專利名稱：發(fā)光二極管芯片、封裝基板、封裝結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法，尤指一種打線型式的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于發(fā)光二極管(light emitting diode,簡(jiǎn)稱LED)具備效率高、不易破損、環(huán)保、高可靠性、使用壽命長(zhǎng)、耗電量低、無(wú)須暖燈時(shí)間、與反應(yīng)時(shí)間快速等傳統(tǒng)光源無(wú)法與的比較的優(yōu)秀性能，所以發(fā)光二極管的應(yīng)用產(chǎn)品與日俱增。而隨著各種顏色的發(fā)光二極管的研發(fā)成功，更開(kāi)啟發(fā)光二極管的照明應(yīng)用時(shí)代。在節(jié)能省碳的趨勢(shì)持續(xù)上升的情況下，發(fā)光二極管的照明市場(chǎng)逐漸擴(kuò)展成為未來(lái)主要趨勢(shì)，并逐漸取代傳統(tǒng)冷陰極管、鹵素?zé)艋虬谉霟襞莸裙庠础５S著LED的功率大幅提升，LED的工作溫度也大幅上升，該溫度主要會(huì)影響LED的發(fā)光效率與壽命。當(dāng)LED的散熱效率不好時(shí)，會(huì)造成工作溫度上升，使LED的pn接面的溫度升高，Pn接面的溫度與發(fā)光亮度呈現(xiàn)反比關(guān)系，溫度愈是升高，LED亮度就愈衰減，SP發(fā)光效率減低。另外，對(duì)于LED的壽命而言，假設(shè)LED的工作溫度一直保持在50°C以下，則有將近20，000小時(shí)的壽命，而當(dāng)工作溫度升高至75°C時(shí)，壽命就只剩下10，000小時(shí)，所以工作溫度對(duì)LED的壽命相當(dāng)重要。綜上所述，散熱對(duì)于LED而言，是非常重要的考量因素。請(qǐng)參閱圖1，其為現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖，如圖所示，其通過(guò)將例如高導(dǎo)熱銀膠或錫膏的粘著層11全面性地涂布于金屬材質(zhì)的封裝基板10的置晶墊101上，再把發(fā)光二極管芯片12接置于該粘著層11上，此種方式因?qū)崦娣e大，故可提供較佳的導(dǎo)熱效果。然而，因?yàn)榘l(fā)光二極管芯片12與封裝基板10的熱膨脹系數(shù)(CTE)并不匹配(mismatch),使得最終發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在經(jīng)過(guò)冷熱循環(huán)的可靠度試驗(yàn)后,所產(chǎn)生的熱應(yīng)力容易造成兩者的交界面處的剝離現(xiàn)象。因此，如何避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的種種問(wèn)題，以解決發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)容易因熱膨脹系數(shù)不匹配而產(chǎn)生過(guò)大熱應(yīng)力的問(wèn)題，進(jìn)而提升整體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性，實(shí)已成為目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法，能有效對(duì)付熱膨脹系數(shù)不匹配所造成的應(yīng)力問(wèn)題。本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)包括:具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面的基材本體,該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊；形成于該基材本體的非主動(dòng)面上的絕緣層，且該絕緣層具有多個(gè)貫穿該絕緣層的絕緣層開(kāi)孔；以及對(duì)應(yīng)形成于各該絕緣層開(kāi)孔中的多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)，其包括:具有置晶墊的基板本體；形成于該置晶墊上的絕緣層，且該絕緣層具有多個(gè)貫穿該絕緣層的絕緣層開(kāi)孔；以及對(duì)應(yīng)形成于各該絕緣層開(kāi)孔中的多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括:封裝基板，其上具有置晶墊;第一絕緣層，其形成于該置晶墊上，且具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層的第一絕緣層開(kāi)孔；發(fā)光二極管芯片，其具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊；第二絕緣層，其形成于該發(fā)光二極管芯片的非主動(dòng)面上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層的第二絕緣層開(kāi)孔，該第二絕緣層接置于該置晶墊上；以及多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件，其對(duì)應(yīng)形成于各該第一絕緣層開(kāi)孔與對(duì)應(yīng)位于各該第二絕緣層開(kāi)孔中。