專利名稱：一種tft-lcd陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示技術(shù)，特別是涉及一種TFT-IXD陣列基板及顯示
>J-U裝直。
背景技術(shù)：
目前，TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管 液晶顯示器)的顯示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(VerticalAlignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉(zhuǎn)換)模式和ADS模式
坐寸oADS模式是平面電場(chǎng)寬視角核心技術(shù)-高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced SuperDimension Switch),其核心技術(shù)特性描述為通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。聞級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)技術(shù)可以提聞TFT-IXD廣品的畫面品質(zhì)，具有聞分辨率、聞透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率I-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。如圖I所示，現(xiàn)有ADS模式的TFT-IXD陣列基板上形成有柵線22和數(shù)據(jù)線21，相鄰的柵線22和數(shù)據(jù)線21限定了亞像素區(qū)(即R亞像素區(qū)、G亞像素區(qū)或B亞像素區(qū))，每一個(gè)亞像素區(qū)內(nèi)形成有一個(gè)薄膜晶體管(TFT)、條形公共電極24和像素電極25，公共電極24與像素電極25之間為絕緣層(俯視圖未示出)。在無電壓時(shí)，公共電極24和像素電極25之間無電場(chǎng)，位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子26不發(fā)生偏轉(zhuǎn)；當(dāng)施加電壓時(shí)，公共電極24和像素電極25之間形成水平電場(chǎng)，液晶分子26沿著電場(chǎng)的方向發(fā)生偏轉(zhuǎn)，在寬視角的前提下，實(shí)現(xiàn)了較高的透光效率。如圖2所示，現(xiàn)有ADS模式的TFT-IXD陣列基板通常采用“八”狀的雙疇像素結(jié)構(gòu)，即公共電極34為“八”狀。在施加電壓時(shí)，液晶分子具有對(duì)稱取向，顯示視角可以在特定角度上呈現(xiàn)一致的對(duì)稱性。然而，當(dāng)旋轉(zhuǎn)屏幕或從不同角度觀察屏幕時(shí)，由于液晶分子表觀長(zhǎng)度不同，顯示視角并不是一致對(duì)稱(例如，在0°、90°、180°和270°方向上的視角與45°、135°、225°和315°上的視角就有較大差異)，顯示效果較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-IXD陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有ADS模式的顯示面板視角在不同方向上的對(duì)稱性不一致，顯示效果較差的技術(shù)問題。本發(fā)明的TFT-IXD陣列基板，包括像素區(qū)，所述像素區(qū)包括多個(gè)呈陣列排布的像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一電極和可與第一電極之間形成水平電場(chǎng)的第二電極，其中，所述第二電極包括條形電極，所述條形電極在像素區(qū)內(nèi)組成正三角形、正多邊形或圓形的輻射狀圖案。其中，所述輻射狀圖案的輻射中心為相應(yīng)的像素單元的中心。進(jìn)一步地，所述像素單元為一個(gè)像素或一個(gè)亞像素。優(yōu)選的，所述正多邊形的邊數(shù)為奇數(shù)。較佳的，任兩個(gè)條形電極的寬度相同。較佳的，所述第一電極為面狀電極?？蛇x的，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
或者，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。本發(fā)明顯示裝置，包括前述任一項(xiàng)技術(shù)方案中所述的TFT-IXD陣列基板。在本發(fā)明方案中，由于第二電極包括條形電極，所述條形電極在像素區(qū)內(nèi)組成正三角形、正多邊形或圓形的輻射狀圖案，在對(duì)電極施加電壓時(shí)，多疇像素結(jié)構(gòu)使得液晶分子在各個(gè)方向上具有較為一致的對(duì)稱取向，因此，顯示視角在不同方向上具有較為一致的對(duì)稱性，顯示效果大大提升。


