專利名稱：包括在其中具有光學元件的柔性膜的半導體發(fā)光器件及其裝配方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及半導體發(fā)光器件及其制造方法，更尤其涉及半導體發(fā)光器件的封裝和封裝方法。
背景技術(shù)：
半導體發(fā)光器件，例如發(fā)光二極管(LED)或激光二極管，廣泛地用于許多應用。正如本領域技術(shù)人員公知的，半導體發(fā)光器件包括具有一個或多個半導體層的半導體發(fā)光元件，配置該一個或多個半導體層以一旦給其加電就發(fā)射相干和/或非相干光。還已知，一般封裝半導體發(fā)光元件以提供用于半導體發(fā)光器件的外部電連接、熱沉、透鏡或波導、環(huán)境保護和/或其它功能。通過用穹形透明塑料殼至少部分地圍繞半導體發(fā)光器件，可至少部分地提供封裝。例如，已知對于半導體發(fā)光器件提供兩件式(two-piece)封裝，其中半導體發(fā)光元件安裝在例如氧化鋁、氮化鋁和/或其它材料的基板上，其包括其上的電跡線，以為半導體發(fā)光元件提供外部連接。第二基板，其例如可以是鍍銀的銅，例如利用膠合劑安裝在第一基板上，圍繞半導體發(fā)光元件。透鏡可放置在半導體發(fā)光元件上方的第二基板上。在轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、在2003年5月27日提交的標題為Power Surface Mount Light Emitting Die Package的Loh的申請序列號No. 10/446，532中描述了如上所述的具有兩件式封裝的發(fā)光二極管，在此并入其公開的全部內(nèi)容作為參考。常常希望將磷光體并入半導體發(fā)光器件中，以增強在特定頻帶中發(fā)射的輻射和/ 或?qū)⒅辽僖恍┹椛滢D(zhuǎn)換到另一頻帶。可利用許多常規(guī)技術(shù)將磷光體包括在半導體發(fā)光器件中。在一種技術(shù)中，將磷光體涂敷在塑料殼內(nèi)部和/或外部。在其它技術(shù)中，例如利用電泳沉積，將磷光體涂敷在半導體發(fā)光器件本身上。在另外的技術(shù)中，可將一滴材料例如在其中包含磷光體的環(huán)氧樹脂放置在塑料殼內(nèi)部、半導體發(fā)光器件上和/或該器件和殼之間。該技術(shù)可稱作為“圓頂封裝體(glob top)”。磷光體涂敷還可并入折射率匹配材料和 /或可提供單獨的折射率匹配材料。例如，在美國專利6，252，254 ；6, 069，440 ；5, 858，278 ； 5，813，753 ；5, 277，840 ；和5，959，316中描述了采用磷光體涂敷的LED。不幸地是，用于半導體發(fā)光器件的封裝可能是昂貴的，且在一些情況下，比半導體發(fā)光元件本身更昂貴。而且，該裝配工藝也可能是昂貴的、耗時的和/或容易發(fā)生故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些實施例提供半導體發(fā)光器件，其包括具有面的基板、在該面上在其中包括光學元件的柔性膜、以及半導體發(fā)光元件，該半導體發(fā)光元件在基板和柔性膜之間并且被配置用以通過光學元件發(fā)射光。在一些實施例中，光耦合介質(zhì)，例如光凝膠，提供在光學元件和半導體發(fā)光元件之間。在一些實施例中，該面在其中包括腔，并且半導體發(fā)光元件在該腔中。柔性膜在該面上延伸超出腔，且光學元件疊置在腔上面。在一些實施例中，光耦合介質(zhì)提供在腔中。根據(jù)本發(fā)明的各個實施例，可通過將半導體發(fā)光元件安裝在基板面上以及將在其中包括光學元件的柔性膜附著到基板面上來裝配半導體發(fā)光器件，以便在操作中半導體發(fā)光元件通過光學元件發(fā)射光。光耦合介質(zhì)可放置在半導體發(fā)光元件和光耦合元件之間。可根據(jù)本發(fā)明的各個實施例提供許多不同結(jié)構(gòu)的光學元件。在一些實施例中，光學元件包括(即包含)透鏡。在其它實施例中，光學元件包括棱鏡。