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其包括:提供一封裝基板，該封裝基板具有置晶墊與第一絕緣層，該第一絕緣層形成于該置晶墊上，且該第一絕緣層具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層的第一絕緣層開(kāi)孔；以及借由多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件將一發(fā)光二極管芯片接置于該封裝基板上，該發(fā)光二極管芯片具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，且該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊，該發(fā)光二極管芯片更具有第二絕緣層，其形成于該發(fā)光二極管芯片的非主動(dòng)面上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層的第二絕緣層開(kāi)孔，令該等金屬導(dǎo)熱組件對(duì)應(yīng)位于各該第一絕緣層開(kāi)孔與第二絕緣層開(kāi)孔中。由上可知，因?yàn)楸景l(fā)明利用多個(gè)矩陣式排列的導(dǎo)熱組件將發(fā)光二極管芯片設(shè)置于發(fā)光二極管封裝基板的置晶墊上，所以可以在影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱能力的最低程度下，有效減少因熱膨脹系數(shù)不匹配所造成的應(yīng)力問(wèn)題，進(jìn)而提升整體可靠度。


圖1為現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2A至圖2G為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法的第一實(shí)施例的剖視圖，其中，圖2A-1、圖2A-2與圖2A-3為圖2A的仰視圖的不同實(shí)施例。圖3A至圖3G為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法的第二實(shí)施例的剖視圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明10封裝基板101,31 置晶墊11粘著層12、2 發(fā)光二極管芯片20基材本體20a 主動(dòng)面20b非主動(dòng)面201電極墊21反射層22金屬層23第二絕緣層
230 第二絕緣層開(kāi)孔
24第一金屬導(dǎo)熱組件3發(fā)光二極管封裝基板30基板本體32焊墊33第一絕緣層330第一絕緣層開(kāi)孔34第二金屬導(dǎo)熱組件51焊線52螢光層53透明材料54金屬導(dǎo)熱組件。
具體實(shí)施例方式以下借由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”、“外”及“一”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。第一實(shí)施例請(qǐng)參閱圖2A至圖2G，其為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法的第一實(shí)施例的剖視圖，其中，圖2A-1、圖2A-2與圖2A-3為圖2A的仰視圖的不同實(shí)施例。首先，如圖2A所示，提供一發(fā)光二極管芯片2，其包括:基材本體20，其具有相對(duì)的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b，該主動(dòng)面20a上具有多個(gè)電極墊201，該非主動(dòng)面20b包括依序形成的反射層21與金屬層22 ;第二絕緣層23，其形成于該基材本體20的非主動(dòng)面20b上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層23的第二絕緣層開(kāi)孔230。如圖2A-1、圖2A-2與圖2A-3所示，各該第二絕緣層開(kāi)孔230呈圓形或多邊形(例如矩形與八角形)，且該等第二絕緣層開(kāi)孔230呈矩陣排列。如圖2B所示，于各該第二絕緣層開(kāi)孔230中對(duì)應(yīng)形成例如金屬導(dǎo)熱球的第一金屬導(dǎo)熱組件24。如圖2C所示，提供一發(fā)光二極管封裝基板3，其包括:基板本體30，其上具有置晶墊31與多個(gè)焊墊32，該焊墊32設(shè)置于該置晶墊31的外緣，該基板本體30較佳為金屬核心印刷電路板(Metal Core Printed Circuit Board,簡(jiǎn)稱MCPCB),以增進(jìn)整體散熱性能；第一絕緣層33，其形成于該置晶墊31上，且具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層33的第一絕緣層開(kāi)孔330 ;例如金屬導(dǎo)熱層的多個(gè)第二金屬導(dǎo)熱組件34，其對(duì)應(yīng)形成于各該第一絕緣層開(kāi)孔330中。
