專利名稱：薄膜晶體管及其制作方法及顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種薄膜晶體管，且特別是有關(guān)于一種底柵極薄膜晶體管。
背景技術(shù)：
隨著顯示科技的日益進(jìn)步，人們借著顯示器的輔助可使生活更加便利，為求顯示器輕、薄的特性，促使平面顯示器(flat panel display, FPD)成為目前的主流。在諸多平面顯示器中，液晶顯示器(liquid crystal display, IXD)具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優(yōu)越特性，因此，液晶顯示器深受消費(fèi)者歡迎。液晶顯示器主要是由主動(dòng)陣列基板、彩色濾光基板與位于兩基板之間的液晶層所構(gòu)成。主動(dòng)陣列基板具有主動(dòng)區(qū)以及周邊電路區(qū)。主動(dòng)陣列位于主動(dòng)區(qū)內(nèi)，而具有多個(gè)底柵極薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)電路則位于周邊電路區(qū)內(nèi)。于現(xiàn)有技術(shù)中，底柵極薄膜晶體管的工藝會遭遇到一些問題，例如在形成源極與漏極時(shí)，容易損傷位于其下的主動(dòng)層，以致于背通道受損。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括:提供一基板；于基板上形成一柵極以及一柵絕緣層覆蓋柵極；于柵絕緣層上形成一主動(dòng)層，其中主動(dòng)層位于柵極上方；于柵絕緣層上形成一絕緣金屬氧化物層覆蓋主動(dòng)層，其中絕緣金屬氧化物層包含一第一金屬的金屬氧化物；于絕緣金屬氧化物層上形成一金屬層，金屬層覆蓋主動(dòng)層，其中金屬層包括一不同于第一金屬的第二金屬；于金屬層上形成一源極與一漏極，源極與漏極位于主動(dòng)層上且以一溝槽分隔于柵極的相對兩側(cè)，溝槽暴露出部分金屬層；移除溝槽暴露出的金屬層，以暴露出部分絕緣金屬氧化物層；以及對金屬層與絕緣金屬氧化物層進(jìn)行一退火工藝，以使金屬層與絕緣金屬氧化物層反應(yīng)而形成一導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層，其包含第一金屬與第二金屬，其中導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層電連接主動(dòng)層與源極、以及電連接主動(dòng)層與漏極。本發(fā)明一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括:提供一基板；于基板上形成一柵極以及一柵絕緣層覆蓋柵極；于柵絕緣層上形成一主動(dòng)層，其中主動(dòng)層位于柵極上方；于柵絕緣層上形成一絕緣金屬氧化物層覆蓋主動(dòng)層，其中絕緣金屬氧化物層包含一金屬的金屬氧化物；于絕緣金屬氧化物層上形成一掩膜層，掩膜層具有一第一開口與一第二開口分別暴露出絕緣金屬氧化物層的一第一部分與一第二部分，第一部分與第二部分分別位于柵極的相對兩側(cè)上方；進(jìn)行一退火工藝，以將第一部分與第二部分分別還原成一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部的材質(zhì)為金屬或是一氧含量低于絕緣金屬氧化物層的導(dǎo)電金屬氧化物；移除掩膜層；以及于第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部上分別形成一源極與一漏極。本發(fā)明一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括:一基板；一柵極，配置于基板上；一柵絕緣層，配置于 基板上并覆蓋柵極；一主動(dòng)層，配置于柵絕緣層上并位于柵極上方；一保護(hù)導(dǎo)電層，配置于主動(dòng)層上，且具有分別位于柵極的相對兩側(cè)的一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部以一溝槽分隔，其中保護(hù)導(dǎo)電層為一含有一第一金屬的金屬層、一含有第一金屬的金屬氧化物層、或是一同時(shí)包含第一金屬與一第二金屬的導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層；一絕緣金屬氧化物層，配置于主動(dòng)層上，且位于溝槽中，以電性隔離第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部，其中絕緣金屬氧化物層為一含有第一金屬的金屬氧化物層；以及一源極與一漏極，分別配置于第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部上。本發(fā)明是利用金屬層作為刻蝕分隔部時(shí)的刻蝕停止層，以保護(hù)其下的絕緣金屬氧化物層與主動(dòng)層。并且，在移除金屬層時(shí)利用絕緣金屬氧化物層作為保護(hù)層，以保護(hù)位于絕緣金屬氧化物層下的主動(dòng)層。之后，利用退火工藝使絕緣金屬氧化物層與金屬層反應(yīng)而形成導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層，以電連接主動(dòng)層與源極、以及電連接主動(dòng)層與漏極。


