專利名稱：線路結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是涉及一種可避免于蝕刻或其它可引起電化學(xué)反應(yīng)的制作工藝中產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)(Galvanic effect)的線路結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體封裝制作工藝中，由于線路板具有布線細(xì)密、組裝緊湊及性能良好等優(yōu)點(diǎn)，使得線路板已成為經(jīng)常使用的構(gòu)裝元件之一。線路板能與多個(gè)電子元件(electronic component)組裝,而這些電子元件例如是芯片(chip)與無源元件(passivecomponent)。通過線路板，這些電子元件得以彼此電連接，而信號(hào)才能在這些電子元件之間傳遞。 —般而言,線路板主要是由多層圖案化線路層(patterned circuit layer)及多層介電層(dielectric layer)交替疊合而成，并通過導(dǎo)電盲孔或通孔(conductive via)以達(dá)成圖案化線路層彼此之間的電連接。其中，圖案化線路層的材質(zhì)大都是采用銅或銅合金，且為了減緩氧化速率或避免產(chǎn)生氧化，通常會(huì)于最外層的圖案化線路層上形成一鎳金層、鎳銀層或鎳鈀金層等等來作為一表面保護(hù)層。之后，若因需求而需要再對(duì)此線路板進(jìn)行后續(xù)制作工藝時(shí)，由于銅或銅合金材質(zhì)的圖案化線路層與金層或銀層等貴金屬具有不同的氧化還原電位，因此在后續(xù)的蝕刻或微蝕等濕式過程中，圖案化線路層會(huì)形成陽極，而金層或銀層等貴金屬會(huì)形成陰極，而產(chǎn)生一種電池效應(yīng)，即賈凡尼效應(yīng)(Galvanic effect)。如此一來，不但會(huì)加速銅或銅合金材質(zhì)的圖案化線路層蝕刻或溶解速率，而導(dǎo)致不易控制蝕刻速率，無法獲得良好的蝕刻結(jié)果之外，也可能因銅或銅合金的加速溶解，使得線路層的銅或銅合金厚度無法滿足需求，影響線路板的電性品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種線路結(jié)構(gòu)及其制作方法，可避免于后續(xù)蝕刻或其它可引起電化學(xué)反應(yīng)制作工藝中產(chǎn)生賈凡尼效應(yīng)(Galvanic effect)。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下述步驟。提供一金屬層，其中金屬層具有一上表面。形成一表面保護(hù)層于金屬層上，其中表面保護(hù)層暴露出金屬層的部分上表面，且金屬層的材質(zhì)與表面保護(hù)層的材質(zhì)不同。形成一包覆層于表面保護(hù)層上，且包覆層覆蓋表面保護(hù)層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成上述的包覆層的步驟包括將金屬層與表面保護(hù)層浸泡于一改質(zhì)劑中，而改質(zhì)劑選擇性吸附于表面保護(hù)層上以形成包覆層，其中包覆層包覆部分表面保護(hù)層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的包覆層的材質(zhì)包括有機(jī)材料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的有機(jī)材料包括硫醇類(Mercaptan)納米高分子或環(huán)糊精(Hydroxypropy 1-beta-Cyclodextrin)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成上述的包覆層的步驟包括形成一包覆材料層于表面保護(hù)層與表面保護(hù)層所暴露出的金屬層的部分上表面上；提供一光掩模于包覆材料層上，其中光掩模對(duì)應(yīng)表面保護(hù)層設(shè)置；通過光掩模對(duì)包覆材料層進(jìn)行一曝光程序以及一顯影程序，以形成包覆層，以及移除光掩模。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的包覆材料層的材質(zhì)包括光致抗蝕劑材料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的光致抗蝕劑材料包括干膜光致抗蝕劑(dry filmphotoresist)或濕式光致抗蝕劑(Liquid photoresist)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬層的材質(zhì)包括銅或銅合金。