專利名稱：發(fā)光二極管封裝件及具有該發(fā)光二極管封裝件的背光單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種發(fā)光二極管封裝件及一種具有該發(fā)光二極管封裝件的背光單元。更具體地講，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種受保護(hù)而免受靜電放電電流損壞的發(fā)光二極管封裝件及一種具有該發(fā)光二極管封裝件的背光單元。
背景技術(shù)：
由于顯示面板為非發(fā)射裝置，所以諸如液晶顯示器的非發(fā)射顯示設(shè)備包括背光單元以向顯示面板提供光來(lái)顯示圖像。近來(lái)，背光單元使用發(fā)光二極管封裝件來(lái)代替冷陰極熒光燈，以改善顏色再現(xiàn)性同時(shí)降低功耗。發(fā)光二極管封裝件可以包括作為半導(dǎo)體裝置的LED(發(fā)光二極管)，以響應(yīng)于施加的驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)產(chǎn)生光。LED基于化合物半導(dǎo)體的特性通過(guò)使電子和空穴在其中復(fù)合而工作，從而產(chǎn)生光。然而，LED會(huì)因在釋放靜電(通常稱作靜電放電；ESD)時(shí)產(chǎn)生的放電電流而損壞，這被稱作“靜電破壞”。通常，為了保護(hù)LED免受放電電流的損壞，發(fā)光二極管封裝件包括瞬態(tài)電壓抑制二極管或齊納二極管。在該背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，因此它可包含對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)也不是現(xiàn)有技術(shù)會(huì)建議的內(nèi)容的任何部分的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管封裝件，該發(fā)光二極管封裝件可以得到保護(hù)而免受在發(fā)生靜電放電時(shí)產(chǎn)生的放電電流的損壞。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種具有該發(fā)光二極管封裝件的背光單元。在下面的描述中將闡述本發(fā)明的附加特征，本發(fā)明的附加特征通過(guò)該描述而部分地清楚，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。本發(fā)明的不例性實(shí)施例公開了一種包括發(fā)光二極管的發(fā)光二極管封裝件。發(fā)光二極管包括第一電極和第二電極并響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生光。第一主引線連接到第一電極，第二主引線連接到第二電極，發(fā)光二極管設(shè)置在固定有第一主引線和第二主引線的主體部分上。發(fā)光二極管封裝件包括第一子引線和第二子引線，第一子引線具有連接到第一主引線的一個(gè)端部，第二子引線具有連接到第二主引線的一個(gè)端部和與第一子引線的相對(duì)端部分隔開同時(shí)面對(duì)第一子引線的相對(duì)端部的相對(duì)端部。第二子引線與第一子引線一起釋放靜電。本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種背光單元，該背光單元包括基體構(gòu)件、安裝在基體構(gòu)件上以產(chǎn)生光的多個(gè)發(fā)光二極管封裝件和將驅(qū)動(dòng)電壓提供給發(fā)光二極管封裝件的信號(hào)線。多個(gè)發(fā)光二極管封裝件可以包括具有上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝件中的至少一個(gè)。將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的，并意圖提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖包含在本說(shuō)明書中并構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分，且附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖I是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的平面圖。圖2是示出圖I中示出的發(fā)光二極管封裝件的側(cè)視圖。圖3是沿圖I中的線i-r截取的剖視圖。圖4是示出圖I中的發(fā)光二極管的剖視圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的側(cè)視圖。