圖1A至圖1D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的工藝剖面圖。

圖2繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的工藝剖面圖。圖3A至圖3C繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的工藝剖面圖。圖4A至圖4D繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的工藝剖面圖。圖5繪示本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的剖面圖。附圖標(biāo)號:110 基板；120 柵極；130 柵絕緣層；140 主動(dòng)層；150,410 絕緣金屬氧化物層；160 金屬層；170 保護(hù)導(dǎo)電層；172 源極；174 漏極；176 分隔部；178、186 溝槽；180 導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層；182 第一導(dǎo)電部；184 第二導(dǎo)電部；190 界面層；412 第一部分；412a 第一導(dǎo)電部；414 第二部分；414a 第二導(dǎo)電部；420 掩膜層；422 第一開口；
424 第二開口；500 顯示器；510 薄膜晶體管基板；520 基板；530 顯示介質(zhì)；P 光阻層；Tl 厚度。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然而，應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)聯(lián)性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。在圖式中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡化或是方便標(biāo)示。再者，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知的形式。圖1A至圖1D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管的工藝剖面圖。請參照圖1A，提供一基板110,例如一玻璃基板。接著，于基板110上形成一柵極120以及一柵絕緣層130覆蓋柵極120。在一實(shí)施例中，柵極120的材質(zhì)可包括鋁(Al)與鑰(Mo)、或是其他適合的導(dǎo)電材料。柵絕緣層130的材質(zhì)例如為二氧化硅或是其他具有高介電常數(shù)的介電材料。
·
然后，于柵絕緣層130上形成一主動(dòng)層140，其中主動(dòng)層140位于柵極120上方。主動(dòng)層140的材質(zhì)例如為銦鎵鋅氧化物(IGZO, indium-gallium-zinc-oxide)、或是其他適于作為主動(dòng)層的半導(dǎo)體材料。之后，于柵絕緣層130上形成一絕緣金屬氧化物層150覆蓋主動(dòng)層140，其中絕緣金屬氧化物層150包含一第一金屬的金屬氧化物，例如氧化鋁。形成絕緣金屬氧化物層150的方法例如為在濺鍍金屬的同時(shí)通入氧氣以直接將金屬氧化物鍍在主動(dòng)層140上。絕緣金屬氧化物層150的厚度Tl例如約為100埃至300埃。在一實(shí)施例中，絕緣金屬氧化物層150的厚度Tl約為150埃至250埃。接著,于絕緣金屬氧化物層150上形成一金屬層160,金屬層160覆蓋主動(dòng)層140,其中金屬層160包括一不同于第一金屬的第二金屬。金屬層160的材質(zhì)例如為鈦、或是其他適合的金屬材料。然后，可選擇性地于金屬層160上形成一保護(hù)導(dǎo)電層170，保護(hù)導(dǎo)電層170包括位于主動(dòng)層140上的一源極172、一漏極174以及一位于源極172與漏極174之間的分隔部176，其中源極172與漏極174分別位于柵極120的相對兩側(cè)。保護(hù)導(dǎo)電層170的材質(zhì)可包括鋁、鑰、鈦、銅、或是其他適合的導(dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，保護(hù)導(dǎo)電層170的材質(zhì)包括鋁與鑰。之后，于保護(hù)導(dǎo)電層170上形成一光阻層P覆蓋源極172與漏極174，并暴露出分隔部 176。之后，請同時(shí)參照圖1A與圖1B，以光阻層P為掩膜進(jìn)行一濕式刻蝕工藝，以移除分隔部176并暴露出部分金屬層160。詳細(xì)而言，移除分隔部176之后會在源極172與漏極174之間留下一溝槽178，且溝槽178暴露出部分金屬層160。在一實(shí)施例中，金屬層160為一鈦層，由于濕式刻蝕工藝不易刻蝕鈦，因此，金屬層160可作為濕式刻蝕工藝的刻蝕停止層。接著，請參照圖1C，可選擇性地以源極172與漏極174為掩膜，進(jìn)行一干式刻蝕工藝，以移除溝槽178暴露出的金屬層160，進(jìn)而暴露出部分絕緣金屬氧化物層150。然后，請參照圖1D，對金屬層160與絕緣金屬氧化物層150進(jìn)行一退火工藝，以使金屬層160與絕緣金屬氧化物層150反應(yīng)而形成一導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180。退火工藝的工藝溫度例如約為300°C至700°C，工藝時(shí)間例如為30分鐘以上。