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的表面保護(hù)層包括一鎳層以及一金層，其中鎳層位于金屬層與金層之間，且金層覆蓋鎳層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的表面保護(hù)層包括一鎳層、一鈀層以及一金層，其中 鎳層位于金屬層與鈀層之間，且金層覆蓋鈀層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的表面保護(hù)層包括一鎳層以及一銀層，其中鎳層位于金屬層與銀層之間，且銀層覆蓋鎳層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法還包括提供金屬層時(shí)，提供一絕緣層于金屬層相對(duì)于上表面的一下表面上。本發(fā)明提出一種線路結(jié)構(gòu)，其包括一金屬層、一表面保護(hù)層以及一包覆層。金屬層具有一上表面。表面保護(hù)層配置于金屬層的上表面上，其中表面保護(hù)層暴露出金屬層的部分上表面，且金屬層的材質(zhì)與表面保護(hù)層的材質(zhì)不同。包覆層配置于表面保護(hù)層上，且覆蓋表面保護(hù)層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述包覆層包覆部分表面保護(hù)層，且包覆層的材質(zhì)包括有機(jī)材料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的有機(jī)材料包括硫醇類(Mercaptan)納米高分子或環(huán)糊精(Hydroxypropy 1-beta-Cyc lodextr in)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述包覆層的材質(zhì)包括光致抗蝕劑材料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述光致抗蝕劑材料包括干膜光致抗蝕劑(dry filmphotoresist)或濕式光致抗蝕劑(Liquid photoresist)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬層的材質(zhì)包括銅或銅合金。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的表面保護(hù)層包括一鎳層以及一金層，其中鎳層位于金屬層與金層之間，且金層覆蓋鎳層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的表面保護(hù)層包括一鎳層、一鈀層以及一金層，其中鎳層位于金屬層與鈀層之間，且金層覆蓋鈀層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的表面保護(hù)層包括一鎳層以及一銀層，其中鎳層位于金屬層與銀層之間，且銀層覆蓋鎳層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的線路結(jié)構(gòu)還包括一絕緣層，配置于金屬層相對(duì)于上表面的一下表面上?；谏鲜?，通過本發(fā)明所提出的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，能制作出自發(fā)性且與表面保護(hù)層形成化學(xué)性或物理性吸附現(xiàn)象的包覆層，或是通過覆蓋或涂布光致抗蝕劑、曝光及顯影的方式形成覆蓋于表面保護(hù)層的包覆層，進(jìn)而可防止在后續(xù)制作工藝中因兩種金屬存在的電位差所造成的賈凡尼效應(yīng)(Galvanic Effect)，意即導(dǎo)致電位高的陽極加速溶解的現(xiàn)象。如此一來，本發(fā)明的線路結(jié)構(gòu)可具有較佳的電性品質(zhì)。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA至圖IC為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面圖；圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖4A至圖4C分別為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法的局部步驟的剖面圖；圖5A至圖5C分別為本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法的局部步驟的剖面圖。主要元件符號(hào)說明100a、100b、100c、IOOcU IOOe :線路結(jié)構(gòu)110:絕緣層120 :金屬層 122 :上表面124 :下表面130a、130b、130c :表面保護(hù)層132 :鎳層134 :金層136 :銀層138 :鈀層140a、140d、140e :包覆層140d’、140e’ 包覆材料層150 :光掩模
