專(zhuān)利名稱(chēng)：電子部件以及基板模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件以及基板模塊，更進(jìn)一步而言，涉及內(nèi)置有電容器的電子部件以及基板模塊。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電子部件，例如已知有專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載的層疊陶瓷電容器。圖25是專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載的層疊陶瓷電容器500的剖面構(gòu)造圖。層疊陶瓷電容器500具備電介質(zhì)層502、內(nèi)部電極層504a、內(nèi)部電極層504b以及端子電極506a、端子電極506b。電介質(zhì)層502是通過(guò)層疊而構(gòu)成的層疊體。在層疊體中內(nèi)置內(nèi)部電極層504a、內(nèi)部電極層504b,通過(guò)隔著電介質(zhì)層502而相互對(duì)置來(lái)構(gòu)成電容器。內(nèi)部電極層504a、內(nèi)部電極層504b分別被引出至層疊體的相互對(duì)置的端面。端子電極506a、端子電極506b分別設(shè)置在層疊體的相互對(duì)置的端面上，并與內(nèi)部電極層504a、內(nèi)部電極層504b連接?？墒牵趯盈B陶瓷電容器500中，存在有要降低高頻頻帶中的插入損失的要求。專(zhuān)利文獻(xiàn)I JP特開(kāi)2000-306762號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在此，本發(fā)明的目的在于提供能夠降低高頻頻帶中的插入損失的電子部件以及基板模塊。本發(fā)明的第一方式所涉及的電子部件的特征在于具備長(zhǎng)方體狀的層疊體，其由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而形成；多個(gè)第一電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上；多個(gè)第一引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第一端面；多個(gè)第三引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，且引出至所述層疊體的第一側(cè)面，并且不與所述第一引出導(dǎo)體接觸；多個(gè)第二電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上；多個(gè)第二引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第二端面；多個(gè)第四引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，且引出至所述第一側(cè)面，并且不與所述第二引出導(dǎo)體接觸；第三電容導(dǎo)體，其設(shè)置所述電介質(zhì)層上，并且隔著所述電介質(zhì)層與所述第一電容導(dǎo)體以及所述第二電容導(dǎo)體對(duì)置；第一外部電極，其跨所述第一端面、所述第一側(cè)面以及所述層疊體的底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第一引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第三引出導(dǎo)體連接；和第二外部電極，其跨所述第二端面、所述第一側(cè)面以及所述底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第二引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第四引出導(dǎo)體連接。本發(fā)明的第二方式所涉及的電子部件的特征在于具備長(zhǎng)方體狀的層疊體，其由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而形成；多個(gè)第一電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上；多個(gè)第一引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第一端面；多個(gè)第三引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，且引出至所述層疊體的第一側(cè)面，并且不與所述第一引出導(dǎo)體接觸；多個(gè)第二電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上，并且隔著所述電介質(zhì)層與所述多個(gè)第一電容導(dǎo)體對(duì)置；多個(gè)第二引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第二端面；多個(gè)第四引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，且引出至所述第一側(cè)面，并且不與所述第二引出導(dǎo)體接觸；第一外部電極，其跨所述第一端面、所述第一側(cè)面以及所述層疊體的底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第一引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第三引出導(dǎo)體連接；和第二外部電極，其跨所述第二端面、所述第一側(cè)面以及所述底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第二引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第四引出導(dǎo)體連接。