詳細(xì)而言，由于導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180由包含第一金屬的絕緣金屬氧化物層150與包含第二金屬的金屬層160反應(yīng)而成，因此,導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180為一同時(shí)包含第一金屬與第二金屬的導(dǎo)電層。在一實(shí)施例中，第一金屬為鋁，絕緣金屬氧化物層150為氧化鋁(Al2O3)層，第二金屬為鈦，導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180為鈦鋁氧化物(TiAl2O5)層。導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180電連接主動(dòng)層140與源極172、以及電連接主動(dòng)層140與漏極174。詳細(xì)而言，導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180具有分別位于柵極120的相對兩側(cè)的一第一導(dǎo)電部182與一第二導(dǎo)電部184，且第一導(dǎo)電部182與第二導(dǎo)電部184以一溝槽186分隔，其中絕緣金屬氧化物層150位于溝槽186中，以電性隔離第一導(dǎo)電部182與第二導(dǎo)電部184。源極172 與漏極174分別位于第一導(dǎo)電部182與第二導(dǎo)電部184上。金屬層160位于第一導(dǎo)電部182與源極172之間、以及位于第二導(dǎo)電部184與漏極174之間。在一實(shí)施例中，源極172與漏極174的長度大致與所對應(yīng)的金屬層160相同。詳細(xì)而言，源極172的長度大致相同于金屬層160的位于第一導(dǎo)電部182與源極172之間的部分的長度。漏極174的長度大致相同于金屬層160的位于第二導(dǎo)電部184與漏極174之間的部分的長度。在一實(shí)施例中，主動(dòng)層140的長度小于柵極120的長度。值得注意的是，由于導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180 (例如鈦鋁氧化物)的導(dǎo)電性質(zhì)接近半導(dǎo)體，故可與同為半導(dǎo)體材質(zhì)的主動(dòng)層140的接觸阻抗相匹配，故可良好地電連接主動(dòng)層140與源極172 (或漏極174)。此外，絕緣金屬氧化物層150的與金屬層160相鄰的部分必須完全反應(yīng)成導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180以電連接主動(dòng)層140與源極172 (或漏極174)，但是金屬層160并不一定要完全反應(yīng)成導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180。圖1D是繪示金屬層160并未完全反應(yīng)的實(shí)施例，但不限于此，在其他實(shí)施例中，如圖2所示，金屬層160可完全反應(yīng)成導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180。由前述可知，本實(shí)施例是利用金屬層160作為刻蝕分隔部176時(shí)的刻蝕停止層，以保護(hù)其下的絕緣金屬氧化物層150與主動(dòng)層140。因此，本實(shí)施例可避免現(xiàn)有技術(shù)因直接刻蝕掉分隔部以至于損害其下的主動(dòng)層的問題。并且，在移除金屬層160時(shí)利用絕緣金屬氧化物層150作為保護(hù)層，以保護(hù)位于絕緣金屬氧化物層150下的主動(dòng)層140。之后，利用退火工藝使絕緣金屬氧化物層150的連接主動(dòng)層140與源極172的部分、以及連接主動(dòng)層140與漏極174的部分與金屬層160反應(yīng)而形成導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180，以電連接主動(dòng)層140與源極172、以及電連接主動(dòng)層140與漏極174。
圖3A至圖3C繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的工藝剖面圖。在另一實(shí)施例中，請參照圖3A，可在形成金屬層160之前，在絕緣金屬氧化物層150上沉積一界面層190，界面層190包含第一金屬與第二金屬的氧化物，界面層190例如包括鈦鋁氧化物(Tia2Al0.80χ，ΤΑ0，其中0.2彡X < 1.4)。之后，可在界面層190上形成金屬層160、源極172、與漏極174。然后，請參照圖3B，可移除溝槽178暴露出的金屬層160以及位于溝槽178下方的界面層190。之后，請參照圖3C，對金屬層160、界面層190、與絕緣金屬氧化物層150進(jìn)行一退火工藝，以使金屬層160、界面層190、與絕緣金屬氧化物層150反應(yīng)而形成一導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層180。圖4A至圖4D繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管的工藝剖面圖。值得注意的是，本實(shí)施例的元件相同于圖1A至圖1D的實(shí)施例的元件，材質(zhì)、結(jié)構(gòu)與制作方法相同，因此，于此不再贅述。

