專利名稱：屏蔽連接器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種屏蔽連接器及其制作方法，尤指ー種既可使信號(hào)端子與金屬層隔離，也可使接地端子與金屬層容易導(dǎo)通的屏蔽連接器及其制作方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)前的屏蔽連接器包括ー絕緣本體，所述絕緣本體自上向下貫穿設(shè)有至少ー接地端子槽和至少一信號(hào)端子槽，所述接地端子槽和所述信號(hào)端子槽內(nèi)壁均布設(shè)ー金屬層及覆蓋于所述金屬層表面的一絕緣層，至少一接地端子固持于所述接地端子槽，所述接地端子穿過所述接地端子槽內(nèi)壁的所述絕緣層而與所述絕緣層內(nèi)部的所述金屬層導(dǎo)通，至少一信號(hào)端子固持于所述信號(hào)端子槽，所述信號(hào)端子與所述絕緣層接觸而與所述金屬層隔離，所述接地端子與所述信號(hào)端子結(jié)構(gòu)相同且從同一方向插入所述絕緣本體。在實(shí)際生產(chǎn)中屏蔽連接器常用的布設(shè)金屬層和絕緣層的方法為噴鍍，此種布設(shè)方法是將電鍍液從所述絕緣本體的一側(cè)向另ー側(cè)噴射，所述鍍層會(huì)從所述一側(cè)到所述另ー 側(cè)逐漸變薄，而所述屏蔽連接器的所述接地端子與所述信號(hào)端子結(jié)構(gòu)相同且從同一方向插入所述絕緣本體，若要使所述信號(hào)端子與所述金屬層有效的隔離，則需將所述信號(hào)端子從所述絕緣層厚的ー側(cè)插入所述本體，所述接地端子就可能因難以刺破所述絕緣層而與所述金屬層無法導(dǎo)通；若要使所述接地端子容易刺破所述絕緣層而與所述金屬層導(dǎo)通，則需要將所述接地端子從所述絕緣層薄的ー側(cè)插入所述本體，如此，所述信號(hào)端子也會(huì)很容易穿過所述絕緣層而與所述金屬層導(dǎo)通，發(fā)生短路。因此，習(xí)用的屏蔽連接器存在信號(hào)端子與金屬層導(dǎo)通端子或接地端子與絕緣層隔離斷路的問題。因此，有必要設(shè)計(jì)ー種新的屏蔽連接器，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)背景技術(shù)所面臨的種種問題，本發(fā)明的目的在于提供一種既可使信號(hào)端子與金屬層隔離，也可使接地端子與金屬層容易導(dǎo)通的屏蔽連接器及其制作方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)手段
ー種屏蔽連接器，包括ー絕緣本體具有一上表面，所述絕緣本體自上向下貫穿設(shè)有至少一信號(hào)端子槽和至少ー接地端子槽，所述信號(hào)端子槽具有一第一讓位槽和位于所述第一讓位槽下方的一第一固持槽；一金屬層設(shè)于所述上表面、所述第一讓位槽內(nèi)壁、所述第一固持槽的部分內(nèi)壁及所述接地端子槽內(nèi)壁，所述接地端子槽和所述信號(hào)端子槽可通過所述上表面上的所述金屬層電性連通；一絕緣層設(shè)于所述信號(hào)端子槽內(nèi)壁和所述接地端子槽內(nèi)壁，且覆蓋于所述金屬層；至少一信號(hào)端子，收容于所述信號(hào)端子槽，所述信號(hào)端子具有一第一基部固持于所述第一固持槽，及自所述第一基部延伸形成的一第一延伸部置于所述第一讓位槽；至少一接地端子，收容于所述接地端子槽，所述接地端子具有一第二基部可穿過所述絕緣層與所述金屬層接觸導(dǎo)通。進(jìn)一歩，所述第一基部左右兩側(cè)各設(shè)有一翼部。
4
