專利名稱：嵌入式封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及一種嵌入式封裝件及其制造方法
背景技術(shù)：
隨著便攜式電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體器件日益需要小型化和大容量。為了實現(xiàn)小型化和大容量，大量的半導(dǎo)體芯片需要安裝在半導(dǎo)體封裝件中，并且半導(dǎo)體封裝件需要輕、薄及緊湊。在努力實現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)過程中，現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)提出了嵌入式封裝件，其中芯片嵌入板中而不是設(shè)置在板的表面上。圖I是示出已知嵌入式封裝件的截面圖。參見圖1，凸塊(bump) 2形成在半導(dǎo)體芯片I的接合焊盤IA上。半導(dǎo)體芯片I通 過粘合部件8以面向上的形式連接到芯層(core layer) 3,并且絕緣部件4層疊在半導(dǎo)體芯片I和芯層3上。然后，蝕刻絕緣部件4以平坦化，從而露出凸塊2。在凸塊2和絕緣部件4上形成電路配線5以電連接到凸塊2后，阻焊圖案6形成在絕緣部件4和電路配線5上以露出電路配線5的一部分，并且焊料球7安裝到電路配線5的露出部分。如上所述構(gòu)造的嵌入式封裝件就高速運行而言具有優(yōu)點，這是由于半導(dǎo)體芯片I和諸如焊料球7的外連端子之間電信號的傳輸長度縮短的事實。然而，因為半導(dǎo)體芯片I的有效區(qū)域和電路配線5之間的距離H很短，所以半導(dǎo)體芯片I的集成電路和電路配線5之間感應(yīng)的寄生電容變大，并且難于實現(xiàn)高速運行，盡管縮短了電信號的傳輸長度。雖然半導(dǎo)體芯片I和電路配線5之間的距離H可通過增加凸塊2的高度而加長，但是，如果凸塊2的高度增加，則相鄰?fù)箟K2可能被短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例針對適合于高速運行的嵌入式封裝件。另外，本發(fā)明的實施例針對制造嵌入式封裝件的方法。在本發(fā)明的實施例中，嵌入式封裝件包括半導(dǎo)體芯片，分成單元區(qū)域和外圍區(qū)域，該半導(dǎo)體芯片具有第一表面和背向第一表面的第二表面，并且包括第一表面上的單元區(qū)域中形成的集成電路、第一表面上的外圍區(qū)域中形成的接合焊盤以及接合焊盤之上形成的凸塊；芯層，連接到半導(dǎo)體芯片的第二表面；絕緣構(gòu)件，形成在半導(dǎo)體芯片和芯層之上，并且具有露出凸塊的開口 ；以及電路配線，形成在絕緣構(gòu)件和凸塊之上，并且與凸塊電連接，其中單元區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件的厚度大于凸塊的高度。單元區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件的厚度可比凸塊的高度大ΙΟμ 500μπ 。外圍區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件的厚度可等于或小于單元區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件的厚度。外圍區(qū)域中的絕緣構(gòu)件可形成為其厚度在凸塊兩側(cè)與凸塊的高度相同，而從凸塊的兩側(cè)朝著單元區(qū)域逐漸增加。具體而言，外圍區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件可具有直線斜面。在此情況下，凸塊的上表面和外圍區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件的上表面限定的夾角可為銳角。與此不同，外圍區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件可具有臺階形狀或彎曲的斜面。同時，外圍區(qū)域中形成的絕緣構(gòu)件的厚度可與凸塊的高度相同。嵌入式封裝件還可包括阻焊圖案，形成在絕緣構(gòu)件和電路配線之上，并且露出電路配線的一部分；以及外連端子，安裝到電路配線通過阻焊圖案露出的部分。單元區(qū)域分成至少兩個部分，并且外圍區(qū)域形成在這些部分之間。