專利名稱：一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其制備方法、陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉 及一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其制備方法、陣列基板。
背景技術(shù)：
AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,是有源矩陣 / 有機(jī)發(fā)光二極體面板)顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路通常采用TFT (Thin Film Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，TFT作為驅(qū)動(dòng)OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)、PLED (polymer light-emitting diode,高分子發(fā)光二極管)面板,與非晶娃相比,其載流子濃度是非晶硅的十倍。另外，TFT可通過濺射Sputter的方法制備，因此導(dǎo)入時(shí)無需大幅改變現(xiàn)有的液晶面板生產(chǎn)線。同時(shí)，由于沒有離子注入及激光晶化等設(shè)備的限制，相對(duì)于多晶娃技術(shù)，更有利于大面積的玻璃背板的生產(chǎn)。像素驅(qū)動(dòng)電路包含兩個(gè)TFT和一個(gè)存儲(chǔ)電容，其中一個(gè)為開關(guān)TFT (SwitchingTFT)，另一個(gè)為驅(qū)動(dòng)TFT (Driving TFT)。在掃描線開啟時(shí)，開關(guān)TFT的柵極上施加一定電壓，電流從柵極流向漏極，并通過ITO層傳輸?shù)津?qū)動(dòng)TFT，使驅(qū)動(dòng)TFT導(dǎo)通，電流從柵極流向漏極，驅(qū)動(dòng)TFT與存儲(chǔ)電容連接，從而為電容充電，當(dāng)掃描線關(guān)閉時(shí)，存儲(chǔ)于電容中的電壓仍能保持驅(qū)動(dòng)TFT在導(dǎo)通狀態(tài)，故能在一個(gè)畫面內(nèi)維持OLED的固定電流。Switching TFT 和 Driving TFT 由于處于不同層，因此 Switching TFT 和 DrivingTFT的跳層連接技術(shù)是關(guān)鍵技術(shù)。目前主要采用以下兩種方式方式I :如圖1-1 圖1-7所示，主要包括以下過程在玻璃基板上沉積Switching TFT和Driving TFT的柵極(Gate)金屬101并刻蝕，沉積柵絕緣(GI)層102，形成圖1-1所示的截面圖形；在GI層102上Switching TFT的位置沉積氧化銦鎵鋅(IGZO)層103，利用濕法刻蝕對(duì)IGZO層103進(jìn)行刻蝕，隨后沉積ESL (刻蝕阻擋層)層104并刻蝕，形成如圖1_2所示截面圖形；利用干刻技術(shù)，在Driving TFT的Gate金屬101上的GI層102開口，形成如圖1_3所示截面圖形，并沉積Switching TFT的源極/漏極(S/D)金屬105和Driving TFT的S/D(圖中未示出)，形成如圖1-4所示截面圖形；然后沉積保護(hù)層(PVX層)106，形成如圖1-5所示截面圖形；進(jìn)行過孔(Via Hole)刻蝕，露出Switching TFT的漏極和Driving TFT的柵極，形成如圖1_6所示的截面圖形；沉積ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)層107,形成如圖1_7所示的截面圖形,從而實(shí)現(xiàn)Switching TFT 和 Driving TFT 的跳層連接。此方法雖然可以實(shí)現(xiàn)Switching TFT和Driving TFT的跳層的可靠連接,但在Driving TFT的Gate金屬的GI層上開口時(shí)，是需要在圖1_2上添加一張掩膜MASK，采用掩膜工藝進(jìn)行開口，不利于節(jié)約成本且降低了制備效率。方式2 :在玻璃基板上沉積Switching TFT和Driving TFT的Gate金屬101并刻蝕，沉積GI層102，形成圖1-1所示的截面圖形；
在GI層102上Switching TFT的位置沉積IGZO層103，利用濕法刻蝕對(duì)IGZO層103進(jìn)行刻蝕，沉積ESL層104并刻蝕，形成如圖1-2所示截面圖形；沉積Switching TFT 的源極 / 漏極(S/D)金屬 105 和 Driving TFT 的 S/D(圖中未示出)，隨后沉積保護(hù)層106，形成如圖2-1所示截面圖形；進(jìn)行過孔ViaHole刻蝕，利用干刻工藝采用的氣氛環(huán)境對(duì)漏極(Drain)金屬(如鑰Mo金屬)及GI層(納米二氧化硅SiOx)、保護(hù)層(氮化硅SiNx)的不同的刻蝕比，在保證Drain金屬未被刻蝕掉的前提下，將Driving TFT的Gate金屬上的GI層刻蝕干 凈并形成通孔,形成如圖2_2所示截面圖形；隨后沉積ITO層107，形成如圖2-3所示截面圖形，實(shí)現(xiàn)Switching TFT和Driving TFT的跳層連接。雖然采用此方法可以減少一張MASK，但需要調(diào)節(jié)干刻工藝，提高干刻氣氛對(duì)Mo金屬及Si0x、SiNx的不同的刻蝕比，增加了工藝的復(fù)雜性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其制備方法及陣列基板，用以高效率地實(shí)現(xiàn)開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的跳層連接。