進(jìn)一歩，所述翼部上端設(shè)有ー凹ロ，所述凹ロ設(shè)于所述第一固持槽與所述第一讓位槽連接處。進(jìn)一歩，所述第一固持槽內(nèi)設(shè)有一第一凹陷部，所述第一凹陷部?jī)?nèi)壁僅設(shè)有所述絕緣層，所述翼部卡持于所述第一凹陷部。進(jìn)一歩，所述信號(hào)端子還包括一第一接觸部位于所述第一延伸部末端，以及ー第一焊接部自所述第一基部向下延伸。進(jìn)一歩，所述第二基部包括ニ臂部，所述臂部抵靠于所述接地端子槽內(nèi)壁。進(jìn)一歩，所述第二基部側(cè)面設(shè)有至少ー突刺，所述突刺刺破所述接地端子槽內(nèi)壁的所述絕緣層與所述金屬層導(dǎo)通。進(jìn)一歩，所述接地端子還包括一第二延伸部自所述第二基部向上延伸，一第二接觸部位于所述第二延伸部末端，以及ー第二焊接部自所述第二基部向下延伸。ー種如上述屏蔽連接器的制作方法，包括以下步驟
a、射出成型所述絕緣本體，在所述絕緣本體上開設(shè)所述信號(hào)端子槽和所述接地端
子槽；
b、自上向下向所述信號(hào)端子槽和所述接地端子槽內(nèi)布設(shè)所述金屬層，使所述上表面、述第一讓位槽內(nèi)壁及所述接地端子槽內(nèi)壁均設(shè)有所述金屬層；
c、自下向上插設(shè)所述信號(hào)端子于所述第一固持槽，使所述第一基部固持于所述第一固持槽，所述第一延伸部伸入所述第一讓位槽；
d、自上向下插設(shè)所述接地端子于所述接地端子槽，使所述第二基部與所述金屬層導(dǎo)
Ifi ο進(jìn)一歩，所述步驟b中布設(shè)所述金屬層的方式為真空濺鍍。進(jìn)一歩，所所述步驟b中，布設(shè)所述金屬層后自下向上向所述信號(hào)端子槽和所述接地端子槽內(nèi)布設(shè)所述絕緣層。進(jìn)一歩，所述第二基部?jī)蓚?cè)設(shè)有突刺，所述突刺刺破所述接地端子槽內(nèi)壁的所述絕緣層與所述金屬層導(dǎo)通。進(jìn)一歩，步驟b中，所述第一固持槽內(nèi)壁未設(shè)置所述金屬層。可選的，步驟b中，所述第一固持槽的部分內(nèi)壁設(shè)有所述金屬層。進(jìn)一歩，所述第一固持槽內(nèi)開設(shè)ー第一凹陷部，僅所述第一凹陷部?jī)?nèi)壁未設(shè)置所述金屬層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果
(1)所述第一固持槽內(nèi)設(shè)有所述第一凹陷部，所述第一凹陷部?jī)?nèi)壁未布設(shè)所述金屬層， 僅設(shè)有所述絕緣層，能保證所述信號(hào)端子與所述金屬層有效的隔離。(2)所述第二固持槽內(nèi)壁的所述金屬層從上到下厚度逐漸變薄，所述絕緣層從下到上厚度逐漸變薄，故所述接地端子從上向下插設(shè)時(shí)容易刺破較薄的所述絕緣層而與所述金屬層導(dǎo)通。

圖1為本發(fā)明屏蔽連接器的立體分解圖； 圖2為本發(fā)明屏蔽連接器信號(hào)端子槽和接地端子槽的剖面視圖； 圖3為本發(fā)明分解剖面視圖；圖4為本發(fā)明的組合剖面視圖； 圖5為本發(fā)明屏蔽連接器制作方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
的附圖標(biāo)號(hào)說明 屏蔽連接器100金屬層200
絕緣本體1上表面11
信號(hào)端子槽13第一讓位槽131
絕緣層300 下表面12 第一固持槽132
第一凹陷
部133
接地端子槽14第二讓位槽141
第二固持槽142
第二凹陷
部143
信號(hào)端子2第一基部21
凹ロ 222第一延伸部23