在其它實施例中，柔性膜包括鄰近基板的第一面和遠離基板的第二面，并且光學元件包括第一面上的第一光學元件和第二面上的第二光學元件，設置該兩者使得發(fā)光元件通過第一光學元件和第二光學元件發(fā)射光。在一些實施例中，光學元件包括磷光體和/或其它光學發(fā)射增強和/或轉(zhuǎn)換元件。 在另外的實施例中，光學元件包括光散射元件。還可提供這些和/或其它光學元件的組合和子組合。而且，在這些實施例的任一個中，光耦合介質(zhì)可提供在光學元件和半導體發(fā)光元件之間。根據(jù)本發(fā)明的各個實施例，還可提供柔性膜的許多結(jié)構(gòu)。例如，在一些實施例中， 疊置在腔上面的柔性膜的至少一部分對于光是透明的，并且在該面上延伸超出腔的柔性膜的至少一部分對于光是不透明的。在其它實施例中，疊置在腔上面的柔性膜的至少一部分包括第一材料，并且在該面上延伸超出腔的柔性膜的至少一部分包括第二材料。在另外的實施例中，半導體發(fā)光元件包括朝著腔中的柔性膜延伸并且接觸該柔性膜的線路，并且柔性膜包括在腔中的電連接至該線路的透明導體。還可提供柔性膜的這些和/或其它結(jié)構(gòu)的組合和子組合。在其它實施例中，還提供附著元件，其被配置用以使柔性膜和基板彼此附著。可以使用許多常規(guī)的附著技術(shù)來提供附著元件。 可配置本發(fā)明的一些實施例以將磷光體并入半導體發(fā)光器件中。在一些實施例中，磷光體提供在透鏡和半導體發(fā)光元件之間的柔性膜上。在其它實施例中，透鏡包括鄰近半導體發(fā)光元件的凹形內(nèi)表面，并且磷光體包括在該凹形內(nèi)表面上的共形磷光層。在另外的實施例中，光學元件包括疊置在腔上面并且遠離該腔突出的透鏡，柔性膜進一步包括在透鏡和發(fā)光元件之間朝著腔突出的突出元件，并且在突出元件上提供共形的磷光體涂層。 還可提供磷光體的這些和/或其它結(jié)構(gòu)的組合和子組合。而且，在這些實施例的任一個中， 可在磷光體和半導體發(fā)光元件之間提供光耦合介質(zhì)。在本發(fā)明的另外的實施例中，半導體發(fā)光元件包括朝著柔性基板延伸的線路。在這些實施例的一些中，光學元件包括棱鏡，其被配置用以減小從半導體發(fā)光元件發(fā)射的光通過線路的遮蔽。根據(jù)本發(fā)明的各個實施例，可在半導體發(fā)光器件中并入多個半導體發(fā)光元件和/ 或光學元件。每個半導體發(fā)光元件可被包括在其自身單獨的腔中，和/或多個半導體發(fā)光元件可被包括在單個腔中。而且，在一些實施例中，對于每個光學元件，可在柔性膜上包括相同的磷光體。在其它實施例中，可使用不同的磷光體。例如，可配置第一磷光層和第一半導體發(fā)光元件以產(chǎn)生紅光，可配置第二磷光層和第二半導體發(fā)光元件以產(chǎn)生藍光，以及可配置第三磷光層和第三半導體發(fā)光元件以產(chǎn)生綠光。還可提供這些和/或其它多個半導體發(fā)光元件和/或多個光學元件的組合和子組合。最后，根據(jù)本發(fā)明的各個實施例，可提供這些和/或其它光學元件、柔性膜、磷光體和/或多個元件的組合和子組合。


圖1是根據(jù)本發(fā)明各個實施例的半導體發(fā)光器件及其制造方法的分解截面圖。圖2-12是根據(jù)本發(fā)明各個實施例的半導體發(fā)光器件的截面圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明各個實施例的半導體發(fā)光器件的透視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可體現(xiàn)為多種不同的形式，并且不應當解釋為受限于在此列出的實施例。更確切地說，提供這些實施例以便該公開將是徹底的和完整的，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳達給本領域技術(shù)人員。在圖中，為了清楚起見，可放大各層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。在全文中類似的數(shù)字表示類似的元件。