專利名稱：一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝的制作方法
一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于激光器半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，具體涉及一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝。
背景技術(shù)：
太赫茲(THz)量子級(jí)聯(lián)激光器(quantum cascade laser,QCL)作為一種重要的太赫茲輻射源，具有體積小、重量輕、易集成等優(yōu)點(diǎn)，是太赫茲領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的研究主要集中在有源區(qū)和波導(dǎo)兩個(gè)方面，要求器件具有高工作溫度、低閾值電流密度、高轉(zhuǎn)換效率、高輸出功率、單模窄光譜線寬、小遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角等性能。
太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器波導(dǎo)結(jié)構(gòu)主要有單面金屬波導(dǎo)和雙面金屬波導(dǎo)，其中雙面金屬波導(dǎo)對(duì)太赫茲波損耗小、模式限制作用強(qiáng)；雙面金屬波導(dǎo)激光器具有更低的閾值電流密度和更高的工作溫度。激光的出射有邊緣發(fā)射和表面發(fā)射兩種形式。
邊緣發(fā)射太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器通常采用波導(dǎo)兩個(gè)解離端面形成的F-P腔產(chǎn)生諧振，然而F-P腔激光器往往會(huì)產(chǎn)生多個(gè)激光模式，因此，為了獲得穩(wěn)定的單模輸出，通常在波導(dǎo)表面金屬層引入一階光柵。邊緣發(fā)射太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的出光孔徑較小，激光光束非常發(fā)散，這種亞波長(zhǎng)模式限制引起的光束發(fā)散對(duì)于雙面金屬波導(dǎo)激光器尤其明顯。
表面發(fā)射太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器具有較大的出射面積，因此可望具有更窄的光束發(fā)散模式以及更大的功率輸出。二階光柵可以實(shí)現(xiàn)激光的表面輻射，對(duì)于二階光柵表面發(fā)射太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，存在的問題為在垂直光柵排列方向上光束發(fā)散沒有得到限制以及輸出功率較小。解決上述問題的一種方法為在波導(dǎo)表面制作二維光子晶體，在二維上抑制光束的發(fā)散，平行襯底傳播的太赫茲光通過光子晶體的一級(jí)衍射實(shí)現(xiàn)垂直襯底表面輻射，二級(jí)衍射產(chǎn)生諧振。表面發(fā)射波導(dǎo)端面的反射會(huì)影響激光的模式，大面積波導(dǎo)容易激發(fā)橫向高次模，一個(gè)有效的解決方法是在波導(dǎo)的四周制作吸收邊以減弱端面反射、抑制橫向高次模，但是增加吸收邊會(huì)使光子晶體波導(dǎo)諧振腔的品質(zhì)因子變小。發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝，該激光器輸出功率高，且為單模窄線寬的面發(fā)射太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝。
一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，所述單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器包括位于中心的二維光子晶體波導(dǎo)和環(huán)繞二維光子晶體波導(dǎo)分布的一階光柵波導(dǎo)。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述二維光子晶體波導(dǎo)與所述一階光柵波導(dǎo)的連接處設(shè)有錐形波導(dǎo)。
作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選方案，所述一階光柵波導(dǎo)在遠(yuǎn)離中心的端面鍍有高反射