翼部22
第一接觸部M
卡持部221
第一焊接
部邪
接地端子3第二基部31
第二延伸部33第二接觸部34
臂部32 第二焊接部35
突刺32具體實(shí)施方式
為便于更好的理解本發(fā)明的目的、結(jié)構(gòu)、特征以及功效等，現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步說明。如圖1，本發(fā)明屏蔽連接器100，包括ー絕緣本體1，及設(shè)于所述絕緣本體1內(nèi)的多個(gè)信號(hào)端子2和多個(gè)接地端子3。所述絕緣本體1具有一上表面11和一下表面12，自所述上表面11向所述下表面 12貫穿設(shè)有多個(gè)信號(hào)端子槽13和多個(gè)接地端子槽14，在其它實(shí)施例中，所述信號(hào)端子槽13 和所述接地端子槽14的數(shù)量也可以為一。每一所述信號(hào)端子槽13具有一第一讓位槽131 和位于所述第一讓位槽131下方的一第一固持槽132，所述第一固持槽132內(nèi)具有ニ第一凹陷部133，所述第一凹陷部133較所述第一讓位槽131更向所述絕緣本體1凹陷。每ー 所述接地端子槽14具有一第二固持槽142和位于所述第二固持槽142下方的一第二讓位槽141，所述第二固持槽142內(nèi)具有一第二凹陷部143，所述第二凹陷部143較所述第二讓位槽141更向所述絕緣本體1凹陷。如圖2，一金屬層200自上向下向所述信號(hào)端子槽13和所述接地端子槽14內(nèi)布設(shè)，本實(shí)施例中布設(shè)所述金屬層200的方式為真空濺鍍，在其它實(shí)施例中也可使用噴鍍等電鍍方法布設(shè)所述金屬層200，所述金屬層200布設(shè)于所述上表面11、所述第一讓位槽131 內(nèi)壁、所述第一固持槽132的部分內(nèi)壁及所述接地端子槽14內(nèi)壁，在其它實(shí)施例中，所述第一固持槽132整個(gè)內(nèi)壁均未布設(shè)所述金屬層200。由于所述信號(hào)端子槽13和所述接地端子槽14中的所述金屬層200是自上向下真空濺射形成，故所述絕緣本體1的所述上表面11被濺射所述金屬層200，使得所述信號(hào)端子槽13與所述接地端子槽14電性連通。所述第一凹陷部133向所述絕緣本體1內(nèi)凹陷，故在真空濺射時(shí)無法將所述金屬層200濺射到所述第一凹陷部133，所述第一凹陷部133內(nèi)壁并未布設(shè)所述金屬層200。所述信號(hào)端子槽13內(nèi)壁和所述接地端子槽14內(nèi)壁的所述金屬層200的厚度從上到下逐漸變薄。一絕緣層300自下向上向所述信號(hào)端子槽13和所述接地端子槽14內(nèi)布設(shè)，本實(shí)施例中布設(shè)所述絕緣層300的方式為真空濺鍍，在其它實(shí)施例中也可使用噴鍍等電鍍方法布設(shè)所述絕緣層300，所述絕緣層300布設(shè)于所述下表面12、所述信號(hào)端子槽13內(nèi)壁和所述接地端子槽14內(nèi)壁，所述信號(hào)端子槽13內(nèi)壁和所述接地端子槽14內(nèi)壁的所述絕緣層 300的厚度從下到上逐漸變薄。如圖1、圖3和圖4，多個(gè)所述信號(hào)端子2對(duì)應(yīng)設(shè)于多個(gè)所述信號(hào)端子槽13內(nèi)，在其它實(shí)施例中，所述信號(hào)端子2的數(shù)量也可以為一，每一所述信號(hào)端子2具有一第一基部21， 所述第一基部21兩側(cè)分別設(shè)有一翼部22，每一所述翼部22遠(yuǎn)離所述第一基部21的ー側(cè)設(shè)有一卡持部221，所述卡持部221卡持于所述第一凹陷部133，以固持所述信號(hào)端子2于所述第一固持槽132內(nèi)。