本發(fā)明提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路的制備方法，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT和驅(qū)動(dòng)TFT包括在基板上依次同時(shí)制作開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極、柵絕緣GI層、氧化物半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋ESL層；同時(shí)沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極/漏極金屬，經(jīng)刻蝕所述開關(guān)TFT的漏極金屬延伸覆蓋在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方的GI層上；沉積保護(hù)層，利用過孔工藝將過孔處的保護(hù)層、開關(guān)TFT的漏極金屬及GI層刻蝕掉，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；在過孔處沉積連接開關(guān)TFT的漏極及驅(qū)動(dòng)TFT的柵極的氧化銦錫ITO層。本發(fā)明提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT和驅(qū)動(dòng)TFT，所述開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT均包括柵極、柵絕緣GI層、氧化物半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋ESL層、源極/漏極，所述開關(guān)TFT的漏極經(jīng)氧化銦錫ITO層與所述驅(qū)動(dòng)TFT的柵極連接在一起，所述像素驅(qū)動(dòng)電路采用上述像素驅(qū)動(dòng)電路制備方法制備得到。本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括采用上述像素驅(qū)動(dòng)電路制備方法制備得到的像素驅(qū)動(dòng)電路。利用本發(fā)明所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路及其制備方法及陣列基板，具有以下有益效果I)由于僅在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方開口，增加了背板的開口率；2)由于僅在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方開口，刻蝕時(shí)不需要考慮對(duì)不同處刻蝕時(shí)的刻蝕t匕，減少SiOx及Mo金屬的干刻刻蝕比的開發(fā)及工藝的復(fù)雜性；3)在增加背板開口率和減少工藝復(fù)雜性的條件下，保證一個(gè)像素內(nèi)，SwitchingTFT和Driving TFT的跳層連接。


圖1-1 圖1-7為現(xiàn)有技術(shù)中采用方式I制備像素驅(qū)動(dòng)電路過程中得到的截面圖；圖2-1 圖2-3為現(xiàn)有技術(shù)中采用方式2制備像素驅(qū)動(dòng)電路過程中得到的截面圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例像素驅(qū)動(dòng)電 路制備方法流程圖；圖4-1 圖4-4為本發(fā)明實(shí)施例像素驅(qū)動(dòng)電路制備方法過程中得到的截面圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例制備的像素驅(qū)動(dòng)電路的俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的像素驅(qū)動(dòng)電路及其制備方法及陣列基板進(jìn)行詳細(xì)地說明。本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路的制備方法，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT和驅(qū)動(dòng)TFT，如圖3所示，包括步驟301，在基板上依次同時(shí)制作開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極、柵絕緣GI層、氧化物半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋ESL層；顯示器的每個(gè)像素內(nèi)具有一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT,開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT采用相同的結(jié)構(gòu)，不同的是開關(guān)TFT與數(shù)據(jù)掃描線連接，驅(qū)動(dòng)TFT與存儲(chǔ)電容連接。步驟302，同時(shí)沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極/漏極金屬，經(jīng)刻蝕所述開關(guān)TFT的漏極金屬延伸覆蓋在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方的GI層上；在ESL上沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極/漏極(S/D)金屬，這樣，在開關(guān)TFT/驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上施加一定電壓時(shí)，電流從開關(guān)TFT/驅(qū)動(dòng)TFT的源極流向漏極。步驟303，沉積保護(hù)層；具體地，沉積的保護(hù)層覆蓋整個(gè)陣列基板表面。步驟304，利用過孔工藝將過孔處的保護(hù)層、開關(guān)TFT的漏極金屬及GI層刻蝕掉，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；步驟305，在過孔處沉積連接開關(guān)TFT的漏極及驅(qū)動(dòng)TFT的柵極的氧化銦錫ITO層。本發(fā)明實(shí)施例提供的像素驅(qū)動(dòng)電路制備方法，在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的制作過程中，采用延長Switching TFT的Drain金屬并覆蓋在Driving TFT的Gate金屬上,利用刻蝕技術(shù)在此位置上方開口，將保護(hù)層、S/D層及GI層刻蝕掉，形成通孔，使得Gate金屬露于背板表面，然后沉積ΙΤ0,實(shí)現(xiàn)Switching TFT和Driving TFT的跳層連接,可見，由于本發(fā)明實(shí)施例可以優(yōu)化以下問題I)由于僅在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方開口，增加了背板的開口率；2)由于僅在驅(qū)動(dòng)TFT上方開口，刻蝕時(shí)不需要考慮對(duì)不同處刻蝕時(shí)的刻蝕比，減少SiOx及Mo金屬的干刻刻蝕比的開發(fā)及工藝的復(fù)雜性；3)在增加背板開口率和減少工藝復(fù)雜性的條件下，保證一個(gè)像素內(nèi)，SwitchingTFT和Driving TFT的跳層連接。實(shí)施例I