在本發(fā)明的實施例中，制造嵌入式封裝件的方法包括制備半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片分成單兀區(qū)域和外圍區(qū)域，具有第一表面和背向第一表面的第二表面，并且包括第一表面上的單元區(qū)域中形成的集成電路、第一表面上的外圍區(qū)域中形成的接合焊盤以及接合焊盤之上形成的凸塊；將半導(dǎo)體芯片的第二表面連接到芯層；在半導(dǎo)體芯片和芯層之上形成絕緣構(gòu)件以具有露出凸塊的開口且具有大于凸塊的高度的厚度；以及在絕緣構(gòu)件之上形成電路配線以與凸塊電連接。·形成絕緣構(gòu)件和形成電路配線可包括在芯層之上放置初始的絕緣構(gòu)件，初始的絕緣構(gòu)件具有第三表面和背向第三表面的第四表面，并且在第三表面上形成有導(dǎo)電層，以使第四表面面對半導(dǎo)體芯片；采用模子在半導(dǎo)體芯片和芯層之上層疊初始的絕緣構(gòu)件，模子具有對應(yīng)于外圍區(qū)域的凸起，以使導(dǎo)電層與凸塊電連接；以及圖案化導(dǎo)電層，并且形成電路配線。形成絕緣構(gòu)件可包括在半導(dǎo)體芯片和芯層之上放置初始的絕緣構(gòu)件；以及采用具有對應(yīng)于外圍區(qū)域的凸起的模子在半導(dǎo)體芯片和芯層之上層疊初始的絕緣構(gòu)件，從而露出凸塊。形成絕緣構(gòu)件可包括在半導(dǎo)體芯片和芯層之上放置初始的絕緣構(gòu)件；在芯層和半導(dǎo)體芯片之上層疊初始的絕緣構(gòu)件，并且形成覆蓋凸塊的絕緣構(gòu)件；以及去除絕緣構(gòu)件在外圍區(qū)域中的一部分，從而露出凸塊。在形成電路配線后，該方法還可包括在絕緣構(gòu)件和電路配線上形成阻焊圖案以具有露出電路配線的一部分的開口 ；以及安裝外連端子到電路配線的露出部分。


圖I是示出傳統(tǒng)嵌入式封裝件的截面圖。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。圖6至12是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的制造方法的截面圖。圖13至21是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的制造方法的截面圖。
具體實施例方式在下文，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實施例。在此應(yīng)當(dāng)理解的是，附圖并非一定是按比例繪制，并且在某些情況下，為了更加清楚地展示本發(fā)明的某些特征可以夸大比例。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。
參見圖2，根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件包括半導(dǎo)體芯片10、芯層30、絕緣部件40和電路配線50。此外，嵌入式封裝件還可包括阻焊圖案60和外連端子70。半導(dǎo)體芯片10分成單元區(qū)域CELL和外圍區(qū)域PERI，并且具有第一表面10A、第二表面10B、基于芯片設(shè)計的集成電路1C、接合焊盤11和凸塊20。第一表面IOA背向第二表面10B。集成電路IC形成在半導(dǎo)體芯片10的第一表面IOA上的單元區(qū)域CELL中，并且接合焊盤11形成在半導(dǎo)體芯片10的第一表面IOA上的外圍區(qū)域PERI中。盡管附圖中未示出，但是接合焊盤11電連接到集成電路1C。在本發(fā)明的實施例中，接合焊盤11形成為沿著半導(dǎo)體芯片10的第一表面IOA的中心部分。就是說，半導(dǎo)體芯片10具有中心焊盤式結(jié)構(gòu)。作為選擇，接合焊盤11可形成為相鄰于半導(dǎo)體芯片10的第一表面IOA的邊緣。就是說，半導(dǎo)體芯片10可具有邊緣焊盤式結(jié)構(gòu)。凸塊20形成在接合焊盤11上。凸塊20可包括銅、鋁、金、銀等中的一種或更多種，并且例如可為柱狀。
半導(dǎo)體芯片10的第二表面IOB通過粘合部件80連接到芯層30。換言之，半導(dǎo)體芯片10以面向上的方式連接到芯層30。粘合部件80可包括粘合劑膏或者雙面膠帶。例如，芯層30可包括加強(qiáng)材料和樹脂的結(jié)合，例如，玻璃纖維和環(huán)氧樹脂、紙和酚醛樹脂以及紙和環(huán)氧樹脂。絕緣部件40形成在半導(dǎo)體芯片10和芯層30上，并且具有露出凸塊20的開口 41。形成在半導(dǎo)體芯片10的單元區(qū)域CELL中的絕緣部件40的厚度大于凸塊20的高度。換言之，當(dāng)凸塊20的高度為Dl且半導(dǎo)體芯片10的單元區(qū)域CELL中形成的絕緣部件40的厚度為D2時，D2大于Dl。例如，D2-D1具有10 500 μ m的范圍。