本發(fā)明的ー實(shí)施方式所涉及的基板模塊的特征在于具備電路基板，其包含第一焊盤(pán)以及第ニ焊盤(pán)；以及安裝于所述電路基板的所述電子部件，其中，所述第一外部電極與所述第一焊盤(pán)連接，所述第二外部電極與所述第二焊盤(pán)連接。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠降低高頻頻帶中的插入損失。


圖I是第一實(shí)施方式所涉及的電子部件的外觀立體圖。圖2是圖I的電子部件的層疊體的分解立體圖。圖3是圖I的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖4(a)是基板模塊的剖面構(gòu)造圖，圖4(b)是從z軸方向的正方向側(cè)進(jìn)行俯視基板模塊時(shí)的圖。圖5是圖4的基板模塊的等效電路圖。圖6是比較例所涉及的電子部件的外觀立體圖。圖7是比較例所涉及的電子部件的層疊體的分解立體圖。圖8是表示第一樣品以及第ニ樣品的插入損失(S21)的曲線圖。圖9是表示第三樣品以及第四樣品的插入損失(S21)的曲線圖。圖10是表示第五樣品以及第六樣品的插入損失(S21)的曲線圖。圖11是表示第七樣品以及第八樣品的插入損失(S21)的曲線圖。圖12是第二實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖13是第三實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖14是第四實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖15是第五實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖16是第六實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖17是第七實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖18是第八實(shí)施方式所涉及的電子部件的層疊體的分解立體圖。圖19是圖18的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖20是基板模塊的剖面構(gòu)造圖。圖21是第九實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖22是第十實(shí)施方式所涉及的電子部件的內(nèi)部平面圖。圖23是第十一實(shí)施方式所涉及的電子部件的外觀立體圖。圖24是第十二實(shí)施方式所涉及的電子部件的外觀立體圖。
圖25是專(zhuān)利文獻(xiàn)I中記載的層疊陶瓷電容器的剖面構(gòu)造圖。符號(hào)說(shuō)明SI 上面S2 下面S3、S4 端面S5、S6 側(cè)面 10、IOa IOk 電子部件11層疊體12a、12b 外部電極17a 17g陶瓷層18a 18c、19a 19c、218a 218c、219a、219b 電容導(dǎo)體20a 20c、21a 21c、22a 22c、23a 23c、24a 24c、25a 25c、72a 72c、73a 73c、74a 74c、75a 75c、220a 220c、221a 221c、222a 222c、223a 223c、224a、224b、225a、225b、272a 272c,273a 273c、274a、274b、275a、275b 引出導(dǎo)體30a 30c、31a 31c、32a、32b、230a 230c、231a、231b 內(nèi)部導(dǎo)體40、40a基板模塊51電路基板52基板本體54信號(hào)導(dǎo)體55接地電極56通孔導(dǎo)體60a、60b 焊錫
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子部件以及基板模塊進(jìn)行說(shuō)明。(第一實(shí)施方式)(電子部件的構(gòu)成)首先，參照附圖，對(duì)第一實(shí)施方式所涉及的電子部件的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖I是第一實(shí)施方式所涉及的電子部件10的外觀立體圖。圖2是圖I的電子部件10的層疊體11的分解立體圖。圖3是圖I的電子部件的內(nèi)部平面圖。以下，將層疊體11的層疊方向定義為z軸方向。將從z軸方向俯視層疊體11時(shí)，層疊體11的長(zhǎng)邊所進(jìn)行延伸的方向定義為X軸方向。將從z軸方向俯視層疊體11時(shí)，層疊體11的短邊所進(jìn)行延伸的方向定義為I軸方向。電子部件10例如為片狀電容器(chip capacitor),如圖I至圖3所示,具備層疊體 U、外部電極 12(12a、12b)以及內(nèi)部導(dǎo)體 30 (30a 30c),31 (31a ~ 31c) ,32 (32a,32b)(圖I中未圖示)。