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的側(cè)視圖。圖7是沿圖6中的線II-II'截取的剖視圖。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的平面圖。圖9是沿圖8中的線Ill-Ill'截取的剖視圖。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的平面圖。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括發(fā)光二極管封裝件的背光單元的平面圖。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的包括發(fā)光二極管封裝件的背光單元的平面圖。圖13是示出本發(fā)明又一實(shí)施例的背光單元的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于下面的實(shí)施例，而是包括各種應(yīng)用和修改。提供下面的實(shí)施例以使本發(fā)明中公開的技術(shù)精神清楚，并將本發(fā)明的技術(shù)精神充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域中具有一般知識(shí)和技能的人員。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)局限于下面的實(shí)施例。當(dāng)描述每個(gè)附圖時(shí)，相似的標(biāo)記表示相似的組件。此外，為了準(zhǔn)確的解釋或強(qiáng)調(diào)，簡(jiǎn)化或夸大與下面的實(shí)施例一起的附圖的層和區(qū)域的尺寸，并且相同的標(biāo)記表示相同的組件。為了解釋各種組件的目的，使用術(shù)語(yǔ)“第一”和“第二”，并且組件不受術(shù)語(yǔ)“第一”和“第二”的限制。使用術(shù)語(yǔ)“第一”和“第二”僅用來(lái)將一個(gè)組件與另一組件區(qū)分開來(lái)。例如，在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下，可以將第一組件命名為第二組件。相似地，可以將第二組件命名為第一組件。除非在上下文中單數(shù)的含義明確地不同于復(fù)數(shù)的含義，否則說(shuō)明書中單數(shù)的表達(dá)包括復(fù)數(shù)的含義。在下面的描述中，術(shù)語(yǔ)“包括”或“具有”可以表示說(shuō)明書中描述的特征、數(shù)量、步驟、操作、組件、部件或它們的組合的存在，可以不排除另一特征、另一數(shù)量、另一步驟、另一、操作、另一組件、另一部件或它們的組合的存在或附加。此外，當(dāng)層、膜、區(qū)域或板被稱作形成在另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板上時(shí)，該層、膜、區(qū)域或板可以直接形成在另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板上，或者第三層、第三膜、第三區(qū)域或第三板可以設(shè)置在該層、膜、區(qū)域或板與另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板之間。當(dāng)層、膜、區(qū)域或板被稱作形成在另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板之下時(shí)，該層、膜、區(qū)域或板可以直接形成在另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板之下，或者第三層、第三膜、第三區(qū)域或第三板可以設(shè)置在該層、膜、區(qū)域或板與另一層、另一膜、另一區(qū)域或另一板之間。相反，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”、“直接在”另一元件“之下”或“直接連接到”另一元件時(shí)，不存在中間元件。將理解的是，為了本公開的目的，“...中的至少一個(gè)”將被解釋為表示相應(yīng)表述之前列舉的元件的任何組合，包括多個(gè)列舉的元件的組合。例如，“X、Y和Z中的至少一個(gè)”將被解釋為表示僅X、僅Y、僅Z或X、Y和Z中的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)的任意組合(例如，XYZ、XYY、TL、YZ)。在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。圖I是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的平面圖，圖2是示出圖I中示出的發(fā)光二極管封裝件的側(cè)視圖。