首先，請參照圖4A，提供一基板110。接著，以相同于圖4A的方法，在基板110上依序形成一柵極120、一柵絕緣層130、以及一主動(dòng)層140。然后，于柵絕緣層130上形成一絕緣金屬氧化物層410覆蓋主動(dòng)層140，其中絕緣金屬氧化物層410包含一金屬的金屬氧化物。形成絕緣金屬氧化物層410的方法例如為在濺鍍金屬的同時(shí)通入氧氣以直接將金屬氧化物鍍在主動(dòng)層140上。在一實(shí)施例中，金屬為銅、鑰、或鋁，絕緣金屬氧化物層410
為一氧化銅層、一氧化鑰層、或是一氧化鋁層。接著，于絕緣金屬氧化物層410上形成一掩膜層420，掩膜層420具有一第一開口422與一第二開口 424分別暴露出絕緣金屬氧化物層410的一第一部分412與一第二部分414。第一部分412與第二部分414分別位于柵極120的相對兩側(cè)上方。掩膜層420的材質(zhì)例如為光阻材料或是適合的有機(jī)材料。然后，請參照圖4B，例如在一低壓環(huán)境中進(jìn)行一退火工藝，以將第一部分412與第二部分414分別還原成一第一導(dǎo)電部412a與一第二導(dǎo)電部414a。低壓環(huán)境的壓力例如是小于100毫托耳。退火工藝的溫度例如約100°C至400°C。詳細(xì)而言，本實(shí)施例是藉由退火工藝移除第一部分412與第二部分414所具有的氧分子，以形成導(dǎo)電度較高的第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a,其中第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a的材質(zhì)可為金屬或是一氧含量低于絕緣金屬氧化物層410的導(dǎo)電金屬氧化物。值得注意的是，在進(jìn)行退火工藝之后，對于絕緣金屬氧化物層410而言，只有掩膜層420暴露出的部分(第一部分412與第二部分414)才會轉(zhuǎn)變成具有導(dǎo)電性質(zhì)的第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a，其余被掩膜層420遮蔽的部分由于氧分子并未被移除故依然保有絕緣的性質(zhì)。因此，絕緣金屬氧化物層410的保有絕緣的性質(zhì)的部分可分隔于第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a之間，以使第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a電性絕緣。之后，請參照圖4C，移除掩膜層420。然后，請參照圖4D，于第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a上分別形成一源極172與一漏極174。源極172與漏極174的形成方法可類似于圖1A與圖1B所示的形成方法。由前述可知，本實(shí)施例是藉由在主動(dòng)層140上形成絕緣金屬氧化物層410，并以掩膜層420搭配退火工藝的方式將絕緣金屬氧化物層410的預(yù)定連接源極172與漏極174的部分還原成第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a,以電連接主動(dòng)層140與源極172、以及電連接主動(dòng)層140與漏極174。在退火工藝之后，絕緣金屬氧化物層410的保有絕緣特性的部分可分隔于第一導(dǎo)電部412a與第二導(dǎo)電部414a之間，且可作為形成源極172與漏極174時(shí)的保護(hù)層。值得注意的是，雖然前述多個(gè)實(shí)施例是以具有底柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管為例作說明，但本發(fā)明不限于此，舉例來說，本發(fā)明的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)與制作方法亦可應(yīng)用在具有頂柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管上。圖5繪示本發(fā)明一實(shí)施例的顯示器的剖面圖。請參照圖5，本實(shí)施例的顯示器500包括一薄膜晶體管基板510、一基板520以及一夾于薄膜晶體管基板510與基板520之間的顯示介質(zhì)530。薄膜晶體管基板510可為前述圖1D、圖2、圖3C與圖4D所示的薄膜晶體管基板，顯示介質(zhì)530可為液晶層或有機(jī)發(fā)光層?；?20例如為彩色濾光基板或是透明基板。綜上所述，本發(fā)明是利用金屬層作為刻蝕分隔部時(shí)的刻蝕停止層，以保護(hù)其下的絕緣金屬氧化物層與主動(dòng)層。并且，在移除金屬層時(shí)利用絕緣金屬氧化物層作為保護(hù)層，以保護(hù)位于絕緣金屬氧化物層下的主動(dòng)層。之后，利用退火工藝使絕緣金屬氧化物層與金屬層反應(yīng)而形成導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層，以電連接主動(dòng)層與源極、以及電連接主動(dòng)層與漏極。由前述可知 ，本發(fā)明是藉由在主動(dòng)層上形成絕緣金屬氧化物層，并以掩膜層搭配退火工藝的方式將絕緣金屬氧化物層的預(yù)定連接源極與漏極的部分還原成第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部，以電連接主動(dòng)層與源極、以及電連接主動(dòng)層與漏極。