層疊體11形成為長(zhǎng)方體狀。不過(guò)，層疊體11是通過(guò)實(shí)施倒棱而在角部以及棱線部形成呈圓形的形狀。以下，在層疊體11中，將z軸方向的正方向側(cè)的面設(shè)為上面SI，將z軸方向的負(fù)方向側(cè)的面設(shè)為下面S2。另外，將X軸方向的負(fù)方向側(cè)的面設(shè)為端面S3，將X軸方向的正方向側(cè)的面設(shè)為端面S4。另外，將y軸方向的正方向側(cè)的面設(shè)為側(cè)面S5，將y軸方向的負(fù)方向側(cè)的面設(shè)為側(cè)面S6。如圖2所示，層疊體11由多個(gè)陶瓷層17(17a 17g)從z軸方向的正方向側(cè)向負(fù)方向側(cè)按照其順序進(jìn)行排列地層疊而構(gòu)成。陶瓷層17形成為長(zhǎng)方形狀，由電介質(zhì)陶瓷來(lái)制作。以下，將陶瓷層17的z軸方向的正方向側(cè)的主面稱(chēng)為表面，將陶瓷層17的z軸方向的負(fù)方向側(cè)的主面稱(chēng)為背面。層疊體11的上面SI由設(shè)置于z軸方向的最靠正方向側(cè)的陶瓷層17a的表面而構(gòu)成。層疊體11的下面S2由設(shè)置于Z軸方向的最靠負(fù)方向側(cè)的陶瓷層17g的背面而構(gòu)成。另外，端面S3是通過(guò)陶瓷層17a 17g的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊相互疊合連接而構(gòu)成。端面S4是通過(guò)陶瓷層17a 17g的x軸方向的正方向側(cè)的短邊相互疊合連接而構(gòu)成。側(cè)面S5是通過(guò)陶瓷層17a 17g的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊相互疊合連接而構(gòu)成。側(cè)面S6是通過(guò)陶瓷層17a 17g的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊相互疊合連接而構(gòu)成。
如圖2及圖3所不，多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體30a 30c、3Ia 31c分別設(shè)置于不同的陶瓷層17b、17d、17f的表面上，并內(nèi)置于層疊體11中。另外，如圖2以及圖3所示，內(nèi)部導(dǎo)體32a、32b分別設(shè)置于陶瓷層17c、17e的表面上，井內(nèi)置于層疊體11中。即，內(nèi)部導(dǎo)體30、31與內(nèi)部導(dǎo)體32在z軸方向上交替地層疊。內(nèi)部導(dǎo)體30 (30a 30c)具有電容導(dǎo)體18 (18a 18c)以及引出導(dǎo)體20 (20a 20c)、22 (22a 22c)、23 (23a 23c)。電容導(dǎo)體18a 18c分別形成為長(zhǎng)方形狀，按照不與陶瓷層17b、17d、17f的外邊緣接觸的方式而設(shè)置于不同的陶瓷層17b、17d、17f的表面上。電容導(dǎo)體18設(shè)置于陶瓷層17的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的半邊區(qū)域內(nèi)。引出導(dǎo)體20a 20c分別與電容導(dǎo)體18a 18c連接，并且通過(guò)引出至層疊體11的端面S3而從端面S3露出。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體20從電容導(dǎo)體18的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊朝X軸方向的負(fù)方向側(cè)而引出。由此，引出導(dǎo)體20引出至陶瓷層17的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊。引出導(dǎo)體20的y軸方向的幅寬與電容導(dǎo)體18的y軸方向的幅寬ー致。引出導(dǎo)體22a 22c分別與電容導(dǎo)體18a 18c連接，并且通過(guò)引出至層疊體11的側(cè)面S5而從側(cè)面S5露出。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體22從電容導(dǎo)體18的y軸方向的正方向側(cè)的短邊中的X軸方向的正方向側(cè)的端部朝y軸方向的正方向側(cè)而延伸。由此，引出導(dǎo)體22引出至比陶瓷層17的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊中點(diǎn)更靠向X軸方向的負(fù)方向側(cè)的位置。另外，引出導(dǎo)體22不與引出導(dǎo)體20接觸。引出導(dǎo)體23a 23c分別與電容導(dǎo)體18a 18c連接，并且通過(guò)引出至層疊體11的側(cè)面S6而從側(cè)面S6露出。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體23從電容導(dǎo)體18的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊中的X軸方向的正方向側(cè)的端部朝y軸方向的負(fù)方向側(cè)而延伸。