圖3是沿圖I中的線1-1'截取的剖視圖，圖4是示出構(gòu)成圖I中的發(fā)光二極管封裝件的發(fā)光二極管的剖視圖。參照?qǐng)DI至圖4，發(fā)光二極管封裝件100包括發(fā)光二極管110、第一主引線120、第二主引線130、主體部分160、第一子引線140和第二子引線150。發(fā)光二極管110響應(yīng)于通過(guò)第一電極111和第二電極112施加到其的驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生光。發(fā)光二極管110具有堆疊結(jié)構(gòu)，在該堆疊結(jié)構(gòu)中，N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層順序地堆疊。在該結(jié)構(gòu)中，如果驅(qū)動(dòng)電壓被施加到發(fā)光二極管110，則電子和空穴在移動(dòng)的同時(shí)彼此復(fù)合，從而產(chǎn)生光。在下文中，將參照?qǐng)D4更詳細(xì)地描述發(fā)光二極管110。圖4代表性地示出構(gòu)成發(fā)光二極管封裝件100的一個(gè)發(fā)光二極管。如圖4中所示，發(fā)光二極管110包括順序地堆疊在基底113上的N型半導(dǎo)體層114、有源層115和P型半導(dǎo)體層116。此外，發(fā)光二極管110包括連接到P型半導(dǎo)體層116的P型電極111 (第一電極)和連接到N型半導(dǎo)體層114的N型電極112 (第二電極)?；?13包括透明材料，所述透明材料包括藍(lán)寶石(Al2O3)。此外，基底113可以包括氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)等。N型半導(dǎo)體層114可以包括摻雜有N型導(dǎo)電雜質(zhì)的N型氮化物半導(dǎo)體層，諸如GaN或GaN/AlGaN。P型半導(dǎo)體層116可以包括摻雜有P型導(dǎo)電雜質(zhì)的P型氮化物半導(dǎo)體層，諸如GaN或GaN/AlGaN。有源層115可以包括具有多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)的InGaN/GaN層。如果通過(guò)臺(tái)面蝕刻工藝將P型半導(dǎo)體層116和有源層115的部分去除，則N型半導(dǎo)體層114的頂表面的部分暴露于外部。在這種情況下，將第一電極111設(shè)置在P型半導(dǎo)體層116上，將第二電極112設(shè)置在N型半導(dǎo)體層114的通過(guò)臺(tái)面蝕刻工藝暴露于外部的頂表面上。
第一主引線120連接到發(fā)光二極管110的第一電極111，第二主引線130連接到發(fā)光二極管110的第二電極112。從外部施加的驅(qū)動(dòng)電壓通過(guò)第一主引線120提供給發(fā)光二極管110，降低的驅(qū)動(dòng)電壓從第二主引線130引出。換句話說(shuō)，在發(fā)光二極管110中，通過(guò)第一主引線120將第一電壓提供給第一電極111，通過(guò)第二主引線130將比第一電壓低的第二電壓提供給第二電極112。在這種情況下，第一電壓與第二電壓之間的差與驅(qū)動(dòng)電壓降低的幅度相等。主體部分160將發(fā)光二極管110安裝在其上，并將第一主引線120和第二主引線130固定到主體部分160。主體部分160可以包括樹脂材料。如圖I至圖3中所示，主體部分160包括安裝表面162，發(fā)光二極管110安裝在安裝表面162上；底表面164，背對(duì)安裝表面162設(shè)置；以及外部側(cè)表面166，從底表面164彎曲并延伸?？梢酝ㄟ^(guò)樹脂粘合片(未示出)或?qū)щ娬澈掀?未示出)將發(fā)光二極管110安裝在安裝表面162上。如圖I至圖3中所示，當(dāng)?shù)妆砻?64具有矩形形狀時(shí)，外部側(cè)表面166可以分為四個(gè)區(qū)域(見圖10)。此外,底表面164的面積可以比安裝表面162的面積大,外部側(cè)表面166可以按照比安裝表面162與底表面164之間的距離長(zhǎng)的長(zhǎng)度延伸。如果主體部分160還包括從安裝表面162彎曲并延伸的內(nèi)部側(cè)表面168，則主體部分160包括圍繞發(fā)光二極管110的側(cè)壁160 。成型構(gòu)件可以填充在由內(nèi)部側(cè)表面168和外部側(cè)表面166限定的空間中以保護(hù)發(fā)光二極管110。主引線120和130可以分別穿過(guò)主體部分160的部分。第一主引線120的一個(gè)端部和第二主引線130的一個(gè)端部暴露在安裝表面162上,第一主引線120的從第一主引線120的所述一個(gè)端部延伸的相對(duì)端部和第二主引線130的從第二主引線130的所述一個(gè)端部延伸的相對(duì)端部從主體部分160突出。