作為本發(fā)明的再一種優(yōu)選方案，所述二維光子晶體波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)為在垂直方向從下至上依次為重?fù)诫sη型GaAs襯底、下金屬層、下接觸層、有源區(qū)、上接觸層、上金屬層；其中所述上金屬層和上接觸層刻蝕有二維點(diǎn)陣孔洞。
作為本發(fā)明的再一種優(yōu)選方案，所述一階光柵波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)為在垂直方向從下至上依次為重?fù)诫sη型GaAs襯底、下金屬層、下接觸層、有源區(qū)、上接觸層、上金屬層；其中所述上金屬層和上接觸層刻蝕有一階光柵。
一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制作工藝，包括以下步驟
步驟一，以半絕緣GaAs為襯底，外延生長(zhǎng)一刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上外延生長(zhǎng)一上接觸層；在所述上接觸層上外延生長(zhǎng)一有源區(qū)；在所述有源區(qū)上外延生長(zhǎng)一下接觸層，然后在下接觸層上電子束蒸發(fā)一下金屬層；至此形成一片襯底；
步驟二，在另一重?fù)诫sη型GaAs襯底表面電子束蒸發(fā)Pd/Ge/Pd/ln薄膜形成另一片襯底；
步驟三，將兩片襯底的金屬面相對(duì)，熱壓鍵合在一起；
步驟四，對(duì)所述半絕緣GaAs襯底進(jìn)行拋光，直到離刻蝕阻擋層預(yù)設(shè)距離，然后采用濕法腐蝕，腐蝕到刻蝕阻擋層，再用HF酸去除刻蝕阻擋層；再用濕法腐蝕減薄上接觸層至預(yù)設(shè)厚度；采用剝離技術(shù)在所述半絕緣GaAs襯底上蒸發(fā)一上金屬層；以上金屬層為模版，自對(duì)準(zhǔn)刻蝕出位于中心的波導(dǎo)和環(huán)繞中心波導(dǎo)分布的脊形波導(dǎo)；再在中心的波導(dǎo)表面光刻出二維點(diǎn)陣孔洞，在脊形波導(dǎo)表面光刻出一階光柵，將上金屬層和上接觸層刻通，形成二維光子晶體波導(dǎo)和一階光柵波導(dǎo)。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述脊形波導(dǎo)在遠(yuǎn)離中心波導(dǎo)的端面鍍有高反射膜。
作為本發(fā)明的另一種優(yōu)選方案，所述光子晶體波導(dǎo)為圓形、方形或六邊形。
作為本發(fā)明的再一種優(yōu)選方案，所述二維光子晶體波導(dǎo)和一階光柵波導(dǎo)中太赫茲光諧振波長(zhǎng)相同。
作為本發(fā)明的再一種優(yōu)選方案，從所述上金屬層和下金屬層或重?fù)诫sη型GaAs襯底引出電極。
如上所述，本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝，具有以下有益效果本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器大大增加了中心區(qū)域波導(dǎo)的太赫茲激光的輸出功率，保證了太赫茲激光的單模窄線寬，只反饋激光器設(shè)定的工作模式，抑制橫向高次模，同時(shí)還提高了光子晶體諧振腔的品質(zhì)因子。


圖IA為本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的第一種結(jié)構(gòu)俯視示意圖。
圖IB為本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的第一種結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖2為本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。
元件標(biāo)號(hào)說明
01、重?fù)诫sη型GaAs襯底； 02、下金屬層；
03、重?fù)诫sη型GaAs下接觸層；04、GaAs多量子阱級(jí)聯(lián)有源區(qū)；
05、重?fù)诫sη型GaAs上接觸層；06、上金屬層；
07、二維光子晶體波導(dǎo)； 08、一階光柵波導(dǎo)；
09、一階光柵；10、點(diǎn)陣排列的孔洞；
11、錐形耦合波導(dǎo)。
具體實(shí)施方式
以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式
加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