應當理解，當元件例如層、區(qū)域或基板被稱為在另一元件“上”時，其可以直接在另一元件上或者還可存在插入元件。應當理解，如果部分元件，例如表面，被稱為“內(nèi)部”，則其比元件的其它部分更遠離器件的外部。此外，在此可使用相對術(shù)語例如“在……之下”或 “疊置于……上面”，來描述如圖所示的一層或區(qū)域到另一層或區(qū)域相對于基板或基底層的關系。應當理解，這些術(shù)語旨在包含除了圖中描繪的定向之外的器件的不同定向。最后，術(shù)語“直接”意味著不存在插入元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括相關列出的項目中的一個或多個的任一和所有組合。應當理解，盡管在此可使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/ 或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應當被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分與另一區(qū)域、層和/或部分。因此，下面論述的第一區(qū)域、層或部分可被稱為第二區(qū)域、層或部分，并且在不脫離本發(fā)明的教導的情況下第二也是類似的。圖1是根據(jù)本發(fā)明各個實施例的半導體發(fā)光器件及其裝配方法的分解截面圖。參考圖1，這些半導體發(fā)光器件100包括具有面IlOa的基板110、在面IlOa上在其中包括光學元件130的柔性膜120、以及在基板110和柔性膜120之間的并且被配置用以通過光學元件發(fā)射光160的半導體發(fā)光元件140。附著元件150可用于使柔性膜120和基板110彼此附著。仍參考圖1，基板110可包括氧化鋁、氮化鋁、金屬和/或常規(guī)地用于將半導體發(fā)光元件安裝于其上的其它材料。在其它實施例中，基板110可以是固體金屬塊，如在轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、Negley等人在2003年9月9日提交的、標題為Solid Metal Block Mounting Substrates for Semiconductor Light Emitting Devices, and Oxidizing Methods for Fabricating Same的共同未決的申請序列號No. 10/659，108中所述的，在此并入其公開的全部內(nèi)容作為參考?；?10的設計對于本領域技術(shù)人員是公知的并且不需要在此進一步描述。
半導體發(fā)光元件140可包括發(fā)光二極管、激光二極管和/或其它半導體器件，其包括一個或多個半導體層，其可包括硅、碳化硅、氮化鎵和/或其它半導體材料，基板，其可包括藍寶石、硅、碳化硅和/或其它微電子基板，以及一個或多個接觸層，其可包括金屬和/或其它導電層。在一些實施例中，可提供紫外線、藍色和/或綠色LED。半導體發(fā)光器件140 的設計和制造對于本領域技術(shù)人員是公知的并且不需要在此詳細地描述。例如，發(fā)光元件140可以是氮化鎵基LED或制造在碳化硅基板上的激光器，例如由North Carolina, Durham的Cree公司制造和出售的那些器件。本發(fā)明可適合與LED和 / 或激光器一起使用，如在美國專利 No. 6，201，262; 6, 187,606; 6, 120,600; 5，912，477; 5，739，554 ； 5，631，190 ； 5，604，135 ； 5，523，589 ； 5，416，342 ； 5，393，993 ； 5，338，944 ； 5,210,051; 5,027, 168; 5,027, 168; 4，966，862 和 / 或 4，918，497 中所描述的，在此并入其公開的全部內(nèi)容作為參考。