例如，如圖I和圖3中所示，第一主引線120和第二主引線130中的每個(gè)穿過(guò)側(cè)壁160w，每個(gè)相對(duì)端部從外部側(cè)表面166突出。在這種情況下，第一電極111可以通過(guò)使用第一線Wl連接到第一主引線120的暴露在安裝表面162上的所述一個(gè)端部，第二電極112可以通過(guò)使用第二線《2連接到第二主引線130的所述一個(gè)端部。同時(shí)，為了解釋的目的，提供了以上的連接方案。因此，如果對(duì)圖4中的發(fā)光二極管110進(jìn)行修改，則主引線120和130可以通過(guò)其他連接方案連接到電極 111 和 112。發(fā)光二極管110會(huì)因在發(fā)生靜電放電時(shí)(即，當(dāng)放電電流流過(guò)時(shí))產(chǎn)生的熱而損壞，這被稱作“靜電破壞”。通常，發(fā)光二極管110對(duì)小于2kV的放電電壓下流過(guò)的放電電流具有耐受性。然而，對(duì)于2kV或更高的放電電壓下流過(guò)的放電電流，在發(fā)光二極管110中發(fā)生靜電破壞。為了防止靜電破壞，發(fā)光二極管封裝件100包括第一子引線140和第二子引線 150。第一子引線140和第二子引線150分別連接到第一主引線120和第二主引線130。更具體地講，參照?qǐng)DI至圖3，第一子引線140的一個(gè)端部連接到第一主引線120，第二子引線150的一個(gè)端部連接到第二主引線130。第一子引線140和第二子引線150的相對(duì)端部以預(yù)定距離d彼此分隔開，同時(shí)彼此面對(duì)。在這種情況下，第一子引線140和第二子引線150的相對(duì)端部?jī)?yōu)選地從主體部分160突出。因此，靜電放電可被引導(dǎo)到主體部分160的外部。第一子引線140包括第一固定引線部分142和從第一固定引線部分142延伸的第一放電引線部分144。第一固定引線部分142的一端連接到第一主引線120，第一固定引線部分142的相對(duì)端暴露在外部側(cè)表面166的外面。此外，第一放電引線部分144連接到第、一固定引線部分142并從主體部分160突出第二子引線150可以具有與第一子引線140的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，第二子引線150包括第二固定引線部分152和從第二固定引線部分152延伸的第二放電引線部分154。第二固定引線部分152的一端連接到第二主引線130，第二固定引線部分152的相對(duì)端暴露在外部側(cè)表面166的外面。此外，第二放電引線部分154連接到第二固定引線部分152并從主體部分160突出。如圖I和圖2中所示，第一放電引線部分144和第二放電引線部分154可以接觸外部側(cè)表面166。因此，當(dāng)處理發(fā)光二極管封裝件100時(shí)，可以防止第一放電引線部分144與第一固定引線部分142斷開并防止第二放電引線部分154與第二固定引線部分152斷開。在這種情況下，第一放電引線部分144和第二放電引線部分154在外部側(cè)表面166上可以具有多邊形形狀。同時(shí)，雖然圖2示出第一放電引線部分144和第二放電引線部分154在外部側(cè)表面166上具有矩形形狀，但可以對(duì)第一放電引線部分144和第二放電引線部分154的形狀和面積進(jìn)行修改。第一放電引線部分144和第二放電引線部分154以預(yù)定的距離d彼此分開，同時(shí)彼此面對(duì)。根據(jù)下面的等式1，確定發(fā)生靜電放電的臨界放電電壓。換句話說(shuō)，當(dāng)存儲(chǔ)的負(fù)電荷與正電荷之間的電勢(shì)差大于臨界放電電壓時(shí)，發(fā)生靜電放電。等式IVc = {(3000 Xp Xd)+1350}在等式I中，Vc是臨界放電電壓(單位為伏特(V))，p是大氣壓(單位是工程大氣壓(atm))，d是第一放電引線部分144和第二放電引線部分154之間的距離(單位為毫米(mm))。例如，當(dāng)在Iatm的大氣壓下，距離d為大約100 y m時(shí)，臨界放電電壓為大約1650V。因此，當(dāng)距離d為大約IOOiim時(shí)，且當(dāng)存儲(chǔ)的負(fù)電荷與正電荷之間的電勢(shì)差為大約1650V或更大(即，放電電壓為1650V或更大)時(shí)，發(fā)生ESD。換句話說(shuō)，當(dāng)距離d為大約100時(shí)，且當(dāng)負(fù)電荷與正電荷之間的電勢(shì)差為大約1650V或更大時(shí)，在第一放電引線部分144和第二放電引線部分154之間的介質(zhì)(例如，空氣)中發(fā)生介電擊穿，放電電流流過(guò)該介質(zhì)。在這種情況下，第一放電引線部分144和第二放電引線部分154之間的距離d優(yōu)選地在大約50iim至大約Imm的范圍內(nèi)。如果第一放電引線部分144和第二放電引線部分154之間的距離d小于大約50 iim，則靜電放電過(guò)多地發(fā)生。