專利名稱：發(fā)光器件及發(fā)光器件封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實施方案涉及一種發(fā)光器件、一種發(fā)光器件封裝件以及一種照明裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)廣泛地用作發(fā)光器件。LED利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)換成光，如紅外線、可見光線或者紫外線。由于發(fā)光器件的光效率已經(jīng)得到了提高，所以發(fā)光器件已經(jīng)應(yīng)用在各種領(lǐng)域中，如顯示器件和照明器件。

發(fā)明內(nèi)容
實施方案提供了一種能夠改善工藝穩(wěn)定性并且包括彼此電連接的多個單元的發(fā)光器件、一種發(fā)光器件封裝件以及一種照明裝置。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該第一發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層下的第一有源層、以及在第一有源層下的第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第一反射電極；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)，該第二發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層下的第二有源層、以及在第二有源層下的第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二反射電極；將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層電連接至第二反射電極的接觸部；以及在接觸部與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件包括多個發(fā)光單兀，各發(fā)光單兀包括反射電極、在反射電極上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在有源層上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；將第一發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接至與第一發(fā)光單元相鄰的第二發(fā)光單元的反射電極的接觸部；以及在接觸部與第一發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件包括本體；在本體上的發(fā)光器件；以及電連接至發(fā)光器件的第一和第二引線電極，其中，發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該第一發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層下的第一有源層、以及在第一有源層下的第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第一反射電極；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)，該第二發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層下的第二有源層、以及在第二有源層下的第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二反射電極；將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層電連接至第二反射電極的接觸部；以及在接觸部與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件包括本體；在本體上的發(fā)光器件；以及電連接至發(fā)光器件的第一和第二引線電極，其中，發(fā)光器件包括多個發(fā)光單元，各發(fā)光單元包括反射電極、在反射電極上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在有源層上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；將第一發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接至與第一發(fā)光單元相鄰的第二發(fā)光單元的反射電極的接觸部；以及在接觸部與第一發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。根據(jù)實施方案的照明裝置包括板；安裝在板上的發(fā)光器件；以及用作從發(fā)光器件發(fā)出的光的光路的光學(xué)構(gòu)件，其中，發(fā)光器件包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該第一發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層下的第一有源層、以及在第一有源層下的第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第一反射電極；第二發(fā)光結(jié)構(gòu)，該第二發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層下的第二有源層、以及在第二有源層下的第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二反射電極；將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層電連接至第二反射電極的接觸部；以及在接觸部與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。根據(jù)實施方案的照明裝置包括板；安裝在板上的發(fā)光器件；以及，用作從發(fā)光器件發(fā)出的光的光路的光學(xué)構(gòu)件，其中，發(fā)光器件包括多個發(fā)光單元，各發(fā)光單元包括反射電極、在反射電極上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在有源層上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；將第一發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接至與第一發(fā)·光單元相鄰的第二發(fā)光單元的反射電極的接觸部；以及在接觸部與第一發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及照明裝置，可以改善工藝穩(wěn)定性，并且可以提供彼此電連接的多個單元。


圖I是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的視圖；圖2至圖6是示出用于制造根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的方法的視圖；圖7和圖8是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的改變實例的視圖；圖9是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；圖10是示出根據(jù)實施方案的顯示器件的視圖；圖11是示出根據(jù)另一實施方案的顯示器件的視圖；以及圖12是示出根據(jù)實施方案的照明器件的視圖。
具體實施例方式在實施方案的描述中，應(yīng)理解當(dāng)層(或者膜)、區(qū)域、圖案或者結(jié)構(gòu)稱為在另一層(或者膜)、另一區(qū)域、另一墊或者另一圖案“上”或者“下”時，其可以“直接”或者“間接”在其它基板、層(或者膜)、區(qū)域、墊或者圖案上，或者也可以存在一個或更多個中間層。已經(jīng)參照附圖對層的這種位置進(jìn)行了描述。出于方便或者清楚的目的，可以對附圖中示出的各層的厚度和尺寸進(jìn)行放大、省略或者示意性地描繪。此外，元件的尺寸并不完全反映實際尺寸。下文中，將參照附圖對根據(jù)實施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件、照明裝置以及用于制造發(fā)光器件的方法進(jìn)行描述。圖I是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的視圖。如圖I中所不，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可包括第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20、第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30、第一反射電極17、第二反射電極27、第三反射電極37以及電極80。雖然圖I中示出三個發(fā)光結(jié)構(gòu)，然而，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括兩個發(fā)光結(jié)構(gòu)或者至少四個發(fā)光結(jié)構(gòu)。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以以串聯(lián)方式彼此電連接。此外，發(fā)光結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在支撐基板70上。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11、第一有源層12以及第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13。第一有源層12設(shè)置在第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13之間。第一有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11下，第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以設(shè)置在第一有源層12下。例如，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以制備為摻雜有作為第一導(dǎo)電型摻雜劑的η型摻雜劑的η型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以制備為摻雜有作為第二導(dǎo)電型摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。與此相反，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以制備為P型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以制備為η型半導(dǎo)體層。 例如，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以使用具有組成式InxAlyGa1IyN(O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0彡x+y ( I)的半導(dǎo)體材料來制備。