在2003年1月9日公布的標題為Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice, Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group III Nitride Based Superlattice Structures的美國專利公開物No. US 2003/0006418 Al、以及公布的標題為 Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor 的美國專利公開物 No. US 2002/0123164 Al 中描述了其它適合的LED和/或激光器。此外，涂有磷光體的LED，例如在2003年9月9日提交的標題為 Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls and Fabrication Methods Therefor的美國申請序列號No. 10/659, 241中描述的那些，在此并入其公開的全部內(nèi)容作為參考，也可適合用于本發(fā)明的實施例中。可配置LED和/或激光器以操作使得光發(fā)射通過基板。在這些實施例中，可圖案化基板以便增強器件的光輸出，如在例如以上引用的美國專利公開物No. US 2002/0123164 Al中所描述的。仍參考圖1，柔性膜120可以提供可以由柔性材料例如常規(guī)室溫硬化(RTV)硅橡膠制成的蓋片?？墒褂闷渌柩跬榛?或柔性材料。通過由柔性材料制成，當其在操作期間膨脹和收縮時，柔性膜120能適應基板110。而且，柔性膜20可以通過簡單的低成本技術(shù)例如傳遞模塑、噴射模塑和/或本領域技術(shù)人員公知的其它常規(guī)技術(shù)制成。如上所述，柔性膜120在其中包括光學元件130。光學元件可以包括透鏡、棱鏡、光學發(fā)射增強和/或轉(zhuǎn)換元件，例如磷光體、光學散射元件和/或其它光學元件。如下面將詳細描述的，還可提供一個或多個光學元件130。而且，如圖1所示，在一些實施例中，光耦合介質(zhì)170，例如光耦合凝膠和/或其它系數(shù)匹配材料，可提供在光學元件130和半導體發(fā)光器件140之間。仍參考圖1，附著元件150可以體現(xiàn)為粘接劑，其可放置在基板110的外圍周圍、柔性膜120的外圍周圍和/或其選擇部分處，例如在其拐角處。在其它實施例中，基板110可鑄造在柔性膜120周圍，以提供附著元件150?？墒褂闷渌Ｒ?guī)的附著技術(shù)。圖1還示出了根據(jù)本發(fā)明各個實施例裝配半導體發(fā)光器件100的方法。如圖1所示，半導體發(fā)光元件140安裝在基板面IlOa上。例如利用附著元件150，將在其中包括光學元件130的柔性膜120附著到基板面110a，以便在操作中半導體發(fā)光元件通過光學元件 130發(fā)射光160。在一些實施例中，光耦合介質(zhì)170放置在半導體發(fā)光元件140和光學元件 130之間。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的其它實施例的半導體發(fā)光器件的截面圖。在這些實施例中， 基板面IlOa在其中包括腔110b。柔性膜120在面IlOa上延伸超出腔110b。光學元件130 疊置于腔1 IOb上，并且半導體發(fā)光元件140位于腔1 IOb中，并且被配置用以通過光學元件 130發(fā)射光160。在圖2中，光學元件130包括凹透鏡。在一些實施例中，光耦合介質(zhì)170 提供在光學元件130和半導體發(fā)光元件140之間的腔IlOb中。在一些實施例中，光耦合介質(zhì)170填充腔110b。圖3是本發(fā)明的其它實施例的截面圖。如圖3所示，兩個光學元件130和330包括在柔性膜120中。第一光學元件130包括透鏡，第二光學元件330包括棱鏡。來自半導體發(fā)光元件140的光穿過棱鏡330并穿過透鏡130。還可提供光耦合介質(zhì)170。在一些實施例中，光耦合介質(zhì)170填充腔110b。光耦合介質(zhì)170可具有與棱鏡的折射率差的足夠差異，以便該棱鏡能減小遮蔽。