由此，引出導(dǎo)體23引出至比陶瓷層17的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊中點(diǎn)更靠向X軸方向的負(fù)方向側(cè)的位置。另外，引出導(dǎo)體23不與引出導(dǎo)體20接觸。內(nèi)部導(dǎo)體31 (31a 31c)具有電容導(dǎo)體19 (19a 19c)以及引出導(dǎo)體21 (21a 21c)、24(24a 24c)、25(25a 25c)。電容導(dǎo)體19a 19c形成為長(zhǎng)方形狀，按照與陶瓷層17b、17d、17f的外邊緣不接觸的方式而分別設(shè)置在不同的陶瓷層17b、17d、17f的表面上。電容導(dǎo)體19設(shè)置于陶瓷層17的X軸方向的正方向側(cè)的半邊區(qū)域內(nèi)。電容導(dǎo)體18、19設(shè)置在相同陶瓷層17的表面上且相互對(duì)置。引出導(dǎo)體21a 21c分別與電容導(dǎo)體19a 19c連接，并且通過(guò)引出至層疊體11的端面S4而從端面S4露出。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體21從電容導(dǎo)體19的X軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊朝X軸方向的正方向側(cè)而引 出。由此，引出導(dǎo)體21引出至陶瓷層17的X軸方向的正方向側(cè)的短邊。引出導(dǎo)體21的y軸方向的幅寬與電容導(dǎo)體19的y軸方向的幅寬一致。引出導(dǎo)體24a 24c分別與電容導(dǎo)體19a 19c連接，并且通過(guò)引出至層疊體11的側(cè)面S5而從側(cè)面S5露出。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體24從電容導(dǎo)體19的y軸方向的正方向側(cè)的短邊中的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部朝y軸方向的正方向側(cè)而延伸。由此，引出導(dǎo)體24引出至比陶瓷層17的y軸方向的正方向側(cè)的長(zhǎng)邊中點(diǎn)更靠向X軸方向的正方向側(cè)的位置。即，引出導(dǎo)體24在從z軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，處于比引出導(dǎo)體22更靠向X軸方向的正方向側(cè)的位置。另外，引出導(dǎo)體24不與引出導(dǎo)體21接觸。引出導(dǎo)體25a 25c分別與電容導(dǎo)體19a 19c連接，并且通過(guò)引出至層疊體11的側(cè)面S6而從側(cè)面S6露出。更詳細(xì)而言，引出導(dǎo)體25從電容導(dǎo)體19的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的短邊中的X軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部朝y軸方向的負(fù)方向側(cè)而延伸。由此，引出導(dǎo)體25引出至比陶瓷層17的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的長(zhǎng)邊中點(diǎn)更靠向X軸方向的正方向側(cè)的位置。即，在從z軸方向俯視時(shí)，引出導(dǎo)體25處于比引出導(dǎo)體23更靠向X軸方向的正方向側(cè)的位置。另外，引出導(dǎo)體25不與引出導(dǎo)體21接觸。內(nèi)部導(dǎo)體32a、32b分別形成為長(zhǎng)方形狀，其是按照不與陶瓷層17c、17e的外邊緣接觸的方式而設(shè)置在陶瓷層17c、17e的表面上的電容導(dǎo)體。內(nèi)部導(dǎo)體32設(shè)置在與設(shè)置電容導(dǎo)體18、19的陶瓷層17不同的陶瓷層17的表面，并隔著陶瓷層17與電容導(dǎo)體18、19對(duì)置。其結(jié)果，分別在電容導(dǎo)體18與內(nèi)部導(dǎo)體32之間以及電容導(dǎo)體19與內(nèi)部導(dǎo)體32之間產(chǎn)生電容。電容導(dǎo)體18與內(nèi)部導(dǎo)體32之間產(chǎn)生的電容和電容導(dǎo)體19與內(nèi)部導(dǎo)體32之間產(chǎn)生的電容進(jìn)行串聯(lián)連接。外部電極12a跨端面S3、上面SI、下面S2以及側(cè)面S5、S6而設(shè)置，并且分別與引出導(dǎo)體20a 20c、22a 22c、23a 23c連接。更詳細(xì)而言，外部電極12a按照對(duì)引出導(dǎo)體20a 20c從端面S3露出的部分進(jìn)行覆蓋的方式，覆蓋層疊體11的端面S3的整個(gè)面。并且，外部電極12a由端面S3向上面SI、下面S2以及側(cè)面S5、S6進(jìn)行翻折。接下來(lái)，外部電極12a按照對(duì)引出導(dǎo)體22a 22c、23a 23c從側(cè)面S5、S6露出的部分進(jìn)行覆蓋的方式，覆蓋層疊體11的側(cè)面S5、S6。外部電極12b跨端面S4、上面SI、下面S2以及側(cè)面S5、S6而設(shè)置，并且分別與引出導(dǎo)體21a 21c、24a 24c、25a 25c連接。更詳細(xì)而言，外部電極12b按照對(duì)引出導(dǎo)體21a 21c從端面S4所露出的部分進(jìn)行覆蓋的方式，覆蓋層疊體11的端面S4的整個(gè)面。