圖I為現(xiàn)有ADS模式的TFT-IXD陣列基板單疇像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖2為現(xiàn)有ADS模式的TFT-IXD陣列基板雙疇像素結(jié)構(gòu)的電極俯視圖；圖3為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖4為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖5為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖6為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第四實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖7為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第五實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖8為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第六實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)俯視圖。附圖標(biāo)記說明21數(shù)據(jù)線 22柵線 25像素電極 26液晶分子24公共電極(現(xiàn)有技術(shù)單疇像素結(jié)構(gòu))34公共電極(現(xiàn)有技術(shù)雙疇像素結(jié)構(gòu))44公共電極(本發(fā)明第一實(shí)施例像素結(jié)構(gòu))54公共電極(本發(fā)明第二實(shí)施例像素結(jié)構(gòu))64公共電極(本發(fā)明第三實(shí)施例像素結(jié)構(gòu))74公共電極(本發(fā)明第四實(shí)施例像素結(jié)構(gòu))84公共電極(本發(fā)明第五實(shí)施例像素結(jié)構(gòu))94公共電極(本發(fā)明第六實(shí)施例像素結(jié)構(gòu))
具體實(shí)施例方式為了解決現(xiàn)有ADS模式的顯示面板視角在不同方向上的對(duì)稱性不一致，顯示效果較差的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種TFT-IXD陣列基板及顯示裝置。為了使本發(fā)明技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明TFT-LCD陣列基板做詳細(xì)的描述。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些具體實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。本發(fā)明TFT-IXD陣列基板，包括像素區(qū)，所述像素區(qū)包括多個(gè)呈陣列排布的像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一電極和可與第一電極之間形成水平電場(chǎng)的第二電極，其中，所述第二電極包括條形電極，所述條形電極在像素區(qū)內(nèi)組成正三角形、正多邊形或圓形的輻射狀圖案。本發(fā)明實(shí)施例中的像素單元，可以為一個(gè)亞像素，也可以為一個(gè)像素；以RGB三基色的陣列基板為例，像素單元為一個(gè)亞像素，指陣列基板上的一個(gè)像素單元為一個(gè)R亞像素、G亞像素、或B亞像素(此時(shí)陣列基板上相應(yīng)的區(qū)域可稱為R亞像素區(qū)、G亞像素區(qū)、或B亞像素區(qū))；像素單元為一個(gè)像素，指陣列基板上的一個(gè)像素單元為一個(gè)由R、G、B三色亞像素構(gòu)成的像素的整體(此時(shí)陣列基板上相應(yīng)的區(qū)域可稱為一個(gè)像素區(qū))。每個(gè)像素單元中，除包括上述的第一電極和第二電極外，還包括薄膜晶體管(TFT)等，因其并非本發(fā)明的設(shè)計(jì)點(diǎn)所在，故不作贅述。在本發(fā)明中，第一電極為面狀電極。第一電極可以為像素電極，則第二電極為公共電極；或者，第一電極為公共電極，則第二電極為像素電極。在位置關(guān)系上，第一電極位于第二電極的下方。優(yōu)選地，在本發(fā)明各實(shí)施例中，輻射狀圖案的輻射中心為相應(yīng)的像素單元的中心。此時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更好的多疇效果。在圖3所示的實(shí)施例中，公共電極44位于像素電極25的上方，兩者中間間隔有絕緣層，公共電極44在R亞像素區(qū)、G亞像素區(qū)和B亞像素區(qū)內(nèi)分別呈正三角形的輻射狀排列，輻射中心分別為R亞像素區(qū)中心、G亞像素區(qū)中心和B亞像素區(qū)中心，即陣列基板上的一個(gè)像素單元為一個(gè)亞像素；為了保證公共電極44和像素電極25之間形成水平電場(chǎng)的均一性，所有條形電極的寬度一致(以下實(shí)施例不再贅述)。當(dāng)亞像素區(qū)被正常驅(qū)動(dòng)時(shí)，像素電極25與公共電極44之間的電壓差形成邊緣電場(chǎng)，可使大多數(shù)液晶分子26沿著邊緣電場(chǎng)在水平方向的分量發(fā)生偏轉(zhuǎn)。在該實(shí)施例中，亞像素區(qū)具有三疇結(jié)構(gòu)，在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，每個(gè)亞像素區(qū)中的液晶分子26沿三個(gè)方向傾斜排列，在多個(gè)方向上具有對(duì)稱取向，在光學(xué)上得到互補(bǔ)，當(dāng)旋轉(zhuǎn)屏幕或從不同角度觀察屏幕時(shí)，顯示視角呈現(xiàn)較為一致的對(duì)稱性，大大提高了現(xiàn)實(shí)效果。