如圖3所示，半導體發(fā)光元件包括朝著柔性膜120延伸的線路 140a,并且配置棱鏡330以減小從半導體發(fā)光元件140發(fā)射的光通過線路140a的遮蔽。由此在減小的線路140a的遮蔽的情況下可提供更均勻的光發(fā)射。應當理解，在此以一般意義使用術(shù)語“線路”來包含用于半導體發(fā)光元件140的任何電連接。圖4是本發(fā)明的其它實施例的截面圖。如圖4所示，磷光體410提供在透鏡130和半導體發(fā)光元件140之間的柔性膜120上。磷光體410可以包括摻雜鈰的釔鋁石榴石(YAG) 和/或其它常規(guī)的磷光體。在一些實施例中，磷光體包括摻雜銫的釔鋁石榴石(YAG:Ce)。 在其它實施例中，可使用納米磷光體。磷光體對于本領域技術(shù)人員是公知的并且不需要在此進一步描述。還可提供可填充腔IlOb的光耦合介質(zhì)170。圖5示出了本發(fā)明的另外的實施例。在這些實施例中，透鏡130包括鄰近半導體發(fā)光元件140的凹形內(nèi)表面130a，并且磷光體410包括在凹形內(nèi)表面130a上的共形磷光層。還可提供可填充腔IlOb的光耦合介質(zhì)170。圖6是其它實施例的截面圖。如圖6所示，疊置于腔IlOb上面的柔性膜120的至少一部分120d對光是透明的。而且，在面IlOa上延伸超出腔IlOb的柔性膜120的至少一部分120c對光是不透明的，如由柔性膜120的帶點部分120c所示。不透明區(qū)域120c可以減小或防止光射線跳動，并且由此潛在地產(chǎn)生更希望的光圖案。還可提供可填充腔IlOb的光耦合介質(zhì)170。圖7是本發(fā)明的其它實施例的截面圖，其中柔性膜120可由多種材料制備。如圖 7所示，疊置于腔IlOb上面的柔性膜120的至少一部分120d包括第一材料，并且在面IlOa 上延伸超出腔IlOb的柔性膜120的至少一部分120c包括第二材料。在一些實施例中兩種或多種材料可用在柔性膜120中，以對于發(fā)射光和不發(fā)射光的柔性膜120的部分提供不同特性。在其它實施例中為其它目的可使用多種材料。例如，不可彎曲和/或柔性塑料透鏡可附著到柔性膜上。例如，可利用常規(guī)的多種模塑技術(shù)制造具有多種材料的這種柔性膜 120。在一些實施例中，可不充分地固化模塑的第一材料，以便提供附著到隨后模塑的第二材料的令人滿意的接合。在其它實施例中，對于光學元件和柔性膜可使用相同的材料，其中形成光學元件，然后圍繞光學元件形成柔性膜。還可提供可填充腔IlOb的光耦合介質(zhì)170。圖8是本發(fā)明的其它實施例的截面圖。在這些實施例中，半導體發(fā)光元件140包括線路140a，其朝著腔IlOb中的柔性膜120延伸并且接觸該柔性膜120。柔性膜120包括透明導體810，其可以包括氧化銦錫(ITO)和/或其它常規(guī)的透明導體。透明導體810在腔IlOb中延伸并且電連接至該線路。由此可提供減小的由接觸140導致的遮蔽。而且，可減小或除去至基板110的線接合和潛在發(fā)生的光扭曲。還可提供可填充腔IlOb的光耦合介質(zhì) 170。圖9是本發(fā)明的其它實施例的截面圖。如圖9所示，光學元件130包括疊置于腔 IlOb上面并且遠離腔IlOb突出的透鏡。柔性膜120進一步包括在透鏡130和發(fā)光元件140 之間朝著腔IlOb突出的突出元件930。如圖9所示，共形磷光層410提供在突出元件930 上。通過在透鏡130的背面提供突出元件930，可移置該器件中的光耦合介質(zhì)170。圖9的配置由此可在離發(fā)光元件140所希望的距離處提供更均勻的磷光體涂層，以便提供更均勻的照明。光耦合介質(zhì)170可填充腔110b。圖10和11示出了根據(jù)本發(fā)明的各個實施例包括多個半導體發(fā)光元件和/或多個光學元件的半導體發(fā)光器件。例如，如圖10所示，光學元件130是第一光學元件，半導體發(fā)光元件140是第一半導體發(fā)光元件。柔性膜120在其中還包括與第一光學元件130間隔開的第二光學元件130'，并且該器件進一步包括在基板110和柔性膜120之間的第二半導體發(fā)光元件140'，并且其被配置用以通過第二光學元件130'發(fā)射光。