如圖2D所示，將該發(fā)光二極管芯片2接置于該發(fā)光二極管封裝基板3上，各該第一金屬導(dǎo)熱組件24對(duì)應(yīng)連接各該第二金屬導(dǎo)熱組件34，且各該第一金屬導(dǎo)熱組件24與各該第二金屬導(dǎo)熱組件34結(jié)合而構(gòu)成金屬導(dǎo)熱組件54。如圖2E所示，形成多個(gè)電性連接該電極墊201與焊墊32的焊線51。如圖2F所示，形成包覆該發(fā)光二極管芯片2的螢光層52。如圖2G所示，于該螢光層52、置晶墊31、焊墊32與焊線51上覆蓋透明材料53。第二實(shí)施例請(qǐng)參閱圖3A至圖3G，其為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法的第二實(shí)施例的剖視圖。首先，如圖3A所示，提供一發(fā)光二極管芯片2，其包括:基材本體20，其具有相對(duì)的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b，該主動(dòng)面20a上具有多個(gè)電極墊201，該非主動(dòng)面20b包括依序形成的反射層21與金屬層22 ;第二絕緣層23，其形成于該基材本體20的非主動(dòng)面20b上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層23的第二絕緣層開(kāi)孔230。如圖3B所示，于各該第二絕緣層開(kāi)孔230中對(duì)應(yīng)形成例如金屬導(dǎo)熱層的第一金屬導(dǎo)熱組件24。如圖3C所示，提供一發(fā)光二極管封裝基板3，其包括:基板本體30，其上具有置晶墊31與多個(gè)焊墊32，該焊墊32設(shè)置于該置晶墊31的外緣；第一絕緣層33，其形成于該置晶墊31上，且具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層33的第一絕緣層開(kāi)孔330 ;例如金屬導(dǎo)熱層的多個(gè)第二金屬導(dǎo)熱組件34，其對(duì)應(yīng)形成于各該第一絕緣層開(kāi)孔330中。如圖3D所示，將該發(fā)光二極管芯片2接置于該發(fā)光二極管封裝基板3上，各該第一金屬導(dǎo)熱組件24對(duì)應(yīng)連接各該第二金屬導(dǎo)熱組件34，且各該第一金屬導(dǎo)熱組件24與各該第二金屬導(dǎo)熱組件34結(jié)合而構(gòu)成金屬導(dǎo)熱組件54。如圖3E所示，形成多個(gè)電性連接該電極墊201與焊墊32的焊線51。如圖3F所示，形成包覆該發(fā)光二極管芯片2的螢光層52。如圖3G所示，于該螢光層52、置晶墊31、焊墊32與焊線51上覆蓋透明材料53。要注意的是，實(shí)施本發(fā)明時(shí)，也可僅形成該第一金屬導(dǎo)熱組件24與該第二金屬導(dǎo)熱組件34的其中一個(gè)，且該第一金屬導(dǎo)熱組件24與該第二金屬導(dǎo)熱組件34可為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球，但不以此為限。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管芯片2的結(jié)構(gòu)，其包括:基材本體20，其具有相對(duì)的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b，該主動(dòng)面20a上具有多個(gè)電極墊201 ;第二絕緣層23，其形成于該基材本體20的非主動(dòng)面20b上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層23的第二絕緣層開(kāi)孔230 ;以及多個(gè)第一金屬導(dǎo)熱組件24，其對(duì)應(yīng)形成于各該第二絕緣層開(kāi)孔230中。于前述的發(fā)光二極管芯片2的結(jié)構(gòu)中，該基材本體20的非主動(dòng)面20b還包括反射層21，其連接該第二絕緣層23，且該基材本體20的非主動(dòng)面20b還包括形成于該反射層21外側(cè)上的金屬層22，其設(shè)置于該第二絕緣層23與該反射層21之間，且該第一金屬導(dǎo)熱組件24連接至該金屬層22。于本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片2的結(jié)構(gòu)中，該第一金屬導(dǎo)熱組件24為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球，且通過(guò)該第二絕緣層開(kāi)孔230連接至該基材本體20，各該第二絕緣層開(kāi)孔230呈圓形或多邊形，且該等第二絕緣層開(kāi)孔230呈矩陣排列。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝基板3的結(jié)構(gòu)，其包括:基板本體30，其上具有置晶墊31 ;第一絕緣層33，其形成于該置晶墊31上，且具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層33的第一絕緣層開(kāi)孔330 ；以及多個(gè)第二金屬導(dǎo)熱組件34，其對(duì)應(yīng)形成于各該第一絕緣層開(kāi)孔330中。于前述的發(fā)光二極管封裝基板3的結(jié)構(gòu)中，該基板本體30上還具有多個(gè)焊墊32，其設(shè)置于該置晶墊31的外緣，且該第二金屬導(dǎo)熱組件34為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球，且通過(guò)該第一絕緣層開(kāi)孔330連接至該基板本體30。于本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝基板3的結(jié)構(gòu)中，各該第一絕緣層開(kāi)孔330呈圓形或多邊形，且該等第一絕緣層開(kāi)孔330呈矩陣排列。