并且，外部電極12b從端面S4向上面SI、下面S2以及側(cè)面S5、S6進(jìn)行翻折。接下來(lái)，外部電極12b按照對(duì)引出導(dǎo)體24a 24c，25a 25c從側(cè)面S5、S6露出的部分進(jìn)行覆蓋的方式，覆蓋層疊體11的側(cè)面S5、S6。在此，如圖I所示，外部電極12a的在側(cè)面S5、S6中的X軸方向的幅寬比外部電極12a的在上面SI、下面S2中的X軸方向的幅寬要大。相同地，外部電極12b的在側(cè)面S5、S6中的X軸方向的幅寬比外部電極12b的上面SI、下面S2中的X軸方向的幅寬要大。由此，在側(cè)面S5、S6中的外部電極12a與外部電極12b之間的間隔Dl比在底面S2中的外部電極12a與外部電極12b之間的間隔D2要小。另外，在側(cè)面S5、S6中，外部電極12a與外部電極12b之間不設(shè)置保持與外部電極12a、12b的電位不同的電位的外部電極。即，在外部電極12a、12b間不設(shè)置外部電極。(電子部件的制造方法)接下來(lái)，對(duì)電子部件10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。另外，關(guān)于附圖，引用圖I至圖3。首先，按照將作為主成分的BaTiO3, CaTi03、SrTiO3或者CaZrO3，和作為副成分的Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物或者稀土類(lèi)化合物以規(guī)定的比率進(jìn)行稱(chēng)量并投入至球磨機(jī)(ball mill)中，進(jìn)行濕式調(diào)制混合。對(duì)所獲得的混合物進(jìn)行干燥后粉碎，對(duì)所獲得的粉末進(jìn)行預(yù)燒。通過(guò)球磨機(jī)對(duì)所獲得的預(yù)燒粉末進(jìn)行濕式粉碎后，進(jìn)行干燥并粉碎，由此獲得電介質(zhì)陶瓷粉末。針對(duì)該電介質(zhì)陶瓷粉末，加入有機(jī)粘合劑以及有機(jī)溶劑，通過(guò)球磨機(jī)進(jìn)行混合。將所獲得的陶瓷漿通過(guò)刀刮(doctor blade)法在載片上形成片狀并使之干燥，制作要成為陶瓷層17的陶瓷生片。陶瓷層17的燒成后的厚度優(yōu)選為O. 5 μ m以上且10 μ m以下。接下來(lái)，在要成為陶瓷層17的陶瓷生片上，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法或光刻法等的方法涂敷由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膏，形成內(nèi)部導(dǎo)體30 32。由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的膏例如是在金屬粉末中加入有機(jī)粘合劑以及有機(jī)溶劑而得到的。金屬粉末例如為Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。內(nèi)部導(dǎo)體30 32的燒成后的厚度優(yōu)選為O. 3 μ m以上且2. 0 μ m以下。接下來(lái)，將要成為陶瓷層17的陶瓷生片進(jìn)行層疊由此獲得未燒成的母層疊體。其后，通過(guò)等靜壓機(jī)對(duì)未燒成的母層疊體進(jìn)行壓接。接下來(lái)，將未燒成的母層疊體切成規(guī)定尺寸，獲得多個(gè)未燒成的層疊體11。其后，在層疊體11的表面實(shí)施滾筒拋光加工等的拋光加工。接下來(lái)，對(duì)未燒成的層疊體11進(jìn)行燒成。燒成溫度例如優(yōu)選為900°C以上且1300°C以下。通過(guò)以上的エ序，完成了層疊體11的準(zhǔn)備。接下來(lái)，在層疊體11上形成外部電極12。具體而言，通過(guò)公知的浸潰法或縫隙エ法等，在層疊體11的表面涂敷導(dǎo)電性膏。接下來(lái)，通過(guò)將導(dǎo)電性膏以700°C以上且900°C以下的溫度進(jìn)行燒制粘接，形成外部電極12的基底電極。作為導(dǎo)電性膏的材料，例如可舉出Cu、Ni、Ag、Pd、Ag_Pd合金、Au等?；纂姌O的厚度優(yōu)選為10 μ m以上且50 μ m以下。接下來(lái)，在基底電極上進(jìn)行鍍敷，完成形成外部電極12。作為鍍敷層的材料,例如可舉出Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等。另外，也可以是進(jìn)行多次鍍敷，在基底電極上形成多層的鍍敷層。通過(guò)以上的エ序，完成形成電子部件10。(基板模塊的構(gòu)成)接下來(lái)，參照附圖，對(duì)具有電子部件10的基板模塊40進(jìn)行說(shuō)明。圖4(a)是基板模塊40的剖面構(gòu)造圖，圖4 (b)是從z軸方向的正方向側(cè)俯視基板模塊40時(shí)的圖。圖5是圖4的基板模塊40的等效電路圖。如圖4(a)所示，基板模塊40具備電子部件10以及電路基板51。電路基板51包括基板本體52、信號(hào)導(dǎo)體54、接地電極55、通孔導(dǎo)體56以及接地導(dǎo)體G。基板本體52是由多個(gè)陶瓷層以及導(dǎo)體層進(jìn)行層疊而形成的層疊基板，在其主面以及內(nèi)部具有電氣電路。信號(hào)導(dǎo)體54設(shè)置在基板本體52的z軸方向的正方向側(cè)的主面上，如圖4(b)所示，沿y軸方向延伸。在信號(hào)導(dǎo)體54的y軸方向的正方向側(cè)的端部，設(shè)置有未圖示的輸入端口 P1，在信號(hào)導(dǎo)體54的y軸方向的負(fù)方向側(cè)的端部，設(shè)置有未圖示的輸出端口 P2。接地電極55設(shè)置在電路基板51的z軸方向的正方向側(cè)的主面上，如圖4(b)所示，形成為長(zhǎng)方形狀。接地導(dǎo)體G設(shè)置在基板本體52內(nèi)，保持接地電位。接地導(dǎo)體G與未圖示的接地端口 P3連接。通孔導(dǎo)體56設(shè)置在基板本體52內(nèi)，與接地電極55和接地導(dǎo)體G連接。由此，接地電極55也保持接地電位。