如果第一放電引線部分144和第二放電引線部分154之間的距離超過(guò)大約1mm，則發(fā)光二極管110中會(huì)發(fā)生靜電破壞。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的側(cè)視圖。在下文中，將參照?qǐng)D5描述根據(jù)另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件，但將不對(duì)與圖I至圖4中的結(jié)構(gòu)和組件相同的結(jié)構(gòu)和組件進(jìn)行進(jìn)一步的描述，以避免冗余。與圖I至圖4中示出的發(fā)光二極管封裝件100相似，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件100-1包括發(fā)光二極管110、第一主引線120、第二主引線130、主體部分160、第一子引線140和第二子引線150。此外，第一子引線140和第二子引線150中的每個(gè)可以包括固定引線部分以及設(shè)置在主體部分160的外部側(cè)表面166上并具有多邊形形狀的放電引線部分。如圖5中所示，第一子引線140包括在外部側(cè)表面166上具有五邊形形狀的第一放電引線部分144-1，第二子引線150包括在外部側(cè)表面166上具有五邊形形狀的第二放電引線部分154-1。此外，第一放電引線部分144-1和第二放電引線部分154-1可以接觸外部側(cè)表面166。在這種情況下，優(yōu)選地，構(gòu)成具有多邊形形狀的第一放電引線部分144-1的多個(gè)頂角中的具有最小頂角角度的頂角面對(duì)構(gòu)成具有多邊形形狀的第二放電引線部分154-1的多個(gè)頂角中的具有最小角度的頂角。如圖5中所示，如果第一放電引線部分144-1中具有最小頂角角度的頂角144V面對(duì)第二放電引線部分154-1中具有最小頂角角度的頂角154V，則電場(chǎng)集中，并且臨界放電電壓降低。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的側(cè)視圖，圖描述，以避免幾余。如圖6和圖7中所示，在根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件100-2中，第一放電引線部分144-2和第二引線放電部分154-2的至少一部分接觸外部側(cè)表面166。在這種情況下，主體部分160包括形成在外部側(cè)表面166的預(yù)定區(qū)域處的槽160g。所述預(yù)定區(qū)域至少包括與第一放電引線部分144-2的端部對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及與第二放電引線部分154-2的面對(duì)第一放電引線部分144-2的所述端部的端部對(duì)應(yīng)的區(qū)域。第一放電引線部分144-2和第二放電引線部分154-2的彼此面對(duì)的端部不接觸外部側(cè)表面166。因此，由于第一放電引線部分144-2的至少一部分和第二放電引線部分154-2的至少一部分與外部側(cè)表面166接觸，所以可以防止第一放電引線部分144-2和第二放電引線部分154-2與第一固定引線部分142和第二固定引線部分152斷開。此外，槽160g提供了允許第一放電引線部分144-2和第二放電引線部分154_2的彼此面對(duì)的端部與空氣接觸的空間，從而降低了臨界放電電壓。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的平面圖，圖9是沿圖8中的線iii-iir截取的剖視圖。在下文中，將參照?qǐng)D8和圖9描述根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件。然而，將不對(duì)與圖I至圖7中的結(jié)構(gòu)和組件相同的結(jié)構(gòu)和組件進(jìn)行進(jìn)一步的描述，以避免冗余。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件100-3還包括將發(fā)光二極管110產(chǎn)生的熱排放到外部的散熱器HS。如圖8和圖9中所示，主體部分160包括從安裝表面162延伸到底表面164的通孔160t。通孔160t可以具有各種形狀。例如，如圖9中所示，沿圖8中的線III-Iir截取的截面可以具有梯形形狀，與安裝表面162平行地截取的截面可以具有圓形形狀或多邊形形狀。散熱器HS設(shè)置在通孔160t中。散熱器HS可以包括表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)熱率的金屬。優(yōu)選地，散熱器HS可以具有與通孔160t的形狀相同的形狀。在這種情況下，散熱器HS的一個(gè)表面HS-162可以與安裝表面162齊平。發(fā)光二極管110可以安裝在散熱器HS的表面HS-162上以提高散熱效率。