具體實(shí)施例方式圖IA至圖IC繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面圖。請(qǐng)先參考圖1A，依照本實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，提供一絕緣層110以及一金屬層
120,其中金屬層120具有一上表面122以及一相對(duì)于上表面122的下表面124,而絕緣層110配置于金屬層120的下表面124上,用以支撐金屬層120。在本實(shí)施例中，金屬層120的材質(zhì)例如是銅或銅合金。接著，請(qǐng)參考圖1B，形成一表面保護(hù)層130a于金屬層120上，其中表面保護(hù)層130a暴露出金屬層120的部分上表面122,且金屬層120的材質(zhì)與表面保護(hù)層130a的材質(zhì)不同。在本實(shí)施例中，表面保護(hù)層130a例如是由一鎳層132以及一金層134所組成，其中鎳層132位于金屬層120與金層134之間，且金層134覆蓋鎳層132。此外,形成表面保護(hù)層130a的方法包括電鍍法或化學(xué)鍍法。
最后，請(qǐng)參考圖1C，于表面保護(hù)層130a上形成一包覆層140a，而且包覆層140a覆蓋表面保護(hù)層130a。具體而言,在本實(shí)施例中是將金屬層120與表面保護(hù)層130a浸泡于一改質(zhì)劑(modifier)(未繪示)中，而改質(zhì)劑化學(xué)性或物理性且選擇性地吸附于表面保護(hù)層130a中的金層134上而形成一包覆層140a，因此包覆層140a覆蓋部分表面保護(hù)層130a。具體而言，包覆層140a是緊密地包覆金屬134。在其他的未繪示的實(shí)施例中，包覆層140a中也可具有多個(gè)納米顆粒。此外，本實(shí)施例的包覆層140a的厚度例如是小于100納米，而包覆層140a的材質(zhì)例如是硫醇類(Mercaptan)納米高分子或環(huán)糊精(Hydroxypropyl-beta-Cyclodextrin)等有機(jī)材料。至此，已完成線路結(jié)構(gòu)IOOa的制作。在結(jié)構(gòu)上，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1C，線路結(jié)構(gòu)IOOa包括絕緣層110、金屬層120、表面保護(hù)層130a以及包覆層140a。金屬層120具有上表面122以及相對(duì)于上表面122的下表面124。絕緣層110配置于金屬層120的下表面124上，用以支撐金屬層120。表面保護(hù)層130a配置于金屬層120的上表面122上,其中表面保護(hù)層130a暴露出覆蓋金屬層120的部分上表面122,且金屬層120的材質(zhì)與表面保護(hù)層130a的材質(zhì)不同。包覆層140a配置于表面保護(hù)層130a上，且包覆層140覆蓋表面保護(hù)層130a。
特別一提的是，在本實(shí)施例中，表面保護(hù)層130a例如是由鎳層132以及金層134所組成，其中鎳層132位于金屬層120與金層134之間，且金層134覆蓋鎳層132。然而，本發(fā)明不以此為限。以下將列舉其他實(shí)施例以作為說明。在此必須說明的是，下述實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號(hào)來表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。關(guān)于省略部分的說明可參考前述實(shí)施例，下述實(shí)施例不再重復(fù)贅述。圖2繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖2，于此實(shí)施例中，線路結(jié)構(gòu)IOOb與圖IC的線路結(jié)構(gòu)IOOa的結(jié)構(gòu)相似，二者主要差異之處線路結(jié)構(gòu)IOOb的表面保護(hù)層130b是由一鎳層132以及一銀層136所組成，其中鎳層132位于金屬層120與銀層136之間，且銀層136覆蓋鎳層132。此外，包覆層140a也緊密地包覆銀層136。圖3繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖3，在此實(shí)施例中，線路結(jié)構(gòu)IOOc與圖IC的線路結(jié)構(gòu)IOOa的結(jié)構(gòu)相似，二者主要差異之處線路結(jié)構(gòu)IOOc的表面保護(hù)層130c是由一鎳層132、一鈕層138以及一金層134所組成,其中鎳層132位于金屬層120與鈀層138之間，而金層134覆蓋鈀層138。此外，包覆層140a也緊密地包覆金層134。簡言之，在此所述的表面保護(hù)層130a、130b、130c僅舉例說明，并不此為限，只要表面保護(hù)層130a、130b、130c中包含一貴金屬材質(zhì)的金屬層皆屬本發(fā)明所欲保護(hù)的范圍。