電子部件10安裝在電路基板51上。更詳細(xì)而言，外部電極12a通過(guò)焊錫60a，與信號(hào)導(dǎo)體54連接。另外，外部電極12b通過(guò)焊錫60b與接地電極55連接。由此，基板模塊40成為具有如圖5所示的電路構(gòu)成。即，信號(hào)導(dǎo)體54連接輸入端口 Pl和輸出端口 P2。接下來(lái)，電子部件10設(shè)置于信號(hào)導(dǎo)體54和接地端口 P3之間。圖5中，電容器C、電阻R以及線圈L示出電子部件10所具有的靜電電容、電阻以及電感?；迥K40通過(guò)具有圖5所示的構(gòu)成，高頻信號(hào)從輸入端口 Pl輸入，并從輸出端口 P2輸出。并且，在從輸入端口 Pl輸入的高頻信號(hào)中，電子部件10的共振頻率的高頻信號(hào)不從輸出端口 P2輸出，而從接地端口P3輸出。另外，基板模塊40的電路構(gòu)成并不限于圖5。由此，基板模塊40中，電子部件10也可以設(shè)置在輸入端口 Pl和輸出端口 P2之間。(效果)根據(jù)以上的電子部件10，如以下說(shuō)明的那樣，能夠降低高頻頻帶中的插入損失。圖6是比較例所涉及的電子部件110的外觀立體圖。圖7是比較例所涉及的電子部件110的層疊體111的分解立體圖。比較例所涉及的電子部件110是去除了電子部件10中的引出導(dǎo)體22 25以及側(cè)面S5、S6上的外部電極12的電子部件。在此，對(duì)電子部件110中與電子部件10相同構(gòu)成賦予在電子部件10的構(gòu)成的參照符號(hào)加100后的參照符號(hào)。在比較例所涉及的電子部件110中，高頻信號(hào)從信號(hào)導(dǎo)體起經(jīng)由外部電極112a輸入至電子部件110內(nèi)，經(jīng)由外部電極112b而向接地電極輸出。此時(shí)，高頻信號(hào)按照信號(hào)導(dǎo)體、外部電極112a、引出導(dǎo)體120、電容導(dǎo)體118、內(nèi)部導(dǎo)體132、電容導(dǎo)體119、引出導(dǎo)體121、外部電極112b、接地電極的順序而流過(guò)。即，在比較例的電子部件110中，高頻信號(hào)僅通過(guò)I條路徑。相對(duì)于此，在電子部件10中，高頻信號(hào)從信號(hào)導(dǎo)體54起經(jīng)由外部電極12a輸入至電子部件10內(nèi)，經(jīng)由外部電極12b向接地電極55輸出。此時(shí)，作為高頻信號(hào)通過(guò)的路徑，存在有以下說(shuō)明的第一路徑至第五路徑。第一路徑是高頻信號(hào)按照信號(hào)導(dǎo)體54、外部電極12a、引出導(dǎo)體20、電容導(dǎo)體18、內(nèi)部導(dǎo)體32、電容導(dǎo)體19、引出導(dǎo)體21、外部電極12b、接地電極55的順序而流過(guò)的路徑。第二路徑是高頻信號(hào)按照信號(hào)導(dǎo)體54、外部電極12a、引出導(dǎo)體20、電容導(dǎo)體18、引出導(dǎo)體22，23、外部電極12a、外部電極12b、接地電極55的順序而流過(guò)的路徑。第三路徑是高頻信號(hào)按照信號(hào)導(dǎo)體54、外部電極12a、引出導(dǎo)體22, 23、電容導(dǎo)體18、內(nèi)部導(dǎo)體32、電容導(dǎo)體19、引出導(dǎo)體21、外部電極12b、接地電極55的順序而流過(guò)的路徑。第四路徑是高頻信號(hào)按照信號(hào)導(dǎo)體54、外部電極12a、引出導(dǎo)體22，23、電容導(dǎo)體18、內(nèi)部導(dǎo)體32、電容導(dǎo)體19、弓丨出導(dǎo)體24，25、外部電極12b、接地電極55的順序而流過(guò)的路徑。第五路徑是高頻信號(hào)按照信號(hào)導(dǎo)體54、外部電極12a、外部電極12b、接地電極55的順序而流過(guò)的路徑。
在此，第二路徑以及第五路徑中，高頻信號(hào)通過(guò)外部電極12a和外部電極12b之間的層疊體11內(nèi)，由此,從外部電極12a向外部電極12b通過(guò)。在這些路徑中，比I階共振點(diǎn)高的頻率的高頻信號(hào)流過(guò)。另外，高頻信號(hào)為了從外部電極12a向外部電極12b流過(guò)，在側(cè)面S5、S6中，外部電極12a和外部電極12b之間,優(yōu)選不設(shè)置保持與外部電極12a、12b的電位不同電位的外部電極。 另外，高頻信號(hào)為了從外部電極12a向外部電極12b流過(guò)，外部電極12a和外部電極12b之間的間隔優(yōu)選盡可能地小，例如，優(yōu)選為50 ii m以上且200 u m以下。如上所述，與電子部件110相比較，在電子部件10中增加了第二 第五路徑，由此ESL降低。