請(qǐng)參閱附圖。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
本發(fā)明提出一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝，該激光器是基于雙面金屬波導(dǎo)工藝，由位于中心的二維光子晶體波導(dǎo)和圍繞二維光子晶體波導(dǎo)環(huán)形分布的一階光柵波導(dǎo)組成。光子晶體波導(dǎo)和光柵波導(dǎo)同時(shí)產(chǎn)生太赫茲激光增益，形成的太赫茲激光以垂直襯底的方向從光子晶體波導(dǎo)表面輻射。環(huán)形分布的多個(gè)光柵波導(dǎo)大大提高了激光器的輸出功率。該激光器實(shí)現(xiàn)了單模、高功率、低發(fā)散度太赫茲激光的表面發(fā)射。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
實(shí)施例
本實(shí)施例提供一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，如圖ΙΑ、1Β、2和3所示，該太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器包括位于中心的二維光子晶體波導(dǎo)和環(huán)繞二維光子晶體波導(dǎo)分布的一階光柵波導(dǎo)。所述二維光子晶體波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)為在垂直方向從下至上依次為重?fù)诫sη 型GaAs襯底、下金屬層、下接觸層、有源區(qū)、上接觸層、上金屬層；其中所述上金屬層和上接觸層刻蝕有二維點(diǎn)陣孔洞。所述一階光柵波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)為在垂直方向從下至上依次為重?fù)诫sη型GaAs襯底、下金屬層、下接觸層、有源區(qū)、上接觸層、上金屬層；其中所述上金屬層和上接觸層刻蝕有一階光柵。
所述單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器整個(gè)器件以GaAs為材料，采用雙面金屬波導(dǎo)工藝，波導(dǎo)在垂直方向從下至上依次為重?fù)诫sη型GaAs襯底01、下金屬層02、下接觸層03、有源區(qū)04、上接觸層05、上金屬層06，其中有源區(qū)04為AWaAs/GaAs多量子阱結(jié)構(gòu)， 中心波導(dǎo)和四周分布波導(dǎo)表面(上金屬層和上接觸層)分別刻蝕有二維光子晶體和一階光柵，即形成位于中心的二維光子晶體波導(dǎo)07和環(huán)繞二維光子晶體波導(dǎo)07分布的一階光柵波導(dǎo)08。
四周分布的一階光柵波導(dǎo)為一窄條寬的脊形波導(dǎo)，寬度約100微米，表面刻蝕一階光柵09，上金屬層和上接觸層均被刻通，光柵為平行排列的狹縫，狹縫的長(zhǎng)度小于脊形波導(dǎo)的條寬以保證波導(dǎo)電學(xué)導(dǎo)通?；诜植钾?fù)反饋(DFB)原理，所述一階光柵波導(dǎo)中能形成水平方向傳輸?shù)膯文Ｌ掌澕す?。為了減少端面損失，一階光柵波導(dǎo)遠(yuǎn)離中心區(qū)的端面鍍上高反射膜。四周分布的脊形波導(dǎo)和中心區(qū)波導(dǎo)連接處，可增加一個(gè)錐形耦合波導(dǎo)11以減小兩個(gè)波導(dǎo)之間的耦合損失。
圖IA和圖IB為單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的結(jié)構(gòu)示意圖，其采用雙面金屬波導(dǎo)工藝，二維光子晶體波導(dǎo)為圓形，一階光柵波導(dǎo)呈星型均勻分布在二維光子晶體波導(dǎo)的四周，圖IA為俯視圖，圖IB為剖面圖。圖2為具有四個(gè)光柵波導(dǎo)的光子晶體面發(fā)射太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的俯視圖，中心區(qū)的二維光子晶體波導(dǎo)為正方形。圖3為具有六個(gè)光柵波導(dǎo)的光子晶體面發(fā)射太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的俯視圖，中心區(qū)的二維光子晶體波導(dǎo)為六邊形。所述位于中心的二維光子晶體波導(dǎo)可為圓形、方形或者六邊形等，其形狀不限于本發(fā)明列舉的三種，其需要具有較大的面積，直徑或者寬度可約為500微米。大的出射面積為激光器的大功率輸出、低遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散提供了有利條件。所述中心區(qū)域的波導(dǎo)表面制作有二維光子晶體，通過刻蝕上金屬層和上接觸層形成正三角形點(diǎn)陣或者正方形點(diǎn)陣排列的孔洞 10，其中點(diǎn)陣的周期大小滿足使光子晶體波導(dǎo)中某一特定波長(zhǎng)的太赫茲光的一級(jí)衍射產(chǎn)生垂直輻射，二階衍射產(chǎn)生諧振。并且中心區(qū)光子晶體波導(dǎo)和周圍分布的脊形波導(dǎo)具有相同的諧振波長(zhǎng)。
