純Ti靶材，以5A/s的速率沉積770s，生長 285nm的Ti，得到面積0. 5mm2點狀肖特基電極，即得第二金屬電極6，完成了日盲區(qū)紫外探測器的制備過程。
上述步驟中，步驟5)和步驟6)順序可以互換。
對于制得的多波段的日盲區(qū)紫外探測器，當(dāng)外加偏壓在-5V到-IV之間變動時，禁帶寬度從4. 45eV到5. 10eV，可以探測波長為243rniT278nm日盲區(qū)的紫外光。
權(quán)利要求
1.一種鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，其特征在于包括沿垂直方向依次設(shè)置的襯底(1)，底層NiO薄膜( ，多層鎂鎳氧薄膜( ，帽層NiO薄膜(4)，所述探測器還設(shè)有第一金屬電極( 和第二金屬電極(6)，第一金屬電極( 設(shè)置在底層NiO薄膜( 上，第二金屬電極(6)設(shè)置在帽層NiO薄膜(4)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，其特征在于所述的多層鎂鎳氧薄膜⑶由沿垂直方向?qū)ΨQ分布的悔』‘』、Mgx2Ni1^2O, Mgx3Ni1^x3O…… MgxmNi1-JK MgO、MgxmNihmO……Mgx3Ni1^x3O、Mgx2Ni1^2O, MgxlNi1^xlO 薄膜構(gòu)成，其中，0 < xl < x2 < x3 <……< xm < l，MgO薄膜為中間層，多層鎂鎳氧薄膜(3)中的其余薄膜相對于中間層沿垂直方向?qū)ΨQ分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，其特征在于所述的多層鎂鎳氧薄膜C3)分別與底層NiO薄膜( 和帽層NiO薄膜(4)具有晶格匹配性，并且每層鎂鎳氧薄膜的厚度為5nm 300nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，其特征在于所述的襯底(1)為硅、石英玻璃或玻璃襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，其特征在于所述的第一金屬電極(5)由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)大于底層NiO薄膜O)的功函數(shù)，所述第一金屬電極( 和底層NiO薄膜( 形成歐姆接觸，所述第一金屬電極(5)的厚度為IOnm 400nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，其特征在于所述的第二金屬電極(6)由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)小于帽層NiO薄膜(4)的功函數(shù)，所述的第二金屬電極(6)和帽層NiO薄膜(4)形成肖特基接觸，所述的第二金屬電極(6)的厚度為IOnm 400nm。
7.制備如權(quán)利要求1至6任一項所述的鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的方法，其特征在于，包括如下步驟1)清洗襯底⑴；2)在襯底⑴上生長底層NiO薄膜⑵；3)在上述底層NiO薄膜( 表面生長多層鎂鎳氧薄膜(3)，并在底層NiO薄膜(2)表面預(yù)留生長第一金屬電極(5)的面積；4)在多層鎂鎳氧薄膜( 表面生長帽層NiO薄膜；5)在底層NiO薄膜( 上生長第一金屬電極(5)，在帽層NiO薄膜(4)上生長第二金屬電極(6)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的方法，其特征在于所述的襯底(1)為硅、石英玻璃或玻璃襯底；所述的步驟幻至步驟幻中的生長工藝采用脈沖激光沉積法、磁控濺射法、電子束蒸發(fā)法或分子束外延法。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的方法，其特征在于所述的第一金屬電極(5)由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)大于底層NiO薄膜O)的功函數(shù)，所述第一金屬電極( 和底層NiO薄膜( 形成歐姆接觸， 所述第一金屬電極(5)的厚度為IOnm 400nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器的方法，其特征在于所述的第二金屬電極(6)由一種或多種的金屬材料組成，所述的金屬材料的功函數(shù)小于帽層NiO薄膜的功函數(shù)，所述的第二金屬電極(6)和帽層NiO薄膜(4)形成肖特基接觸，所述的第二金屬電極(6)的厚度為IOnm 400nm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種鎂鎳氧基多波段日盲區(qū)紫外探測器，包括沿垂直方向依次設(shè)置的襯底，底層NiO薄膜，兩層以上的多層鎂鎳氧薄膜，帽層NiO薄膜，第一金屬電極(歐姆接觸)和第二金屬電極(肖特基接觸)，所述的多層鎂鎳氧薄膜由沿垂直方向?qū)ΨQ分布的Mgx1Ni1-x1O、Mgx2Ni1-x2O、Mgx3Ni1-x3O……MgxmNi1-xmO、MgO、MgxmNi1-xmO……Mgx3Ni1-x3O、Mgx2Ni1-x2O、Mgx1Ni1-x1O薄膜構(gòu)成，其中，0＜x1＜x2＜x3＜……＜xm＜1，MgO薄膜為中間層，多層鎂鎳氧薄膜中的其余薄膜相對于中間層沿垂直方向?qū)ΨQ分布。其制備方法為在襯底表面以下列生長工藝中的一種或多種依次生長薄膜和電極，所述生長工藝采用脈沖激光沉積法、磁控濺射法、電子束蒸發(fā)法或分子束外延法。本發(fā)明的優(yōu)點是通過調(diào)節(jié)外加偏壓，可以實現(xiàn)多波段日盲區(qū)紫外探測，實現(xiàn)了器件的集成，單個探測器即可實現(xiàn)多個日盲區(qū)波段的探測，相對于分立器件具有低成本，工藝簡單，重復(fù)性好，易于實現(xiàn)等優(yōu)點。
文檔編號H01L31/18GK102522448SQ20121000989
公開日2012年6月27日 申請日期2012年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月13日
發(fā)明者葉志鎮(zhèn), 朱麗萍, 楊治國, 郭艷敏 申請人:浙江大學(xué)