此外，背對(duì)表面HS-162的相對(duì)表面可以與底表面164齊平。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的平面圖。在下文中，將參照?qǐng)D10描述根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件。然而，將不對(duì)與圖I至圖9中的結(jié)構(gòu)和組件相同的結(jié)構(gòu)和組件進(jìn)行進(jìn)一步的描述，以避免冗余。根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件100-4包括多個(gè)第一子引線140和多個(gè)第二子、引線150。第一子引線140的數(shù)量與第二子引線150的數(shù)量相等。在這種情況下，每個(gè)第一子引線140的一個(gè)端部連接到第一主引線120，每個(gè)子引線150的一個(gè)端部連接到第二主引線130。此外，第一子引線140的相對(duì)端部一一對(duì)應(yīng)地面對(duì)第二子引線150的相對(duì)端部。在這種發(fā)光二極管封裝件100-4中，ESD可以發(fā)生在兩點(diǎn)或更多點(diǎn)處。如圖10中所示，第一子引線140和第二子引線150的相對(duì)端部可以從主體部分160突出。當(dāng)發(fā)光二極管封裝件100-4的底表面164 (見圖2)具有矩形形狀時(shí)，并且當(dāng)從底表面164彎曲并延伸的外部側(cè)表面166分為四個(gè)區(qū)域166-1、166-2、166-3和166-4時(shí),一對(duì)子引線140和150的相對(duì)端部可以從第一區(qū)域166-1突出，另一對(duì)子引線140和150的相對(duì)端部可以從背對(duì)第一區(qū)域166-1的第二區(qū)域166-2突出。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括發(fā)光二極管封裝件的背光單元的平面圖，圖12是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的包括發(fā)光二極管封裝件的背光單元的平面圖。如圖11中所示，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包括發(fā)光二極管封裝件的背光單元(在下文中，稱作背光單元)包括基體構(gòu)件200、安裝在基體構(gòu)件200上的多個(gè)發(fā)光二極管封裝件100以及將從外部施加的驅(qū)動(dòng)電壓提供至發(fā)光二極管封裝件100的信號(hào)線。發(fā)光二極管封裝件100產(chǎn)生光。由于發(fā)光二極管封裝件100可以包括參照?qǐng)DI至圖10描述的發(fā)光二極管中的一種，所以將省略發(fā)光二極管封裝件100的詳述?；w構(gòu)件200包括形成背光單元的框架的板構(gòu)件，并且可以包括樹脂基底或其表面上形成有金屬氧化物層的金屬基底(例如，其上設(shè)置有鋁氧化物層(或氧化鋁層)的鋁基底)。如圖11中所示，發(fā)光二極管封裝件100可以彼此并聯(lián)連接。信號(hào)線包括第一信號(hào)線310和第二信號(hào)線320，第一信號(hào)線310將第一電壓提供至每個(gè)發(fā)光二極管封裝件100的第一主引線120，第二信號(hào)線320將比第一電壓低的第二電壓提供至每個(gè)發(fā)光二極管封裝件100的第二主引線130。信號(hào)線包括諸如銅(Cu)的導(dǎo)電材料，并可以通過(guò)鍍覆工藝或蝕刻工藝形成。當(dāng)基體構(gòu)件200包括連接件210時(shí)，第一信號(hào)線連接到第一引腳212以從外部接收適于驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管110的較高的電壓，第二信號(hào)線連接到第二引腳214以從外部接收接地電壓。如圖12中所示，發(fā)光二極管封裝件100可以彼此串聯(lián)連接。在這種情況下，發(fā)光二極管封裝件100串聯(lián)地布置，信號(hào)線包括第三信號(hào)線330和多個(gè)第四信號(hào)線340，第三信號(hào)線330將第一電壓提供至發(fā)光二極管封裝件100A的第一主引線120，發(fā)光二極管封裝件100A是發(fā)光二極管封裝件100中布置在最前面的發(fā)光二極管封裝件，多個(gè)第四信號(hào)線340將設(shè)置在相鄰的發(fā)光二極管封裝件100之間的第一主引線120和第二主引線130連接。此夕卜，信號(hào)線包括第五信號(hào)線350，以將比第一電壓低的第二電壓提供至發(fā)光二極管封裝件100N的第二主引線130，發(fā)光二極管封裝件100N是發(fā)光二極管封裝件100中布置在最后的發(fā)光二極管封裝件。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的背光單元的側(cè)視圖。除圖11或圖12中的 背光單元的結(jié)構(gòu)之外，圖13中的背光單元還包括導(dǎo)光板400。導(dǎo)光板400通過(guò)至少一個(gè)側(cè)表面410接收從發(fā)光二極管封裝件100入射的光，以通過(guò)光出射表面420輸出所述光。