本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的優(yōu)點(diǎn)在于四周分布的脊形波導(dǎo)和中心區(qū)域波導(dǎo)同時(shí)產(chǎn)生激光增益，脊形波導(dǎo)產(chǎn)生的水平方向傳輸?shù)募す舛紖R集到中心區(qū)域波導(dǎo)，通過中心區(qū)域波導(dǎo)的二維光子晶體的一級(jí)衍射垂直襯底出射，大大增加了中心區(qū)域波導(dǎo)太赫茲激光的輸出功率；脊形波導(dǎo)一階光柵和中心區(qū)域波導(dǎo)二維光子晶體保證了太赫茲激光的單模窄線寬；中心區(qū)域面發(fā)射波導(dǎo)的大出射面積為激光器的大功率輸出和窄遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散提供了有利條件；周圍分布的脊形波導(dǎo)對(duì)于二維光子晶體波導(dǎo)而言，還起到了布拉格反射鏡(DBR)的作用，只反饋激光器設(shè)定的工作模式，抑制橫向高次模，同時(shí)還提高了光子晶體諧振腔的品質(zhì)因子。
本實(shí)施例還提供一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制作工藝，其工藝流程為
以半絕緣GaAs為襯底，分子束外延(MBE)生長(zhǎng)約500納米厚的Ala P^l5As刻蝕阻擋層；
在所述刻蝕阻擋層上分子束外延(MBE)生長(zhǎng)約500納米厚的重?fù)诫sη型GaAs上接觸層，其作用是使金屬和GaAs形成非合金的歐姆接觸；
在所述上接觸層上分子束外延(MBE)生長(zhǎng)AWaAs/GaAs交替多層周期結(jié)構(gòu)有源區(qū)，厚度約10微米；
在所述有源區(qū)上MBE生長(zhǎng)約50納米的重?fù)诫sη型GaAs下接觸層；然后在GaAs下接觸層上電子束蒸發(fā)一下金屬層，該下金屬層可以為Ti/Au薄膜，厚約1微米；至此形成一片襯底；
在另一重?fù)诫sη型GaAs襯底表面電子束蒸發(fā)Pd/Ge/Pd/In薄膜，厚度約1微米， 形成另一片襯底；將兩片襯底的金屬面相對(duì)，熱壓鍵合在一起；
對(duì)所述半絕緣GaAs襯底進(jìn)行拋光，直到離刻蝕阻擋層約100微米，然后采用濕法腐蝕，腐蝕到刻蝕阻擋層，再用HF酸去除刻蝕阻擋層；濕法腐蝕減薄上接觸層至50納米左右，以減少自由載流子吸收引起的波導(dǎo)損耗；采用剝離技術(shù)在所述半絕緣GaAs襯底上蒸發(fā)一 Ti/Au上金屬層；以上金屬層為模版，自對(duì)準(zhǔn)刻蝕出中心的圓形、方形或者六邊形波導(dǎo)和四周分布的脊形波導(dǎo)；四周的脊形波導(dǎo)寬度約100微米，中心波導(dǎo)直徑或?qū)挾燃s500微米； 再在中心的圓形、方形或者六邊形波導(dǎo)表面和脊形波導(dǎo)表面波導(dǎo)上分別光刻出二維點(diǎn)陣孔洞和一階光柵，將上金屬層和上接觸層刻通，形成二維光子晶體波導(dǎo)和一階光柵波導(dǎo)。
所述脊形波導(dǎo)在遠(yuǎn)離中心波導(dǎo)的端面鍍有高反射膜。電極從所述上金屬層和下金屬層或重?fù)诫sη型GaAs襯底引出。
整個(gè)激光器的制備流程與通常報(bào)道的雙面金屬波導(dǎo)工藝相同，并不會(huì)增加額外的工藝步驟，只是增加了光刻部分圖形的復(fù)雜性。