所述翼部22的上端具有一凹ロ 222，所述凹ロ 222對(duì)應(yīng)設(shè)于所述第一凹陷部133與所述第一讓位槽131連接的拐角處，使得所述信號(hào)端子2與所述第一讓位槽131內(nèi)壁的所述金屬層200隔離。自所述第一基部21向上延伸一第一延伸部23伸入所述第一讓位槽131，所述第一延伸部23可在所述第一讓位槽131內(nèi)彈性變形，所述第一延伸部23末端設(shè)有ー第一接觸部24，自所述第一基部21向下延伸一第一焊接部25。多個(gè)所述接地端子3對(duì)應(yīng)設(shè)于多個(gè)所述接地端子槽14內(nèi)，在其它實(shí)施例中，所述接地端子3的數(shù)量也可以為一，每一所述接地端子3具有一第二基部31固持于所述第二固持槽142內(nèi)，所述第二基部31包括ニ臂部32，所述臂部32抵靠于所述第二固持槽142內(nèi)壁且卡持于所述第二凹陷部143內(nèi)，每一所述臂部32側(cè)面設(shè)有至少ー突刺321，所述突刺 321刺破所述第二凹陷部143內(nèi)壁的所述絕緣層300而與所述金屬層200導(dǎo)通。所述ニ臂部32之間具有一第二延伸部33向上彎折延伸，所述第二延伸部33也位于所述第二固持槽 142內(nèi)，可于所述第二固持槽142內(nèi)彈性變形，所述第二延伸部33末端設(shè)有ー第二接觸部 34，自所述第二基部31向下延伸一第二焊接部35。如圖5，所述屏蔽連接器100的制作方法如下
a、如圖1，射出成型所述絕緣本體1，在所述絕緣本體1上開設(shè)所述信號(hào)端子槽13和所述接地端子槽14。b、如圖2，自上向下向所述信號(hào)端子槽13和所述接地端子槽14內(nèi)真空濺鍍所述金屬層200，使所述上表面11、所述第一讓位槽131內(nèi)壁、所述第一固持槽132的部分內(nèi)壁及所述接地端子槽14內(nèi)壁均設(shè)有所述金屬層200，所述第一凹陷部133內(nèi)壁不具有所述金屬層200，在其它實(shí)施例中，所述第一固持槽132整個(gè)內(nèi)壁均未布設(shè)所述金屬層200。所述金屬層200從上到下逐漸變薄。C、如圖2，自下向上向所述信號(hào)端子槽13和所述接地端子槽14內(nèi)真空濺鍍所述絕緣層300，使所述絕緣層300布滿所述下表面12、所述信號(hào)端子槽13內(nèi)壁和所述接地端子槽14內(nèi)壁，所述絕緣層300從下到上逐漸變薄，其中所述第一凹陷部133內(nèi)壁僅設(shè)有所述絕緣層300，在其它實(shí)施例中，所述第一固持槽132整個(gè)內(nèi)壁僅設(shè)有所述絕緣層300。d、如圖3和圖4，自下向上插設(shè)所述信號(hào)端子2于所述第一固持槽132，使所述第一基部21位于所述第一固持槽132，所述翼部22卡持于所述第一凹陷部133，所述第一延伸部23伸入所述第一讓位槽131，由于所述第一凹陷部133內(nèi)未設(shè)有所述金屬層200， 僅設(shè)有較厚的所述絕緣層300，故所述卡持部221不會(huì)存在與所述金屬層200接觸的風(fēng)險(xiǎn)。e、如圖3和圖4，自上向下插設(shè)所述接地端子3于所述接地端子槽14，使所述第二基部31固持于所述第二固持槽142，所述ニ臂部32卡持于所述第二凹陷部143內(nèi)，由于所述絕緣層300從下到上逐漸變薄，而所述第二固持槽142設(shè)置于上方，故所述第二固持槽142內(nèi)壁的所述絕緣層300厚度較薄，所述接地端子3自上向下插設(shè)，所述臂部32上的所述突刺321容易刺破所述絕緣層300而與所述金屬層200導(dǎo)通。綜上所述，本發(fā)明屏蔽連接器100及其制作方法有下列有益效果