下面結(jié)合圖4-1 圖4-4詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的指標(biāo)方法，詳細(xì)過程如下I)在玻璃基板上沉積Gate金屬并刻 蝕，制作出開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極201 ；具體地，這里的柵極201包括開關(guān)TFT的柵極和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極，具體的刻蝕過程可以采用現(xiàn)有方法，這里不再詳述。優(yōu)選地，具體采用金屬鑰Mo，或者采用鑰Mo/鋁Al/鑰Mo制作開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極,其中Mo/Al/Mo是三層金屬，分別是Mo金屬層、Al層及Mo金屬層,兩層Mo金屬起保護(hù)作用，而Al層起導(dǎo)電作用。2)沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵絕緣(GI)層202 ；優(yōu)選地，沉積的柵絕緣層202覆蓋整個(gè)玻璃基板表面。具體采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制作GI層。3)在GI層上沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的氧化物半導(dǎo)體層203并進(jìn)行刻蝕；優(yōu)選地,氧化物半導(dǎo)體層203可以采用氧化銦鎵鋅IGZ0,也可采用氧化鎵鋅IZO
坐寸ο優(yōu)選地，沉積IGZO層并利用濕法刻蝕進(jìn)行刻蝕，刻蝕后的IGZO層在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方，且驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域未被覆蓋IGZO層，以方便開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的跳層連接。本實(shí)施例為了清楚地表示開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的跳層連接，圖4_1給出的是驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域未被覆蓋IGZO層的切面圖。4)在IGZO層上沉積刻蝕阻擋ESL層204并進(jìn)行刻蝕；優(yōu)選地，刻蝕后的ESL層在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方，由于是在IGZO層上沉積ESL層，而驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域未被覆蓋IGZO層，因此驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域也未被覆蓋ESL層，以方便開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的跳層連接，ESL層具體采用氧化硅SiOx制作ESL層。5)沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極S/漏極D金屬，經(jīng)刻蝕所述開關(guān)TFT的漏極金屬205延伸覆蓋在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方的GI層上；本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選采用濺射Sputter技術(shù)沉積S/D金屬并刻蝕，經(jīng)過刻蝕后，保證Switching TFT的漏極Drain金屬205覆蓋在Driving TFT的gate金屬上,得到如圖4-1所示的截面圖形，優(yōu)選地，S/D金屬采用金屬M(fèi)o或采用Mo/Al/Mo，具體的刻蝕技術(shù)采用現(xiàn)有方法刻蝕過程即可，這里不再詳述。6)沉積保護(hù)層(PVX層)206 ;如圖4-2所示，本實(shí)施例中沉積的保護(hù)層206覆蓋整個(gè)玻璃基板表面，優(yōu)選地，具體采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制作保護(hù)層。7)采用干刻工藝在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方進(jìn)行過孔Via Hole刻蝕，將ViaHole處的保護(hù)層、開關(guān)TFT的漏極金屬及GI層刻蝕掉，形成通孔，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極，得到如圖4-3所示的截面圖形。8)在過孔處沉積氧化銦錫IT0207,實(shí)現(xiàn)Switching TFT和Driving TFT的跳層連接，得到如圖4-4所示的截面圖形。至此，制作出像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT并實(shí)現(xiàn)了跳層連接，進(jìn)一步地，該像素驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容，將驅(qū)動(dòng)TFT與存儲(chǔ)電容連接，從而能夠?qū)崿F(xiàn)像素驅(qū)動(dòng)電路的功能，如圖5所示一個(gè)像素內(nèi)像素驅(qū)動(dòng)電 路的俯視圖，開關(guān)TFT的漏極206通過過孔與驅(qū)動(dòng)TFT的柵極連接。