例如，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以包括選自GaN、AIN、AlGaN、InGaN,InN、InAlGaN, AlInN、AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種，并且可以摻雜有 η型摻雜劑，如Si、Ge、Sn、Se或者Te。第一有源層12通過經(jīng)由第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11注入的電子(或者空穴)和經(jīng)由第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13注入的空穴(或者電子)的復(fù)合、基于根據(jù)構(gòu)成第一有源層12的材料的能帶的帶隙差而發(fā)出光。第一有源層12可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQff)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中的一種結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。第一有源層12可以包括具有組成式InxAlyGai_x_yN (O彡χ彡1，O彡y彡1，O ^ x+y ^ I)的半導(dǎo)體材料。如果第一有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)，則第一有源層12可以具有多個阱層和多個勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，第一有源層12可以包括InGaN阱層/GaN勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以包括P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以使用具有組成式InxAlyGanyN(O彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y ( I)的半導(dǎo)體材料來制備。例如，第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以包括選自GaN、AIN、AlGaN、InGaN,InN、InAlGaN, AlInN、AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種，并且可以摻雜有 P型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。同時，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以包括η型半導(dǎo)體層。此外，可以在第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13下形成包括η型半導(dǎo)體層或者P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因而，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)和PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。此外,第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13中的雜質(zhì)的摻雜濃度可以均一或者不均一。換言之，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以不受限制地以不同的方式來形成。此外，可以在第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11與第一有源層12之間形成第一導(dǎo)電型InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或者第一導(dǎo)電型InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。此外，可以在第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13與第一有源層12之間形成第二導(dǎo)電型AlGaN層。
此外，第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20可以包括第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21、第二有源層22和第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23。第二有源層22設(shè)置在第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21與第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23之間。第二有源層22可以設(shè)置在第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21下，第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23可以設(shè)置在第二有源層22下。第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20可以按照與上述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10類似的方式進(jìn)行制備。另外，第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30可以包括第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31、第三有源層32和第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33。第三有源層32設(shè)置在第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31與第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33之間。第三有源層32可以設(shè)置在第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31下，第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33可以設(shè)置在第三有源層32下。第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30可以按照與上述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10類似的方式進(jìn)行制備?？梢栽诘谝话l(fā)光結(jié)構(gòu)10下設(shè)置第一歐姆接觸層15和第一反射電極17?？梢栽诘谝话l(fā)光結(jié)構(gòu)10下并且在第一反射電極17周圍設(shè)置第一擴(kuò)散阻擋層19。第一擴(kuò)散阻擋層19可以設(shè)置在第一歐姆接觸層15周圍并且在第一反射電極17下。
例如，第一歐姆接觸層15可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第一歐姆接觸層15可以包括選自ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、ΑΖ0 (鋁鋅氧化物)、AGZ0(鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON(銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx,RuOx> NiO、Pt和Ag中的至少一種。第一反射電極17可以包括具有高反射率的金屬材料。例如，第一反射電極17可以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金屬或者包括選自Ag、Ni、八1、詘、？(1、11'、1 11、1%、211、？1411和!^中的至少一種的合金。此外，可以使用上述金屬或者上述合金以及透射導(dǎo)電材料，如ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)或者ATO(銻錫氧化物)，將第一反射電極17形成為多層結(jié)構(gòu)。例如，第一反射電極17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。第一歐姆接觸層15與第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。此外，第一反射電極17可通過反射從第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射的光來增加提取到外部的光量。在形成接合層60時，第一擴(kuò)散阻擋層19可以防止包括在接合層60中的材料朝向第一反射電極17擴(kuò)散。詳細(xì)地，第一擴(kuò)散阻擋層19可以防止包括在接合層60中的材料如Sn對第一反射電極17施加影響。第一擴(kuò)散阻擋層19可以包括Cu、Ni、Ti_W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一種。第一擴(kuò)散阻擋層19可以稱為隔離層或者溝道層。此外，可以在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20下設(shè)置第二歐姆接觸層25和第二反射電極27。可以在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20下并且在第二反射電極27周圍設(shè)置第二擴(kuò)散阻擋層29。第二擴(kuò)散阻擋層29可以設(shè)置在第二歐姆接觸層25周圍并且在第二反射電極27下。例如，第二歐姆接觸層25可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第二歐姆接觸層25可以包括選自ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、ΑΖ0 (鋁鋅氧化物)、AGZ0 (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON(銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx,RuOx> NiO、Pt和Ag中的至少一種。