由于銅或銅合金材質(zhì)的金屬層120與表面保護(hù)層130a、130b、130c中的金層134或銀層136具有不同的氧化還原電位，故在后續(xù)制作工藝中兩種金屬存在的電位差易造成的賈凡尼效應(yīng)(Galvanic effect)。因此,前述實(shí)施例是通過將金屬層120以及表面保護(hù)層130a、130b、130c浸泡于改質(zhì)劑中，來制作自發(fā)性且與表面保護(hù)層130a、130b、130c形成化學(xué)性或物理性吸附現(xiàn)象的包覆層140a，以改變表面保護(hù)層130a、130b、130c表面的物理性質(zhì)，例如親疏水性與液體接觸角的改變等等。如此一來，于后續(xù)制作工藝中，線路結(jié)構(gòu)100a、IOObUOOc可有效避免賈凡尼效應(yīng)。
圖4A至圖4C繪示本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法的局部步驟的剖面圖。本實(shí)施例的封裝線路結(jié)構(gòu)IOOd的制作方法與圖IC的線路結(jié)構(gòu)IOOa的制作方法相似，二者主要差異之處在于本實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)IOOd是采用干式光致抗蝕劑，通過曝光及顯影的方式來形成包覆層140d。詳細(xì)來說，在圖IB的步驟后，即形成表面保護(hù)層130a之后，請(qǐng)參考圖4A，于表面保護(hù)層130a以及表面保護(hù)層130a所暴露出的金屬層120的部分上表面122上形成一包覆材料層140d’，而包覆材料層140d’的材質(zhì)例如是干膜光致抗 蝕劑(dry film photoresist)。接著，提供一光掩模150于包覆材料層140d’上，且光掩模150是對(duì)應(yīng)表面保護(hù)層130a設(shè)置。換言之，光掩模150在金屬層120上的正投影面積與表面保護(hù)層130a在金屬層120上的正投影面積完全疊合。接著，請(qǐng)參考圖4B，通過光掩模150對(duì)包覆材料層140d’進(jìn)行一曝光程序以及一顯影程序，以形成包覆層140d。具體而言，由于光掩模150是對(duì)應(yīng)表面保護(hù)層130a設(shè)置，因此，于曝光程序以及顯影程序完成后，包覆層140d是配置于表面保護(hù)層130a的金層134上且與表面保護(hù)層130a共形設(shè)置。最后，請(qǐng)參考圖4C，將光掩模150移除，以暴露出包覆層140d。至此，已完成線路結(jié)構(gòu)IOOd的制作。在結(jié)構(gòu)上，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D4C，線路結(jié)構(gòu)IOOd包括絕緣層110、金屬層120、表面保護(hù)層130a以及包覆層140d。金屬層120具有上表面122以及相對(duì)于上表面122的下表面124。絕緣層110配置于金屬層120的下表面124上，用以支撐金屬層120。表面保護(hù)層130a配置于金屬層120的上表面122上,其中表面保護(hù)層130a暴露出覆蓋金屬層120的部分上表面122,且金屬層120的材質(zhì)與表面保護(hù)層130a的材質(zhì)不同。包覆層140d配置于表面保護(hù)層130a上，且包覆層140d覆蓋表面保護(hù)層130a且與表面保護(hù)層130a共形設(shè)置。圖5A至圖5C繪示本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法的局部步驟的剖面圖。本實(shí)施例的封裝線路結(jié)構(gòu)IOOe的制作方法與圖IC的線路結(jié)構(gòu)IOOa的制作方法相似，二者主要差異之處在于本實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)IOOe是采用濕式光致抗蝕劑，通過曝光及顯影的方式來形成包覆層140e。詳細(xì)來說，于圖IB的步驟后，即形成表面保護(hù)層130a之后，請(qǐng)參考圖5A，于表面保護(hù)層130a以及表面保護(hù)層130a所暴露出的金屬層120的部分上表面122上形成一包覆材料層140e’。包覆材料層140e’的材質(zhì)例如是濕式光致抗蝕劑。接著，并提供一光掩模150于包覆材料層140e’上，且光掩模150是對(duì)應(yīng)表面保護(hù)層130a設(shè)置。換言之，光掩模150在金屬層120上的正投影面積與表面保護(hù)層130a在金屬層120上的正投影面積完全疊合。再來，請(qǐng)參考圖5B，通過光掩模150對(duì)包覆材料層140e’進(jìn)行一曝光程序以及一顯影程序，以形成包覆層140e。具體而言，由于光掩模150是對(duì)應(yīng)表面保護(hù)層130a設(shè)置，因此于曝光程序以及顯影程序完成后，包覆層140e是配置于表面保護(hù)層130a中的金層134上且與表面保護(hù)層130a共形設(shè)置。