外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40具有這樣的厚度，其在凸塊20的兩側(cè)與凸塊20的高度相同，并且從凸塊20的兩側(cè)朝著單元區(qū)域CELL逐漸增加。在本發(fā)明的實施例中，外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40的上表面具有直線斜面。凸塊20的上表面和外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40的上表面之間的夾角可為銳角。絕緣部件40可包括熱固性樹脂或熱塑性樹脂。電路配線50形成在絕緣部件40和凸塊20上，并且電連接到凸塊20。電路配線50可包括銅、鎳和金中的一種或更多種。阻焊圖案60形成在絕緣部件40和電路配線50上，并且露出電路配線50的一部分。外連端子70安裝到電路配線50通過阻焊圖案60露出的部分。外連端子70包括焊料球或凸塊。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。除了外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40外，根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件可與根據(jù)上面參考圖2描述的實施例的嵌入式封裝件具有實質(zhì)上相同的構(gòu)造。因此，這里省略了相同部件的重復(fù)描述，并且相同的術(shù)語和相同的附圖標(biāo)記用于指代相同的部件。參見圖3，外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40具有這樣的厚度，其在凸塊20的兩側(cè)與凸塊20的高度相同，并且從凸塊20的兩側(cè)朝著單元區(qū)域CELL階梯式增加。在本發(fā)明的實施例中，外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40具有臺階形狀。圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。除了外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40外，根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件可與根據(jù)上面參考圖2描述的實施例的嵌入式封裝件具有實質(zhì)上相同的構(gòu)造。因此，這里省略了相同部件的重復(fù)描述，并且相同的術(shù)語和相同的附圖標(biāo)記用于指代相同的部件。參見圖4，外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40具有這樣的厚度，其在凸塊20的兩側(cè)與與凸塊20的高度相同，并且從凸塊20的兩側(cè)朝著單元區(qū)域CELL逐漸增加。在本發(fā)明的實施例中，外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40具有彎曲的斜面。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的截面圖。除了絕緣部件40外，根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件可與根據(jù)上面參考圖2描述的實施例的嵌入式封裝件具有實質(zhì)上相同的構(gòu)造。因此，這里省略了相同部件的重復(fù)描述，并且相同的術(shù)語和相同的附圖標(biāo)記用于指代相同的部件。參見圖5，絕緣部件40形成在半導(dǎo)體芯片10和芯層30上，并且具有露出凸塊20的開口 41。形成在半導(dǎo)體芯片10的單元區(qū)域CELL中的絕緣部件40的厚度大于凸塊20的高度。換言之，當(dāng)凸塊20的高度為Dl且半導(dǎo)體芯片10的單元區(qū)域CELL中形成的絕緣部件40的厚度為D2時，D2大于Dl。例如，D2-D1具有10 500 μ m的范圍。 在本發(fā)明的實施例中，外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40與凸塊20具有相同的厚度，即D1。圖6至12是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件的制造方法的截面圖。參見圖6，為了制造嵌入式的半導(dǎo)體封裝件，半導(dǎo)體芯片10通過半導(dǎo)體器件制造工藝制造。