第二反射電極27可以包括具有高反射率的金屬材料。例如，第二反射電極27可以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金屬或者包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Ai^PHf中的至少一種的合金。此外，可以使用上述金屬或者上述合金以及透射導(dǎo)電材料如ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)或者ATO(銻錫氧化物)，將第二反射電極27形成為多層結(jié)構(gòu)。例如，第二反射電極27可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。第二歐姆接觸層25與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20歐姆接觸。此外，第二反射電極27可通過反射從第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20入射的光來增加提取到外部的光量。在形成·接合層60時，第二擴(kuò)散阻擋層29可以防止包括在接合層60中的材料朝向第二反射電極27擴(kuò)散。詳細(xì)地，第二擴(kuò)散阻擋層29可以防止包括在接合層60中的材料如Sn對第二反射電極27施加影響。第二擴(kuò)散阻擋層29可以包括Cu、Ni、Ti_W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一種。此外，可以在第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30下設(shè)置第三歐姆接觸層35和第三反射電極37。可以在第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30下并且在第三反射電極37周圍設(shè)置第三擴(kuò)散阻擋層39。第三擴(kuò)散阻擋層39可以設(shè)置在第三歐姆接觸層35周圍并且在第三反射電極37下。例如，第三歐姆接觸層35可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第三歐姆接觸層35可以包括選自ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、ΑΖ0 (鋁鋅氧化物)、AGZ0 (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON(銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx,RuOx> NiO、Pt和Ag中的至少一種。第三反射電極37可以包括具有高反射率的金屬材料。例如，第三反射電極37可以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金屬或者包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Ai^PHf中的至少一種的合金。此外，可以使用上述金屬或者上述合金以及透射導(dǎo)電材料如ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)或者ATO(銻錫氧化物)，將第三反射電極37形成為多層結(jié)構(gòu)。例如，第三反射電極37可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。第三歐姆接觸層35與第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30歐姆接觸。此外，第三反射電極37可通過反射從第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30入射的光來增加提取到外部的光量。在形成接合層60時，第三擴(kuò)散阻擋層39可以防止包括在接合層60中的材料朝向第三反射電極37擴(kuò)散。詳細(xì)地，第三擴(kuò)散阻擋層39可以防止包括在接合層60中的材料如Sn對第三反射電極37施加影響。第三擴(kuò)散阻擋層39可以包括Cu、Ni、Ti_W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一種。在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20之間可以設(shè)置有第一接觸部43。第一接觸部43將第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11電連接至第二反射電極27。第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的內(nèi)部接觸。第一接觸部43與第二反射電極27的底部和側(cè)面接觸。第一接觸部43與第二歐姆接觸層25接觸。第一接觸部43電連接至第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23。第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11通過第一接觸部43電連接至第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23。例如，第一接觸部43可以包括選自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一種。此外，第一接觸部43可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第一接觸部43可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx和NiO中的至少一種。第一接觸部43可以與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的內(nèi)部接觸。例如，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以包括GaN層。當(dāng)考慮半導(dǎo)體層的生長方向和蝕刻方向時，第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的Ga面接觸。根據(jù)實施方案，因為第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的Ga面接觸，所以與第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的N面接觸的情況相比，可以確保熱穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的Ga面接觸，所以與第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的N面接觸的情況相比，可以減小特性曲線的隨著操作電壓的變化，從而可以改善可靠性并且能夠進(jìn)行大電流應(yīng)用。在第一接觸部43與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13之間可以設(shè)置有第一絕緣層41。第一絕緣層41可以設(shè)置在第一接觸部43與第一有源層12之間。例如，第一絕緣層41可以包括絕緣離子注入層。第一絕緣層41可以通過離子注入工藝來形成。第一絕緣層41可以包括N、O和Ar中的至少一種。在第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21之間可以設(shè)置有第二絕緣層45。第二絕緣層45可以設(shè)置在第一接觸部43與第二有源層22之間。例如，第二絕緣層45可以包括絕緣離子注入層。第二絕緣層45可以通過離子注入工藝來形成。第二絕緣層45可以包括N、O和Ar中的至少一種。第二絕緣層45可以延伸至第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10的表面。第二絕緣層45可以延伸至第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20的表面。在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20與第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30之間可以設(shè)置有第二接觸部53。第二接觸部53將第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21電連接至第三反射電極37。第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的內(nèi)部接觸。第二接觸部53與第三反射電極37的底部和側(cè)面接觸。第二接觸部53與第三歐姆接觸層35接觸。第二接觸部53電連接至第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33。第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21通過第二接觸部53電連接至第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33。例如，第二接觸部53可以包括選自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一種。此外，第二接觸部53可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第二接觸部53可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx和NiO中的至少一種。第二接觸部53可以與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的內(nèi)部接觸。例如，第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21可以包括GaN層。當(dāng)考慮半導(dǎo)體層的生長方向和蝕刻方向時，第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的Ga面接觸。根據(jù)實施方案，因為第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的Ga面接觸，所以與第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的N面接觸的情況相比，可以確保熱穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的Ga面接觸，所以與第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的N面接觸的情況相比，可以減小特性曲線的隨著操作電壓的變化，從而可以改善可靠性并且能夠進(jìn)行大電流應(yīng)用。在第二接觸部53與第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23之間可以設(shè)置有第四絕緣層51。第四絕緣層51可以設(shè)置在第二接觸部53與第二有源層22之間。例如，第四絕緣層51可以包括絕緣離子注入層。第四絕緣層51可以通過離子注入工藝來形成。第四絕緣層51可以包括N、O、V和Fe中的至少一種。在第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31之間可以設(shè)置有第五絕緣層55。第五絕緣層55可以設(shè)置在第二接觸部53與第三有源層32之間。例如，第五絕緣層55可以包括絕緣離子注入層。第五絕緣層55可以通過離子注入工藝來形成。第五絕緣層55可以包括N、O、V和Fe中的至少一種。第五絕緣層55可以延伸至第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20的表面。 