此外，包覆層140e的厚度例如是小于100納米。最后，請(qǐng)參考圖5C，將光掩模150移除，以暴露出包覆層140e。至此，已完成線路結(jié)構(gòu)IOOe的制作。在結(jié)構(gòu)上，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D5C，線路結(jié)構(gòu)IOOe包括絕緣層110、金屬層120、表面保護(hù)層130a以及包覆層140e。金屬層120具有上表面122以及相對(duì)于上表面122的下表面124。絕緣層110配置于金屬層120的下表面124上，用以支撐金屬層120。表面保護(hù)層130a配置于金屬層120的上表面122上,其中表面保護(hù)層130a暴露出覆蓋金屬層120的部分上表面122,且金屬層120的材質(zhì)與表面保護(hù)層130a的材質(zhì)不同。包覆層140e配置于表面保護(hù)層130a上，且包覆層140e覆蓋表面保護(hù)層130a。值得一提的是，在前述圖4C與圖5C的實(shí)施例中，表面保護(hù)層130a例如是由鎳層132以及金層134所組成，其中鎳層132位于金屬層120與金層134之間，且金層134覆蓋鎳層132。然而，于其他未繪示的實(shí)施例中，也可選用于如圖2的實(shí)施例中所提及的表面保護(hù)層130b是由一鎳層132以及一銀層136所組成，其中鎳層132位于金屬層120與銀層136之間，且銀層136覆蓋鎳層132 ;或者是，如圖3的實(shí)施例之中所提及的表面保護(hù)層130c也可是由一鎳層132、一鈀層138以及一金層134所組成，其中鎳層132位于金屬層120與鈀層138之間，而金層134覆蓋鈀層138，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可參照前述實(shí)施例的說明，依據(jù)實(shí)際需求，而選用前述構(gòu)件，以達(dá)到所需的技術(shù)效果。值得一提的是，上述所示的線路結(jié)構(gòu)100a、100b、100c、IOOcUIOOe可以是一種單層線路板(single side circuit board),或可以是雙面線路板(double side circuitboard)或多層線路板(multi-layer circuit board)中的其中一層線路結(jié)構(gòu),其例如是表 面線路結(jié)構(gòu)或是內(nèi)層線路結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明的線路結(jié)構(gòu)的制作方法可以應(yīng)用在單層線路板、雙面線路板或多層線路板的制作工藝中。綜上所述，通過本發(fā)明所提出的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，能制作出自發(fā)性且與表面保護(hù)層形成化學(xué)性或物理性吸附現(xiàn)象的包覆層，或者是通過覆蓋或涂布光致抗蝕劑及曝光與顯影的方式于表面保護(hù)層上形成包覆層，進(jìn)而可防止后續(xù)制作工藝中因兩種金屬之間存在的電位差所造成的賈凡尼效應(yīng)。如此一來，本發(fā)明的線路結(jié)構(gòu)可具有較佳的電性品質(zhì)。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，包括 提供一金屬層，該金屬層具有一上表面； 形成一表面保護(hù)層于該金屬層的該上表面上，其中該表面保護(hù)層暴露出該金屬層的部分該上表面，且該金屬層的材質(zhì)與該表面保護(hù)層的材質(zhì)不同；以及形成一包覆層于該表面保護(hù)層上，且該包覆層覆蓋該表面保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求I所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該包覆層的步驟包括 將該金屬層與該表面保護(hù)層浸泡于一改質(zhì)劑中，而該改質(zhì)劑選擇性吸附于該表面保護(hù)層上以形成該包覆層，其中該包覆層包覆部分該表面保護(hù)層。
3.如權(quán)利要求2所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該包覆層的材質(zhì)包括有機(jī)材料。
4.如權(quán)利要求3所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該有機(jī)材料包括硫醇類(Mercaptan)納米高分子或環(huán)糊精(Hydroxypropyl-beta-Cyclodextrin)。