在退火工藝之后，絕緣金屬氧化物層的保有絕緣特性的部分可分隔于第一導(dǎo)電部與第二導(dǎo)電部之間，且可作為形成源極與漏極時(shí)的保護(hù)層。本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述的方法包括: 提供一基板； 于所述基板上形成一柵極以及一柵絕緣層覆蓋所述柵極； 于所述柵絕緣層上形成一主動(dòng)層，其中所述主動(dòng)層位于所述柵極上方； 于所述柵絕緣層上形成一絕緣金屬氧化物層覆蓋所述主動(dòng)層，其中所述絕緣金屬氧化物層包含一第一金屬的金屬氧化物； 于所述絕緣金屬氧化物層上形成一金屬層，所述金屬層覆蓋所述主動(dòng)層，其中所述金屬層包括一不同于所述第一金屬的第二金屬； 于所述金屬層上形成一源極與一漏極，所述源極與所述漏極位于所述主動(dòng)層上且以一溝槽分隔于所述柵極的相對兩側(cè)，所述溝槽暴露出部分所述金屬層； 移除暴露于所述溝槽所述金屬層，以暴露出位于所述溝槽的所述絕緣金屬氧化物層；以及 對所述金屬層與所述絕緣金屬氧化物層進(jìn)行一退火工藝，以使所述金屬層與所述絕緣金屬氧化物層于彼此重疊處產(chǎn)生反應(yīng)而形成一導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層，其包含所述第一金屬與所述第二金屬，其中所述導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層連接所述主動(dòng)層與所述源極、以及連接所述主動(dòng)層與所述漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一金屬為鋁，所述絕緣金屬氧化物層為一氧化鋁層，所述第二金屬為鈦，所述導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層為一鈦鋁氧化物層。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，形成所述源極與所述漏極的步驟包括: 于所述金屬層上形成一保護(hù)導(dǎo)電層，所述保護(hù)導(dǎo)電層包括位于所述主動(dòng)層上的一源極、一漏極以及一位于所述源極與所述漏極之間的分隔部； 于所述保護(hù)導(dǎo)電層上形成一光阻層覆蓋所述源極與所述漏極，并暴露出所述分隔部；以及 以所述光阻層為掩膜進(jìn)行一濕式刻蝕工藝，以移除所述分隔部并暴露出部分所述金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，移除所述溝槽暴露出的所述金屬層的步驟包括: 以所述源極與所述漏極為掩膜，進(jìn)行一干式刻蝕工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在形成所述金屬層之前，所述制作方法更包 括: 在所述絕緣金屬氧化物層上形成一界面層，所述界面層包含所述第一金屬與所述第二金屬的氧化物， 其中移除所述溝槽暴露出的所述金屬層的步驟更包括: 移除位于所述溝槽下方的所述界面層。
6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述的方法包括: 提供一基板； 于所述基板上形成一柵極以及一柵絕緣層覆蓋所述柵極；于所述柵絕緣層上形成一主動(dòng)層，其中所述主動(dòng)層位于所述柵極上方； 于所述柵絕緣層上形成一絕緣金屬氧化物層覆蓋所述主動(dòng)層，其中所述絕緣金屬氧化物層包含一第一金屬的金屬氧化物； 于所述絕緣金屬氧化物層上形成一掩膜層，所述掩膜層具有一第一開口與一第二開口分別暴露出所述絕緣金屬氧化物層的一第一部分與一第二部分，所述第一部分與所述第二部分分別位于所述柵極的相對兩側(cè)上方； 進(jìn)行一退火工藝，以將所述第一部分與所述第二部分分別還原成一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部的材質(zhì)為所述金屬或是一氧含量低于所述絕緣金屬氧化物層的導(dǎo)電金屬氧化物； 移除所述掩膜層；以及 于所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部上分別形成一源極與一漏極。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，進(jìn)行所述退火工藝的步驟包括: 于一低壓環(huán)境中進(jìn)行所述退火工藝。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述低壓環(huán)境的壓力小于100毫托耳。
9.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度約100℃至 400℃