第五絕緣層55可以延伸至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30的表面?？梢栽诘诙偷谌龜U(kuò)散阻擋層29和39下設(shè)置第三絕緣層40。第三絕緣層40可以包括氧化物或者氮化物。例如，第三絕緣層40可以包括透射且絕緣的材料，例如Si02、SiOx, SiOxNy, Si3N4 或者 Al2O315可以在第一擴(kuò)散阻擋層19和第三絕緣層40下設(shè)置第四擴(kuò)散阻擋層50、接合層60和支撐構(gòu)件70。 在形成接合層60時，第四擴(kuò)散阻擋層50可以防止包括在接合層60中的材料朝向第一至第三反射電極17、27和37擴(kuò)散。詳細(xì)地，第四擴(kuò)散阻擋層50可以防止包括在接合層60中的材料如Sn對第一至第三反射電極17、27和37施加影響。第四擴(kuò)散阻擋層50可以包括Cu、Ni、Ti-W、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一種。接合層60可以包括阻擋金屬或者接合金屬。例如，接合層60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少一種。支撐構(gòu)件70支撐根據(jù)實施方案的發(fā)光器件并且電連接至外部電極以對第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10供電。接合層60可以制備為種子層。例如，支撐構(gòu)件70可以包括選自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及摻雜有雜質(zhì)(即，Si、Ge、GaN、GaAs, ZnO、SiC或者SiGe)的半導(dǎo)體基板中的至少一種。支撐構(gòu)件70可以包括絕緣材料。例如，支撐構(gòu)件70可以包括Al2O3或者Si02。同時，第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31上設(shè)置有電極80。電極80電連接至第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31。電極80與第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31的頂面接觸。因此，電力通過電極80和第一反射電極17提供給第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30。第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30彼此串聯(lián)連接。從而，在通過電極80和第一反射電極17提供電力時，第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30可以發(fā)光。根據(jù)實施方案，電極80可以具有多層結(jié)構(gòu)。例如，電極80可以包括歐姆接觸層、中間層和上層。歐姆接觸層可以包括選自Cr、V、W、Ti和Zn中的一種，以實現(xiàn)歐姆接觸。中間層可以包括選自Ni、Cu和Al中的一種。上層可以包括Au?？梢栽诘谝恢恋谌l(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30的頂面上形成光提取圖案。詳細(xì)地，在第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30的頂面上形成有凹凸圖案。因此，根據(jù)該實施方案，可以改善外部光提取效率。在第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30上可以形成有保護(hù)層。保護(hù)層可以包括氧化物或者氮化物。例如，保護(hù)層可以包括透射且絕緣的材料，如Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4或者Al2O3O保護(hù)層可以設(shè)置在第一和第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10和30周圍。根據(jù)實施方案，相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)可以通過第一和第二接觸部43和53以串聯(lián)方式彼此電連接。此外，第一絕緣層41、第二絕緣層45、第四絕緣層51和第五絕緣層55通過離子注入工藝來形成，從而可以獲得制造穩(wěn)定性。也就是說，在形成絕緣層時不需要蝕刻工藝，因此可以確保工藝穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為絕緣層通過離子注入工藝來形成，所以可以實現(xiàn)小于幾十微米的線寬。詳細(xì)地，可以在相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間設(shè)置具有小于幾十微米的線寬的絕緣層。從而，可以有效地利用發(fā)光層。同時，雖然已經(jīng)描述通過單獨(dú)的工藝來形成第一絕緣層41和第二絕緣層42，但是，也可以通過相同的工藝來形成第一和第二絕緣層41和42。也就是說，因為可以通過在 進(jìn)行離子注入處理時調(diào)整工藝參數(shù)來控制離子注入位置，所以可以通過相同的工藝來同時或者依次形成第一和第二絕緣層41和42。一部分的第一和第二絕緣層41和42可以通過參照圖4描述的離子注入工藝來形成，其余部分的第一和第二絕緣層41和42可以通過參照圖6描述的離子注入工藝來形成。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件包括多個發(fā)光單元。各發(fā)光單元可以包括反射電極、在反射電極上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的有源層、以及在有源層上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。此外，發(fā)光器件包括將第一發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接至與第一發(fā)光單元相鄰的第二發(fā)光單元的反射電極的接觸部。接觸部與第一發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的內(nèi)部以及第二發(fā)光單元的反射電極接觸。接觸部與第二發(fā)光單元的反射電極的底部接觸。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以還包括設(shè)置在接觸部與第一發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。此外，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括電連接至第二發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的電極。從而，在對第一發(fā)光單兀的反射電極和第二發(fā)光單兀的電極供電時，第一發(fā)光單元以串聯(lián)方式電連接至第二發(fā)光單元，從而可以發(fā)光。下文中，將參照圖2至圖6對根據(jù)實施方案用于制造發(fā)光器件的方法進(jìn)行描述。根據(jù)用于制造根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的方法，如圖2中所示，在生長基板5上形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層11a、有源層12a和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層11a、有源層12a和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a可以構(gòu)成發(fā)光結(jié)構(gòu)10a。生長基板5可以包括41203、5扣、6&48、6&隊2110、5丨、63 、11^和Ge中的至少一種，但是實施方案不限于此?？梢栽诘谝粚?dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11和生長基板5之間設(shè)置緩沖層。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila可以制備為摻雜有作為第一導(dǎo)電型摻雜劑的η型摻雜劑的η型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a可以制備為摻雜有作為第二導(dǎo)電型摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。與此相反，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila可以制備為P型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a可以被制備為η型半導(dǎo)體層。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila可以包括η型半導(dǎo)體層?？梢允褂镁哂薪M成式InxAlyGa1^yN (O ^χ^Ι,Ο^γ^Ι,Ο^ x+y ( I)的半導(dǎo)體材料來制備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層11a。例如，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以包括選自GaN、AIN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN, Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種，并且可以摻雜有 η 型摻雜劑，例如Si、Ge、Sn、Se或者Te。有源層12a通過經(jīng)由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila注入的電子(或者空穴)和經(jīng)由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a注入的空穴(或者電子)的復(fù)合、基于根據(jù)構(gòu)成有源層12a的材料的能帶的帶隙差而發(fā)出光。有源層12a可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中的一種結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。有源層12a可以包括具有組成式InxAlyGai_x_yN (O彡x彡I，O彡y彡I，O彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料。如果有源層12a具有MQW結(jié)構(gòu)，則有源層12a可以具有多個阱層和多個勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，有源層12a可以包括InGaN阱層/GaN勢壘層的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a可以包括P型半導(dǎo)體層。