導(dǎo)光板400可以具有矩形板的形狀。在這種情況下，導(dǎo)光板400包括與發(fā)光二極管封裝件100相鄰的側(cè)表面410、從側(cè)表面410的一端延伸的光出射表面420以及與光出射表面420平行地從側(cè)表面410的相對(duì)端延伸的反射表面430。從發(fā)光二極管封裝件100輸出的光入射到導(dǎo)光板400的側(cè)表面410上。通過(guò)側(cè)表面410入射到導(dǎo)光板400內(nèi)部的光通過(guò)光出射表面420輸出到外部,或者在所述光被反射表面430反射后通過(guò)光出射表面420輸出。為了提高入射到導(dǎo)光板400中的光的收集效率，每個(gè)發(fā)光二極管封裝件100的發(fā)光表面100L優(yōu)選地平行于導(dǎo)光板400的側(cè)表面410。此外，背光單元還可以包括設(shè)置在光出射表面420上方的漫射片500和面對(duì)漫射片500的反射片600，同時(shí)導(dǎo)光板400設(shè)置在漫射片500與反射片600之間。反射片600將從導(dǎo)光板400泄漏的光向?qū)Ч獍?00再次反射,漫射片500使從導(dǎo)光板400輸出的光漫射。因此，可以提聞背光的売度。雖然圖13示出了發(fā)光二極管封裝件100與導(dǎo)光板400的一個(gè)側(cè)表面相鄰地設(shè)置，但背光單元可以具有發(fā)光二極管封裝件100與導(dǎo)光板400的至少兩個(gè)側(cè)表面分別相鄰的結(jié)構(gòu)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，發(fā)光二極管封裝件通過(guò)第一子引線和第二子引線釋放靜電，以保護(hù)發(fā)光二極管不受放電電流的損壞。此外，發(fā)光二極管封裝件不需要諸如瞬態(tài)電壓抑制二極管或齊納二極管的另外的二極管來(lái)保護(hù)發(fā)光二極管。因此，可以降低制造成本，可以簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，并且可以提高亮度。包括發(fā)光二極管封裝件的背光單元可以表現(xiàn)出低功耗和提高的亮度。雖然已描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不應(yīng)該局限于這些示例性實(shí)施例，而是在由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以做出各種改變和修改。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的將是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種修改和改變。因此，只要對(duì)本發(fā)明的修改和改變落入權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明就意圖覆蓋這些修改和改變。權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括 主體部分； 發(fā)光二極管，設(shè)置在主體部分上，并包括第一電極和第二電極，以響應(yīng)于通過(guò)第一電極和第二電極施加的驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生光； 第一主引線，連接到第一電極并固定到主體部分； 第二主引線，連接到第二電極并固定到主體部分； 第一子引線，包括一個(gè)端部和相對(duì)端部，第一子引線的所述一個(gè)端部連接到第一主引線；以及 第二子引線，包括一個(gè)端部和相對(duì)端部，第二子引線的所述一個(gè)端部連接第二主引線，第二子引線的所述相對(duì)端部與第一子引線的所述相對(duì)端部以一定距離分隔開，同時(shí)第二子引線的所述相對(duì)端部面對(duì)第一子引線的所述相對(duì)端部，以與第一子引線一起釋放靜電。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，主體部分包括 安裝表面，發(fā)光二極管設(shè)置在安裝表面上； 底表面，背對(duì)安裝表面設(shè)置；以及 外部側(cè)表面，從底表面彎曲并延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一子引線的所述相對(duì)端部和第二子引線的所述相對(duì)端部從主體部分突出。