在圖4所示的實(shí)施例中，陣列基板上的一個(gè)像素單元為一個(gè)像素，公共電極54在每一個(gè)完整的像素區(qū)(即由R亞像素區(qū)、G亞像素區(qū)和B亞像素區(qū)組成的像素區(qū))內(nèi)以像素區(qū)中心為輻射中心呈正三角形的輻射狀排列。完整的像素區(qū)具有三疇結(jié)構(gòu)，每一個(gè)亞像素區(qū)的公共電極54匹配均勻(即正三角形的三條邊在亞像素區(qū)匹配均勻)，在實(shí)現(xiàn)顯示視角對(duì)稱性的同時(shí)，也減少色偏現(xiàn)象。以下圖6和圖8實(shí)施例同理，不再贅述。在圖5所示的實(shí)施例中，公共電極64在每一個(gè)亞像素區(qū)內(nèi)以亞像素區(qū)中心為輻射中心呈正方形的輻射狀排列，在圖6所示的實(shí)施例中，公共電極74在每一個(gè)完整像素區(qū)內(nèi) 以完整像素區(qū)中心為輻射中心呈正方形的輻射狀排列。由于偶數(shù)邊正多邊形的邊是對(duì)稱的，因此，圖5和圖6中的像素疇數(shù)實(shí)際為兩疇(同理，正六邊形結(jié)構(gòu)的疇數(shù)實(shí)際為三疇，可依次類推，這里不再贅述)，但即使為兩疇，卻不同于現(xiàn)有技術(shù)中的雙疇結(jié)構(gòu)，在O。、90°、180°和270°方向上的視角與45°、135°、225°和315°上的視角呈現(xiàn)一致的對(duì)稱性。理論上，疇數(shù)的增多有利于提高顯示視角的對(duì)稱性和消除色偏。因此，正多邊形的邊數(shù)優(yōu)選為奇數(shù)，這樣像素疇數(shù)就等于實(shí)際的邊數(shù)，例如正五邊形結(jié)構(gòu)的疇數(shù)為五疇。圖7和圖8示出了本發(fā)明的最佳實(shí)施例，在圖7中，公共電極84在每一個(gè)亞像素區(qū)內(nèi)以亞像素區(qū)中心為輻射中心呈圓形的輻射狀排列，在圖8所示的實(shí)施例中，公共電極94在每一個(gè)完整像素區(qū)內(nèi)以完整像素區(qū)中心為輻射中心呈圓形的輻射狀排列。這樣的設(shè)計(jì)其實(shí)也是正多邊形邊數(shù)增加到無窮大的極限情況，顯示面板在360°方向上的顯示視角具有一致的對(duì)稱性。
本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的TFT-IXD陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種TFT-IXD陣列基板，其特征在于，包括像素區(qū)，所述像素區(qū)包括多個(gè)呈陣列排布的像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一電極和可與第一電極之間形成水平電場(chǎng)的第二電極，其中， 所述第二電極包括條形電極，所述條形電極在像素區(qū)內(nèi)組成正三角形、正多邊形或圓形的輻射狀圖案。
2.如權(quán)利要求I所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述輻射狀圖案的輻射中心為相應(yīng)的像素單元的中心。
3.如權(quán)利要求I或2所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述像素單元為一個(gè)像素或一個(gè)亞像素。
4.如權(quán)利要求I所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述正多邊形的邊數(shù)為奇數(shù)。
5.如權(quán)利要求I所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，任兩個(gè)條形電極的寬度相同。
6.如權(quán)利要求I所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一電極為面狀電極。
7.如權(quán)利要求I所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
8.如權(quán)利要求I所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求I 8中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT-LCD陣列基板及顯示裝置，所述陣列基板包括像素區(qū)，所述像素區(qū)包括多個(gè)呈陣列排布的像素單元，每個(gè)所述像素單元包括第一電極和可與第一電極之間形成水平電場(chǎng)的第二電極，其中，所述第二電極包括條形電極，所述條形電極在像素區(qū)內(nèi)組成正三角形、正多邊形或圓形的輻射狀圖案。在對(duì)電極施加電壓時(shí)，多疇像素結(jié)構(gòu)使得液晶分子在各個(gè)方向上具有較為一致的對(duì)稱取向，因此，顯示視角在不同方向上具有較為一致的對(duì)稱性，顯示效果大大提升。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102629042SQ20121005431
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月2日
發(fā)明者木素真, 李成, 董學(xué), 郭仁偉, 陳東 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司