可以使用具有組成式InxAlyGa1^yN (O ^χ^Ι,Ο^γ^Ι,Ο^ x+y ( I)的半導(dǎo)體材 料來制備第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a。例如，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a可以包括選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN、InAlGaN,AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中的一種，并且可以摻雜有P型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr 或者 Ba。同時，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila可以包括P型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a可以包括η型半導(dǎo)體層。此外，可以在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a下形成包括η型半導(dǎo)體層或者P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因而，發(fā)光結(jié)構(gòu)IOa可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)和PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。此外，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a中的雜質(zhì)的摻雜濃度可以均一或者不均一。換言之，可以不受限制地以不同的方式來形成發(fā)光結(jié)構(gòu)10a。此外,可以在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila與有源層12a之間形成第一導(dǎo)電型InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或者第一導(dǎo)電型InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。此外，可以在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a與有源層12a之間形成第二導(dǎo)電型AlGaN層。接著，如圖3中所示，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a的第一區(qū)域上形成第一歐姆接觸層15和第一反射電極17。此外，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a的第二區(qū)域上形成第二歐姆接觸層25和第二反射電極27，并且在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a的第三區(qū)域上形成第三歐姆接觸層35和第三反射電極37。例如，第一至第三歐姆接觸層15、25和35可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第一至第三歐姆接觸層15、25和35可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、ΙΖ0(銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx, NiO、Pt和Ag中的至少一種。第一至第三反射電極17、27和37可以包括具有高反射率的金屬材料。例如，第一至第三反射電極17,27和37可以包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的金屬或者包括選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一種的合金。此外，可以使用上述金屬或者上述合金以及透射導(dǎo)電材料如ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ΑΖ0 (鋁鋅氧化物)或者ATO (銻錫氧化物)，將第一至第三反射電極17、27和37形成為多層結(jié)構(gòu)。例如，第一至第三反射電極17、27和37可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。
接著，如圖4中所示，在第一歐姆接觸層15與第二歐姆接觸層25之間形成第一絕緣層41。例如，可以通過離子注入工藝來形成第一絕緣層41。第一絕緣層41可以包括絕緣離子注入層?？梢酝ㄟ^穿過第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a和有源層12a來形成第一絕緣層41。此外，第一絕緣層41可以延伸至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的一部分。第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13可以通過第一絕緣層41與第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23電絕緣。此外，第一有源層12通過第一絕緣層41與第二有源層22電絕緣。此外，如圖4中所示，在第二歐姆接觸層25與第三歐姆接觸層35之間形成第四絕緣層51。例如，可以通過離子注入工藝來形成第四絕緣層51。第四絕緣層51可以包括絕緣離子注入層?？梢酝ㄟ^穿過第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層13a和有源層12a來形成第四絕緣層51。此外，第四絕緣層51可以延伸至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的一部分。第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23可以通過第四絕緣層51與第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33電絕緣。此外，第二有源層22可以通過第四絕緣層51與第三有源層32電絕緣。接著，如圖4中所示，將第一接觸部43形成為與第一絕緣層41相鄰，而將第二接·觸部53形成為與第四絕緣層51相鄰。將第一接觸部43電連接至第二反射電極27。第一接觸部43與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的內(nèi)部接觸。第一接觸部43與第二反射電極27的頂面接觸。第一接觸部43與第二反射電極27的側(cè)面接觸。第一接觸部43與第二歐姆接觸層25接觸。第一接觸部43電連接至第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23。例如，第一接觸部43可以包括選自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一種。此外，第一接觸部43可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第一接觸部43可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx和NiO中的至少一種。第一接觸部43可以與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的內(nèi)部接觸。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila可以包括GaN層。當(dāng)考慮半導(dǎo)體層的生長方向和蝕刻方向時，第一接觸部43與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的Ga面接觸。根據(jù)實施方案，因為第一接觸部43與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的Ga面接觸，所以與第一接觸部43與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的N面接觸的情況相比，可以確保熱穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為第一接觸部43與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的Ga面接觸，所以與第一接觸部43與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的N面接觸的情況相比，可以減小特性曲線的隨著操作電壓的變化，從而可以改善可靠性并且能夠進(jìn)行大電流應(yīng)用。將第二接觸部53電連接至第三反射電極37。第二接觸部53與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的內(nèi)部接觸。第二接觸部53與第三反射電極37的頂面接觸。第二接觸部53與第三反射電極37的側(cè)面接觸。第二接觸部53與第三歐姆接觸層35接觸。第二接觸部53電連接至第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33。例如，第二接觸部53可以包括選自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一種。此外，第二接觸部53可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第二接觸部53可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx和NiO中的至少一種。第二接觸部53可以與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的內(nèi)部接觸。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層IIa可以包括GaN層。當(dāng)考慮半導(dǎo)體層的生長方向和蝕刻方向時，第二接觸部53與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的Ga面接觸。根據(jù)實施方案，因為第二接觸部53與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的Ga面接觸，所以與第二接觸部53與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的N面接觸的情況相比，可以確保熱穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為第二接觸部53與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的Ga面接觸，所以與第二接觸部53與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila的N面接觸的情況相比，可以減小特性曲線的隨著操作電壓的變化，從而可以改善可靠性并且能夠進(jìn)行大電流應(yīng)用。此外，在第一反射電極17上形成第一擴(kuò)散阻擋層19，在第二反射電極27上形成第二擴(kuò)散阻擋層29，并且在第三反射電極37上形成第三擴(kuò)散阻擋層39。因而，在第二和第三 擴(kuò)散阻擋層29和39上形成第三絕緣層40。同時，用于形成上述層的工藝僅僅是示意性的，工藝順序可以以不同的方式變化。接著，如圖5中所示，在第一擴(kuò)散阻擋層19和第三絕緣層40上形成第四擴(kuò)散阻擋層50、接合層60和支撐構(gòu)件70。在形成接合層60時，第四擴(kuò)散阻擋層50可以防止包括在接合層60中的材料朝向第一反射電極17擴(kuò)散。詳細(xì)地，第四擴(kuò)散阻擋層50可以防止包括在接合層60中的材料如Sn對第一反射電極17施加影響。第四擴(kuò)散阻擋層50可以包括Cu、Ni、Ti-W、W和Pt中的