所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于所述單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器包括位于中心的二維光子晶體波導(dǎo)和環(huán)繞二維光子晶體波導(dǎo)分布的一階光柵波導(dǎo)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于所述二維光子晶體波導(dǎo)與所述一階光柵波導(dǎo)的連接處設(shè)有錐形波導(dǎo)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于所述一階光柵波導(dǎo)在遠(yuǎn)離中心的端面鍍有高反射膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于所述二維光子晶體波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)為在垂直方向從下至上依次為重?fù)诫sη型GaAs襯底、下金屬層、下接觸層、有源區(qū)、上接觸層、上金屬層；其中所述上金屬層和上接觸層刻蝕有二維點(diǎn)陣孔洞。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器，其特征在于所述一階光柵波導(dǎo)的結(jié)構(gòu)為在垂直方向從下至上依次為重?fù)诫sη型GaAs襯底、下金屬層、下接觸層、有源區(qū)、上接觸層、上金屬層；其中所述上金屬層和上接觸層刻蝕有一階光柵。
6.一種權(quán)利要求1所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制作工藝，其特征在于，包括以下步驟步驟一，以半絕緣GaAs為襯底，外延生長(zhǎng)一刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上外延生長(zhǎng)一上接觸層；在所述上接觸層上外延生長(zhǎng)一有源區(qū)；在所述有源區(qū)上外延生長(zhǎng)一下接觸層，然后在下接觸層上電子束蒸發(fā)一下金屬層；至此形成一片襯底；步驟二，在另一重?fù)诫sη型GaAs襯底表面電子束蒸發(fā)Pd/Ge/Pd/ln薄膜形成另一片襯底；步驟三，將兩片襯底的金屬面相對(duì)，熱壓鍵合在一起；步驟四，對(duì)所述半絕緣GaAs襯底進(jìn)行拋光，直到離刻蝕阻擋層預(yù)設(shè)距離，然后采用濕法腐蝕，腐蝕到刻蝕阻擋層，再用HF酸去除刻蝕阻擋層；再用濕法腐蝕減薄上接觸層至預(yù)設(shè)厚度；采用剝離技術(shù)在所述半絕緣GaAs襯底上蒸發(fā)一上金屬層；以上金屬層為模版，自對(duì)準(zhǔn)刻蝕出位于中心的波導(dǎo)和環(huán)繞中心波導(dǎo)分布的脊形波導(dǎo)；再在中心的波導(dǎo)表面光刻出二維點(diǎn)陣孔洞，在脊形波導(dǎo)表面光刻出一階光柵，將上金屬層和上接觸層刻通，形成二維光子晶體波導(dǎo)和一階光柵波導(dǎo)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制作工藝，其特征在于所述脊形波導(dǎo)在遠(yuǎn)離中心波導(dǎo)的端面鍍有高反射膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制作工藝，其特征在于所述光子晶體波導(dǎo)為圓形、方形或六邊形。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制作工藝，其特征在于所述二維光子晶體波導(dǎo)和一階光柵波導(dǎo)中太赫茲光諧振波長(zhǎng)相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的制作工藝，其特征在于從所述上金屬層和下金屬層或重?fù)诫sη型GaAs襯底引出電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器及其制作工藝，所述單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器包括位于中心的二維光子晶體波導(dǎo)和環(huán)繞二維光子晶體波導(dǎo)分布的一階光柵波導(dǎo)。本發(fā)明所述的單模大功率太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器大大增加了中心區(qū)域波導(dǎo)的太赫茲激光的輸出功率，保證了太赫茲激光的單模窄線寬，只反饋激光器設(shè)定的工作模式，抑制橫向高次模，同時(shí)還提高了光子晶體諧振腔的品質(zhì)因子。
文檔編號(hào)H01S5/22GK102570307SQ20121002365
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月2日
發(fā)明者萬文堅(jiān), 曹俊誠(chéng), 韓英軍 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所