10.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述的薄膜晶體管包括: 一基板； 一柵極，配置于所述基板上； 一柵絕緣層，配置于所述基板上并覆蓋所述柵極； 一主動(dòng)層，配置于所述柵絕緣層上并位于所述柵極上方； 一保護(hù)導(dǎo)電層，配置于所述主動(dòng)層上，且具有分別位于所述柵極的相對兩側(cè)的一第一導(dǎo)電部與一第二導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部以一溝槽分隔，其中所述保護(hù)導(dǎo)電層為一含有一第一金屬的金屬層、一含有所述第一金屬的金屬氧化物層、或是一同時(shí)包含所述第一金屬與一不同于所述第一金屬的第二金屬的導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層；一絕緣金屬氧化物層，配置于所述主動(dòng)層上，且位于所述溝槽中，以電性隔離所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部，其中所述絕緣金屬氧化物層為一含有所述第一金屬的金屬氧化物層；以及 一源極與一漏極，分別配置于所述第一導(dǎo)電部與所述第二導(dǎo)電部上。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣金屬氧化物層的氧含量高于所述保護(hù)導(dǎo)電層的氧含量。
12.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，包含所述第一金屬與所述第二金屬的所述導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層為一鈦鋁氧化物層。
13.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，含有所述第一金屬的所述金屬氧化物層為一氧化銅層、一氧化鑰層、或是一氧化鋁層。
14.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，含有所述第一金屬的所述金屬層為一銅層、一鑰層、或一招層。
15.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬為銅、鑰、或鋁，且所述絕緣金屬氧化物層為一氧化銅層、一氧化鑰層、或是一氧化鋁層。
16.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述主動(dòng)層的材質(zhì)包括銦鎵鋅氧化物。
17.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，當(dāng)所述保護(hù)導(dǎo)電層為包含所述第一金屬與所述第二金屬的所述導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層時(shí)，所述薄膜晶體管更包括: 一金屬層，位于所述第一導(dǎo)電部與所述源極之間、以及位于所述第二導(dǎo)電部與所述漏極之間，所述金屬層包括所述第二金屬。
18.如權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極與所述漏極的長度大致與所對應(yīng)的所述金屬層的長度相同。
19.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，當(dāng)所述保護(hù)導(dǎo)電層為包含所述第一金屬與所述第二金屬的所述導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層時(shí)，所述第一金屬為鋁，所述絕緣金屬氧化物層為一氧化鋁層，所述第二金屬為鈦，所述導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層為一鈦鋁氧化物層。
20.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣金屬氧化物層的厚度約為100埃至300埃。
21.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣金屬氧化物層的厚度約為150埃至250埃。
22.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述主動(dòng)層的長度小于柵極的長度。
23.—種顯示器，其特征在于，所述的顯示器包括: 一薄膜晶體管基板，設(shè)有多個(gè)如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管； 一基板，與所述薄膜晶體管基板相對設(shè)置；以及 一顯示介質(zhì)，形成于所述薄膜晶體管基板與所述基板之間。
24.如權(quán)利要求23所述的顯示器，其特征在于，所述顯示介質(zhì)為一液晶層。
25.如權(quán)利要求23所述的顯示器，其特征在于，所述顯示介質(zhì)為一有機(jī)發(fā)光層。
全文摘要
本發(fā)明一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括于一基板上依序形成一柵極、一柵絕緣層、以及一主動(dòng)層；形成一絕緣金屬氧化物層覆蓋主動(dòng)層，其中絕緣金屬氧化物層包含一第一金屬的金屬氧化物；于形成一金屬層覆蓋主動(dòng)層，金屬層包括一第二金屬；于金屬層上形成以一溝槽分隔的一源極與一漏極；移除溝槽暴露出的金屬層；以及對金屬層與絕緣金屬氧化物層進(jìn)行一退火工藝，以使金屬層與絕緣金屬氧化物層反應(yīng)而形成一導(dǎo)電性復(fù)合金屬氧化物層，其包含第一金屬與第二金屬。
文檔編號H01L29/786GK103247531SQ20121003262
公開日2013年8月14日 申請日期2012年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月14日
發(fā)明者李冠鋒 申請人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司