其結(jié)果，與電子部件110相比較，電子部件10的I階共振點(diǎn)以及2階共振點(diǎn)向高頻側(cè)移動(dòng)，從而能夠降低高頻頻帶中的插入損失。另外，在比較電子部件10與電子部件110的情況下，與I階共振點(diǎn)的移動(dòng)幅度相比較，2階共振點(diǎn)的移動(dòng)幅度具有變大的傾向，這是由于電子部件10中的第二路徑以及第五路徑的影響。在電子部件10以及電子部件110中，頻率比I階共振點(diǎn)高的高頻信號(hào)在接近于電路基板51的部分中集中流過(guò)，在下面附近形成相對(duì)小的電容，其共振點(diǎn)表現(xiàn)為2階共振點(diǎn)。在此，電子部件10中，高頻信號(hào)通過(guò)流過(guò)第二路徑至第五路徑，由于特別是降低相對(duì)小的電容的ESL，進(jìn)而推測(cè)出2階共振點(diǎn)較大地向高頻側(cè)移動(dòng)。另外，在比較電子部件10和電子部件110的情況下，電子部件10的2階共振點(diǎn)的谷底有變淺的傾向。如此，2階共振點(diǎn)遠(yuǎn)離I階共振點(diǎn)，2階共振點(diǎn)的谷底變淺的情況下，具有能夠防止以I階共振點(diǎn)和2階共振點(diǎn)之間的頻率進(jìn)行動(dòng)作的器件發(fā)生誤動(dòng)作的可能性。另外，電子部件10能夠抑制在將其安裝于電路基板51時(shí)產(chǎn)生短路。更詳細(xì)而言，側(cè)面S5、S6上的外部電極12a和外部電極12b之間的間隔Dl比底面S2上的外部電極12a和外部電極12b之間的間隔D2小。S卩，底面S2中，外部電極12a和外部電極12b之間的間隔大。由此，外部電極12a和外部電極12b之間通過(guò)焊錫而連接的可能性低。由此，電子部件10能夠抑制在將其安裝于電路基板51時(shí)產(chǎn)生短路。電子部件10中，能夠抑制分層(delamination)的產(chǎn)生。更詳細(xì)而言，電子部件在層疊體的角部易于產(chǎn)生分層。在角部如果引出電極與陶瓷層進(jìn)行層疊時(shí)引出電極和陶瓷層之間尤其易產(chǎn)生分層。在此，電子部件10中，引出導(dǎo)體20、21不引出至層疊體10的角部。由此，電子部件10中，能夠抑制分層的產(chǎn)生。并且，電子部件10中，在層疊體11的角部不露出引出電極20、21，所以能夠提高電子部件10的耐濕性。(實(shí)驗(yàn))本申請(qǐng)發(fā)明者為了進(jìn)一步明確電子部件10所產(chǎn)生的效果，進(jìn)行了以下說(shuō)明的實(shí)驗(yàn)。具體而言，制作了圖I以及圖2所示的電子部件10的樣品(以下，第一樣品、第三樣品、第五樣品、第七樣品)以及圖6以及圖7所示的電子部件110(第二樣品、第四樣品、第六樣品、第八樣品)。接下來(lái)，將各樣品安裝于圖4所示的電路基板上，并利用網(wǎng)絡(luò)分析器(agilent公司制造8722D( 了 '/> >卜社製(8722D))，對(duì)第一樣品至第八樣品的ESL、以及輸入端口 Pl和輸出端口 P2之間的插入損失(S21)進(jìn)行了測(cè)定。首先，對(duì)各樣品的條件進(jìn)行說(shuō)明。
尺寸1.60mm(L) X0. 85mm(W) X I. 70mm(T)內(nèi)部導(dǎo)體以及外部電極的材料Cu陶瓷層的相對(duì)介電常數(shù)(e ) :27元件厚(內(nèi)部導(dǎo)體30、31的間隔)122um外層厚度(從內(nèi)部導(dǎo)體30a、31a至層疊體11的上面SI的距離以及從內(nèi)部導(dǎo)體
30c、31c至層疊體11的下面S2的距離)88iim表I是示出各樣品的條件的表。表I
權(quán)利要求
1.一種電子部件，其特征在于具備 長(zhǎng)方體狀的層疊體，其由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而形成； 多個(gè)第一電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上； 多個(gè)第一引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第一端面； 多個(gè)第三引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，且引出至所述層疊體的第一側(cè)面，并且不與所述第一引出導(dǎo)體接觸； 多個(gè)第二電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上； 多個(gè)第二引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第二端面； 多個(gè)第四引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，且引出至所述第一側(cè)面，并且不與所述第二引出導(dǎo)體接觸； 第三電容導(dǎo)體，其設(shè)置所述電介質(zhì)層上，并且隔著所述電介質(zhì)層與所述第一電容導(dǎo)體以及所述第二電容導(dǎo)體對(duì)置； 第一外部電極，其跨所述第一端面、所述第一側(cè)面以及所述層疊體的底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第一引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第三引出導(dǎo)體連接；和 第二外部電極，其跨所述第二端面、所述第一側(cè)面以及所述底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第二引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第四引出導(dǎo)體連接。