5.如權(quán)利要求I所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該包覆層的步驟包括 形成一包覆材料層于該表面保護(hù)層與該表面保護(hù)層所暴露出的該金屬層的部分該上表面上； 提供一光掩模于該包覆材料層上，其中該光掩模對(duì)應(yīng)該表面保護(hù)層設(shè)置； 通過該光掩模對(duì)該包覆材料層進(jìn)行一曝光程序以及一顯影程序，以形成該包覆層；以及 移除該光掩模。
6.如權(quán)利要求5所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該包覆材料層的材質(zhì)包括光致抗蝕劑材料。
7.如權(quán)利要求6所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該光致抗蝕劑材料包括干膜光致抗蝕劑(dry film photoresist)或濕式光致抗蝕劑(Liquid photoresist)。
8.如權(quán)利要求I所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該金屬層的材質(zhì)包括銅或銅合金。
9.如權(quán)利要求I所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該表面保護(hù)層包括一鎳層以及一金層，該鎳層位于該金屬層與該金層之間，且該金層覆蓋該鎳層。
10.如權(quán)利要求I所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該表面保護(hù)層包括一鎳層、一鈀層以及一金層，其中該鎳層位于該金屬層與該鈀層之間，且該金層覆蓋該鈀層。
11.如權(quán)利要求I所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該表面保護(hù)層包括一鎳層以及一銀層，該鎳層位于該金屬層與該銀層之間，且該銀層覆蓋該鎳層。
12.如權(quán)利要求I所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括 提供該金屬層時(shí)，提供一絕緣層于該金屬層相對(duì)于該上表面的一下表面上。
13.一種線路結(jié)構(gòu)，包括 金屬層，具有一上表面； 表面保護(hù)層，配置于該金屬層的該上表面上，其中該表面保護(hù)層暴露出該金屬層的部分該上表面，且該金屬層的材質(zhì)與該表面保護(hù)層的材質(zhì)不同；以及包覆層，配置于該表面保護(hù)層上，且覆蓋該表面保護(hù)層。
14.如權(quán)利要求13所述的線路結(jié)構(gòu)，其中該包覆層包覆部分該表面保護(hù)層，且該包覆層的材質(zhì)包括有機(jī)材料。
15.如權(quán)利要求14所述的線路結(jié)構(gòu),其中該有機(jī)材料包括硫醇類(Mercaptan)納米高分子或環(huán)糊精(Hydroxypropy 1-beta-Cyclodextrin)。
16.如權(quán)利要求13所述的線路結(jié)構(gòu)，其中該包覆層的材質(zhì)包括光致抗蝕劑材料。
17.如權(quán)利要求16所述的線路結(jié)構(gòu)，其中該光致抗蝕劑材料包括干膜光致抗蝕劑(dryfilm photoresist)或濕式光致抗蝕劑(Liquid photoresist)。
18.如權(quán)利要求13所述的線路結(jié)構(gòu)，其中該金屬層的材質(zhì)包括銅或銅合金。
19.如權(quán)利要求13所述的線路結(jié)構(gòu)，其中該表面保護(hù)層包括一鎳層以及一金層，該鎳層位于該金屬層與該金層之間，且該金層覆蓋該鎳層。
20.如權(quán)利要求13所述的線路結(jié)構(gòu)，其中該表面保護(hù)層包括一鎳層、一鈀層以及一金層，該鎳層位于該金屬層與該鈀層之間，且該金層覆蓋該鈀層。
21.如權(quán)利要求13所述的線路結(jié)構(gòu)，其中該表面保護(hù)層包括一鎳層以及一銀層，該鎳層位于該金屬層與該銀層之間，且該銀層覆蓋該鎳層。
22.如權(quán)利要求13所述的線路結(jié)構(gòu)，還包括一絕緣層，配置于該金屬層相對(duì)于該上表面的一下表面上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種線路結(jié)構(gòu)及其制作方法，其提供一具有一上表面的金屬層。形成一表面保護(hù)層于金屬層上，其中表面保護(hù)層暴露出金屬層的部分上表面，且金屬層的材質(zhì)與表面保護(hù)層的材質(zhì)不同。形成一包覆層于表面保護(hù)層上，且包覆層覆蓋表面保護(hù)層。
文檔編號(hào)H01L23/28GK102768963SQ20121004190
公開日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月4日
發(fā)明者陳慶盛 申請(qǐng)人:旭德科技股份有限公司