至少一種。接合層60可以包括阻擋金屬或者接合金屬。例如，接合層60可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少一種。支撐構(gòu)件70支撐根據(jù)實施方案的發(fā)光器件并且電連接至外部電極以對第一反射電極17供電。例如，支撐構(gòu)件70可以包括選自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W以及摻雜有雜質(zhì)(即，Si、Ge、GaN、GaAs, ZnO、SiC或者SiGe)的半導(dǎo)體基板中的至少一種。支撐構(gòu)件70可以包括絕緣材料。例如，支撐構(gòu)件70可以包括Al2O3或者Si02。接著，將生長基板5從第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila移除。例如，可以通過激光剝離(LLO)工藝來移除生長基板5。根據(jù)LLO工藝，將激光照射到生長基板5的底部，以將生長基板5從第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層Ila剝離。接著，如圖6中所示，將第二絕緣層45形成為與第一接觸部43相鄰，將第五絕緣層55形成為與第二接觸部53相鄰。第二絕緣層45可以包括絕緣離子注入層。第二絕緣層45可以通過離子注入工藝來形成。第二絕緣層45可以包括N、O和Ar中的至少一種。第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11通過第二絕緣層45與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21電絕緣。第二絕緣層45可以延伸至第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10的表面。第二絕緣層45可以延伸至第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20的表面。第五絕緣層55可以包括絕緣離子注入層。第五絕緣層55可以通過離子注入工藝來形成。第五絕緣層55可以包括N、O和Ar中的至少一種。第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21通過第五絕緣層55與第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31電絕緣。第五絕緣層55可以延伸至第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20的表面。第五絕緣層55可以延伸至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30的表面。可以在第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30的頂面上形成光提取圖案。詳細(xì)地，在第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30的頂面上形成凹凸圖案。因此，根據(jù)實施方案，可以改善光提取效率。可以將電極80設(shè)置在第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31上。電極80電連接至第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31。電極80與第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31的頂面接觸。因此,通過電極80和第一反射電極17對第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30供電。第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30彼此串聯(lián)連接。從而，在通過電極80和第一反射電極17供電時，第一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30可以發(fā)光。根據(jù)實施方案，電極80可以具有多層結(jié)構(gòu)。例如，電極80可以包括歐姆接觸層、中間層和上層。歐姆接觸層可以包括選自Cr、V、W、Ti和Zn中的一種，以實現(xiàn)歐姆接觸。中間層可以包括選自Ni、Cu和Al中的一種。上層可以包括Au?？梢栽诘谝恢恋谌l(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30的頂面上形成光提取圖案。詳細(xì)地，在第·一至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30的頂面上形成凹凸圖案。因此，根據(jù)實施方案，可以改善外部光提取效率?？梢栽诘谝恢恋谌l(fā)光結(jié)構(gòu)10、20和30上形成保護(hù)層。保護(hù)層可以包括氧化物或者氮化物。例如，保護(hù)層可以包括透射且絕緣的材料，如Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4或者A1203。保護(hù)層可以設(shè)置在第一和第三發(fā)光結(jié)構(gòu)10和30周圍。根據(jù)實施方案，可以通過第一和第二接觸部43和53以串聯(lián)方式將相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)彼此電連接。此外，第一絕緣層41、第二絕緣層45、第四絕緣層51和第五絕緣層55通過離子注入工藝來形成，從而可以獲得制造穩(wěn)定性。也就是說，在形成絕緣層時不需要蝕刻工藝，因此可以確保工藝穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為絕緣層通過離子注入工藝來形成，所以可以實現(xiàn)小于幾十微米的線寬。詳細(xì)地，可以在相鄰的發(fā)光結(jié)構(gòu)之間設(shè)置具有小于幾十微米的線寬的絕緣層。從而，可以有效地利用發(fā)光層。圖7是示出根據(jù)另外的實施方案的發(fā)光器件的視圖。在以下描述中，為了防止冗長，將省略與已經(jīng)參照圖I描述過的元件和結(jié)構(gòu)有關(guān)的描述。在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20之間可以設(shè)置有第一接觸部43。第一接觸部43將第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11電連接至第二反射電極27。第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的內(nèi)部接觸。第一接觸部43與第二反射電極27的側(cè)面接觸。第一接觸部43與第二歐姆接觸層25接觸。第一接觸部43電連接至第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23。第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11通過第一接觸部43電連接至第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23。例如，第一接觸部43可以包括選自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一種。此外，第一接觸部43可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第一接觸部43可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx和NiO中的至少一種。第一接觸部43可以與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的內(nèi)部接觸。例如，第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11可以包括GaN層。當(dāng)考慮半導(dǎo)體層的生長方向和蝕刻方向時，第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的Ga面接觸。根據(jù)實施方案，因為第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的Ga面接觸，所以與第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的N面接觸的情況相比，可以確保熱穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的Ga面接觸，所以與第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層11的N面接觸的情況相比，可以減小特性曲線的隨著操作電壓的變化，從而可以改善可靠性并且能夠進(jìn)行大電流應(yīng)用。
