專利名稱：一種改進(jìn)的電感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電感器，特別是涉及一種應(yīng)用于高頻開關(guān)的整流器。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的PFC電感中，大多采用EI、EE、PQ、H型磁芯，由于電感量不能隨電流強(qiáng)度呈線性變化，所以無法實(shí)現(xiàn)PFC的數(shù)字化控制。為了防止飽和，一般在現(xiàn)有磁芯上增加一個(gè)氣隙，兩個(gè)對接的U型磁芯在對接處存在一個(gè)氣隙，但是只有一個(gè)氣隙，損耗大，儲(chǔ)能少，難以滿足大功率、高頻率的開關(guān)電源的需要，且散熱效果也不好
發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種損耗小、儲(chǔ)能大、散熱性能好的電感器。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種改進(jìn)的電感器，包括兩個(gè)以口對口方式對接的U型磁芯和纏繞在兩個(gè)U型磁芯柱上的線圈，其特征在于所述磁芯柱的橫向表面設(shè)有增強(qiáng)磁飽和能力的氣隙，所述氣隙內(nèi)設(shè)有環(huán)氧膠填充層。前述的一種改進(jìn)的電感器，其特征在于所述的U型磁芯的材質(zhì)為鐵氧體。前述的一種改進(jìn)的電感器，其特征在于所述的氣隙在磁芯柱的橫向表面上均勻分布。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，在磁路里增加了氣隙，提高了磁飽和能力，使電感器損耗小、儲(chǔ)能大，且氣隙內(nèi)設(shè)有環(huán)氧膠填充層，散熱性能好。


圖I是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為進(jìn)一步揭示本發(fā)明的技術(shù)方案，茲結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式如圖I所示，一種改進(jìn)的電感器，包括兩個(gè)以口對口方式對接的U型磁芯I和纏繞在兩個(gè)U型磁芯柱上的線圈2,U型磁芯I的材質(zhì)為鐵氧體。磁芯柱的橫向表面設(shè)有增強(qiáng)磁飽和能力的氣隙3,氣隙3在磁芯柱的橫向表面上均勻分布,氣隙3內(nèi)設(shè)有環(huán)氧膠填充層。制造時(shí)，在兩個(gè)U型磁芯柱的橫向截面上，用金剛砂砂輪切割出一定的氣隙3，然后在切割處填充環(huán)氧膠，利于散熱。以上通過對所列實(shí)施方式的介紹，闡述了本發(fā)明的基本構(gòu)思和基本原理。但本發(fā)明絕不限于上述所列實(shí)施方式，凡是基于本發(fā)明的技術(shù)方案所作的等同變化、改進(jìn)及故意變劣等行為，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種改進(jìn)的電感器，包括兩個(gè)以ロ對ロ方式對接的U型磁芯和纏繞在兩個(gè)U型磁芯柱上的線圈，其特征在干所述磁芯柱的橫向表面設(shè)有增強(qiáng)磁飽和能力的氣隙，所述氣隙內(nèi)設(shè)有環(huán)氧膠填充層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種改進(jìn)的電感器，其特征在于所述的U型磁芯的材質(zhì)為鐵氧體。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種改進(jìn)的電感器，其特征在于所述的氣隙在磁芯柱的橫向表面上均勻分布。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改進(jìn)的電感器，包括兩個(gè)以口對口方式對接的U型磁芯和纏繞在兩個(gè)U型磁芯柱上的線圈，所述磁芯柱的橫向表面設(shè)有增強(qiáng)磁飽和能力的氣隙，所述氣隙內(nèi)設(shè)有環(huán)氧膠填充層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是，在磁路里增加了氣隙，提高了磁飽和能力，使電感器損耗小、儲(chǔ)能大，且氣隙內(nèi)設(shè)有環(huán)氧膠填充層，散熱性能好。
文檔編號H01F41/02GK102709026SQ201210022120
公開日2012年10月3日 申請日期2012年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月1日
發(fā)明者巫紅 申請人:鴻康磁業(yè)電子(昆山)有限公司