(1)所述第一固持槽132內(nèi)的所述第一凹陷部133內(nèi)未設(shè)有所述金屬層200，僅設(shè)有所述絕緣層300，其它內(nèi)壁均設(shè)有金屬層200和覆蓋于所述金屬層200上的所述絕緣層300， 而所述翼部22卡持于所述第一凹陷部133，故所述信號(hào)端子2只有所述翼部22未被所述金屬層200包圍，其它部位均被所述金屬層200包圍，故所述信號(hào)端子2的屏蔽效果好。(2)所述翼部22與僅設(shè)有所述絕緣層300的所述第一凹陷部133卡持，能保證所述信號(hào)端子2與所述金屬層200有效的隔離。(3)所述翼部22上端設(shè)有凹ロ 222，使得所述第一讓位槽131與所述第一凹陷部 133連接處的所述金屬層200不會(huì)與所述信號(hào)端子2接觸，有效的保證所述信號(hào)端子2與所述金屬層200隔離。(4)所述第二固持槽142內(nèi)壁的所述金屬層200從上到下厚度逐漸變薄，所述絕緣層300從下到上厚度逐漸變薄，故所述接地端子3從上向下插設(shè)時(shí)容易刺破較薄的所述絕緣層300而與所述金屬層200導(dǎo)通。上詳細(xì)說明僅為本發(fā)明之較佳實(shí)施例的說明，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，所以，凡運(yùn)用本創(chuàng)作說明書及圖示內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種屏蔽連接器，其特征在干，包括ー絕緣本體具有一上表面，所述絕緣本體自上向下貫穿設(shè)有至少一信號(hào)端子槽和至少ー接地端子槽，所述信號(hào)端子槽具有一第一讓位槽和位于所述第一讓位槽下方的一第一固持槽；一金屬層設(shè)于所述上表面、所述第一讓位槽內(nèi)壁、所述第一固持槽的部分內(nèi)壁及所述接地端子槽內(nèi)壁，所述接地端子槽和所述信號(hào)端子槽可通過所述上表面上的所述金屬層電性連通；ー絕緣層設(shè)于所述信號(hào)端子槽內(nèi)壁和所述接地端子槽內(nèi)壁，且覆蓋于所述金屬層； 至少一信號(hào)端子，收容于所述信號(hào)端子槽，所述信號(hào)端子具有一第一基部固持于所述第一固持槽，及自所述第一基部延伸形成的一第一延伸部置于所述第一讓位槽；至少ー接地端子，收容于所述接地端子槽，所述接地端子具有一第二基部可穿過所述絕緣層與所述金屬層接觸導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽連接器，其特征在于所述第一基部左右兩側(cè)各設(shè)有一翼部。
3.如權(quán)利要求2所述的屏蔽連接器，其特征在于所述翼部上端設(shè)有ー凹ロ，所述凹ロ 設(shè)于所述第一固持槽與所述第一讓位槽連接處。
4.如權(quán)利要求2所述的屏蔽連接器，其特征在于所述第一固持槽內(nèi)設(shè)有一第一凹陷部，所述第一凹陷部?jī)?nèi)壁僅設(shè)有所述絕緣層，所述翼部卡持于所述第一凹陷部。
5.如權(quán)利要求1所述的屏蔽連接器，其特征在于所述信號(hào)端子還包括一第一接觸部位于所述第一延伸部末端，以及ー第一焊接部自所述第一基部向下延伸。
6.如權(quán)利要求1所述的屏蔽連接器，其特征在于所述第二基部包括ニ臂部，所述臂部抵靠于所述接地端子槽內(nèi)壁。