半導(dǎo)體芯片10分成單元區(qū)域CELL和外圍區(qū)域PERI，并且具有集成電路IC和接合焊盤11，它們分別形成在單元區(qū)域CELL和外圍區(qū)域PERI中。在下文，半導(dǎo)體芯片10的形成集成電路IC和接合焊盤11的一個表面將稱為第一表面10A,并且半導(dǎo)體芯片10的背向第一表面IOA的另一個表面將稱為第二表面10B。參見圖7，凸塊20形成在接合焊盤11上。凸塊20可包括銅、鋁、金、銀等中的一種或更多種，并且例如可為柱狀。參見圖8，半導(dǎo)體芯片10的第二表面IOB通過粘合部件80粘合到芯層30。例如，芯層30可包括加強(qiáng)材料和樹脂的結(jié)合，例如，玻璃纖維和環(huán)氧樹脂、紙和酚醛樹脂以及紙和環(huán)氧樹脂。參見圖9，制備初始的絕緣部件40A，其一個表面上形成有導(dǎo)電層50A。在下文，初始的絕緣部件40A的形成有導(dǎo)電層50A的一個表面將稱為第三表面，并且初始的絕緣部件40A的背向第三表面的另一個表面將稱為第四表面。初始的絕緣部件40A可包括熱固性樹脂或熱塑性樹脂，并且導(dǎo)電層50A可包括銅、鎳和金中的一種或更多種。然后，初始的絕緣部件40A形成在半導(dǎo)體芯片10和芯層30之上，使初始的絕緣部件40A的第四表面面對半導(dǎo)體芯片10。參見圖10，初始的絕緣部件40A采用模子100層疊在半導(dǎo)體芯片10和芯層30上，模子100具有對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片10的外圍區(qū)域PERI的凸起，從而導(dǎo)電層50A連接到凸塊20，因此形成絕緣部件40。通過這樣的系列工藝，絕緣部件40具有露出凸塊20的開口 41，并且導(dǎo)電層50A通過開口 41連接到凸塊20。這里，由于初始的絕緣部件40A采用具有對應(yīng)于外圍區(qū)域PERI的凸起的模子100被按壓，直到導(dǎo)電層50A連接到凸塊20，所以半導(dǎo)體芯片10的單元區(qū)域CELL中形成的絕緣部件40的厚度大于凸塊20的高度。換言之，當(dāng)凸塊20的高度為Dl且半導(dǎo)體芯片10的單元區(qū)域CELL中形成的絕緣部件40的厚度為D2時，D2大于D1。外圍區(qū)域PERI中形成的絕緣部件40的形狀對應(yīng)于模子100的凸起的形狀。盡管在本發(fā)明的實施例中示出了模子100的凸起的側(cè)表面具有直線斜面，但是模子100的凸起的形狀沒有特別限定。例如，模子100的凸起的側(cè)表面可具有臺階形狀，或者可具有彎曲的斜面。參見圖11，通過圖案化導(dǎo)電層50A，形成電連接到凸塊20的電路配線50。為了形成電路配線50，光致抗蝕劑(未示出)可形成在導(dǎo)電層50A上，并且選擇性曝光，通過顯影露出的光致抗蝕劑可形成光致抗蝕劑圖案，導(dǎo)電層50A可采用光致抗蝕劑圖案作為掩模進(jìn)行蝕刻，然后可去除光致抗蝕劑圖案。在執(zhí)行曝光光致抗蝕劑的工藝時，為了防止曝光的聚焦深度因外圍區(qū)域PERI和單元區(qū)域CELL之間的不均勻而偏離，外圍區(qū)域PERI和單元區(qū)域CELL的光致抗蝕劑可不同 時曝光，并且可彼此分開曝光。參考圖12，通過在電路配線50和絕緣部件40上形成阻焊劑，并且圖案化阻焊劑，形成阻焊圖案60，其具有用于露出電路配線50 —部分的開口。接下來，外連端子70安裝到電路配線50的露出部分。作為外連端子70，可采用焊料球。圖13至21是說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件方法的截面圖。參見圖13，為了制造嵌入式半導(dǎo)體封裝件，半導(dǎo)體芯片10通過半導(dǎo)體器件制造工藝制造。半導(dǎo)體芯片10分成單元區(qū)域CELL和外圍區(qū)域PERI，并且具有集成電路IC和接合焊盤11，它們分別形成在單元區(qū)域CELL和外圍區(qū)域PERI中。在下文,半導(dǎo)體芯片10的形成集成電路IC和接合焊盤11的一個表面將稱為第一表面10A,并且半導(dǎo)體芯片10的背向第一表面IOA的另一個表面將稱為第二表面10B。參見圖14，凸塊20形成在接合焊盤11上。凸塊20可包括銅、鋁、金、銀等中的一種或更多種，并且例如可為柱狀。參見圖15，半導(dǎo)體芯片10的第二表面IOB通過粘合部件80連接到芯層30。例如，芯層30可包括加強(qiáng)材料和樹脂的結(jié)合，例如，玻璃纖維和環(huán)氧樹脂、紙和酚醛樹脂以及紙和環(huán)氧樹脂。參見圖16，初始的絕緣部件40A形成在半導(dǎo)體芯片10和芯層30之上。初始的絕緣部件40A可包括熱固性樹脂或熱塑性樹脂。