而且，還可提供第三光學元件130〃和第三半導體發(fā)光元件140〃。光學元件130、130'和130〃彼此可以是相同的和/或不同的，并且半導體發(fā)光元件140、140'和140"彼此可以是相同和/或不同的。 而且，在圖10的實施例中，腔IlOb是第一腔，并且第二和第三腔IlOb'、110b〃分別被提供用于第二和第三半導體發(fā)光元件140'、140〃。腔IlObUlOb'和IlOb"彼此可以是相同的和/或可具有不同的結(jié)構(gòu)。還可提供可填充該腔或這些腔的光耦合介質(zhì)170。還如圖10所示，磷光體410可以是第一磷光層，并且第二和/或第三磷光層410' 和410〃可分別提供在第二光學元件130'和第二半導體發(fā)光元件140'之間、以及第三光學元件130〃和第三半導體發(fā)光元件140〃之間的柔性膜120上。磷光層410,410'和410" 可以是相同的，可以是不同的和/或可以被除去。尤其是，在本發(fā)明的一些實施例中，配置第一磷光層410和第一半導體發(fā)光元件140以產(chǎn)生紅光，配置第二磷光層410'和第二半導體發(fā)光元件140'以產(chǎn)生藍光，并且配置第三磷光層410〃和第三半導體發(fā)光元件140〃以產(chǎn)生綠光。由此在一些實施例中可提供能發(fā)射白光的紅、綠、藍(RGB)發(fā)光元件。圖11是本發(fā)明的其它實施例的截面圖。在這些實施例中，分別為第一、第二和第三半導體發(fā)光元件140、140'和140〃提供單個腔1100。還可提供可填充腔1100的光耦合介質(zhì)170。圖12是本發(fā)明的另外的實施例的截面圖。在圖12中，光學元件1230包括具有散布在其中的磷光體的透鏡。例如，在Negley等人于2003年9月9日提交的、轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、標題為 Transmissive Optical Elements Including Transparent Plastic Shell Having a Phosphor Dispersed Therein, and Methods of Fabricating Same 的申請序列號No. 10/659，240中描述了包括散布在其中的磷光體的透鏡，在此并入其公開的全部內(nèi)容作為參考。還可提供可填充腔IlOb的光耦合介質(zhì)170。在本發(fā)明的另外的實施例中，光學散射元件可嵌入透鏡中，如圖12中所示，和/或被提供為分離層，如例如圖9中所示，加上或代替磷光體。圖13是根據(jù)本發(fā)明的其它實施例的半導體發(fā)光器件的透視圖?；?10附著到常規(guī)封裝1310。還可提供光耦合介質(zhì)170。
本領域技術(shù)人員應當理解，已結(jié)合圖1-13單獨地描述了本發(fā)明的各個實施例。然而，可根據(jù)本發(fā)明的各個實施例提供圖1-13的實施例的組合和子組合。現(xiàn)在將提供本發(fā)明的各個實施例的另外論述。尤其是，在一些實施例中，以上描述的柔性膜120可由柔性材料例如RTV、由GE出售的GE RTV 615、由Thermoset/Lord公司出售的UR 234、和/或其它常規(guī)的柔性材料制成，并且在一些實施例中可以是厚度在約25 μ m和約500 μ m之間。柔性膜120結(jié)合一個或多個光學元件130以實現(xiàn)所希望的光學設計。由于由柔性材料制成，因此當其膨脹和收縮時，柔性膜120能適應半導體發(fā)光器件。而且，在一些實施例中，柔性膜可以通過簡單的低成本技術(shù)例如傳遞模塑、噴射模塑和/或其它技術(shù)制造，并且在柔性膜片的任一側(cè)上可包括多個光學元件和/或其它特征。這允許復雜的光學元件“單一”放置在可以包括多個LED發(fā)射體的封裝(或封裝的基板)上。常規(guī)地，LED封裝使用由剛性塑料或玻璃模塑的透鏡?；蛘呤褂糜裁芊鈩﹣矸庋b芯片并形成光學元件，或者將透鏡施加在光耦合介質(zhì)上，例如光學凝膠，如Nye光學凝膠。