在第一接觸部43與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13之間可以設(shè)置有第一絕緣層41。第一絕緣層41可以設(shè)置在第一接觸部43與第一有源層12之間。例如，第一絕緣層41可以包括絕緣離子注入層。第一絕緣層41可以通過離子注入工藝來形成。第一絕緣層41可以包括N、O、V和Fe中的至少一種。在第一接觸部43與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21之間可以設(shè)置有第二絕緣層45。第二絕緣層45可以設(shè)置在第一接觸部43與第二有源層22之間。例如，第二絕緣層45可以包括絕緣離子注入層。第二絕緣層45可以通過離子注入工藝來形成。第二絕緣層45可以包括N、O、V和Fe中的至少一種。第二絕緣層45可以延伸至第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10的表面。第二絕緣層45可以延伸至第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20的表面。在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20與第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30之間可以設(shè)置有第二接觸部53。第二接觸部53將第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21電連接至第三反射電極37。第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的內(nèi)部接觸。第二接觸部53與第三反射電極37的側(cè)面接觸。第二接觸部53與第三歐姆接觸層35接觸。第二接觸部53電連接至第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33。第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21通過第二接觸部53電連接至第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33。例如，第二接觸部53可以包括選自Cr、Al、Ti、Ni、Pt和V中的至少一種。此外，第二接觸部53可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。詳細(xì)地，第二接觸部53可以包括選自ITO(銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON (銦鋅氮氧化物)、ZnO、IrOx, RuOx和NiO中的至少一種。第二接觸部53可以與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的內(nèi)部接觸。例如，第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21可以包括GaN層。當(dāng)考慮半導(dǎo)體層的生長方向和蝕刻方向時，第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的Ga面接觸。根據(jù)實施方案，因為第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的Ga面接觸，所以與第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的N面接觸的情況相比，可以確保熱穩(wěn)定性。此外，根據(jù)實施方案，因為第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的Ga面接觸，所以與第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層21的N面接觸的情況相比，可以減小特性曲線的隨著操作電壓的變化，從而可以改善可靠性并且能夠進(jìn)行大電流應(yīng)用。在第二接觸部53與第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23之間可以設(shè)置有第四絕緣層51。第四絕緣層51可以設(shè)置在第二接觸部53與第二有源層22之間。例如，第四絕緣層51可以包括絕緣離子注入層。第四絕緣層51可以通過離子注入工藝來形成。第四絕緣層51可以包括N、O和Ar中的至少一種。在第二接觸部53與第一導(dǎo)電型第五半導(dǎo)體層31之間可以設(shè)置有第五絕緣層55。第五絕緣層55可以設(shè)置在第二接觸部53與第三有源層32之間。例如，第五絕緣層55可以包括絕緣離子注入層。第五絕緣層55可以通過離子注入工藝來形成。第五絕緣層55可以包括N、O、V和Fe中的至少一種。第五絕緣層55可以延伸至第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20的表面。第五絕緣層55可以延伸至第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30的表面。圖8是示出根據(jù)又一實施方案的發(fā)光器件的視圖。在以下描述中，為了防止冗長，將省略與已經(jīng)參照圖I描述過的元件和結(jié)構(gòu)有關(guān)的描述。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件,在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10下可以設(shè)置有第一歐姆反射電極16。第一歐姆反射電極16可以制備成實施已經(jīng)參照圖I描述的第一反射電極17和第一歐姆接觸層15 二者的功能。因而，第一歐姆反射電極16與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層13歐姆接觸并且反射從第一發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射的光。此外，在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20下可以設(shè)置有第二歐姆反射電極26。第二歐姆反射電極26可以制備成實施已經(jīng)參照圖I描述的第二反射電極27和第二歐姆接觸層25 二者的 功能。因而，第二歐姆反射電極26與第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層23歐姆接觸并且反射從第二發(fā)光結(jié)構(gòu)20入射的光。另外，在第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30下可以設(shè)置有第三歐姆反射電極36。第三歐姆反射電極36可以制備成實施已經(jīng)參照圖I描述的第三反射電極37和第三歐姆接觸層35 二者的功能。因而，第三歐姆反射電極36與第二導(dǎo)電型第六半導(dǎo)體層33歐姆接觸并且反射從第三發(fā)光結(jié)構(gòu)30入射的光。圖9是示出包括根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的視圖。參照圖9，發(fā)光器件封裝件包括本體120、形成在本體120上的第一和第二引線電極131和132、安裝在本體120中并且電連接至第一和第二引線電極131和132的根據(jù)實施方案的發(fā)光器件100、以及包圍發(fā)光器件100的模制構(gòu)件140。本體120可以包括硅、合成樹脂或者金屬材料。在發(fā)光器件100周圍可以形成有傾斜的表面。第一和第二引線電極131和132彼此電絕緣并且對發(fā)光器件100供電。第一和第二引線電極131和132可以反射從發(fā)光器件100發(fā)出的光以增加光效率，并且可以將由發(fā)光器件100生成的熱耗散到外部。發(fā)光器件100可以安裝在本體120上或者第一和第二引線電極131和132上。發(fā)光器件100可以通過布線方案、倒裝芯片方案和晶粒接合方案中的一種電連接至第一和第二引線電極131和132。模制構(gòu)件140可以通過包圍發(fā)光器件100來保護(hù)發(fā)光器件100。此外，模制構(gòu)件140可以包括磷光體，以改變從發(fā)光器件100發(fā)出的光的波長?？梢栽诎迳显O(shè)置根據(jù)多個發(fā)光器件封裝件的實施方案的多個發(fā)光器件。此外，可以沿著發(fā)光器件封裝件的光路安裝光學(xué)構(gòu)件，如透鏡、導(dǎo)光板、棱鏡片以及散射片。發(fā)光器件封裝件、板以及光學(xué)構(gòu)件可以用作照明裝置。可以在顯示器件如便攜式終端或者筆記本電腦中設(shè)置俯視型照明裝置或者側(cè)視型照明裝置。根據(jù)另一實施方案，設(shè)置有照明器件，該照明器件包括根據(jù)實施方案的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝件。例如，照明器件可以包括燈、街燈、電光板或者前燈。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以應(yīng)用于照明裝置。照明裝置具有其中布置有多個發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。照明裝置可以包括圖10和圖11中示出的顯示器件以及圖12中示出的照明器件。
參照圖10,根據(jù)實施方案的顯不器件1000包括導(dǎo)光板1041、用于給導(dǎo)光板1041提供光的發(fā)光模塊1031、導(dǎo)光板1041下的反射構(gòu)件1022、導(dǎo)光板1041上的光學(xué)片1051、光學(xué)片1051上的顯示面板1061、以及用于容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022的底蓋1011。但是，實施方案不限于上述結(jié)構(gòu)。底蓋1011、反射片1022、導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以構(gòu)成照明裝置1050。導(dǎo)光板1041散射光以提供表面光。導(dǎo)光板1041可以包括透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包括丙烯?；鶚渲缇奂谆┧峒柞?PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸脂(PC)、環(huán)狀烯烴共聚物(COC)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂中的一種。發(fā)光模塊1031對導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)提供光，并且用作顯示器件的光源。·設(shè)置有至少一個發(fā)光模塊1031，以直接或者間接地從導(dǎo)光板1041的側(cè)面提供光。發(fā)光模塊1031可以包括板1033和根據(jù)實施方案的發(fā)光器件100。發(fā)光器件100設(shè)置在板1033上，同時以預(yù)定的間隔彼此間隔開。板1033可以包括具有電路圖案的印刷電路板(PCB)。此外，板1033還可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或者柔性PCB (FPCB)以及典型的PCB，但是實施方案不限于此。如果發(fā)光器件100安裝在底蓋1011的側(cè)面或者安裝在散熱板上，則可以省略板1033。散熱板與底蓋1011的頂面部分地接觸。此外,發(fā)光器件100布置成使得發(fā)光器件100的光出射表面與導(dǎo)光板1041以預(yù)定的距離間隔開，但是實施方案不限于此。發(fā)光器件100可以直接或者間接地給光入射表面提供光，光入射表面是導(dǎo)光板1041的一個側(cè)面，但是實施方案不限于此。反射構(gòu)件1022設(shè)置在導(dǎo)光板1041下。反射構(gòu)件1022朝向?qū)Ч獍?041對穿過導(dǎo)光板1041的底面向下傳播的光進(jìn)行反射，從而改善照明裝置1050的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以包括PET、PC或者PVC樹脂，但是實施方案不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂面，但是實施方案不限于此。底蓋1011可以將導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031和反射構(gòu)件1022容納于其中。為此，底蓋1011具有容納部1012，其中，該容納部1012為具有打開的頂面的箱形，但是實施方案不限于此。底蓋1011可以與頂蓋耦接，但是實施方案不限于此。底蓋1011可以使用金屬材料或者樹脂材料、通過壓制工藝或者擠出工藝來制造。此外，底蓋1011可以包括金屬或者具有優(yōu)異導(dǎo)熱性的非金屬材料，但是實施方案不限于此。顯示面板1061例如是IXD面板，該IXD面板包括彼此相對的透明的第一和第二基板、以及置于第一和第二基板之間的液晶層。顯示面板1061的至少一個表面可以附接有偏振板，但是實施方案不限于此。顯示面板1061基于已經(jīng)穿過光學(xué)片1051的光來顯示信息。顯示器件1000可以應(yīng)用于各種便攜式終端、膝上型計算機(jī)的監(jiān)視器以及電視機(jī)。光學(xué)片1051設(shè)置在顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間并且包括至少一個透射片。例如，光學(xué)片1051包括散射片、水平和豎直棱鏡片以及增亮片中的至少一個。散射片散射入射光，水平和豎直棱鏡片將入射光匯聚到顯示區(qū)域上，增亮片通過再利用損失的光來改善亮度。此外，可以在顯示面板1061上設(shè)置保護(hù)片，但是實施方案不限于此。導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光路上作為光學(xué)構(gòu)件,但是實施方案不限于此。