本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括:發(fā)光二極管封裝基板3，其包括:基板本體30，其上具有置晶墊31 ;第一絕緣層33，其形成于該置晶墊31上，且具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層33的第一絕緣層開(kāi)孔330 ;多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件54，其對(duì)應(yīng)形成于各該第一絕緣層開(kāi)孔330中；以及發(fā)光二極管芯片2，其設(shè)置于該等金屬導(dǎo)熱組件54上，且包括:基材本體20，其具有相對(duì)的主動(dòng)面20a與非主動(dòng)面20b，該主動(dòng)面20a上具有多個(gè)電極墊201 ;第二絕緣層23，其形成于該基材本體20的非主動(dòng)面20b上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層23的第二絕緣層開(kāi)孔230，各該金屬導(dǎo)熱組件54對(duì)應(yīng)位于各該第二絕緣層開(kāi)孔230中。于前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，該基板本體30上還具有多個(gè)焊墊32，其設(shè)置于該置晶墊31的外緣，且還包括多個(gè)電性連接各該電極墊201與焊墊32的焊線51，又包括螢光層52，其包覆該發(fā)光二極管芯片2，再包括透明材料53，其覆蓋于該螢光層52、置晶墊31、焊墊32與焊線51上。于本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，各該第二絕緣層開(kāi)孔230與第一絕緣層開(kāi)孔330呈圓形或多邊形，且該等第二絕緣層開(kāi)孔230與第一絕緣層開(kāi)孔330呈矩陣排列，又該金屬導(dǎo)熱組件54為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球。綜上所述，相比于現(xiàn)有技術(shù)，由于本發(fā)明利用類似球柵數(shù)組的方式將發(fā)光二極管芯片設(shè)置于發(fā)光二極管封裝基板的置晶墊上，因此可以在影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱能力的最低程度下，有效減少因熱膨脹系數(shù)不匹配所造成的應(yīng)力問(wèn)題，進(jìn)而提升整體可靠度。上述實(shí)施例用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)，其包括: 基材本體，其具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊； 絕緣層，其形成于該基材本體的非主動(dòng)面上，且具有多個(gè)貫穿該絕緣層的絕緣層開(kāi)孔；以及 多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件，其對(duì)應(yīng)形成于各該絕緣層開(kāi)孔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基材本體的非主動(dòng)面還包括反射層，其連接該絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基材本體的非主動(dòng)面還包括金屬層，其設(shè)置于該絕緣層與該反射層之間，且該金屬導(dǎo)熱組件連接至該金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬導(dǎo)熱組件為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球，且通過(guò)該絕緣層開(kāi)孔連接至該基材本體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)，其特征在于，各該絕緣層開(kāi)孔呈圓形或多邊形，且該等絕緣層開(kāi)孔呈矩陣排列。
6.一種發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)，其包括: 基板本體，其上具有置晶墊； 絕緣層，其形成于該置晶墊上，且具有多個(gè)貫穿該絕緣層的絕緣層開(kāi)孔；以及 多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件，其對(duì)應(yīng)形成 于各該絕緣層開(kāi)孔中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板本體上還具有多個(gè)焊墊，其設(shè)置于該置晶墊的外緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬導(dǎo)熱組件為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球，且通過(guò)該絕緣層開(kāi)孔連接至該基板本體。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)，其特征在于，各該絕緣層開(kāi)孔呈圓形或多邊形，且該等絕緣層開(kāi)孔呈矩陣排列。