通過光學退化和LED芯片、尤其是功率LED芯片上的高應力會破壞硬密封劑，并且光耦合介質(zhì)還會潛在地產(chǎn)生問題，因為該凝膠可能會暴露在部分表面上，其由于凝膠的粘性可能會引起俘獲暴露材料上的灰塵/碎屑。相比之下，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的柔性膜120可以是利用光耦合介質(zhì)170的封裝的端接表面，并且還包括光學元件130，例如一個或多個光學透鏡。當使用在其中具有多個LED的封裝時，放置一個單元(具有多個光學元件的柔性膜) 的能力可以潛在地提供好處。代替為每個LED放置透鏡，可以提供柔性膜130的單一放置。其它特征可以并入柔性膜130中。例如，在光學透鏡的相對側(cè)上，可并入包括磷光體和/或光耦合介質(zhì)170的填充區(qū)域，以給出用于產(chǎn)生白光的透鏡上涂料(paint-on lens) 的特征。在Michael Leung于2003年9月18日提交的、轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、標題為 Molded Chip Fabrication Method and Apparatus 的申請序列號 No. 10/666，399 中描述了用于產(chǎn)生白光的透鏡上涂料，在此并入其公開的全部內(nèi)容作為參考。通過提供例如在圖9中描述的突出，本發(fā)明的一些實施例可以減小或最小化光耦合介質(zhì)170的體積。通過減小光耦合介質(zhì)170的量，可提供更均勻的光發(fā)射。由此，本發(fā)明的這些和/或其它實施例可以減小或除去從發(fā)光器件輸出的光的與角相關的輻射圖案，例如相關色溫(CCT)的角相關性。由此，在一些實施例中，來自器件的所有表面的光強度和χ、 y色度值/坐標可以保持相對恒定。當用于照明應用，例如在不希望聚光燈效應的房間中時，這可以是有利的。在附圖和說明書中，已公開了本發(fā)明的實施例，并且盡管采用了特定術(shù)語，但它們僅以一般的和描述性的意義使用并且不用于限制的目的，本發(fā)明的范圍列在下面的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種半導體發(fā)光器件，包括固體氧化鋁或氮化鋁塊；在該固體氧化鋁或氮化鋁塊的面上的發(fā)光二極管；以及包括硅氧烷的柔性單一膜，其在該固體氧化鋁或氮化鋁塊的該面上共形延伸到發(fā)光二極管外部并且也在發(fā)光二極管上延伸，包括硅氧烷的柔性單一膜在其中包括鄰近發(fā)光二極管的包括硅氧烷的透鏡，使得發(fā)光二極管通過透鏡發(fā)射光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導體發(fā)光器件，其中包括硅氧烷的柔性單一膜附著到該固體氧化鋁或氮化鋁塊，使得當其在其操作期間膨脹和收縮時，包括硅氧烷的柔性單一膜共形到發(fā)光二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的器件，進一步包括在透鏡和發(fā)光二極管之間的磷光體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的器件，其中該透鏡包括鄰近發(fā)光二極管的凹形內(nèi)表面，并且其中該磷光體包括在該凹形內(nèi)表面上的共形磷光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的器件，進一步包括在磷光體和發(fā)光二極管之間的光耦合介質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的器件，進一步包括附著元件，其被配置用以使柔性單一膜和固體氧化鋁或氮化鋁塊彼此附著，使得當其在其操作期間膨脹和收縮時，包括硅氧烷的柔性單一膜共形到發(fā)光二極管。