圖11是示出根據(jù)另一實施方案的顯示器件的截面圖。參照圖11，顯示器件1100包括底蓋1152、其上布置有發(fā)光器件100的板1020、光學(xué)構(gòu)件1154以及顯示面板1155。板1020和發(fā)光器件100可以構(gòu)成發(fā)光模塊1060。此外,底蓋1152、至少一個發(fā)光模塊1060以及光學(xué)構(gòu)件1154可以構(gòu)成照明裝置。底蓋1152中可以設(shè)置有容納部1153，但是實施方案不限于此。光學(xué)構(gòu)件1154可以包括透鏡、導(dǎo)光板、散射片、水平和豎直棱鏡片以及增亮片中的至少一個。導(dǎo)光板可以包括PC或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)?？梢允÷詫?dǎo)光板。散射片散射入射光，水平和豎直棱鏡片將入射光匯聚到顯示區(qū)域上，增亮片通過再利用損失的光來改善亮度。 光學(xué)構(gòu)件1154設(shè)置在發(fā)光模塊1060上，以將從發(fā)光模塊1060發(fā)出的光轉(zhuǎn)換成表面光。此外，光學(xué)構(gòu)件1154可以散射或者收集光。圖12是示出根據(jù)實施方案的照明器件的立體圖。參照圖12，照明器件1500包括殼1510、安裝在殼1510中的發(fā)光模塊1530、以及安裝在殼1510中以從外部電源接收電力的接線端子1520。優(yōu)選地，殼1510包括具有優(yōu)異散熱性能的材料。例如，殼1510包括金屬材料或者樹脂材料。發(fā)光模塊1530可以包括板1532以及安裝在板1532上的根據(jù)實施方案的發(fā)光器件100。發(fā)光器件100彼此間隔開或者被設(shè)置成矩陣的形式。板1532包括印刷有電路圖案的絕緣構(gòu)件。例如，板1532包括PCB、MCPCB, FPCB,陶瓷PCB以及FR-4板。此外，板1532可以包括有效地反射光的材料?？梢栽诎?532的表面上形成涂覆層。此時，涂覆層具有白色或者銀色以有效地反射光。板1532上安裝有至少一個發(fā)光器件100。各發(fā)光器件100可以包括至少一個LED(發(fā)光二極管)芯片。LED芯片可以包括發(fā)出具有紅色、綠色、藍(lán)色或者白色的可見光波段的光的LED以及發(fā)出UV(紫外)光的UV LED。發(fā)光模塊1530的發(fā)光器件100可以以各種方式進(jìn)行安裝，以提供各種顏色和亮度。例如，可以設(shè)置白色LED、紅色LED和綠色LED，以獲得高的顯色指數(shù)(CRI)。接線端子1520電連接至發(fā)光模塊1530，以對發(fā)光模塊1530供電。接線端子1520具有與外部電源旋接的插座的形狀，但是實施方案不限于此。例如，接線端子1520可以制備成插入到外部電源中的管腳的形式或者通過導(dǎo)線連接至外部電源。根據(jù)實施方案，將發(fā)光器件100封裝，接著安裝在板上，以提供發(fā)光模塊。此外，發(fā)光器件安裝成LED芯片的形式,接著封裝以形成發(fā)光模塊。本說明書中對于“一個實施方案”、“實施方案”、“示例性實施方案”等的任意引用表示結(jié)合實施方案描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或者特性包括在本發(fā)明的至少一個實施方案中。本說明書中的各個位置處出現(xiàn)這樣的措辭并非都涉及相同的實施方案。此外，在結(jié)合任意實施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或者特性時，認(rèn)為將這些特征、結(jié)構(gòu)或者特性與實施方案的其他特征、結(jié)構(gòu)或者特性進(jìn)行結(jié)合在本領(lǐng)域技術(shù)人員的范圍內(nèi)。雖然已經(jīng)參照大量示意性實施方案描述了實施方案，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)設(shè)計出大量其他的修改和實施方案。更具體 地，可以在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對主題組合設(shè)置的部件和/或設(shè)置進(jìn)行各種變化和修改。除了部件和/或設(shè)置方面的變化和修改之外，替選用途對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括 包括第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層下的第一有源層、以及在所述第一有源層下的第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)； 在所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第一反射電極； 包括第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層下的第二有源層、以及在所述第二有源層下的第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)； 在所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二反射電極； 將所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層電連接至所述第二反射電極的接觸部；以及 在所述接觸部與所述第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和所述第二發(fā)光結(jié)構(gòu)下的支撐基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述接觸部與所述第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層的內(nèi)部接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述接觸部與所述第二反射電極的下部接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述接觸部與所述第二反射電極的側(cè)面接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中在所述第一反射電極與所述第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層之間設(shè)置有第一歐姆接觸層，并且在所述第二反射電極與所述第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層之間設(shè)置有第二歐姆接觸層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述第一絕緣離子注入層設(shè)置在所述接觸部與所述第一有源層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述接觸部與所述第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層之間的第二絕緣離子注入層。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述接觸部與所述第二有源層之間的第二絕緣離子注入層。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述接觸部的頂面與所述第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，還包括設(shè)置在所述支撐基板與所述第二反射電極之間的絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣層的一部分設(shè)置在所述第一反射電極與所述第二反射電極之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中當(dāng)所述第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層包括GaN層時，所述接觸部與所述第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層的Ga面接觸。
14.一種發(fā)光器件封裝件，包括 本體； 安裝在所述本體上的根據(jù)權(quán)利要求I至13中任一項所述的發(fā)光器件；以及 電連接至所述發(fā)光器件的第一和第二引線電極。
15.一種照明裝置，包括板；安裝在所述板上的根據(jù)權(quán)利要求I至13中任一項所述的發(fā)光器件；以及用作從所述發(fā)光器件發(fā)出的光的光路的光學(xué)構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光器件，包括包括第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層下的第一有源層、以及在第一有源層下的第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)；在第一發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第一反射電極；包括第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電型第三半導(dǎo)體層下的第二有源層、以及在第二有源層下的第二導(dǎo)電型第四半導(dǎo)體層的第二發(fā)光結(jié)構(gòu)；在第二發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二反射電極；將第一發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)電型第一半導(dǎo)體層電連接至第二反射電極的接觸部；以及在接觸部與第二導(dǎo)電型第二半導(dǎo)體層之間的第一絕緣離子注入層。
文檔編號H01L33/40GK102956664SQ201210016849
公開日2013年3月6日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日
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