實(shí)施例2I)在玻璃基板上沉積Gate金屬并刻蝕，制作出開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極201 ；具體地，這里的柵極201包括開關(guān)TFT的柵極和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極，具體的刻蝕過程可以采用現(xiàn)有方法，這里不再詳述。優(yōu)選地，具體采用金屬鑰Mo，或者采用鑰Mo/鋁Al/鑰Mo制作開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極。2)沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵絕緣(GI)層202 ；優(yōu)選地，沉積的柵絕緣層202覆蓋整個(gè)玻璃基板表面。具體采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制作GI層。3)在GI層上沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的氧化物半導(dǎo)體層203并進(jìn)行刻蝕；優(yōu)選地，沉積IGZO層并利用濕法刻蝕進(jìn)行刻蝕，刻蝕后的IGZO層在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方，且驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域G未被覆蓋IGZO層，以方便開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的跳層連接。4)在IGZO層上沉積刻蝕阻擋ESL層204并進(jìn)行刻蝕；優(yōu)選地，刻蝕后的ESL層在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方，由于是在IGZO層上沉積ESL層，而驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域未被覆蓋IGZO層，因此驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域也未被覆蓋ESL層，以方便開關(guān)TFT與驅(qū)動(dòng)TFT的跳層連接，ESL層具體采用氧化硅SiOx制作ESL層。本實(shí)施例為了清楚地表示開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的跳層連接，圖4_1給出的是驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域未被覆蓋ESL層的切面圖。5)沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極S/漏極D金屬，經(jīng)刻蝕所述開關(guān)TFT的漏極金屬205延伸覆蓋在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方的GI層上；本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選采用濺射Sputter技術(shù)沉積S/D金屬并刻蝕，經(jīng)過刻蝕后，保證Switching TFT的漏極Drain金屬205覆蓋在Driving TFT的gate金屬上,得到如圖4-1所示的截面圖形，優(yōu)選地，S/D金屬采用金屬M(fèi)o或采用Mo/Al/Mo，具體的刻蝕技術(shù)采用現(xiàn)有方法刻蝕過程即可，這里不再詳述。6)沉積保護(hù)層206;如圖4-2所示，本實(shí)施例中沉積的保護(hù)層206覆蓋整個(gè)玻璃基板表面，優(yōu)選地，具體采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制作保護(hù)層。7)在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方進(jìn)行過孔Via Hole刻蝕，采用干刻工藝將過孔Via Hole處的保護(hù)層刻蝕掉，然后利用濕刻工藝將過孔Via Hole處的開關(guān)TFT的漏極金屬完全刻蝕掉，最后利用干刻工藝將過孔處的GI層刻蝕掉，形成通孔，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極，得到如圖4-3所示的截面圖形。8)在過孔處沉積氧化銦錫IT0207,實(shí)現(xiàn)Switching TFT和Driving TFT的跳層連接，得到如圖4-4所示的截面圖形。本發(fā)明實(shí)施例上提及的濕刻工藝和干刻工藝具體可以采用現(xiàn)有工藝流程實(shí)現(xiàn)，這里不再詳述刻蝕過程。本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT和驅(qū)動(dòng)TFT，所述開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT均包括柵極、柵絕緣GI層、氧化物半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋ESL層、源極/漏極，所 述開關(guān)TFT的漏極經(jīng)氧化銦錫ITO層與所述驅(qū)動(dòng)TFT的柵極連接在一起，所述像素驅(qū)動(dòng)電路采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路制備方法制備得到，Switching TFT和Driving TFT共用一個(gè)通孔實(shí)現(xiàn)跳層連接，由于僅使用一個(gè)通 L，因此增加了背板的開口率。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的像素驅(qū)動(dòng)電路制備方法得到的像素驅(qū)動(dòng)電路。