7.一種半導體發(fā)光器件，包括包括氧化鋁或氮化鋁的基板；在基板的面上的發(fā)光二極管；以及包括硅氧烷的柔性膜，其在基板的該面上共形延伸超出發(fā)光二極管并且其也在發(fā)光二極管上延伸，包括硅氧烷的柔性膜在其中包括鄰近發(fā)光二極管的包括硅氧烷的透鏡，使得發(fā)光二極管通過透鏡發(fā)射光；其中疊置于發(fā)光二極管上面的包括硅氧烷的該柔性膜的至少一部分對于光是透明的， 并且其中在該面上共形延伸超出發(fā)光二極管的包括硅氧烷的該柔性膜的至少一部分對于光是不透明的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導體發(fā)光器件，其中包括硅氧烷的柔性膜附著到基板，使得當其在其操作期間膨脹和收縮時，包括硅氧烷的柔性膜共形到發(fā)光二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，進一步包括在透鏡和發(fā)光二極管之間的磷光體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的器件，其中該透鏡包括鄰近發(fā)光二極管的凹形內(nèi)表面，并且其中該磷光體包括在該凹形內(nèi)表面上的共形磷光層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的器件，進一步包括在磷光體和發(fā)光二極管之間的光耦合介質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的器件，進一步包括附著元件，其被配置用以使柔性膜和基板彼此附著，使得當其在其操作期間膨脹和收縮時，包括硅氧烷的柔性膜共形到發(fā)光二極管。
13.一種半導體發(fā)光器件，包括包括氧化鋁或氮化鋁的基板；在基板的面上的發(fā)光二極管；以及包括硅氧烷的柔性膜，其在基板的該面上共形延伸超出發(fā)光二極管并且其也在發(fā)光二極管上延伸，包括硅氧烷的柔性膜在其中包括鄰近發(fā)光二極管的包括硅氧烷的透鏡，使得發(fā)光二極管通過透鏡發(fā)射光；其中疊置于發(fā)光二極管上面的包括硅氧烷的該柔性膜的至少一部分包括第一材料，并且其中在該面上共形延伸超出發(fā)光二極管的包括硅氧烷的該柔性膜的至少一部分包括第二材料，該第二材料不同于第一材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的半導體發(fā)光器件，其中包括硅氧烷的柔性膜附著到基板，使得當其在其操作期間膨脹和收縮時，包括硅氧烷的柔性膜共形到發(fā)光二極管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的器件，進一步包括在透鏡和發(fā)光二極管之間的磷光體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，其中該透鏡包括鄰近發(fā)光二極管的凹形內(nèi)表面，并且其中該磷光體包括在該凹形內(nèi)表面上的共形磷光層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的器件，進一步包括在磷光體和發(fā)光二極管之間的光耦合介質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的器件，進一步包括附著元件，其被配置用以使柔性膜和基板彼此附著，使得當其在其操作期間膨脹和收縮時，包括硅氧烷的柔性膜共形到發(fā)光二極管。
全文摘要
半導體發(fā)光器件包括具有面的基板、在該面上在其中包括光學元件的柔性膜、以及半導體發(fā)光元件，該半導體發(fā)光元件在基板和柔性膜之間并且被配置用以通過光學元件發(fā)射光。該面可以在其中包括腔，并且半導體發(fā)光元件可以在腔中。柔性膜在該面上延伸超出腔，且光學元件疊置在腔上面。
文檔編號H01L33/60GK102544333SQ201210037889
公開日2012年7月4日 申請日期2005年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者G.H.內(nèi)格利 申請人:克里公司