7.如權(quán)利要求1所述的屏蔽連接器，其特征在于所述第二基部側(cè)面設(shè)有至少ー突刺， 所述突刺刺破所述接地端子槽內(nèi)壁的所述絕緣層與所述金屬層導(dǎo)通。
8.如權(quán)利要求1所述的屏蔽連接器，其特征在于所述接地端子還包括一第二延伸部自所述第二基部向上延伸，一第二接觸部位于所述第二延伸部末端，以及ー第二焊接部自所述第二基部向下延伸。
9.一種如權(quán)利要求1所述的屏蔽連接器的制作方法，其特征在干，包括a、射出成型所述絕緣本體，在所述絕緣本體上開設(shè)所述信號(hào)端子槽和所述接地端子fe ；b、自上向下向所述信號(hào)端子槽和所述接地端子槽內(nèi)布設(shè)所述金屬層，使所述上表面、 所述第一讓位槽內(nèi)壁及所述接地端子槽內(nèi)壁均設(shè)有所述金屬層；c、自下向上插設(shè)所述信號(hào)端子于所述第一固持槽，使所述第一基部固持于所述第一固持槽，所述第一延伸部伸入所述第一讓位槽；d、自上向下插設(shè)所述接地端子于所述接地端子槽，使所述第二基部與所述金屬層導(dǎo)Ifi O
10.如權(quán)利要求9所述的屏蔽連接器的制作方法，其特征在于所述步驟b中布設(shè)所述金屬層的方式為真空濺鍍。
11.如權(quán)利要求9所述的屏蔽連接器的制作方法，其特征在于所述步驟b中，布設(shè)所述金屬層后自下向上向所述信號(hào)端子槽和所述接地端子槽內(nèi)布設(shè)所述絕緣層。
12.如權(quán)利要求11所述的屏蔽連接器的制作方法，其特征在于所述第二基部?jī)蓚?cè)設(shè)有突刺，所述突刺刺破所述接地端子槽內(nèi)壁的所述絕緣層與所述金屬層導(dǎo)通。
13.如權(quán)利要求9所述的屏蔽連接器的制作方法，其特征在于步驟b中，所述第一固持槽內(nèi)壁未設(shè)置所述金屬層。
14.如權(quán)利要求9所述的屏蔽連接器的制作方法，其特征在于步驟b中，所述第一固持槽的部分內(nèi)壁設(shè)有所述金屬層。
15.如權(quán)利要求14所述的屏蔽連接器的制作方法，其特征在于所述第一固持槽內(nèi)開設(shè)ー第一凹陷部，僅所述第一凹陷部?jī)?nèi)壁未設(shè)置所述金屬層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種屏蔽連接器及其制作方法，屏蔽連接器包括一絕緣本體，絕緣本體自上向下貫穿設(shè)有至少一信號(hào)端子槽和至少一接地端子槽，信號(hào)端子槽具有一第一讓位槽和位于第一讓位槽下方的一第一固持槽，一金屬層設(shè)于絕緣本體上表面、第一讓位槽內(nèi)壁、第一固持槽的部分內(nèi)壁及接地端子槽內(nèi)壁，接地端子槽和信號(hào)端子槽可通過上表面上的金屬層電性連通，一絕緣層設(shè)于信號(hào)端子槽內(nèi)壁和接地端子槽內(nèi)壁，至少一信號(hào)端子，信號(hào)端子具有一第一基部固持于第一固持槽，至少一接地端子，接地端子具有一第二基部可穿過絕緣層而與金屬層接觸導(dǎo)通，第一固持槽的部分內(nèi)壁僅設(shè)有絕緣層，使信號(hào)端子與金屬層有效的隔離，接地端子與金屬層有效的導(dǎo)通。
文檔編號(hào)H01R43/00GK102570191SQ20121001116
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者蔡友華 申請(qǐng)人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司