參見圖17，初始的絕緣部件40A采用具有平坦表面輪廓的模子100層疊在半導(dǎo)體芯片10和芯層30上，因此形成覆蓋凸起20的絕緣部件40。當(dāng)凸塊20的高度為Dl且半導(dǎo)體芯片10的單元區(qū)域CELL中形成的絕緣部件40的厚度為D2時，D2大于D1。例如，D2-D1具有10 500 μ m的范圍。參見圖18，通過去除絕緣部件40在外圍區(qū)域PERI中的部分，開口 41形成為露出凸塊20。作為去除絕緣部件40 —部分的方法，可采用蝕刻工藝、鉆孔工藝和激光鉆孔工藝中的任何一種。盡管在本發(fā)明的實施例中示出且描述了在形成覆蓋凸塊20的絕緣部件40后，通過去除絕緣部件40的一部分露出凸塊20，但是可易于理解的是，具有露出凸塊20的開口41的絕緣部件40可通過采用模子100 (見圖8)在半導(dǎo)體芯片10和芯層30上層疊初始的絕緣部件40A形成以露出凸塊20，模子100具有對應(yīng)于半導(dǎo)體芯片10的外圍區(qū)域PERI的凸起。參見圖19，導(dǎo)電層50A形成在凸塊20和絕緣部件40上。導(dǎo)電層50A可包括銅、鎳和金中的一種或更多種。參見圖20，通過圖案化導(dǎo)電層50A，形成電連接到凸塊20的電路配線50。為了形成電路配線50，光致抗蝕劑(未示出)可形成在導(dǎo)電層50A上，并且可選擇性曝光以限定要形成電路配線的區(qū)域，光致抗蝕劑圖案可通過顯影曝光的光致抗蝕劑而形成，導(dǎo)電層50A可采用光致抗蝕劑圖案作為掩模進(jìn)行蝕刻，然后可去除光致抗蝕劑圖案。在執(zhí)行曝光光致抗蝕劑的工藝時，為了防止曝光的聚焦深度因外圍區(qū)域PERI和外圍區(qū)域PERI之外的區(qū)域之間的不均勻而偏離，外圍區(qū)域PERI和單元區(qū)域CELL的光致抗蝕劑可不同時曝光，并且可彼此分開曝光。
參見圖21，通過在電路配線50和絕緣部件40上形成阻焊劑，并且圖案化阻焊劑，形成阻焊圖案60，其具有用于露出電路配線50的一部分的開口。接下來，外連端子70安裝到電路配線50的露出部分。作為外連端子70，可采用焊料球。由上面的描述可見，根據(jù)本發(fā)明實施例的嵌入式封裝件及其制造方法提供了這樣的優(yōu)點，因為增加了半導(dǎo)體芯片的單元區(qū)域和電路配線之間的距離，所以減小了寄生電容，因此可改善嵌入式封裝件的運行速度。盡管為了說明的目的已經(jīng)描述本發(fā)明的具體實施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可理解的是，在不脫離如所附權(quán)利要求公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種修改、添加和替換都是可能的。本申請要求2011年8月11日提交的韓國專利申請?zhí)?0-2011-80043的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1 一種嵌入式封裝件，包括半導(dǎo)體芯片，包括單元區(qū)域中的第一表面上形成的集成電路、外圍區(qū)域中的所述第一表面上形成的接合焊盤以及所述接合焊盤之上形成的凸塊；芯層，連接到所述半導(dǎo)體芯片的背向所述第一表面的第二表面；絕緣部件，形成在所述芯層之上，其中露出所述凸塊的開口形成在所述絕緣部件上；以及電路配線，形成在所述絕緣部件和所述凸塊之上，其中所述凸塊連接到所述電路配線， 其中所述單元區(qū)域中形成的絕緣部件的厚度大于所述凸塊的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的嵌入式封裝件，其中所述單元區(qū)域中形成的所述絕緣部件的厚度比所述凸塊的高度大10 μ m至500 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的嵌入式封裝件，其中所述外圍區(qū)域中形成的所述絕緣部件的厚度等于或小于所述單元區(qū)域中形成的所述絕緣部件的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌入式封裝件，其中所述外圍區(qū)域中的所述絕緣部件形成為使其厚度在所述凸塊的兩側(cè)與所述凸塊的高度相同，并且從所述凸塊的兩側(cè)朝著所述單元區(qū)域逐漸增加。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的嵌入式封裝件，其中所述外圍區(qū)域中形成的所述絕緣部件具有直線斜面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的嵌入式封裝件，其中由所述凸塊的上表面和所述外圍區(qū)域中形成的所述絕緣部件的上表面形成的夾角是銳角。