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種像素驅(qū)動(dòng)電路的制備方法，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT和驅(qū)動(dòng)TFT，其特征在于，包括 在基板上依次同時(shí)制作開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極、柵絕緣GI層、氧化物半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋ESL層； 同時(shí)沉積開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極/漏極金屬，經(jīng)刻蝕所述開關(guān)TFT的漏極金屬延伸覆蓋在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方的GI層上； 沉積保護(hù)層，利用過孔エ藝將過孔處的保護(hù)層、開關(guān)TFT的漏極金屬及GI層刻蝕掉，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極； 在過孔處沉積連接開關(guān)TFT的漏極及驅(qū)動(dòng)TFT的柵極的氧化銦錫ITO層。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，利用過孔エ藝將過孔處的保護(hù)層、開關(guān)TFT的漏極金屬及GI層刻蝕棹，具體包括 采用干刻エ藝在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方進(jìn)行過孔刻蝕，將過孔處的保護(hù)層層、開關(guān)TFT的漏極金屬及GI層刻蝕棹，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；或者 在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方進(jìn)行過孔刻蝕，采用干刻エ藝將過孔處的保護(hù)層刻蝕掉，然后利用濕刻エ藝將過孔處的開關(guān)TFT的漏極金屬刻蝕掉，最后利用干刻エ藝將過孔處的GI層刻蝕掉，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，制作氧化物半導(dǎo)體層刻蝕和阻擋層ESL層具體包括 在GI層上沉積氧化物半導(dǎo)體層并利用濕法刻蝕進(jìn)行刻蝕，刻蝕后的氧化物半導(dǎo)體層在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方，且驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方部分區(qū)域未被覆蓋氧化物半導(dǎo)體層； 在氧化物半導(dǎo)體層上沉積ESL層并進(jìn)行刻蝕，刻蝕后的ESL層在開關(guān)TFT的柵極和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在干，具體采用金屬鑰Mo，或者采用鑰Mo/鋁Al/鑰Mo制作開關(guān)TFT的柵極及驅(qū)動(dòng)TFT的柵極。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，具體采用氮化娃SiNx或氧化娃SiOx制作GI層。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，具體采用氧化硅SiOx制作ESL層。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在干，具體采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制作保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路還包括存儲(chǔ)電容，還包括 將所述驅(qū)動(dòng)TFT與存儲(chǔ)電容連接。
9.ー種像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT和驅(qū)動(dòng)TFT，所述開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT均包括柵極、柵絕緣GI層、氧化物半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋ESL層、源極/漏扱，所述開關(guān)TFT的漏極經(jīng)氧化銦錫ITO層與所述驅(qū)動(dòng)TFT的柵極連接在一起。
10.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權(quán)9所述像素驅(qū)動(dòng)電路。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素驅(qū)動(dòng)電路及其制備方法及陣列基板，像素驅(qū)動(dòng)電路包括開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT該方法包括在基板上依次同時(shí)制作開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的柵極、柵絕緣GI層、氧化物半導(dǎo)體層、ESL層；同時(shí)開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的源極/漏極金屬，經(jīng)刻蝕所述開關(guān)TFT的漏極金屬延伸覆蓋在驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上方的GI層上；沉積保護(hù)層，利用過孔工藝將過孔處的保護(hù)層、開關(guān)TFT的漏極金屬及GI層刻蝕掉，露出驅(qū)動(dòng)TFT的柵極；在過孔處沉積連接開關(guān)TFT的漏極及驅(qū)動(dòng)TFT的柵極的氧化銦錫ITO層。本發(fā)明增加了背板的開口率且降低了干刻刻蝕比的開發(fā)及工藝的復(fù)雜性。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102683276SQ201210054258
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月2日
發(fā)明者姜春生 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司