10.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括: 封裝基板，其上具有置晶墊； 第一絕緣層，其形成于該置晶墊上，且具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層的第一絕緣層開(kāi)孔； 發(fā)光二極管芯片，其具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊； 第二絕緣層，其形成于該發(fā)光二極管芯片的非主動(dòng)面上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層的第二絕緣層開(kāi)孔，該第二絕緣層接置于該置晶墊上；以及 多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件，其對(duì)應(yīng)形成于各該第一絕緣層開(kāi)孔與對(duì)應(yīng)位于各該第二絕緣層開(kāi)孔中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝基板還具有多個(gè)焊墊，其設(shè)置于該置晶墊的外緣，且還包括多個(gè)電性連接各該電極墊與焊墊的焊線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)還包括螢光層，其包覆該發(fā)光二極管芯片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該封裝結(jié)構(gòu)還包括透明材料，其覆蓋于該螢光層、置晶墊、焊墊與焊線上。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，各該第一絕緣層開(kāi)孔與第二絕緣層開(kāi)孔呈圓形或多邊形，且該等第一絕緣層開(kāi)孔與第二絕緣層開(kāi)孔呈矩陣排列。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬導(dǎo)熱組件為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球。
16.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其包括: 提供一封裝基板，該封裝基板具有置晶墊與第一絕緣層，該第一絕緣層形成于該置晶墊上，且該第一絕緣層具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層的第一絕緣層開(kāi)孔；以及 借由多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件將一發(fā)光二極管芯片接置于該封裝基板上，該發(fā)光二極管芯片具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，且該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊，該發(fā)光二極管芯片還具有第二絕緣層，其形成于該發(fā)光二極管芯片的非主動(dòng)面上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層的第二絕緣層開(kāi)孔，令該等金屬導(dǎo)熱組件對(duì)應(yīng)位于各該第一絕緣層開(kāi)孔與第二絕緣層開(kāi)孔中。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，先于該發(fā)光二極管芯片與封裝基板上分別形成多個(gè)第一金屬導(dǎo)熱組件與第二金屬導(dǎo)熱組件，各該第一金屬導(dǎo)熱組件與第二金屬導(dǎo)熱組件再對(duì)應(yīng)相接而構(gòu)成各該金屬導(dǎo)熱組件。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該封裝基板上還具有多個(gè)焊墊，其設(shè)置于該置晶墊的外緣，且還包括形成多個(gè)電性連接該電極墊與焊墊的焊線。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括形成包覆該發(fā)光二極管芯片的螢 光層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該制法還包括于該螢光層、置晶墊、焊墊與焊線上覆蓋透明材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，各該第一絕緣層開(kāi)孔與第二絕緣層開(kāi)孔呈圓形或多邊形，且該等第一絕緣層開(kāi)孔與第二絕緣層開(kāi)孔呈矩陣排列。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該金屬導(dǎo)熱組件為金屬導(dǎo)熱層或金屬導(dǎo)熱球。
全文摘要
一種發(fā)光二極管芯片、封裝基板、封裝結(jié)構(gòu)及其制法。關(guān)于一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝基板的結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板，其上具有置晶墊；第一絕緣層，其形成于該置晶墊上，且具有多個(gè)貫穿該第一絕緣層的第一絕緣層開(kāi)孔；發(fā)光二極管芯片，其具有相對(duì)的主動(dòng)面與非主動(dòng)面，該主動(dòng)面上具有多個(gè)電極墊；第二絕緣層，其形成于該發(fā)光二極管芯片的非主動(dòng)面上，且具有多個(gè)貫穿該第二絕緣層的第二絕緣層開(kāi)孔，該第二絕緣層接置于該置晶墊上；以及多個(gè)金屬導(dǎo)熱組件，其對(duì)應(yīng)形成于各該第一絕緣層開(kāi)孔與對(duì)應(yīng)位于各該第二絕緣層開(kāi)孔中。本發(fā)明能有效對(duì)付熱膨脹系數(shù)不匹配所造成的應(yīng)力問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L33/48GK103199173SQ201210016569
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月5日
發(fā)明者王云漢, 盧勝利, 楊貫榆, 陳賢文, 王日富 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司