2.一種電子部件，其特征在于具備 長(zhǎng)方體狀的層疊體，其由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而形成； 多個(gè)第一電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上； 多個(gè)第一引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第一端面； 多個(gè)第三引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，且引出至所述層疊體的第一側(cè)面，并且不與所述第一引出導(dǎo)體接觸； 多個(gè)第二電容導(dǎo)體，其分別設(shè)置在不同的所述電介質(zhì)層上，并且隔著所述電介質(zhì)層與所述多個(gè)第一電容導(dǎo)體對(duì)置； 多個(gè)第二引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第二端面； 多個(gè)第四引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，且引出至所述第一側(cè)面，并且不與所述第二引出導(dǎo)體接觸； 第一外部電極，其跨所述第一端面、所述第一側(cè)面以及所述層疊體的底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第一引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第三弓I出導(dǎo)體連接；和 第二外部電極，其跨所述第二端面、所述第一側(cè)面以及所述底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第二引出導(dǎo)體以及所述多個(gè)第四引出導(dǎo)體連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電子部件，其特征在于 所述第一側(cè)面中的所述第一外部電極與所述第二外部電極的間隔小于所述底面中的該第一外部電極與該第二外部電極之間的間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任意一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于在所述第一側(cè)面，所述第一外部電極與所述第二外部電極之間不設(shè)置保持與該第一外部電極的電位以及該第二外部電極的電位不同的電位的外部電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任意一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于， 還具備 多個(gè)第五引出導(dǎo)體，其分別與各所述第一電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述層疊體的第二側(cè)面；以及 多個(gè)第六引出導(dǎo)體，其分別與各所述第二電容導(dǎo)體連接，并且引出至所述第二側(cè)面，其中，所述第一外部電極跨所述第一端面、所述第一側(cè)面、所述第二側(cè)面以及所述底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第五引出導(dǎo)體連接， 所述第二外部電極跨所述第二端面、所述第一側(cè)面、所述第二側(cè)面以及所述底面而設(shè)置，并且與所述多個(gè)第六引出導(dǎo)體連接。
6.一種基板模塊，其特征在于，具備 電路基板，其包含第一焊盤(pán)以及第二焊盤(pán)；和 安裝于所述電路基板的權(quán)利要求I至5的任意一項(xiàng)所述的電子部件， 其中，所述第一外部電極與所述第一焊盤(pán)連接， 所述第二外部電極與所述第二焊盤(pán)連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子部件以及基板模塊，能夠降低高頻頻帶中的插入損失。層疊體(11)中內(nèi)置有用于形成電容器的電容導(dǎo)體(18、19)以及內(nèi)部導(dǎo)體(32)。第一外部電極經(jīng)由引出導(dǎo)體(20、22、23)與電容導(dǎo)體(18)連接。第二外部電極經(jīng)由引出導(dǎo)體(21、24、25)與電容導(dǎo)體(19)連接。內(nèi)部導(dǎo)體(32)與電容導(dǎo)體(18、19)相對(duì)置。
文檔編號(hào)H01G4/005GK102623179SQ20121001554
公開(kāi)日2012年8月1日 申請(qǐng)日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月28日
發(fā)明者川口慶雄, 黑田譽(yù)一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所