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的嵌入式封裝件，其中所述外圍區(qū)域中形成的所述絕緣部件具有臺階形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的嵌入式封裝件，其中所述外圍區(qū)域中形成的所述絕緣部件具有彎曲斜面。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌入式封裝件，其中所述外圍區(qū)域中形成的所述絕緣部件的厚度與所述凸塊的高度相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的嵌入式封裝件，還包括阻焊圖案，形成在所述絕緣部件和所述電路配線之上，并且露出所述電路配線的一部分；以及外連端子，安裝到所述電路配線通過所述阻焊圖案露出的部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的嵌入式封裝件，其中所述單元區(qū)域分成至少兩個部分，并且所述外圍區(qū)域形成在所述部分之間。
12.—種嵌入式封裝件的制造方法，包括制備半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括單元區(qū)域中的第一表面上形成的集成電路、外圍區(qū)域中的所述第一表面上形成的接合焊盤以及所述接合焊盤之上形成的凸塊；將所述半導(dǎo)體芯片的背向所述第一表面的第二表面連接到芯層；在所述半導(dǎo)體芯片和所述芯層之上形成絕緣部件，所述絕緣部件具有露出所述凸塊的開口，其中所述單元區(qū)域中形成的所述絕緣部件的厚度大于所述凸塊的高度；以及在所述絕緣部件之上形成電路配線，以電連接到所述凸塊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述絕緣部件和形成所述電路配線包括在所述芯層之上放置初始的絕緣部件，所述初始的絕緣部件具有第三表面和背向所述第三表面的第四表面，并且在所述第三表面上形成有導(dǎo)電層，使所述第四表面面對所述半導(dǎo)體芯片；采用模子在所述半導(dǎo)體芯片和所述芯層之上層疊所述初始的絕緣部件，所述模子具有對應(yīng)于所述外圍區(qū)域的凸起，以使所述導(dǎo)電層電連接到所述凸塊；以及圖案化所述導(dǎo)電層，并且形成所述電路配線。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述絕緣部件包括在所述半導(dǎo)體芯片和所述芯層之上放置初始的絕緣部件；以及采用具有對應(yīng)于所述外圍區(qū)域的凸起的模子在所述半導(dǎo)體芯片和所述芯層之上層疊所述初始的絕緣部件，從而露出所述凸塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述絕緣部件包括在所述半導(dǎo)體芯片和所述芯層之上放置初始的絕緣部件；在所述芯層和所述半導(dǎo)體芯片之上層疊所述初始的絕緣部件，并且形成覆蓋所述凸塊的所述絕緣部件；以及去除所述絕緣部件在所述外圍區(qū)域中的部分，從而露出所述凸塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在形成所述電路配線后，所述方法還包括 在所述絕緣部件和所述電路配線上形成阻焊圖案，其中露出所述電路配線的一部分的開口形成在所述阻焊圖案上；以及將外連端子安裝到所述電路配線的所述露出部分。
全文摘要
一種嵌入式封裝件及其制造方法，該嵌入式封裝件包括半導(dǎo)體芯片，分成單元區(qū)域和外圍區(qū)域，具有第一表面和背向第一表面的第二表面，并且包括第一表面上的單元區(qū)域中形成的集成電路、第一表面上的外圍區(qū)域中形成的接合焊盤以及接合焊盤之上形成的凸塊；芯層，連接到半導(dǎo)體芯片的第二表面；絕緣部件，形成在包括半導(dǎo)體芯片的芯層之上，并且具有露出凸塊的開口；以及電路配線，形成在絕緣部件和凸塊之上，并且電連接到凸塊，其中單元區(qū)域中形成的絕緣部件的厚度大于凸塊的高度。
文檔編號H01L23/488GK102931157SQ201210046568
公開日2013年2月13日 申請日期2012年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月11日
發(fā)明者鄭冠鎬 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司