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一子引線包括第一固定引線部分和第一放電引線部分，第一固定引線部分具有連接到第一主引線的一端和暴露到外部側(cè)表面上的相對(duì)端，第一放電引線部分連接到第一固定引線部分的所述相對(duì)端并從主體部分突出；以及 其中，第二子引線包括第二固定引線部分和第二放電引線部分，第二固定引線部分具有連接到第二主引線的一端和暴露到外部側(cè)表面上的相對(duì)端，第二放電引線部分連接到第二固定引線部分的所述相對(duì)端并從主體部分突出，第二放電引線部分與第一放電引線部分以一定距離分隔開同時(shí)面對(duì)第一放電引線部分。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一放電引線部分和第二放電引線部分以50 μ m至Imm的距離分隔開。
6.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，第一主引線穿過(guò)主體部分的一部分并包括暴露到安裝表面上的一個(gè)端部和從第一主引線的所述一個(gè)端部延伸并從主體部分突出的相對(duì)端部，第二主引線穿過(guò)主體部分的另一部分并包括暴露到安裝表面上的一個(gè)端部和從第二主引線的所述一個(gè)端部延伸并從主體部分突出的相對(duì)端部。
7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝件，所述發(fā)光二極管封裝件包括多個(gè)第一子引線和多個(gè)第二子引線，第一子引線的數(shù)量和第二子引線的數(shù)量相等，每個(gè)第一子引線的所述相對(duì)端部一一對(duì)應(yīng)地面對(duì)每個(gè)第二子引線的所述相對(duì)端部。
8.一種背光單元，所述背光單元包括基體構(gòu)件、安裝在基體構(gòu)件上以產(chǎn)生光的多個(gè)發(fā)光二極管封裝件和將驅(qū)動(dòng)電壓提供給發(fā)光二極管封裝件的信號(hào)線， 其中，每個(gè)發(fā)光二極管封裝件包括 主體部分； 發(fā)光二極管，設(shè)置在主體部分上，并包括第一電極和第二電極；第一主引線，連接到第一電極并固定到主體部分； 第二主引線，連接到第二電極并固定到主體部分； 第一子引線，包括一個(gè)端部和相對(duì)端部，第一子引線的所述一個(gè)端部連接到第一主引線；以及 第二子引線，包括一個(gè)端部和相對(duì)端部，第二子引線的所述一個(gè)端部連接第二主引線，第二子引線的所述相對(duì)端部與第一子引線的所述相對(duì)端部以一定距離分隔開，同時(shí)第二子引線的所述相對(duì)端部面對(duì)第一子引線的所述相對(duì)端部，以與第一子引線一起釋放靜電。
9.如權(quán)利要求8所述的背光單元，其中，信號(hào)線包括 第一信號(hào)線，將第一電壓提供給第一主引線；以及 第二信號(hào)線，將比第一電壓低的第二電壓提供給第二主引線。
10.如權(quán)利要求8所述的背光單元，其中，發(fā)光二極管封裝件串聯(lián)布置，信號(hào)線包括 第三信號(hào)線，將第一電壓提供給設(shè)置在第一個(gè)發(fā)光二極管封裝件中的第一主引線； 第四信號(hào)線，將設(shè)置在每個(gè)發(fā)光二極管封裝件中的第二主引線連接到設(shè)置在后續(xù)的、相鄰的發(fā)光二極管封裝件中的第一主引線；以及 第五信號(hào)線，將比第一電壓低的第二電壓提供給設(shè)置在最后一個(gè)發(fā)光二極管中的第二主引線。
全文摘要
所公開的是一種發(fā)光二極管封裝件和一種具有該發(fā)光二極管封裝件的背光單元。該發(fā)光二極管封裝件包括響應(yīng)于從外部施加的驅(qū)動(dòng)電壓而產(chǎn)生光的發(fā)光二極管、分別連接到第一電極和第二電極的第一主引線和第二主引線以及其中設(shè)置有發(fā)光二極管并將第一主引線和第二主引線固定到其的主體部分。該發(fā)光二極管封裝件包括第一子引線和第二子引線，第一子引線具有連接到第一主引線的一個(gè)端部，第二子引線具有連接到第二主引線的一個(gè)端部和與第一子引線的相對(duì)端部以預(yù)定距離分隔開同時(shí)面對(duì)第一子引線的相對(duì)端部的相對(duì)端部。該背光單元包括多個(gè)該發(fā)光二極管封裝件。
文檔編號(hào)H01L23/60GK102637676SQ20121002501
公開日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月10日
發(fā)明者南錫鉉, 宋時(shí)準(zhǔn), 趙鏞皙, 邊詳哲, 金赫煥 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社